一种耳机的制作方法

1.本技术涉及电子设备的技术领域，具体是涉及一种耳机。


背景技术：

2.随着电子设备的不断普及，电子设备已经成为人们日常生活中不可或缺的社交、娱乐工具，人们对于电子设备的要求也越来越高。以耳机这类电子设备为例，不仅亟需优异的佩戴舒适度，还亟需具备低音下潜、高音穿透的音质以及良好的续航能力。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供了一种耳机，耳机包括机芯模组，机芯模组包括机芯壳体、换能装置和振膜，机芯壳体用于与用户的皮肤接触，并形成一容置腔，换能装置设置在容置腔内，并与机芯壳体连接，以使得机芯壳体的皮肤接触区域在换能装置的作用下产生骨导声，振膜连接在换能装置与机芯壳体之间，以将容置腔分隔为靠近皮肤接触区域的前腔和远离皮肤接触区域的后腔，机芯壳体设有与后腔连通的出声孔，振膜在换能装置与机芯壳体相对运动的过程中产生经出声孔向人耳传输的气导声；机芯壳体还设有与前腔连通的至少两个泄压孔和与后腔连通的调声孔，其中一个泄压孔与调声孔相邻设置，经与调声孔相邻设置的泄压孔输出至耳机外部的气导声的频响曲线具有一谐振峰，与调声孔相邻设置的泄压孔以外的其他泄压孔处于打开状态时的谐振峰的峰值谐振频率相较于其他泄压孔处于关闭状态时的谐振峰的峰值谐振频率向高频偏移，且偏移量大于或者等于500hz。
4.本技术的有益效果是：本技术提供的耳机通过在换能装置和机芯壳体之间设置振膜，使得耳机能够输出骨导声和气导声，能够改善耳机的声学表现力。进一步地，通过多个泄压孔使得前腔与外界环境连通，以降低前腔对后腔的阻滞，能够改善气导声的声学表现力；通过与后腔连通的调声孔，能够破坏后腔的高压区，进而减小后腔内驻波的波长，使得经出声孔输出至耳机外部的气导声的峰值谐振频率向高频偏移，以改善耳机的声学表现力。进一步地，通过多个泄压孔配合以减小前腔内驻波的波长，使得经与调声孔相邻的泄压孔输出至耳机外部的漏音的峰值谐振频率向高频偏移，进而使得分别经相邻的泄压孔和调声孔输出至耳机外部的漏音更好地相干相消，改善耳机的漏音问题。
附图说明
5.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
6.图1是本技术提供的耳机一实施例的结构示意图；
7.图2是本技术提供的机芯模组一实施例的截面结构示意图；
8.图3是本技术提供的耳机设置振膜前后的频响曲线对比示意图；
9.图4是本技术提供的机芯壳体一实施例的截面结构示意图；
10.图5是本技术提供的换能装置一实施例的截面结构示意图；
11.图6是本技术提供的振膜各种实施例的局部截面结构示意图；
12.图7是本技术提供的振膜的局部截面结构示意图；
13.图8是本技术提供的导声部件各种实施例的原理结构示意图；
14.图9是本技术提供的声阻网一实施例的俯视结构示意图；
15.图10是本技术提供的耳机一实施例的导声部件处气导声的频响曲线示意图；
16.图11是本技术提供的耳机一实施例的导声部件处气导声的频响曲线示意图；
17.图12是本技术提供的耳机一实施例的泄压孔处气导声的频响曲线示意图；
18.图13是本技术提供的机芯模组设置调声孔前后后腔的声压分布对照示意图；
19.图14是本技术提供的耳机一实施例的导声部件处气导声的频响曲线示意图；
20.图15是本技术提供的耳机一实施例的导声部件处气导声的频响曲线示意图；
21.图16是本技术提供的机芯模组漏音的频响曲线示意图；
22.图17是本技术提供的机芯模组一实施例的原理结构示意图；
23.图18是本技术提供的机芯模组一实施例的原理结构示意图；
24.图19是本技术提供的机芯模组设置连通孔前后泄压孔处气导声的频响曲线对比示意图；
25.图20是本技术提供的线圈支架一实施例的结构示意图；
26.图21是本技术提供的机芯模组各种实施例的原理结构示意图；
27.图22是本技术提供的耳机一实施例的导声部件处气导声的频响曲线示意图；
28.图23是本技术提供的机芯模组漏音的频响曲线示意图；
29.图24是本技术提供的耳机一实施例的导声部件处气导声的频响曲线示意图；
30.图25是本技术提供的机芯模组各种实施例的原理结构示意图；
31.图26是本技术提供的耳机一实施例的导声部件处气导声的频响曲线示意图；
32.图27是本技术提供的耳机一实施例的导声部件处气导声的频响曲线示意图；
33.图28是本技术提供的耳机一实施例的结构示意图；
34.图29是本技术提供的机芯模组一实施例的原理结构示意图；
35.图30是本技术提供的耳机一实施例的导声部件处气导声的频响曲线示意图；
36.图31是本技术提供的耳机一实施例的原理结构示意图；
37.图32是本技术提供的机芯模组一实施例的分解结构示意图；
38.图33是本技术提供的机芯模组一实施例的分解结构示意图。
具体实施方式
39.下面结合附图和实施例，对本技术作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本技术，但不对本技术的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本技术的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
40.本技术中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本技术的实施例中。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本技术所描述的实施
例可以与其他实施例相结合。
41.结合图1，耳机100可以包括两个机芯模组10、两个耳挂组件20和后挂组件30。其中，后挂组件30的两端分别与对应的一个耳挂组件20的一端连接，每一个耳挂组件20背离后挂组件30的另一端分别与对应的一个机芯模组10连接。进一步地，后挂组件30可以设置呈弯曲状，以用于绕设在用户的头部后侧，耳挂组件20也可以设置呈弯曲状，以用于挂设在用户的耳部与头部之间，进而便于实现耳机100的佩戴需求；而机芯模组10用于将电信号转化成机械振动，以便于用户通过耳机100听到声音。如此，以在耳机100处于佩戴状态时，两个机芯模组10分别位于用户的头部的左侧和右侧，两个机芯模组10也在两个耳挂组件20和后挂组件30的配合作用下压持用户的头部，用户也能够听到耳机100输出的声音。
42.需要说明的是：耳机100还可以有其他的佩戴方式，例如：耳挂组件20覆盖或者包住用户的耳朵，后挂组件30跨过用户的头顶，在此不一一列举。
43.结合图1，耳机100还可以包括主控电路板40和电池50。其中，主控电路板40和电池50可以设置在同一耳挂组件20的容置仓内，也可以分别设置在两个耳挂组件20各自的容置仓内。进一步地，主控电路板40和电池50均可以通过相应的导线与两个机芯模组10电性连接，前者可以用于控制机芯模组10将电信号转化成机械振动，后者可以用于给耳机100提供电能。当然，本技术所述的耳机100还可以包括麦克风、拾音器这类传声器及蓝牙、nfc这类通信元件，它们也可以通过相应的导线与主控电路板40和电池50连接，以实现相应的功能。
44.需要说明的是：本技术所述的机芯模组10设置有两个，两个机芯模组10均可以将电信号转化成机芯振动，主要是为了便于耳机100实现立体声音效。因此，在其他一些对立体声要求并不是特别高的应用场景下，例如听力患者助听、主持人直播提词等，耳机100也可以仅设置一个机芯模组10。
45.基于上述的相关描述，机芯模组10用于在通电状态下将电信号转化成机械振动，以便于用户通过耳机100听到声音。一般而言，前述机械振动可以基于骨传导原理并主要通过用户的骨骼和组织作为媒介而直接作用于用户的听神经，也可以基于气传导原理并主要通过空气作为媒介而作用于用户的鼓膜，进而作用于听神经。对于用户听到的声音而言，前者可以简称为“骨导声”，后者可以简称为“气导声”。基于此，机芯模组10既可以形成骨导声，又可以形成气导声，还可以同时形成骨导声和气导声。
46.结合图2及图1，机芯模组10可以包括机芯壳体11和换能装置12。其中，机芯壳体11与耳挂组件20的一端连接，并用于与用户的皮肤接触。进一步地，机芯壳体11还形成一容置腔(图中未标注)，换能装置12设置在前述容置腔内，并与机芯壳体11连接。其中，换能装置12用于在通电状态下将电信号转化成机械振动，以使得机芯壳体11的皮肤接触区域(例如图4中所示的前底板1161)在换能装置12的作用下能够产生骨导声。如此，以在用户佩戴耳机100时，换能装置12将电信号转化成机芯振动以带动前述皮肤接触区域随之一起产生机械振动，该机械振动则随即通过用户的骨骼和组织作为媒介而直接作用于用户的听神经，进而使得用户能够通过机芯模组10听到骨导声。
