高频模块和通信装置的制作方法

文档序号:27354141发布日期:2021-11-10 09:14阅读:70来源:国知局
高频模块和通信装置的制作方法

1.本实用新型涉及一种高频模块和通信装置。


背景技术:

2.专利文献1中公开了一种高频段侧的发送接收电路和低频段侧的发送接收电路连接于天线而成的高频模块的电路结构。高频段侧的发送接收电路具有以不同的通信频段为通带的多个双工器以及连接了该多个双工器的第一开关电路。低频段侧的发送接收电路具有以不同的通信频段为通带的多个双工器以及连接了该多个双工器的第二开关电路。由此,能够确保高频段侧的发送接收电路与低频段侧的发送接收电路的隔离度。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1:日本特开2016

96486号公报


技术实现要素:

6.实用新型要解决的问题
7.然而,在专利文献1中,当将独立地设置的高频段侧的发送接收电路和低频段侧的发送接收电路配置到1个高频模块内时,该高频模块会大型化。特别是,伴随着多频段化,要处理的通信频段数增加,随之电路规模变大从而大型化的速度加快,并且天线与上述2个发送接收电路之间的连接布线变长从而传输损耗变大。
8.本实用新型是为了解决上述问题而完成的,其目的在于提供一种在减少传输损耗的同时得以小型化的高频模块和通信装置。
9.用于解决问题的方案
10.为了实现上述目的,本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备:模块基板,其具有彼此相向的第一主面和第二主面,所述模块基板能够在两个面安装电路部件;多个外部连接端子;第一开关集成电路,其连接于作为所述多个外部连接端子之一的天线连接端子;以及不同于所述第一开关集成电路的第二开关集成电路,其连接于所述天线连接端子,其中,所述多个外部连接端子配置于所述第二主面,所述第一开关集成电路和所述第二开关集成电路中的至少一方配置于所述第二主面。
11.优选地,所述第一开关集成电路具有第一公共端子、第一选择端子以及第二选择端子,所述第二开关集成电路具有第二公共端子、第三选择端子以及第四选择端子,所述高频模块还具备:第一滤波器,其连接于所述第一选择端子,具有第一通带;第二滤波器,其连接于所述第二选择端子,具有第二通带;第三滤波器,其连接于所述第三选择端子,具有第三通带;以及第四滤波器,其连接于所述第四选择端子,具有第四通带。
12.优选地,所述第二开关集成电路配置于所述第二主面,所述第三滤波器和所述第四滤波器配置于所述第一主面。
13.优选地,在俯视所述模块基板的情况下,所述第二开关集成电路与所述第三滤波
器至少有一部分重叠,并且所述第二开关集成电路与所述第四滤波器至少有一部分重叠。
14.优选地,所述第一开关集成电路配置于所述第二主面,所述第一滤波器和所述第二滤波器配置于所述第一主面。
15.优选地,所述第一开关集成电路配置于所述第一主面,所述第一滤波器和所述第二滤波器配置于所述第二主面。
16.优选地,在俯视所述模块基板的情况下,所述第一开关集成电路与所述第一滤波器至少有一部分重叠,并且所述第一开关集成电路与所述第二滤波器至少有一部分重叠。
17.优选地,所述第一通带、所述第二通带、所述第三通带以及所述第四通带按此顺序从低频侧到高频侧或者从高频侧到低频侧排列,所述第一通带及所述第二通带的频率与所述第三通带及所述第四通带的频率不重叠。
18.本实用新型的一个方式所涉及的通信装置具备:射频信号处理电路,其对利用天线发送接收的高频信号进行处理;以及上述的高频模块,其在所述天线与所述射频信号处理电路之间传输所述高频信号。
19.实用新型的效果
20.根据本实用新型,能够提供在减少传输损耗的同时得以小型化的高频模块和通信装置。
附图说明
21.图1是实施方式所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。
22.图2a是实施方式所涉及的开关的电路结构图。
23.图2b是比较例所涉及的开关的电路结构图。
24.图2c是表示各开关和各双工器所支持的频带的关系的图。
25.图3是将实施方式和比较例所涉及的开关的频率特性进行比较所得到的图表。
26.图4a是实施例所涉及的高频模块的平面结构概要图。
27.图4b是实施例所涉及的高频模块的截面结构概要图。
28.图4c是变形例1所涉及的高频模块的截面结构概要图。
29.图5a是变形例2所涉及的高频模块的平面结构概要图。
30.图5b是变形例2所涉及的高频模块的截面结构概要图。
31.图6是变形例3所涉及的高频模块的截面结构概要图。
具体实施方式