47.进一步地，机芯模组10还可以包括连接在换能装置12与机芯壳体11之间的振膜13，振膜13用于将机芯壳体11的内部空间(也即是上述容置腔)分隔为靠近上述皮肤接触区域的前腔111和远离前述皮肤接触区域的后腔112。换言之，当用户佩戴耳机100时，前腔111相较于后腔112可以更靠近用户。其中，机芯壳体11设有与后腔112连通的出声孔113，振膜
13在换能装置12与机芯壳体11相对运动的过程中能够产生经出声孔113向人耳传输的气导声。如此，后腔112中产生的声音能够通过出声孔113传出，并随即通过空气作为媒介而作用于用户的鼓膜，进而使得用户还能够通过机芯模组10听到气导声。
48.需要说明的是：结合图2，当换能装置12使得上述皮肤接触区域朝向靠近用户的脸部的方向运动时，可以简单地视作骨导声增强。与此同时，机芯壳体11与前述皮肤接触区域相对的部分随之朝向靠近用户的脸部的方向运动，换能装置12及与之相连的振膜13则因作用力与反作用力的关系而朝向背离用户的脸部的方向运动，使得后腔112中的空气受到挤压，对应于空气压强的增加，其结果是通过出声孔113传出的声音增强，可以简单地视作气导声增强。相应地，当骨导声减弱时，气导声也减弱。基于此，本技术中机芯模组10产生的骨导声和气导声具有相位相同的特点。进一步地，由于前腔111与后腔112大体被振膜13及换能装置12等结构件分隔开，使得前腔111中空气压强的变化规律恰好与后腔112中空气压强的变化规律相反。基于此，机芯壳体11还可以设有与前腔111连通的泄压孔114，泄压孔114使得前腔111能够与外界环境连通，也即是空气能够自由地进出前腔111。如此，后腔112中空气压强的变化能够尽可能地不被前腔111阻滞，这样可以有效地改善机芯模组10产生的气导声的声学表现力。其中，泄压孔114与出声孔113彼此错开，也即是两者不相邻，以尽可能地避免两者因相位相反而出现消音现象。
49.作为示例地，出声孔113的出口端的实际面积可以大于或者等于8mm2，以便于用户听到更多的气导声。其中，出声孔113的入口端的实际面积还可以大于或者等于其出口端的实际面积。
50.需要说明的是：由于机芯壳体11等结构件具有一定的厚度，使得机芯壳体11上开设的出声孔113、泄压孔114等通孔具有一定的深度，进而相对于上述容置腔而言，前述通孔具有靠近前述容置腔的入口端和远离前述容置腔的出口端。进一步地，本技术所述的出口端的实际面积可以定义为出口端所在端面的面积大小。
51.通过上述方式，由于机芯模组10产生的气导声和骨导声源于同一振源(也即是换能装置12)，且两者的相位也相同，使得用户通过耳机100听到的声音能够更强，耳机100也能够更省电，进而延长耳机100的续航能力。除此之外，通过合理地设计机芯模组10的结构，还能够使得气导声和骨导声在频响曲线的频段上相互配合，以使得耳机100能够在特定频段具有优异的声学表现力。例如通过气导声补偿骨导声的低频段，再例如通过气导声强化骨导声的中频段、中高频段。
52.需要说明的是：本技术中，低频段对应的频率范围可以为20
‑
150hz，中频段对应的频率范围可以为150
‑
5khz，高频段对应的频率范围可以为5k
‑
20khz。其中，中低频段对应的频率范围可以为150
‑
500hz，中高频段对应的频率范围可以为500
‑
5khz。
53.基于上述的详细描述，并结合图3，上述皮肤接触区域在换能装置12的作用下能够产生骨导声，前述骨导声则相应地具有一频响曲线。其中，前述频响曲线可以具有至少一个谐振峰。进一步地，前述谐振峰的峰值谐振频率可以满足关系式：|f1
‑
f2|/f1≤50％。另外，f1所对应的峰值谐振强度与f2所对应的峰值谐振强度之间的差值可以小于或者等于5db。其中，f1为振膜13与换能装置12和机芯壳体11连接时前述谐振峰的峰值谐振频率，f2为振膜13与换能装置12和机芯壳体11中任意一者断开连接时前述谐振峰的峰值谐振频率。换言之，|f1
‑
f2|/f1可以用于衡量振膜13对换能装置12带动前述皮肤接触区域的影响大小；其
中，该比值越小，说明该影响越小。如此，在尽量不影响机芯模组10原有谐振系统的基础之上，通过引入振膜13使得机芯模组10能够同步输出具有相同相位的骨导声和气导声，进而改善机芯模组10的声学表现力，并使之更省电。
54.作为示例性地，结合图3，本实施例可以主要考察频响曲线中的低频段或者中低频段的偏移量，也即是f1≤500hz，以便于骨导声的低频、中低频尽量不受影响。其中，前述偏移量可以小于或者等于50hz，也即是|f1
‑
f2|≤50hz，以便于振膜13尽可能不影响换能装置12带动上述皮肤接触区域。进一步地，前述偏移量可以大于或者等于5hz，也即是|f1
‑
f2|≥5hz，以便于振膜13具有一定的结构强度和弹性，减小在使用过程中的疲劳变形，进而延长振膜13的使用寿命。
55.需要说明的是：结合图3，本实施例可以定义上述皮肤接触区域在振膜13与换能装置12和机芯壳体11连接时具有第一频响曲线(例如图3中k1+k2所示)，前述皮肤接触区域在振膜13与换能装置12和机芯壳体11中任意一者断开连接时具有第二频响曲线(例如图3中k1所示)。进一步地，对于本技术所述的频响曲线而言，横轴可以表示频率，其单位为hz；纵轴可以表示强度，其单位为db。
56.结合图4及图2，机芯壳体11可以包括后壳体115和与后壳体115连接的前壳体116。其中，后壳体115与前壳体116扣合拼接可以共同围设形成用于容纳换能装置12、振膜13等结构件的容置腔。进一步地，前壳体116用于与用户的皮肤接触，以形成机芯壳体11的皮肤接触区域，也即是当机芯壳体11与用户的皮肤接触时，前壳体116相较于后壳体115更靠近用户。基于此，换能装置12可以与前壳体116连接，以便于换能装置12带动机芯壳体11的皮肤接触区域随之产生机械振动。进一步地，出声孔113可以设于后壳体115，泄压孔114可以设于前壳体116。振膜13可以与后壳体115连接，也可以与前壳体116连接，还可以连接在后壳体115与前壳体116之间的拼接处。
57.作为示例性地，后壳体115可以包括一体连接的后底板1151和后筒状侧板1152，后筒状侧板1152背离后底板1151的一端与前壳体116连接。其中，出声孔113可以设于后筒状侧板1152。
58.进一步地，机芯壳体11的内侧面还可以设有一环形承台1153，例如环形承台1153设置在后筒状侧板1152背离后底板1151的一端。其中，结合图4，以后底板1151作为参考基准，环形承台1153可以略低于后筒状侧板1152背离后底板1151的端面。结合图2，在换能装置12的振动方向上，出声孔113可以位于环形承台1153与后底板1151之间。基于此，出声孔113的横截面积在从出声孔113的入口端至其出口端的方向(也即是出声孔113朝向后文中提及的出声通道141的方向)上可以逐渐变小，以使得环形承台1153在换能装置12的振动方向上有足够的厚度，进而增加环形承台1153的结构强度。如此，后壳体115与前壳体116扣合时，前壳体116可以将后文中提及的线圈支架121压持固定在环形承台1153上。进一步地，振膜13可以固定在环形承台1153上，或者被线圈支架121压持在环形承台1153上，进而与机芯壳体11连接。
59.作为示例性地，前壳体116可以包括一体连接的前底板1161和前筒状侧板1162，前筒状侧板1162背离前底板1161的一端与后壳体115连接。其中，前底板1161所在区域可以简单地视作本技术所述的皮肤接触区域。相应地，泄压孔114可以设于前筒状侧板1162。
60.结合图5及图2，换能装置12可以包括线圈支架121、磁路系统122、线圈123和弹簧
片124。其中，线圈支架121和弹簧片124设置在前腔111内。弹簧片124的中心区域可以与磁路系统122连接，弹簧片124的周边区域可以通过线圈支架121与机芯壳体11连接，以将磁路系统122悬挂在机芯壳体11内。进一步地，线圈123可以与线圈支架121连接，并伸入磁路系统122的磁间隙。
61.作为示例性地，线圈支架121可以包括环状主体部1211和第一筒状支架部1212，第一筒状支架部1212的一端与环状主体部1211连接。其中，环状主体部1211可以与弹簧片124的周边区域连接，两者可以借助金属嵌件注塑工艺形成一体结构件。此时，环状主体部1211可以通过胶接、卡接等连接方式中的一种或其组合与前底板1161连接。进一步地，线圈123与第一筒状支架部1222背离环状主体部1211的另一端连接，以便于线圈伸入磁路系统122。此时，振膜13的一部分可以与磁路系统122连接，另一部分可以与后壳体115和前壳体116中的至少一者连接。