32.下面,详细说明本实用新型的实施方式。此外,下面说明的实施方式表示总括性或具体的例子。另外,下面的实施方式、实施例以及变形例所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置以及连接方式等是一个例子,其主旨并不在于限定本实用新型。另外,关于下面的实施例和变形例的结构要素中的未记载于独立权利要求的结构要素,设为任意的结构要素来进行说明。另外,附图所示的结构要素的大小或者大小之比未必是严格的。在各图中,对实质上相同的结构标注相同的标记,有时省略或简化重复的说明。
33.另外,下面,平行和垂直等表示要素之间的关系性的用语和矩形形状等表示要素的形状的用语以及数值范围表示实质上等同的范围,例如还包括百分之几左右的差异,而
不是仅表示严格的含义。
34.另外,下面,在安装于基板的a、b及c中,“在俯视基板(或基板的主面)时,在a与b之间配置有c”表示:在俯视基板时,将a内的任意的点与b内的任意的点连结的多个线段中的至少1个线段经过c的区域。另外,俯视基板表示:将基板和安装于基板的电路元件正投影到与基板的主面平行的平面来进行观察。
35.另外,下面,“发送路径”表示由传播高频发送信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。另外,“接收路径”表示由传播高频接收信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。
36.另外,下面,“a与b连接”不仅适用于a与b在物理上连接的情况,也适用于a与b电连接的情况。
37.(实施方式)
38.[1.高频模块1和通信装置5的电路结构]
[0039]
图1是实施方式所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构图。如该图所示,通信装置5具备高频模块1、天线2、射频(rf)信号处理电路(rfic)3、基带信号处理电路(bbic)4、开关13、14、15及16、功率放大器41及42、以及低噪声放大器51及52。
[0040]
rfic 3是对利用天线2发送接收的高频信号进行处理的rf信号处理电路。具体地说,rfic 3对经由高频模块1的接收路径输入的接收信号通过下变频等进行信号处理,将该信号处理后生成的接收信号输出到bbic 4。另外,rfic 3对从bbic 4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理,将该信号处理后生成的发送信号输出到高频模块1的发送路径。
[0041]
bbic 4是使用频率比在高频模块1中传播的高频信号的频率低的中间频带来进行信号处理的电路。由bbic 4处理后的信号例如被用作用于图像显示的图像信号,或者被用作声音信号以借助扬声器进行通话。
[0042]
另外,rfic 3还具有基于所使用的通信频段(频带)来控制开关13~16、高频模块1所具有的开关11及12的连接的作为控制部的功能。具体地说,rfic 3通过控制信号(未图示)来切换开关11~16的连接。此外,控制部也可以设置于rfic 3的外部,例如也可以设置于高频模块1或bbic 4。
[0043]
天线2连接于高频模块1的天线连接端子100,辐射从高频模块1输出的高频信号,另外,接收来自外部的高频信号后输出到高频模块1。
[0044]
此外,在本实施方式所涉及的通信装置5中,天线2和bbic 4不是必需的结构要素。
[0045]
接着,说明高频模块1的详细结构。
[0046]
如图1所示,高频模块1具备开关11及12、双工器21、22、23、24、25及26、以及匹配电路31及32。
[0047]
天线连接端子100是多个外部连接端子之一,连接于天线2。
[0048]
开关11是第一开关ic的一例,是具有公共端子11a(第一公共端子)、选择端子11b(第一选择端子)、选择端子11c(第二选择端子)以及选择端子11d的sp3t(single pole 3throw:单刀三掷)型的天线开关。开关11由1个半导体ic(integrated circuit:集成电路)形成。开关11对公共端子11a与选择端子11b的连接和非连接、公共端子11a与选择端子11c的连接和非连接、以及公共端子11a与选择端子11d的连接和非连接进行切换。公共端子11a
经由匹配电路31连接于天线连接端子100,选择端子11b连接于双工器21,选择端子11c连接于双工器22,选择端子11d连接于双工器23。
[0049]
开关12是第二开关ic的一例,是具有公共端子12a(第二公共端子)、选择端子12b(第三选择端子)、选择端子12c(第四选择端子)以及选择端子12d的sp3t型的天线开关。开关12由1个半导体ic形成。开关12对公共端子12a与选择端子12b的连接和非连接、公共端子12a与选择端子12c的连接和非连接、以及公共端子12a与选择端子12d的连接和非连接进行切换。公共端子12a经由匹配电路32连接于天线连接端子100,选择端子12b连接于双工器24,选择端子12c连接于双工器25,选择端子12d连接于双工器26。
[0050]
形成开关11的半导体ic以及形成开关12的半导体ic例如分别由cmos(complementary metal oxide semiconductor:互补金属氧化物半导体)构成。具体地说,是通过soi(silicon on insulator:绝缘体上的硅)工艺来形成的。由此,能够廉价地制造半导体ic。此外,半导体ic也可以由gaas、sige以及gan中的至少任一者构成。由此,能够输出具有高质量的放大性能和噪声性能的高频信号。
[0051]
双工器21由发送滤波器21t和接收滤波器21r构成。发送滤波器21t是第一滤波器的一例,以通信频段a的发送带(第一通带)为通带。另外,接收滤波器21r是第一滤波器的一例,以通信频段a的接收带(第一通带)为通带。发送滤波器21t的输出端子及接收滤波器21r的输入端子连接于选择端子11b。发送滤波器21t的输入端子连接于开关13的第一选择端子。接收滤波器21r的输出端子连接于开关14的第一选择端子。
[0052]
双工器22由发送滤波器22t和接收滤波器22r构成。发送滤波器22t是第二滤波器的一例,以通信频段b的发送带(第二通带)为通带。另外,接收滤波器22r是第二滤波器的一例,以通信频段b的接收带(第二通带)为通带。发送滤波器22t的输出端子及接收滤波器22r的输入端子连接于选择端子11c。发送滤波器22t的输入端子连接于开关13的第二选择端子。接收滤波器22r的输出端子连接于开关14的第二选择端子。
[0053]
双工器23由发送滤波器23t和接收滤波器23r构成。发送滤波器23t以通信频段c的发送带为通带。另外,接收滤波器23r以通信频段c的接收带为通带。发送滤波器23t的输出端子及接收滤波器23r的输入端子连接于选择端子11d。发送滤波器23t的输入端子连接于开关13的第三选择端子。接收滤波器23r的输出端子连接于开关14的第三选择端子。
[0054]
双工器24由发送滤波器24t和接收滤波器24r构成。发送滤波器24t是第三滤波器的一例,以通信频段d的发送带(第三通带)为通带。另外,接收滤波器24r是第三滤波器的一例,以通信频段d的接收带(第三通带)为通带。发送滤波器24t的输出端子及接收滤波器24r的输入端子连接于选择端子12b。发送滤波器24t的输入端子连接于开关15的第一选择端子。接收滤波器24r的输出端子连接于开关16的第一选择端子。
[0055]
双工器25由发送滤波器25t和接收滤波器25r构成。发送滤波器25t是第四滤波器的一例,以通信频段e的发送带(第四通带)为通带。另外,接收滤波器25r是第四滤波器的一例,以通信频段e的接收带(第四通带)为通带。发送滤波器25t的输出端子及接收滤波器25r的输入端子连接于选择端子12c。发送滤波器25t的输入端子连接于开关15的第二选择端子。接收滤波器25r的输出端子连接于开关16的第二选择端子。
[0056]
双工器26由发送滤波器26t和接收滤波器26r构成。发送滤波器26t以通信频段f的发送带为通带。另外,接收滤波器26r以通信频段f的接收带为通带。发送滤波器26t的输出
端子及接收滤波器26r的输入端子连接于选择端子12d。发送滤波器26t的输入端子连接于开关15的第三选择端子。接收滤波器26r的输出端子连接于开关16的第三选择端子。
[0057]
此外,通信频段a、b、c例如是属于中频段组(1.45ghz

2.2ghz)的通信频段,通信频段d、e、f例如是属于高频段组(2.3ghz

2.7ghz)的通信频段。
[0058]
另外,开关11及12所分别连接的双工器的数量为2以上即可。但是,连接于开关11的2个以上的双工器的通带与连接于开关12的2个以上的双工器的通带以规定的边界频率分开,频率不重叠。
[0059]
另外,在本实施方式所涉及的高频模块1中,各通信频段的发送滤波器和接收滤波器构成了以频分双工(fdd:frequency division duplex)方式传输发送信号和接收信号的双工器,但是也可以是以时分双工(tdd:time division duplex)方式传输发送信号和接收信号。在该情况下,在发送滤波器及接收滤波器的前级和后级中的至少一方配置用于在发送与接收之间进行切换的开关。
[0060]