62.进一步地，线圈支架121还可以包括与环状主体部1211连接的第二筒状支架部1213，第二筒状支架部1213环绕第一筒状支架部1212，并与第一筒状支架部1212同向地向环状主体部1211的侧向延伸。其中，第二筒状支架部1213和环状主体部1211可以一同与前壳体116连接，以增加线圈支架121与机芯壳体11之间的连接强度。例如：环状主体部1211与前底板1161连接，与此同时，第二筒状支架部1213与第二环状侧板1152连接。相应地，第二筒状支架部1213可以设有与泄压孔114连通的避让孔1214，以避免第二筒状支架部1213阻隔泄压孔114与前腔111之间的连通性。此时，振膜13的一部分可以与磁路系统122连接，另一部分可以与第二筒状支架部1213背离环状主体部1211的另一端连接，进而与机芯壳体11连接。基于此，在机芯模组10组装之后，第二筒状支架部1213背离环状主体部1211的另一端可以将振膜13的另一部分压持在环形承台1153上。
63.需要说明的是：第一筒状支架部1212和/或第二筒状支架部1213在线圈支架121的周向方向上可以是连续的完整结构，以增加线圈支架121的结构强度，也可以是局部不连续的结构，以避让其他结构件。
64.作为示例性地，磁路系统122可以包括导磁罩1221和磁体1222，两者配合形成一磁场。其中，导磁罩1221可以包括一体连接的底板1223和筒状侧板1224。进一步地，磁体1222设置在筒状侧板1224内并固定在底板1223上，磁体1222背离底板1223的一侧可以通过一连接件1225与弹簧片124的中间区域连接，并使得线圈123伸入磁体1222与导磁罩1221之间的磁间隙内。此时，振膜13的一部分可以与导磁罩1221连接。
65.需要说明的是：磁体1222可以是多个子磁体形成的磁体组。此外，磁体1222背离底板1223的一侧还可以设置导磁板(图中未标注)。
66.结合图6、图5及图2，振膜13可以包括振膜主体131，振膜主体131可以包括一体连接的第一连接部132、褶皱部133和第二连接部134。其中，第一连接部132环绕换能装置12，并与换能装置12连接；第二连接部134环绕设置在第一连接部132的外围，并在换能装置12的振动方向的垂直方向上与第一连接部132彼此间隔设置；褶皱部133位于第一连接部132与第二连接部134之间的间隔区域内，并连接第一连接部132和第二连接部134。
67.作为示例性地，第一连接部132可以设置呈筒状，并可以与导磁罩1221连接；第二连接部134可以设置呈环状，并可以与第二筒状支架部1213背离环状主体部1211的另一端连接，进而与机芯壳体11连接。其中，结合图5，褶皱部133与第一连接部132之间的连接点可
以低于筒状侧板1224背离底板1223所在端面。
68.进一步地，褶皱部133在第一连接部132与第二连接部134之间形成一凹陷区135，以使得第一连接部132和第二连接部134能够更容易地在换能装置12的振动方向上发生相对运动，进而减小振膜13对换能装置12的影响。其中，结合图2，凹陷区135可以朝着后腔112凹陷。当然，凹陷区135也可以朝着前腔111凹陷，也即是与图2所示的凹陷区135的凹陷方向相反。
69.需要说明的是：凹陷区135的数量可以为多个，例如两个或者三个，并在换能装置12的振动方向的垂直方向上间隔分布；每一个凹陷区135在换能装置12的振动方向上的深度也可以不尽相同。其中，本实施例以凹陷区135的数量为一个为例进行示例性的说明。
70.作为示例性地，振膜主体131的材质可以为聚碳酸酯(polycarbonate,pc)、聚酰胺(polyamides,pa)、丙烯腈
‑
丁二烯
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苯乙烯共聚物(acrylonitrile butadiene styrene,abs)、聚苯乙烯(polystyrene,ps)、高冲击聚苯乙烯(high impact polystyrene,hips)、聚丙烯(polypropylene,pp)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,pet)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride,pvc)、聚氨酯(polyurethanes,pu)、聚乙烯(polyethylene,pe)、酚醛树脂(phenol formaldehyde,pf)、尿素
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甲醛树脂(urea
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formaldehyde,uf)、三聚氰胺
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甲醛树脂(melamine
‑
formaldehyde,mf)、聚芳酯(polyarylate,par)、聚醚酰亚胺(polyetherimide,pei)、聚酰亚胺(polyimide,pi)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate two formic acid glycol ester,pen)、聚醚醚酮(polyetheretherketone,peek)、硅胶等中的任意一种或其组合。其中，pet是一种热塑性聚酯，成型好，由其制成的振膜常被称为mylar(麦拉)膜；pc具有较强的抗冲击性能，成型后尺寸稳定；par是pc的进阶版，主要出于环保考虑；pei比pet更为柔软，内阻尼更高；pi耐高温，成型温度更高，加工时间久；pen强度高，较硬，其特点是可涂色、染色、镀层；pu常用于复合材料的阻尼层或折环，高弹性，内阻尼高；peek是一种更为新型的材料，耐摩擦，耐疲劳。值得注意的是：复合材料一般可以兼顾多种材料的特性，常见的比如双层结构(一般热压pu，增加内阻)、三层结构(三明治结构，中间夹阻尼层pu、亚克力胶、uv胶、压敏胶)、五层结构(两层薄膜通过双面胶粘接，双面胶有基层，通常为pet)。
71.进一步地，振膜13还可以包括补强环136，补强环136的硬度可以大于振膜主体131的硬度。其中，补强环136可以设置呈环状，其环宽可以大于或者等于0.4mm，厚度可以小于或者等于0.4mm。进一步地，补强环136与第二连接部134连接，以使得第二连接部134通过补强环136与机芯壳体11连接。如此，以增加振膜13的边缘的结构强度，进而增加振膜13与机芯壳体11之间的连接强度。
72.需要说明的是：补强环136设置呈环状，主要是为了便于适配第二连接部134的环形结构；但补强环136在结构上既可以是连续的完整环，也可以是不连续的分段环。进一步地，在机芯模组10组装之后，第二筒状支架部1213背离环状主体部1211的另一端可以将补强环136压持在环形承台1153上。
73.作为示例性地，第一连接部132可以注塑成型在导磁罩1221的外周面上，补强环136也可以注塑成型在第二连接部134上，以简化两者之间的连接方式，并增加两者之间的连接强度。其中，第一连接部132可以包覆筒状侧板1224，也可以进一步包覆底板1223，以增加第一连接部132与磁路系统122之间的接触面积，进而增加两者之间的结合强度。类似地，
第二连接部134可以与补强环136的内环面及一端面连接，以增加第二连接部134与补强环136之间的接触面积，进而增加两者之间的结合强度。
74.结合图6，图6中(a)至(d)主要示意出了振膜主体131的各种结构变形，他们之间的主要区别在于褶皱部133的具体结构。其中，对于图6中(a)而言，褶皱部133可以设置呈对称结构，其两端分别与第一连接部132和第二连接部134形成的连接点也可以共面，例如两个连接点在换能装置12的振动方向上的投影重合。对于图6中(b)而言，褶皱部133也可以大部分设置呈对称结构，但其两端分别与第一连接部132和第二连接部134形成的连接点却不共面，例如两个连接点在换能装置12的振动方向上的投影彼此错开。对于图6中(c)而言，褶皱部133可以设置呈非对称结构，但其两端分别与第一连接部132和第二连接部134形成的连接点共面。对于图6中(d)而言，褶皱部133可以设置呈非对称结构，且其两端分别与第一连接部132和第二连接部134形成的连接点也不共面。
75.基于上述的相关描述，对于振膜13而言，振膜主体131在具有一定的结构强度以确保其基本结构、抗疲劳性等性能的提前下，振膜主体131越柔软，越容易发生弹性变形，则对换能装置12的影响越小。基于此，振膜主体131的厚度可以小于或者等于0.2mm；优选地，振膜主体131的厚度可以小于或者等于0.1mm。其中，振膜主体131的弹性形变可以主要发生在褶皱部133。因此，褶皱部133的厚度可以较振膜主体131的其他部分的厚度均要小。基于此，褶皱部133的厚度可以小于或者等于0.2mm；优选地，褶皱部133的厚度可以小于或者等于0.1mm。其中，本实施例以振膜主体131为等厚结构为例进行示例性的说明。
76.结合图7，在换能装置12的振动方向上，凹陷区135可以具有一深度h；在换能装置12的振动方向的垂直方向上，凹陷区135可以具有一半深宽度w1，第一连接部132与第二连接部134之间可以具有一间隔距离w2。其中，0.2≤w1/w2≤0.6，这样既可以保证褶皱部133上可变形区域的大小，又可以避免褶皱部133与第一连接部132和/或机芯壳体11之间发生结构上的干涉。类似地，0.2≤h/w2≤1.4，这样既可以保证褶皱部133上可变形区域的大小，使之足够的柔软，又可以避免褶皱部133与第一连接部132和/或机芯壳体11之间发生结构上的干涉，并避免褶皱部133因自重过大而难以起振。
77.需要说明的是：半深宽度w1是指凹陷区135在1/2h深度处的宽度。
78.进一步地，褶皱部133可以包括一体连接的第一过渡段1331、第二过渡段1332、第三过渡段1333、第四过渡段1334和第五过渡段1335。其中，第一过渡段1331和第二过渡段1332的一端可以分别与第一连接部132和第二连接部134连接，且彼此朝向延伸；第三过渡段1333和第四过渡段1334的一端分别与第一过渡段1331和第二过渡段1332的另一端连接，第五过渡段1335的两端分别与第三过渡段1333和第四过渡段1334的另一端连接。此时，前述各个过渡段共同围设形成凹陷区135。其中，在从第一过渡段1331与第一连接部132之间的连接点(例如点7a)到褶皱部133的最远离第一连接部132的参考位置点(例如点7c)的方向上，第一过渡段1331朝向凹陷区135一侧的切线(例如虚线tl1)与换能装置12的振动方向之间的夹角可以逐渐减小；类似地，在从第二过渡段1332与第二连接部134之间的连接点(例如点7b)到前述参考位置点的方向上，第二过渡段1332朝向凹陷区135一侧的切线(例如虚线tl2)与换能装置12的振动方向之间的夹角可以逐渐减小，以使得凹陷区135能够朝着后腔112凹陷。进一步地，第三过渡段1333朝向凹陷区135一侧的切线(例如虚线tl3)与换能装置12的振动方向之间的夹角可以保持不变或逐渐增大；类似地，第四过渡段1334朝向凹
陷区135一侧的切线(例如虚线tl4)与换能装置12的振动方向之间的夹角可以保持不变或逐渐增大。此时，第五过渡段1335可以设置呈弧状。
79.作为示例性地，第五过渡段1335可以设置呈圆弧状，且圆弧半径可以大于或者等于0.2mm。其中，结合图6中(a)或者(b)，第三过渡段1333朝向凹陷区135一侧的切线与换能装置12的振动方向之间的夹角可以为零；类似地，第四过渡段1334朝向凹陷区135一侧的切线与换能装置12的振动方向之间的夹角可以为零。此时，第五过渡段1335的圆弧半径可以等于凹陷区135的半深宽度w1的一半。当然，结合图6中(c)或者(d)，第三过渡段1333朝向凹陷区135一侧的切线与换能装置12的振动方向之间的夹角可以为零；而第四过渡段1334朝向凹陷区135一侧的切线与换能装置12的振动方向之间的夹角可以为一大于零的定值。此时，第四过渡段1334可以与第五过渡段1335相切。
80.进一步地，第一过渡段1331在换能装置12的振动方向的垂直方向上的投影长度可以定义为w3，第二过渡段1332在前述垂直方向上的投影长度可以定义为w4，第五过渡段1335在前述垂直方向上的投影长度可以定义为w5，其中0.4≤(w3+w4)/w5≤2.5。
81.作为示例性地，第一过渡段1331和第二过渡段1332可以分别设置呈圆弧状。其中，第一过渡段1331的圆弧半径r1可以大于或者等于0.2mm，第二过渡段1332的圆弧半径r2可以大于或者等于0.3mm，以避免褶皱部133局部的弯曲程度过大，进而增加振膜13的可靠性。当然，在其他一些实施方式中，第一过渡段1331可以包括彼此连接的圆弧段和平坦段，前述圆弧段与第三过渡段1333连接，前述平坦段与第一连接部132连接；第二过渡段1332也可以与第一过渡段1331类似。
82.基于上述的详细描述，并结合图7，振膜主体131的厚度可以为0.1mm。其中，可选地w1≥0.9mm，可选地0.3mm≤h≤1.0mm；可选地w3+w4≥0.3mm。进一步地，当0.3mm≤w3+w4≤1.0mm时，可选地w2或者w5≥0.4mm；当0.4mm≤w3+w4≤0.7mm时，可选地w2或者w5≥0.5mm。在一具体实施方式中，w2或者w5＝0.4mm，w3＝0.42mm，w4＝0.45mm；h＝0.55mm。
83.结合图7及图5，在换能装置12的振动方向上，褶皱部133与第一连接部132之间的连接点(例如点7a)到磁路系统122远离前腔111的外端面的距离可以定义为d1，弹簧片124的中心区域到磁路系统122远离前腔111的外端面的距离可以定义为d2，其中0.3≤d1/d2≤0.8。此时，由于距离d2的大小可以相对确定，使得距离d1的大小可以基于距离d2进行调节，以便于调节褶皱部133与第一连接部132连接的具体位置。进一步地，磁体1222的几何中心(例如点g)到磁路系统122远离前腔111的外端面的距离可以定义为d3，其中0.7≤d1/d3≤2。此时，由于距离d3的大小可以相对确定，使得距离d1的大小也可以基于距离d3进行调节，以便于调节褶皱部133与第一连接部132连接的具体位置。如此，磁路系统122的一端可以通过弹簧片124及线圈支架121与机芯壳体11连接，另一端则可以通过振膜13与机芯壳体11连接，也即是弹簧片124和振膜13可以在换能装置12的振动方向上分别将磁路系统122的两端固定在机芯壳体11上，使得磁路系统122的稳定性能够得以极大地提高。
84.作为示例性地，d1≥d3，以在换能装置12的振动方向上，结合图2，出声孔113可以至少部分位于上述连接点与上述外端面之间。如此，以在尽可能地增加磁路系统122的稳定性的同时，还可以尽可能地给后腔112的体积留出足够的大小，以增加机芯模组10的声学表现力，也可以尽可能地给出声孔113在机芯壳体11上的位置及其大小给出足够的设计空间，以便于灵活地设置出声孔113。
85.基于上述的相关描述，并结合图5，以底板1223背离筒状侧板1224的一面作为参考基准，距离d1也可以视作第二连接部134与底板1223之间的距离，距离d2也可以视作弹簧片124与底板1223之间的距离，距离d3也可以视作磁体1222的几何中心与底板1223之间的距离。在一具体实施方式中，可选地d1＝2.85mm，d2＝4.63mm，d3＝1.78mm。
86.进一步地，第一连接部132与褶皱部133之间的连接点(例如点7a)和第二连接部134与褶皱部133之间的连接点(例如点7b)分别在换能装置12振动方向上的投影之间的距离可以定义为d4，其中0≤d4/w2≤1.8。此时，同样可以调节褶皱部133与第一连接部132连接的具体位置。其中，结合图6中(a)或者(c)，第一连接部132与褶皱部133之间的连接点和第二连接部134与褶皱部133之间的连接点可以分别在换能装置12振动方向上的投影重合，也即是d4＝0。当然，结合图6中(b)或者(d)，第一连接部132与褶皱部133之间的连接点(例如点7a)和第二连接部134与褶皱部133之间的连接点(例如点7b)可以分别在换能装置12振动方向上的投影彼此错开，也即是d4＞0。
87.结合图8及图2，机芯模组10还可以包括与机芯壳体11连接的导声部件14。其中，导声部件14设置有导声通道141，导声通道141与出声孔113连通，并用于向人耳导引上述气导声。换言之，导声部件14可以用于改变前述气导声的传播途径/方向，进而改变前述气导声的指向性；并可以用于缩短出声孔113与人耳之间的距离，进而增加前述气导声的强度。除此之外，导声部件14还可以使得气导声从耳机100的实际输出位置得以更加背离机芯壳体11与其皮肤接触区域相对的后端面(例如后底板1151所在的区域)，以改善后底板1151处可能的漏音对出声孔113处声音造成的反相相消。如此，以在用户佩戴耳机100时，用户能够更好地听到前述气导声。