此外,上述的发送滤波器21t~26t和接收滤波器21r~26r例如可以是声表面波滤波器、使用了baw(bulk acoustic wave:体声波)的弹性波滤波器、lc谐振滤波器以及电介质滤波器中的任一者,而且不限定于它们。
[0061]
匹配电路31连接于天线连接端子100与开关11之间,取得天线2与开关11的阻抗匹配。匹配电路32连接于天线连接端子100与开关12之间,取得天线2与开关12的阻抗匹配。匹配电路31及32各自包括电感器和电容器中的至少一方。
[0062]
从天线连接端子100看向匹配电路31时的阻抗例如在通信频段d、e、f的频带下呈大致开路状态,从天线连接端子100看向匹配电路32时的阻抗例如在通信频段a、b、c的频带下呈大致开路状态。由此,能够提高通信频段a、b、c的高频信号与通信频段d、e、f的高频信号的隔离度。
[0063]
此外,在通过开关11及12的连接和非连接的切换可充分确保通信频段a、b、c的高频信号与通信频段d、e、f的高频信号的隔离度的情况下,也可以不具有匹配电路31及32。在该情况下,开关11的第一公共端子直接连接于天线连接端子100,开关12的第二公共端子直接连接于天线连接端子100。另外,也可以是,在开关11与双工器21~23中的至少1个双工器之间连接有匹配电路。另外,也可以是,在开关12与双工器24~26中的至少1个双工器之间连接有匹配电路。
[0064]
开关13由具有公共端子、第一选择端子、第二选择端子以及第三选择端子的sp3t型的开关电路构成。开关13的公共端子连接于功率放大器41。开关14由具有公共端子、第一选择端子、第二选择端子以及第三选择端子的sp3t型的开关电路构成。开关14的公共端子连接于低噪声放大器51。
[0065]
开关15由具有公共端子、第一选择端子、第二选择端子以及第三选择端子的sp3t型的开关电路构成。开关15的公共端子连接于功率放大器42。开关16由具有公共端子、第一选择端子、第二选择端子以及第三选择端子的sp3t型的开关电路构成。开关16的公共端子连接于低噪声放大器52。
[0066]
功率放大器41是放大通信频段a、b、c的发送信号的发送放大器。功率放大器41的输入端子连接于rfic 3,功率放大器41的输出端子连接于开关13。另外,功率放大器42是放大通信频段d、e、f的发送信号的发送放大器。功率放大器42的输入端子连接于rfic 3,功率
放大器42的输出端子连接于开关15。
[0067]
低噪声放大器51是放大通信频段a、b、c的接收信号的接收放大器。低噪声放大器51的输入端子连接于开关14,低噪声放大器51的输出端子连接于rfic 3。另外,低噪声放大器52是放大通信频段d、e、f的接收信号的接收放大器。低噪声放大器52的输入端子连接于开关16,低噪声放大器52的输出端子连接于rfic 3。
[0068]
功率放大器41及42以及低噪声放大器51及52例如由以si系的cmos或gaas为材料的场效应型晶体管(fet)或异质结双极型晶体管(hbt)等构成。
[0069]
此外,开关13~16也可以包括在高频模块1中。另外,功率放大器41及42以及低噪声放大器51及52也可以包括在高频模块1中。
[0070]
根据上述电路结构,本实施方式所涉及的高频模块1能够执行通信频段a、b、c中的至少1个通信频段的高频信号和通信频段d、e、f中的至少1个通信频段的高频信号的同时发送、同时接收以及同时发送接收中的至少任一者。
[0071]
此外,本实用新型所涉及的高频模块只要具备开关11及12以及双工器21、22、24及25即可,在该情况下,也可以不具有匹配电路31及32、双工器23及26。另外,也可以是,仅配置有发送滤波器和接收滤波器中的一方,来代替双工器21~26中的各双工器。
[0072]
图2a是实施方式所涉及的高频模块1所具备的开关11及12的电路结构图。另外,图2b是比较例所涉及的开关200的电路结构图。另外,图2c是表示各开关和各双工器所支持的频带的关系的图。
[0073]
在实施方式所涉及的高频模块1中,如图2a所示,用于传输通信频段a、b、c的高频信号的开关11与用于传输通信频段d、e、f的高频信号的开关12由不同的半导体ic形成。与此相对,比较例所涉及的开关200具有1个公共端子200a和6个选择端子200b、200c、200d、200e、200f以及200g。在选择端子200b连接双工器21,在选择端子200c连接双工器22,在选择端子200d连接双工器23,在选择端子200e连接双工器24,在选择端子200f连接双工器25,在选择端子200g连接双工器26。也就是说,在比较例中,利用1个开关200来传输通信频段a、b、c、d、e、f的高频信号。
[0074]