88.一般地，为了保证音质，频响曲线应在较宽的频段上都比较平坦，也即是需要谐振峰尽量处在更高频的位置。其中，经出声孔113输出至耳机100外部的气导声的频响曲线具有一谐振峰，该谐振峰的峰值谐振频率可以大于或者等于1khz；优选地，峰值谐振频率可以大于或者等于2khz，使得耳机100具有较好的语音输出效果；更优选地，峰值谐振频率可以大于或者等于3.5khz，使得耳机100有较好的音乐输出效果；峰值谐振频率还可以进一步大于或者等于4.5khz。
89.基于上述的相关描述，导声通道141通过出声孔113与后腔112连通，可以构成一个典型的亥姆霍兹共振腔体结构。其中，基于亥姆霍兹共振腔模型，其谐振频率f与后腔112的体积v、导声通道141的截面积s、等效半径r及其长度l之间可以满足关系式：f
∝
[s/(vl+1.7vr)]
1/2
。显然，在后腔112的体积一定的情况下，增加导声通道141的截面积和/或减小导声通道141的长度均有利于增加谐振频率，进而使得上述气导声尽可能地往高频移动。
[0090]
作为示例性地，导声通道141的长度可以小于或者等于7mm。优选地，导声通道141的长度可以介于2mm至5mm之间。其中，在换能装置12的振动方向上，导声通道141的出口端到机芯壳体11背离上述皮肤接触区域的后端面之间的距离可以大于或者等于3mm，由此可以避免机芯壳体11的后端面所产生的漏音对导声通道141的出口端的气导声的反相相消。
[0091]
作为示例性地，导声通道141的横截面积可以大于或者等于4.8mm2。优选地，导声通道141的横截面积可以大于或者等于8mm2。进一步地，结合图2，导声通道141的横截面积可以沿上述气导声的传输方向(也即是在远离出声孔113的方向上)逐渐增大，使得导声通道141可以设置呈喇叭状；并可以朝向前壳体116延伸，以便于导引上述气导声。其中，导声
通道141的入口端的横截面积可以大于或者等于10mm2；或者，导声通道141的出口端的横截面积可以大于或者等于15mm2。
[0092]
作为示例性地，导声通道141的体积与后腔112的体积之间的比值可以介于0.05至0.9之间。其中，后腔112的体积可以小于或者等于400mm3。优选地，后腔112的体积可以介于200mm3至400mm3之间。
[0093]
在一具体实施方式中，导声通道141可以设置呈喇叭状。其中，导声通道141的长度可以为2.5mm，导声通道141的入口端和出口端的横截面积可以分别为15mm2、25.3mm2。进一步地，后腔112的体积可以为350mm3。
[0094]
结合图8，图8中(a)至(e)主要示意出了导声部件14的各种结构变形，他们之间的主要区别在于导声通道141的具体结构。其中，对于图8中(a)至(c)而言，导声通道141可以简单地视作弯折式设置；而对于图8中(d)至(e)而言，导声通道141可以简单地视作直通式设置。显然，上述气导声会随着导声通道141的结构差异而存在一定的区别，具体而言：
[0095]
对于图8中(a)而言，导声通道141的出声方向指向用户的脸部，并能够增大导声通道141的出口端到上述后端面的距离，进而优化上述气导声的指向性和强度。
[0096]
对于图8中(b)而言，导声通道141的出声方向指向用户的耳廓，使得上述气导声更容易被耳廓收集进入耳道，进而优化前述气导声的强度。
[0097]
对于图8中(c)而言，导声通道141的出声方向也指向用户的耳道，也能够优化前述气导声的强度。与此同时，导声通道141的出口端采用斜出口方式，斜出口使得导声通道141的出口端的实际面积不受导声通道141的横截面积限制，相当于增大导声通道141的横截面积，进而有利于上述气导声的输出。
[0098]
对于图8中(d)而言，导声通道141的壁面为平面，制作过程中便于出模。
[0099]
对于图8中(e)而言，导声通道141的壁面为曲面，有利于实现导声通道141与大气之间的声阻抗匹配，进而有利于上述气导声的输出。
[0100]
需要说明的是：导声通道141的某一点的横截面积是指过该点对导声通道141进行截取时所能够截取到的最小面积。进一步地，直通式导声通道是指从导声通道141的入口端和出口端中的任意一者可以观察到另一者的全部。此时，对于例如图8中(d)至(e)所示的直通式导声通道而言，导声通道141的长度可以采用如下方式计算：先确定导声通道141的入口端的几何中心(例如点8a)及其出口端的几何中心(例如点8b)；再将前述几何中心连接起来形成线段8a
‑
8b，该线段的长度即可简单地视作导声通道141的长度。相应地，弯折式导声通道是指从导声通道141的入口端和出口端中的任意一者观察不到另一者或者仅可以观察到另一者的一部分。此时，对于例如图8中(a)至(c)所示的弯折式导声通道而言，可以将弯折式导声通道划分成两个或者两个以上直通式子导引通道，并将直通式子导引通道的长度之和作为弯折式导声通道的长度。例如：在图8中(a)至(c)中，进一步确定中间弯折处所在面的几何中心(例如点8c1、8c2)，再将前述几何中心连接起来形成线段8a
‑
8c1
‑
8b(或者8a
‑
8c1
‑
8c2
‑
8b)，该线段的长度即可简单地视作导声通道141的长度。
[0101]
结合图2，导声通道141的出口端一般盖设有声阻网140，既可以用于调节经出声孔113输出至耳机100外部的气导声的声阻，以便于削弱前述气导声在中高频段或者高频段的谐振峰的峰值谐振频率，使得频响曲线更加平滑，听声效果更好；还可以在一定程度上使得后腔112与外部隔开，以便于增加机芯模组10的防水防尘性能。其中，声阻网140的声阻可以
小于或者等于260mksrayls。具体而言，声阻网140的孔隙率可以大于或者等于13％；和/或，孔隙尺寸可以大于或者等于18μm。
[0102]
作为示例性地，结合图9，声阻网140可以由纱网线编织而成，纱网线的线径、疏密程度等因素会影响声阻网140的声阻。基于此，纵向间隔排列和横向间隔排列的多根纱网线中每四根彼此相交的纱网线即可围设形成一孔隙。其中，纱网线的中心线所围成的区域的面积可以定义为s1，纱网线的边缘实际所围成的区域(也即是孔隙)的面积可以定义为s2；那么孔隙率可以定义为s2/s1。进一步地，孔隙尺寸可以表示为任意相邻两根纱网线之间的间距，例如孔隙的边长。
[0103]
进一步地，本技术下文所引入的某特定通孔或者开口的有效面积可以定义为其实际面积与所盖设声阻网的孔隙率的乘积。例如：当导声通道141的出口端盖设有声阻网140时，导声通道141的出口端的有效面积则为导声通道141的出口端的实际面积与声阻网140的孔隙率的乘积；而当导声通道141的出口端未盖设有声阻网140时，导声通道141的出口端的有效面积则为导声通道141的出口端的实际面积。类似地，后文中提及的泄压孔、调声孔等通孔的出口端的有效面积也可以分别定义为实际面积与相应的孔隙率的乘积，在此不再赘述。
[0104]
基于上述的相关描述，用户除了听到骨导声之外，还主要是听到经出声孔113及导声通道141输出至耳机100外部的气导声，而不是经泄压孔114输出至耳机100外部的气导声。因此，导声通道141的出口端的有效面积可以设计得比泄压孔114的大些。
[0105]
进一步地，泄压孔114的大小会影响前腔111排气的顺畅程度，影响振膜13振动的难易程度，进而影响经出声孔113输出至耳机100外部的气导声的声学表现力。因此，在导声通道141的出口端的有效面积一定的情况下，例如导声通道141的出口端的实际面积和/或声阻网140的孔隙率一定，结合下表，调节泄压孔114的出口端的有效面积，例如泄压孔114的出口端的实际面积和/或其上盖设的声阻网1140的声阻，可以使得经出声孔113输出至耳机100外部的气导声变化。其中，本技术中声阻为0可以简单地视作未盖设有声阻网。
[0106]
频响曲线实际面积/mm2声阻/mksrayls孔隙率10
‑
131.570100％10
‑
22.760100％10
‑
32.7610003％
[0107]
结合图10，随着泄压孔114的出口端的实际面积的增加，前腔111的排气愈发顺畅，低频段或者中低频段的峰值谐振强度明显增加；随着泄压孔114的出口端增设声阻网1140，前腔111的排气一定程度上受到影响，使得经出声孔113输出至耳机100外部的气导声的中低频下降，频响曲线相对平坦。
[0108]
结合下表，调节泄压孔114的出口端的实际面积与其上盖设的声阻网1140的声阻，可以实现不同大小的泄压孔114与不同声阻的声阻网1140的组合，进而使得经出声孔113输出至耳机100外部的气导声的频响曲线大体一致。其中，如果孔隙率为14％的声阻网1140可以简单地视作单层网，那么孔隙率为7％的声阻网1140可以简单地视作双层网。
[0109]
[0110][0111]
结合图11，泄压孔114的出口端的实际面积越大，与之对应的声阻网的声阻也应越大，以便于泄压孔114的出口端的有效面积可以大体保持一致，使得前腔111的排气通畅程度大体相同，进而使得经出声孔113输出至耳机100外部的气导声的频响曲线大体一致。然而，结合图12，虽然经出声孔113输出至耳机100外部的气导声的频响曲线大体一致，但是经泄压孔114输出至耳机100外部的气导声的频响曲线却是不一样的，也即是泄压孔114处的漏音不一样。其中，随着泄压孔114的出口端的实际面积的增加和声阻网1140的声阻的增加，经泄压孔114输出至耳机100外部的气导声的频响曲线整体下移，也即是泄压孔114处的漏音随之减弱。换言之，在保证导声部件14处气导声的频响曲线大体不变的情况下，可以尽量增加泄压孔114的大小，并同时增加泄压孔114上声阻网1140的声阻，以使得泄压孔114处的漏音尽可能的小。由此可见，在保证泄压孔114的出口端的有效面积小于或者等于2.76mm2的前提下，且可通过增加泄压孔114的出口端的实际面积和声阻网1140的孔隙率来降低泄压孔114处的漏音。
[0112]
需要说明的是：由于机芯壳体11的大小有限，使得单个的泄压孔114不可能太大。基于此，泄压孔114可以设置为至少一个或者至少两个，例如下文描述的三个。
[0113]
基于上述的详细描述，导声通道141的出口端的有效面积可以大于每一个泄压孔114的出口端的有效面积，以便于用户听到经出声孔113输出至耳机100外部的气导声。其中，基于有效面积的定义，导声通道141的出口端的实际面积可以大于每一个泄压孔114的出口端的实际面积。进一步地，导声通道141的出口端的有效面积可以大于或者等于全部泄压孔114的出口端的有效面积之和。其中，全部泄压孔114的出口端的有效面积之和与导声通道141的出口端的有效面积之间的比值可以大于或者等于0.15。作为示例性地，全面泄压孔114的出口端的有效面积可以大于或者等于2.5mm2。如此，以确保前腔111排气的顺畅，进而便于改善经出声孔113输出至耳机100外部的气导声的声学表现力，并降低泄压孔114处的漏音。
[0114]
作为示例性地，导声通道141的出口端的实际面积可以大于或者等于4.8mm2。优选地，导声通道141的出口端的实际面积可以大于或者等于8mm2。相应地，全部泄压孔114的出口端的实际面积之和可以大于或者等于2.6mm2。优选地，全部泄压孔114的出口端的实际面积可以大于或者等于10mm2。其中，当泄压孔114的数量为一个时，全部泄压孔114的出口端的实际面积之和也即是一个泄压孔114的出口端的实际面积；调声孔117类似。在一具体实施方式中，导声通道141的出口端的实际面积可以为25.3mm2；泄压孔114可以设置三个，例如后文中提及的第一泄压孔1141、第二泄压孔1142、第三泄压孔1143，其出口端的实际面积可以分别为11.4mm2、8.4mm2、5.8mm2。
[0115]
进一步地，导声通道141的出口端可以盖设有声阻网140，至少部分泄压孔114的出口端可以盖设有声阻网1140。其中，声阻网1140的孔隙率可以小于或者等于声阻网140的孔隙率。在一具体实施方式中，声阻网140的孔隙率可以大于或者等于13％，声阻网1140的孔隙率可以大于或者等于7％。
[0116]
基于上述的相关描述，导声通道141通过出声孔113与后腔112连通，可以构成一个典型的亥姆霍兹共振腔体结构，并具有一谐振峰。我们可以研究亥姆霍兹共振腔体结构谐
振时后腔112中声压的分布情况。其中，结合图13中(a)，后腔112内会形成一远离出声孔113的高压区和一靠近出声孔113的低压区。进一步地，当亥姆霍兹共振腔体结构谐振时，可以认为后腔112内出现驻波。其中，驻波的波长与后腔112的尺寸相对应，例如后腔112越深，也即是低压区与高压区之间的距离越长，驻波的波长也越长，导致亥姆霍兹共振腔体结构的谐振频率越低。基于此，结合图13中(b)，通过破坏高压区的方式，例如在高压区设置与后腔112连通的通孔，使得原本在高压区发生反射的声音无法反射，进而无法形成前述驻波。此时，当亥姆霍兹共振腔体结构谐振时，后腔112内的高压区会朝着靠近低压区的方向内移，使得驻波的波长变短，进而使得亥姆霍兹共振腔体结构的谐振频率得以提高。
[0117]
结合图2，机芯壳体11还可以设有与后腔112连通的调声孔117。其中，同等条件下，调声孔117设于后腔112内的高压区能够最有效地破坏高压区。当然，调声孔117也可以于后腔112内的高压区与低压区之间的任一区域。作为示例性地，调声孔117可以设于后壳115，并可以与出声孔113及其导声部件14相对设置在换能装置12的两侧。
[0118]
进一步地，结合图14，经出声孔113输出至耳机100外部的气导声的频响曲线具有一谐振峰。结合下表，在未盖设声阻网的情况下，调节调声孔117的出口端的实际面积，可以控制调声孔对上述高压区的破坏程度，进而调节谐振峰的峰值谐振频率。其中，调声孔117的出口端的实际面积为0可以视作调声孔117处于关闭状态。
[0119][0120][0121]
结合图14，调声孔117的出口端的实际面积越大，对上述高压区的破坏效果越明显，谐振峰的峰值谐振频率也相对越高。其中，调声孔117处于打开状态时的谐振峰的峰值谐振频率相较于调声孔117处于关闭状态时的谐振峰的峰值谐振频率向高频偏移，且偏移量可以大于或者等于500hz。优选地，前述偏移量大于或者等于1khz。进一步地，调声孔117处于打开状态时的谐振峰的峰值谐振频率可以大于或者等于2khz，使得耳机100具有较好的语音输出效果。优选地，峰值谐振频率可以大于或者等于3.5khz，使得耳机100有较好的音乐输出效果；峰值谐振频率还可以进一步大于或者等于4.5khz。
[0122]
需要说明的是：由于机芯壳体11的大小有限，使得单个的调声孔117不可能太大。基于此，调声孔117可以设置为至少一个，例如下文描述的两个。
[0123]
类似地，用户除了听到骨导声之外，还主要是听到经出声孔113输出至耳机100外部的气导声，而不是经调声孔117输出至耳机100外部的气导声。因此，导声通道141的出口端的有效面积可以设计得比调声孔117的大些。
[0124]
结合图14及图13，由于后腔112增设调声孔117，使得一部分声音从调声孔117处泄露出去，也即是调声孔117处形成漏音，导致经出声孔113输出至耳机100外部的气导声的频响曲线整体下移。为此，结合图2，至少部分调声孔117的出口端可以盖设有声阻网1170，以在破坏后腔112内的高压区的同时尽可能地避免声音从调声孔117处泄露出去。其中，结合下表，调节调声孔117的出口端的有效面积，例如调声孔117的出口端的实际面积和/或其上盖设的声阻网1170的声阻，可以使得经出声孔113输出至耳机100外部的气导声变化。
[0125]
频响曲线声阻/mksrayls
15
‑
1无调声孔15
‑
2015
‑
3145
[0126]
结合图15，调声孔117的出口端增设声阻网1170，既能够保证后腔112内在调声孔117处无显著的反射声(也即是无驻波，非硬声场边界)，使得后腔112内的高压区内移；又能够在一定程度上避免声音从调声孔117处泄露出去，使得声音能够更多地经出声孔113输出至耳机100外部。进一步地，中低频段的峰值谐振强度明显增加，气导声的音量增加；高频段的峰值谐振强度也有一定的减小，使得频响曲线在高频段更为平坦，高频的音质更均衡。
[0127]
基于上述的详细描述，导声通道141的出口端的有效面积可以大于每一个调声孔117的出口端的有效面积，以便于用户听到经出声孔113输出至耳机100外部的气导声。其中，基于有效面积的定义，导声通道141的出口端的实际面积可以大于每一个调声孔117的出口端的实际面积。进一步地，导声通道141的出口端的有效面积可以大于全部调声孔117的出口端的有效面积之和。其中，全部调声孔117的出口端的有效面积之和与导声通道141的出口端的有效面积之间的比值可以大于或者等于0.08。作为示例性地，全部调声孔117的出口端的有效面积之和可以大于或者等于1.5mm2。其中，当调声孔117的数量为一个时，全部调声孔117的出口端的有效面积之和也即是一个调声孔117的出口端的有效面积；泄压孔114类似。如此，既可以使得经出声孔113输出至耳机100外部的气导声的谐振峰的峰值谐振频率尽可能向高频偏移，也可以降低调声孔117处的漏音。
[0128]
作为示例性地，全部调声孔117的出口端的实际面积之和可以大于或者等于5.6mm2。在一具体实施方式中，调声孔117可以设置两个，例如后文中提及的第一调声孔1171、第二调声孔1172，其出口端的实际面积可以分别为7.6mm2、5.6mm2。