图2c中示出了双工器21~26的通带与开关11、12以及200所支持的频带的关系。
[0075]
在本实施方式所涉及的高频模块1中,双工器21的通带、双工器22的通带、双工器23的通带、双工器24的通带、双工器25的通带以及双工器26的通带按此顺序从低频侧到高频侧排列。另外,双工器21~23的通带的频率与双工器24~26的通带的频率不重叠。此外,也可以是,双工器21的通带、双工器22的通带、双工器23的通带、双工器24的通带、双工器25的通带以及双工器26的通带按此顺序从高频侧到低频侧排列。
[0076]
如图2c所示,本实施方式所涉及的开关11必须支持的频率波范围是双工器21~23的通带,开关12必须支持的频率波范围是双工器24~26的通带。另一方面,比较例所涉及的开关200必须支持的频率波范围是双工器21~26的通带。也就是说,开关11及12各自必须支持的频率波范围比开关200必须支持的频率波范围小。
[0077]
图3是将实施方式所涉及的开关11和比较例所涉及的开关200的频率特性进行比较所得到的图表。该图中示出了在开关11中将公共端子11a与选择端子11b连接且使公共端子11a不与其它选择端子连接的情况下的开关11的带通特性。另外,该图中示出了在开关200中将公共端子200a与选择端子200b连接且使公共端子200a不与其它选择端子连接的情
况下的开关200的带通特性。
[0078]
如图3所示,在包含通信频段a~f的频带(3ghz以下的频率范围)中,相比于开关200而言,开关11的插入损耗更小。也就是说,相比于开关200而言,开关11以更低损耗传输3ghz以下的高频信号。这是由于以下(1)

(3)等原因:(1)开关11能够使公共端子与各选择端子之间的连接布线长度更短;(2)开关11的选择端子数更少,因此能够减少未被连接的公共端子与选择端子之间的断开电容的影响;以及(3)开关11能够在更窄带的范围内调整输入输出阻抗,因此能够高精度地优化阻抗。也就是说,在将开关11及12用例如1个半导体ic构成为1个开关200的情况下,高频模块的带通特性劣化。
[0079]
另外,在将上述电路结构用1个模块构成为小型的前端电路的情况下,伴随着多频段化,通信频段的数量增加,随之电路规模变大从而大型化的速度加快。另外,开关11及12与天线之间的连接布线变长从而传输损耗变大。
[0080]
与此相对,在本实施方式所涉及的高频模块1中,具有在减少传输损耗的同时得以小型化的结构。下面,说明构成本实施方式所涉及的高频模块1的电路部件的配置结构。
[0081]
[2.实施例所涉及的高频模块1a的电路元件配置结构]
[0082]
图4a是实施例所涉及的高频模块1a的平面结构概要图。另外,图4b是实施例所涉及的高频模块1a的截面结构概要图,具体地说,是图4a的ivb

ivb线处的截面图。此外,图4a的(a)中示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面,图4a的(b)中示出了透视从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路元件的配置所得到的图。
[0083]
实施例所涉及的高频模块1a具体地示出了构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。
[0084]
如图4a和图4b所示,本实施例所涉及的高频模块1a除了具有图1中示出的电路结构以外,还具有模块基板91、外部连接端子150、树脂构件92及93以及屏蔽层95g。
[0085]
模块基板91具有彼此相向的主面91a(第一主面)和主面91b(第二主面),是能够在两个面安装高频模块1所具备的各电路部件的基板。作为模块基板91,例如使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(low temperature co

fired ceramics:ltcc)基板、高温共烧陶瓷(high temperature co

fired ceramics:htcc)基板、部件内置基板、具有重新布线层(redistribution layer:rdl)的基板、或者印刷电路板等。
[0086]
树脂构件92被配置成覆盖模块基板91的主面91a,具有确保安装于主面91a的电路部件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。树脂构件93被配置成覆盖模块基板91的主面91b,具有确保安装于主面91b的电路部件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。此外,树脂构件92及93不是本实用新型所涉及的高频模块所必需的结构要素。
[0087]
此外,在本实施例中,匹配电路31至少包括芯片状的电感器,另外,匹配电路32至少包括芯片状的电感器。
[0088]
如图4a和图4b所示,在本实施例所涉及的高频模块1a中,双工器21~26、匹配电路31及32配置于模块基板91的主面91a。另一方面,开关11及12配置于模块基板91的主面91b。
[0089]
另外,多个外部连接端子150配置于模块基板91的主面91b。高频模块1a与配置于高频模块1a的z轴负方向侧的外部基板经由多个外部连接端子150来进行电信号的交换。多个外部连接端子150之一是天线连接端子100。另外,多个外部连接端子150中的几个被设定
为外部基板的地电位。
[0090]
在主面91a及91b中的与外部基板相向的主面91b配置有容易降低高度的开关11及12,因此能够使高频模块1a整体高度降低。
[0091]
根据上述结构,构成高频模块1a的电路部件被分配地配置到模块基板91的主面91a和主面91b,因此能够使高频模块1a小型化。另外,连接于天线连接端子100的开关电路被分割为支持通信频段a、b、c的开关11以及支持通信频段d、e、f的开关12,因此与连接于天线连接端子100的开关电路由1个开关构成的高频模块相比,能够以更低损耗传输通信频段a~f的高频信号。并且,开关11及12配置于配置有天线连接端子100的主面91b,因此能够使天线连接端子100与开关11及12之间的连接布线短,能够减少高频信号的传输损耗。因此,能够提供在减少传输损耗的同时得以小型化的高频模块1a。
[0092]
另外,在本实施例所涉及的高频模块1a中,开关11配置于主面91b,双工器21~23配置于主面91a。由此,用于传输通信频段a、b、c的高频信号的开关11与双工器21~23被分配地配置到两个面,因此能够使高频模块1a小型化。
[0093]
并且,期望的是,如图4a所示,在俯视模块基板91的情况下,开关11与双工器21至少有一部分重叠,并且开关11与双工器22至少有一部分重叠。由此,能够使开关11与双工器21及22之间的连接布线短,因此能够减少通信频段a及b的高频信号的传输损耗。
[0094]
另外,在本实施例所涉及的高频模块1a中,开关12配置于主面91b,双工器24~26配置于主面91a。由此,用于传输通信频段d、e、f的高频信号的开关12与双工器24~26被分配地配置到两个面,因此能够使高频模块1a小型化。
[0095]
并且,期望的是,如图4a所示,在俯视模块基板91的情况下,开关12与双工器24至少有一部分重叠,并且开关12与双工器25至少有一部分重叠。由此,能够使开关12与双工器24及25之间的连接布线短,因此能够减少通信频段d及e的高频信号的传输损耗。
[0096]
此外,也可以是,如图4b所示,高频模块1a还具备屏蔽层95g,该屏蔽层95g覆盖树脂构件92的表面和侧面以及树脂构件93的侧面,且被设定为地电位。由此,高频模块1a的与外部电路的电磁场屏蔽功能提高。
[0097]
此外,也可以是,图1中示出的开关13~16、功率放大器41、42以及低噪声放大器51、52中的至少一者配置于模块基板91。
[0098]
[3.变形例1所涉及的高频模块1b的电路元件配置结构]
[0099]
此外,外部连接端子150既可以是如图4b所示那样沿z轴方向贯通树脂构件93的柱状电极,另外,也可以是凸块电极。
[0100]
图4c是变形例1所涉及的高频模块1b的平面结构概要图。图4c中示出的高频模块1b与实施例所涉及的高频模块1a相比在以下方面不同:配置有凸块电极160来代替外部连接端子150;以及在主面91b侧没有配置树脂构件93。
[0101]
[4.变形例2所涉及的高频模块1c的电路元件配置结构]
[0102]
图5a是变形例2所涉及的高频模块1c的平面结构概要图。另外,图5b是变形例2所涉及的高频模块1c的截面结构概要图,具体地说,是图5a的vb

vb线处的截面图。此外,图5a的(a)中示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面,图5a的(b)中示出了透视从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路元件的配置所得到的图。
[0103]
变形例2所涉及的高频模块1c具体地示出了构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。
[0104]
如图5a和图5b所示,本变形例所涉及的高频模块1c除了具有图1中示出的电路结构以外,还具有模块基板91、外部连接端子150、树脂构件92及93以及屏蔽层95g。