[0129]
进一步地，导声通道141的出口端可以盖设有声阻网140，至少部分调声孔117的出口端可以盖设有声阻网1170。其中，声阻网1170的孔隙率可以小于或者等于声阻网140的孔隙率。在一具体实施方式中，声阻网140的孔隙率可以大于或者等于13％，声阻网1170的孔隙率可以小于或者等于16％。
[0130]
基于上述的相关描述，对于泄压孔114和出声孔113而言，分别经两者输出至耳机100外部的气导声的相位相反，使得泄压孔114和出声孔113在三维空间中应该尽可能地错开，以避免分别经两者输出至耳机100外部的气导声相干相消。为此，泄压孔114尽可能地远离出声孔113。对于调声孔117和出声孔113而言，如果出声孔113所在区域可以简单地视作后腔112内的低压区，那么后腔112内距离出声孔113所在区域最远的区域即可简单地视作后腔112内的高压区；而调声孔117可以优选设置在后腔112内的高压区以破坏原有的高压区，并使之向低压区移动。为此，调声孔117尽可能地远离出声孔113。
[0131]
进一步地，由于泄压孔114与前腔111连通，而调声孔117与后腔112连通，使得分别经泄压孔114和调声孔117输出至耳机100外部的气导声的相位相反，因此可以通过相干相消的方式减小来自泄压孔114和调声孔117的漏音。基于此，至少部分泄压孔114与至少部分调声孔117可以分别相邻设置，以为相干相消创造条件。其中，为了更好地让泄压孔114和调声孔117的漏音相干相消，两者之间的间隔距离应该尽可能的小，例如泄压孔114和调声孔117的出口端的轮廓之间的最小距离小于或者等于2mm。除此之外，分别经泄压孔114和调声孔117输出至耳机100外部的气导声的谐振峰的峰值谐振频率和/或峰值谐振强度也应该尽
可能的匹配。然而在实际的产品设计中，受具体结构及工艺公差的影响，一般难以控制前述两路气导声的谐振峰的峰值谐振频率和/或峰值谐振强度恰好完全相同，因此在设计中应尽量保证前述两路气导声的谐振峰的峰值谐振频率和/或峰值谐振强度不要差别过大。
[0132]
结合图16，经泄压孔114输出至耳机100外部的气导声的频响曲线具有第一谐振峰f1，经调声孔117输出至耳机100外部的气导声的频响曲线具有第二谐振峰f2。其中，结合下表，第一谐振峰的峰值谐振频率与第二谐振峰的峰值谐振频率可以分别大于或者等于2khz，且|f1
‑
f2|/f1≤60％。随着第一谐振峰的峰值谐振频率与第二谐振峰的峰值谐振频率之间的差值逐渐减小，能够降漏音的频宽越宽，也即是频响曲线愈发相对平坦，表现为耳机100的漏音愈发减小，也即是分别经泄压孔114和调声孔117输出至耳机100外部的气导声相干相消的效果也越好。优选地，第一谐振峰的峰值谐振频率与第二谐振峰的峰值谐振频率可以分别大于或者等于3.5k，且|f1
‑
f2|≤2khz。如此，以使得分别经泄压孔114和调声孔117输出至耳机100外部的气导声尽可能在高频段相干相消。
[0133]
频响曲线f1的峰值谐振频率/hzf2的峰值谐振频率/hz16
‑
13500560016
‑
24500560016
‑
350005600
[0134]
进一步地，由于前腔111内设置有线圈支架121、弹簧片124等结构件，使得前腔111内驻波的波长相对较长；调声孔117和出声孔113可以彼此破坏高压区，使得后腔112内驻波的波长相对较短。如此，第一谐振峰的峰值谐振频率一般小于第二谐振峰的峰值谐振频率。为了使得分别经泄压孔114和调声孔117输出至耳机100外部的气导声能够更好地相干相消，应该使得第一谐振峰的峰值谐振频率尽可能地向高频偏移，以尽可能地靠近第二谐振峰的峰值谐振频率。为此，基于亥姆霍兹共振腔模型，相邻设置的泄压孔114和调声孔117中泄压孔114的出口端的有效面积可以大于调声孔117的出口端的有效面积。其中，相邻设置的泄压孔114和调声孔117中泄压孔114的出口端的有效面积与调声孔117的出口端的有效面积之间的比值可以小于或者等于2。作为示例性地，相邻设置的泄压孔114和调声孔117中泄压孔114的出口端的实际面积可以大于调声孔117的出口端的实际面积。进一步地，相邻设置的泄压孔114和调声孔117的出口端还可以分别盖设有声阻网1140和声阻网1170，声阻网1140的孔隙率可以大于声阻网1170的孔隙率。
[0135]
结合图17中(a)，泄压孔114可以包括第一泄压孔1141和第二泄压孔1142。其中，第一泄压孔1141相较于第二泄压孔1142可以远离出声孔113设置。此时，第一泄压孔1141的出口端的有效面积可以大于第二泄压孔1142的出口端的有效面积。如此，既可以兼顾机芯壳体11的大小与前腔111的排气需求，又可以使得排气量相对大的第一泄压孔1141尽可能地远离出声孔113，进而减小泄压孔114处漏音对出声孔113处气导声的影响。进一步地，泄压孔114还可以包括第三泄压孔1143，第一泄压孔1141相较于第三泄压孔1143也可以远离出声孔113设置。其中，第二泄压孔1142的出口端的有效面积可以大于第三泄压孔1143的出口端的有效面积。
[0136]
作为示例性地，结合图17中(a)及图2，出声孔113和第一泄压孔1141可以位于换能装置12的相对两侧；而第二泄压孔1142和第三泄压孔1143可以相对设置，并可以位于出声孔113和第一泄压孔1141之间。
[0137]
进一步地，泄压孔114中至少部分的出口端可以盖设有声阻网1140，以便于调节泄压孔114的出口端的有效面积。其中，本实施例以泄压孔114的出口端分别盖设有相同声阻的声阻网1140为例进行示例性的说明。如此，不仅可以改善耳机100的声学表现力及防水防尘性能，还可以避免声阻网1140因规格种类过多而混料。基于此，调节泄压孔114的出口端的实际面积即可得到相应的有效面积。例如：第一泄压孔1141的出口端的实际面积可以大于第二泄压孔1142的出口端的实际面积，第二泄压孔1142的出口端的实际面积也可以大于第三泄压孔1143的出口端的实际面积。
[0138]
结合图17中(b)，调声孔117可以包括第一调声孔1171和第二调声孔1172。其中，第一调声孔1171相较于第二调声孔1172可以远离出声孔113设置。此时，第一调声孔1171的出口端的有效面积可以大于第二调声孔1172的出口端的有效面积，以便于破坏后腔112内的高压区。如此，既可以兼顾机芯壳体11的大小与调声孔117破坏后腔112的高压区的需求，并使得出声孔113处气导声的谐振频率尽可能的高，又可以使得破坏程度相对大的第一调声孔1171尽可能地远离出声孔113。
[0139]
作为示例性地，结合图17中(b)及图2，出声孔113和第一调声孔1171可以位于换能装置12的相对两侧；而第二调声孔1172可以位于出声孔113和第一调声孔1171之间。
[0140]
进一步地，调声孔117中至少部分的出口端盖可以设有声阻网1170，以便于调节调声孔117的出口端的有效面积。其中，本实施例以调声孔117的出口端分别盖设有相同声阻的声阻网1170为例进行示例性的说明。如此，不仅可以改善耳机100的声学表现力及防水防尘性能，还可以避免声阻网1170因规格种类过多而混料。基于此，调节调声孔117的出口端的实际面积即可得到相应的有效面积。例如：第一调声孔1171的出口端的实际面积可以大于第二调声孔1172的出口端的实际面积。具体而言，第一调声孔1171的出口端的实际面积可以大于或者等于3.8mm2；和/或，第二调声孔1172的出口端的实际面积可以大于或者等于2.8mm2。
[0141]
作为示例性地，结合图17中(c)及(d)，第一泄压孔1141与第一调声孔1171可以相邻设置，第二泄压孔1142与第二调声孔1172也可以相邻设置。如此，以使得分别经第一泄压孔1141和第一调声孔1171输出至耳机100外部的气导声能够相干相消，分别经第二泄压孔1142和第二调声孔1172输出至耳机100外部的气导声也能够相干相消。
[0142]
进一步地，第一泄压孔1141的出口端的有效面积可以大于第一调声孔1171的出口端的有效面积，以使得经第一泄压孔1141输出至耳机100外部的气导声的峰值谐振频率尽可能地向高频偏移，以尽可能地靠近经第一调声孔1171输出至耳机100外部的气导声的峰值谐振频率，进而使得分别经第一泄压孔1141和第一调声孔1171输出至耳机100外部的气导声能够更好地相干相消。类似地，第二泄压孔1142的出口端的有效面积可以大于第二调声孔1172的出口端的有效面积，在此不再赘述。
[0143]