[0105]
本变形例所涉及的高频模块1c与实施例所涉及的高频模块1a相比,仅构成高频模块1c的电路元件的配置结构不同。下面,关于本变形例所涉及的高频模块1c,省略其与实施例所涉及的高频模块1a相同的方面的说明,以不同的方面为中心来进行说明。
[0106]
如图5a和图5b所示,在本变形例所涉及的高频模块1c中,开关11、双工器24~26以及匹配电路32配置于模块基板91的主面91a。另一方面,开关12、双工器21~23以及匹配电路31配置于模块基板91的主面91b。
[0107]
另外,多个外部连接端子150配置于模块基板91的主面91b。多个外部连接端子150之一是天线连接端子100。
[0108]
根据上述结构,构成高频模块1c的电路部件被分配地配置到模块基板91的主面91a和主面91b,因此能够使高频模块1c小型化。另外,连接于天线连接端子100的开关电路被分割为支持通信频段a、b、c的开关11以及支持通信频段d、e、f的开关12,因此与连接于天线连接端子100的开关电路由1个开关构成的高频模块相比,能够以更低损耗传输通信频段a~f的高频信号。并且,开关12配置于配置有天线连接端子100的主面91b,因此能够使天线连接端子100与开关12之间的连接布线短,能够减少通信频段d、e、f的高频信号的传输损耗。因此,能够提供在减少传输损耗的同时得以小型化的高频模块1c。
[0109]
另外,在本变形例所涉及的高频模块1c中,开关11配置于主面91a,双工器21~23配置于主面91b。由此,用于传输通信频段a、b、c的高频信号的开关11与双工器21~23被分配地配置到两个面,因此能够使高频模块1c小型化。
[0110]
并且,期望的是,如图5a所示,在俯视模块基板91的情况下,开关11与双工器21至少有一部分重叠,并且开关11与双工器22至少有一部分重叠。由此,能够使开关11与双工器21及22之间的连接布线短,因此能够减少通信频段a及b的高频信号的传输损耗。
[0111]
[5.变形例3所涉及的高频模块1d的电路元件配置结构]
[0112]
图6是变形例3所涉及的高频模块1d的截面结构概要图。
[0113]
变形例3所涉及的高频模块1d具体地示出了构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。
[0114]
如图6所示,本变形例所涉及的高频模块1d除了具有图1中示出的电路结构以外,还具有模块基板91、外部连接端子150、树脂构件92及93以及屏蔽层95g。
[0115]
本变形例所涉及的高频模块1d与实施例所涉及的高频模块1a相比,仅构成高频模块1d的电路元件的配置结构不同。下面,关于本变形例所涉及的高频模块1d,省略其与实施例所涉及的高频模块1a相同的方面的说明,以不同的方面为中心来进行说明。
[0116]
在本变形例所涉及的高频模块1d中,开关11和双工器21~23(双工器23在图6中未图示)配置于模块基板91的主面91a。另一方面,开关12和双工器24~26(双工器26在图6中未图示)配置于模块基板91的主面91b。
[0117]
另外,多个外部连接端子150配置于模块基板91的主面91b。另外,虽然在图6中未图示,但是多个外部连接端子150之一是天线连接端子100。
[0118]
根据上述结构,构成高频模块1d的电路部件被分配地配置到模块基板91的主面91a和主面91b,因此能够使高频模块1d小型化。另外,连接于天线连接端子100的开关电路被分割为支持通信频段a、b、c的开关11以及支持通信频段d、e、f的开关12,因此与连接于天线连接端子100的开关电路由1个开关构成的高频模块相比,能够以更低损耗传输通信频段a~f的高频信号。并且,开关12配置于配置有天线连接端子100的主面91b,因此能够使天线连接端子100与开关12之间的连接布线短,能够减少通信频段d、e、f的高频信号的传输损耗。因此,能够提供在减少传输损耗的同时得以小型化的高频模块1d。
[0119]
另外,在本变形例所涉及的高频模块1d中,用于传输通信频段a、b、c的高频信号的开关11以及双工器21~23配置于主面91a,用于传输通信频段d、e、f的高频信号的开关12以及双工器24~26配置于主面91b。由此,通信频段a、b、c的高频信号的传输路径与通信频段d、e、f的高频信号的传输路径被模块基板91分离,因此通信频段a、b、c的高频信号与通信频段d、e、f的高频信号的隔离度提高。
[0120]
[6.效果等]
[0121]
以上,本实施方式所涉及的高频模块1具备:模块基板91,其具有彼此相向的主面91a及91b,该模块基板91能够在两个面安装电路部件;多个外部连接端子150;开关11,其连接于作为多个外部连接端子150之一的天线连接端子100;以及不同于开关11的开关12,其连接于天线连接端子100,其中,多个外部连接端子150配置于主面91b,开关11及12中的至少一方配置于主面91b。
[0122]
据此,构成高频模块1的电路部件被分配地配置到主面91a和主面91b,因此能够使高频模块1小型化。另外,连接于天线连接端子100的开关电路被分割为开关11和开关12,因此与连接于天线连接端子100的开关电路由1个开关构成的高频模块相比,能够以更低损耗传输高频信号。并且,开关11及12中的一方配置于配置有天线连接端子100的主面91b,因此能够使天线连接端子100与开关11及12中的上述一方之间的连接布线短,能够减少通过上述一方的高频信号的传输损耗。因此,能够提供在减少传输损耗的同时得以小型化的高频模块1。
[0123]
另外,开关11具有公共端子11a、选择端子11b及11c,开关12具有公共端子12a、选择端子12b及12c,高频模块1还具备:双工器21,其连接于选择端子11b,以通信频段a为通带;双工器22,其连接于选择端子11c,以通信频段b为通带;双工器24,其连接于选择端子12b,以通信频段d为通带;以及双工器25,其连接于选择端子12c,以通信频段e为通带。
[0124]
另外,在高频模块1a、1b、1c中,也可以是,开关12配置于主面91b,双工器24及25配置于主面91a。
[0125]
由此,用于传输通信频段d及e的高频信号的开关12与双工器24及25被分配地配置到两个面,因此能够使高频模块小型化。
[0126]
并且,在高频模块1a、1b、1c中,也可以是,在俯视模块基板91的情况下,开关12与双工器24至少有一部分重叠,并且开关12与双工器25至少有一部分重叠。
[0127]
由此,能够使开关12与双工器24及25之间的连接布线短,因此能够减少通信频段d及e的高频信号的传输损耗。
[0128]
另外,在高频模块1a、1b中,也可以是,开关11配置于主面91b,双工器21及22配置于主面91a。
[0129]
由此,用于传输通信频段a及b的高频信号的开关11与双工器21及22被分配地配置到两个面,因此能够使高频模块小型化。
[0130]
另外,在高频模块1c中,也可以是,开关11配置于主面91a,双工器21及22配置于主面91b。
[0131]
由此,用于传输通信频段a及b的高频信号的开关11与双工器21及22被分配地配置到两个面,因此能够使高频模块小型化。
[0132]
并且,在高频模块1a、1b、1c中,也可以是,在俯视模块基板91的情况下,开关11与双工器21至少有一部分重叠,并且开关11与双工器22至少有一部分重叠。
[0133]
由此,能够使开关11与双工器21及22之间的连接布线短,因此能够减少通信频段a及b的高频信号的传输损耗。
[0134]
另外,通信频段a、通信频段b、通信频段c、通信频段d、通信频段e以及通信频段f按此顺序从低频侧到高频侧或者从高频侧到低频侧排列,通信频段a~c的频率与通信频段d~f的频率不重叠。
[0135]
由此,能够在窄带的频率范围内调整开关11的输入输出阻抗,另外,能够在窄带的频率范围内调整开关12的输入输出阻抗,因此能够针对开关11及12高精度地优化阻抗。因此,能够以更低损耗传输通过开关11及12的通信频段a~f的高频信号。
[0136]
另外,通信装置5具备对利用天线2发送接收的高频信号进行处理的rfic3以及在天线2与rfic 3之间传输高频信号的高频模块1。
[0137]
由此,能够提供在减少传输损耗的同时得以小型化的通信装置5。
[0138]
(其它实施方式等)
[0139]
以上,关于本实用新型的实施方式所涉及的高频模块和通信装置,列举实施例和变形例来进行了说明,但是本实用新型所涉及的高频模块和通信装置不限定于上述实施例和变形例。将上述实施例和变形例中的任意的结构要素进行组合而实现的其它实施方式、在不脱离本实用新型的宗旨的范围内对上述实施例和变形例实施本领域技术人员所想到的各种变形而得到的变形例、内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包含在本实用新型中。
[0140]
例如,在上述实施例和变形例所涉及的高频模块和通信装置中,也可以在附图中公开的将各电路元件以及信号路径进行连接的路径之间插入电感器和电容器等无源元件以及布线等。
[0141]
产业上的可利用性
[0142]
本实用新型作为配置于支持多频段的前端部的高频模块,能够广泛利用于便携式电话等通信设备。
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