与调声孔117破坏后腔112内的高压区类似，第二泄压孔1142及第三泄压孔1143会破坏前腔111内的高压区，使得前腔111内驻波的波长减小，进而使得经第一泄压孔1141输出至耳机100外部的气导声的峰值谐振频率能够向高频偏移，以与经第一调声孔1171输出至耳机100外部的气导声更好地相干相消。其中，偏移量可以大于或者等于500hz，而谐振峰的峰值谐振频率可以大于或者等于2khz。优选地，偏移量大于或者等于1khz。类似地，经第二泄压孔1142输出至耳机100外部的气导声的峰值谐振频率也能够向高频偏移。简而言之，
经与调声孔117相邻设置的泄压孔114输出至耳机100外部的气导声的频响曲线具有一谐振峰，与调声孔117相邻设置的泄压孔114以外的其他泄压孔114处于打开状态时的谐振峰的峰值谐振频率相较于其他泄压孔114处于关闭状态时的谐振峰的峰值谐振频率向高频偏移。其中，其他泄压孔114处于打开状态时的谐振峰的峰值谐振频率可以大于或者等于2khz。
[0144]
结合图17及图2，机芯壳体11可以包括位于换能装置12的相对两侧的第一侧壁17a和第二侧壁17b以及连接第一侧壁17a和第二侧壁17b且彼此间隔的第三侧壁17c和第四侧壁17d。简而言之，机芯壳体11可以简化为一矩形框。当然，第三侧壁17c和第四侧壁17d也可以呈弧形设置，以使得机芯壳体11整体呈跑道型设置。其中，第一侧壁17a相较于第二侧壁17b更靠近人耳，第三侧壁17c相较于第四侧壁17d更靠近耳挂组件20。进一步地，出声孔113可以设于第一侧壁17a，以便于用户听到经出声孔113及导声通道141输出至耳机100外部的气导声；第一泄压孔1141和第一调声孔1171则可以分别设于第二侧壁17b，使之分别更远离出声孔113。相应地，第二泄压孔1142和第二调声孔1172可以分别设于第三侧壁17c与第四侧壁17d中一者，第三泄压孔1143则可以设于第三侧壁17c与第四侧壁17d中另一者。
[0145]
基于上述的相关描述，并结合图18中(a)，前腔111中空气的排出需要绕过线圈组件，其路径可以如图18中(a)的虚线箭头所示，导致前腔111内驻波的波长相对较长，不利于经泄压孔114输出至耳机100外部的气导声的峰值谐振频率向高频偏移。为此，本实施例在线圈组件上开设连通孔1215，使得前腔111中空气在排出的过程中能够直接穿过线圈组件，结合图18中(b)，这样不仅可以增加前腔111排气的效率，还可以减小前腔111内驻波的波长，进而使得经泄压孔114输出至耳机100外部的气导声的峰值谐振频率向高频偏移。
[0146]
结合图19，经泄压孔11输出至所述耳机100外部的气导声的频响曲线具有一谐振峰，连通孔1215处于打开状态时的谐振峰的峰值谐振频率相较于连通孔1215处于关闭状态时的谐振峰的峰值谐振频率向高频偏移，且偏移量可以大于或者等于500hz。其中，连通孔1215处于打开状态时的谐振峰的峰值谐振频率可以大于或者等于2khz。
[0147]
作为示例性地，线圈组件设置在前腔111内，并伸入磁路系统122的磁间隙内。其中，线圈组件可以设置呈环状，并设有连通线圈组件的内部和外部的连通孔1215。优选地，连通孔1215可以位于磁路系统122的磁间隙的外部，以尽可能地缩短前腔111中空气排出的路径。
[0148]
基于上述的相关描述，并结合图5，本实施例所述的线圈组件可以包括线圈支架121和与线圈支架121连接的线圈123，线圈支架121用于将线圈123固定在机芯壳体11上，并使得线圈123伸入磁路系统122的磁间隙内。其中，连通孔1215可以设于线圈支架121。进一步地，连通孔1215可以位于弹簧片124背离上述皮肤接触区域的一侧，以尽可能地缩短前腔111中空气排出的路径。
[0149]
结合图20，连通孔1215可以位于环状主体部1211与第一筒状支架部1212之间的连接处。当然，连通孔1215也全部可以位于环状主体部1211或者第一筒状支架部1212。进一步地，连通孔1215的数量可以为多个，且沿线圈组件的环向间隔设置。其中，每一个连通孔1215的横截面积可以大于或者等于2mm2。作为示例性地，与第一泄压孔1141相邻设置的连通孔1215的横截面积可以大于或者等于3mm2，与第二泄压孔1142和第三泄压孔1143分别相邻设置的连通孔1215的横截面积可以大于或者等于2.5mm2。
[0150]
基于上述的相关描述，前腔111和后腔112内的空气振动反相。基于此，机芯模组10还可以包括连通前腔111和后腔112的连通通道，以便于破坏前腔111和后腔112内的高压区，提高谐振峰的峰值谐振频率，进而改善耳机100的音质和漏音。
[0151]
作为示例性地，结合图21中(a)，连通通道可以为设于振膜13的微孔阵列21a，例如微孔阵列21a设于褶皱部133。其中，微孔阵列21a中的至少部分微孔和出声孔113可以分别位于换能装置12的相对两侧。当然，微孔阵列21a还可以设于出声孔113的两侧。进一步地，微孔阵列21a中每一个微孔的实际面积可以介于0.01mm2至0.04mm2之间。
[0152]
进一步地，微孔阵列21a还可以与调声孔117配合，以便于使得经出声孔113输出至耳机100外部的气导声向高频偏移。
[0153]
结合图22及下表，经出声孔113输出至耳机100外部的气导声的频响曲线具有一谐振峰，谐振峰的峰值谐振频率可以大于或者等于2khz。其中，连通通道处于打开状态时的谐振峰的峰值谐振频率相较于连通通道处于关闭状态时的谐振峰的峰值谐振频率向高频偏移，且偏移量可以大于或者等于500hz。优选地，偏移量可以大于或者等于1khz。与此同时，结合图23，随着谐振峰的峰值谐振频率向高频偏移，中低频段的漏音也在逐渐减小。
[0154][0155]
进一步地，在连通通道所定义的连通路径上可以设置有声阻网21d。其中，结合图24及下表，通过设置声阻网21d，经出声孔113及导声通道141输出至耳机100外部的气导声中的高频峰能够被进一步削弱，使得频响曲线更为平坦，高频音质更为均衡。作为示例性地，声阻网21d的孔隙率可以小于或者等于18％；和/或，孔隙尺寸可以小于或者等于51μm。
[0156]
频响曲线声阻/mksrayls孔隙率24
‑
1无连通通道无24
‑
20100％24
‑
34518％24
‑
426013％
[0157]
作为示例性地，结合图21中(b)，连通通道可以为设于磁路系统122的通孔21b。其中，通孔21b的实际面积可以小于或者等于9mm2。
[0158]
作为示例性地，结合图21中(c)，连通通道可以为设置在机芯壳体11的外部的连通管21c，连通管21c用于连通泄压孔114和调声孔117。其中，泄压孔114和调声孔117可以相邻设置。
[0159]
基于上述的相关描述，前腔111和后腔112可以简单地视作亥姆霍兹腔体结构，使得经出声孔113、泄压孔114、调声孔117输出至耳机100外部的气导声分别具有一谐振峰。其中，上述任一实施例主要是使得谐振峰的峰值谐振频率向高频偏移，以改善耳机100的音质和漏音。进一步地，气导声在谐振峰处的峰值谐振强度会急剧增大，导致音质不够均衡。为此，机芯模组10还可以包括与前腔111和/或后腔112连通的亥姆霍兹共振腔25a，以便于吸收前腔111和/或后腔112在峰值谐振频率附近的声能，也即是抑制峰值谐振强度的突增，使得频响曲线更加平坦，进而使得音质更加均衡。
[0160]
作为示例性地，结合图25中(a)，亥姆霍兹共振腔25a可以设于机芯壳体11，例如与
机芯壳体11的皮肤接触区域相对设置。
[0161]
作为示例性地，结合图25中(b)至(d)，亥姆霍兹共振腔25a可以设于磁路系统122，例如设于磁体1222。其中，由于磁路系统122的质量相较于机芯壳体11的要大，使得在相同的驱动力下磁路系统122的振幅要小些，尤其是在中高频段(例如＞1khz)。换言之，在耳机100的实际工作过程中，磁路系统122的振动比机芯壳体11明显小。基于此，将亥姆霍兹共振腔25a设于磁路系统122上，能获得更小振动的壁面，其吸收声能，削弱高频峰的效果更为显著。
[0162]
基于亥姆霍兹腔体模型，并结合图26，随着亥姆霍兹共振腔25a的体积(例如图26中c)增加，或者亥姆霍兹共振腔25a与前腔111(或后腔112)连通的开口的面积(例如图26中m)减小，亥姆霍兹共振腔25a削弱高频谐振峰的频宽越宽，削弱效果越显著。
[0163]
作为示例性地，结合图25中(b)，亥姆霍兹共振腔25a可以设置成与后腔112连通。其中，经出声孔113输出至耳机100外部的气导声的频响曲线具有第一谐振峰，亥姆霍兹共振腔25a设置成减弱第一谐振峰的峰值谐振强度。其中，第一谐振峰的峰值谐振频率可以大于或者等于2khz。进一步地，结合图26，亥姆霍兹共振腔25a连通后腔112的开口处于打开状态时的第一谐振峰的峰值谐振强度与亥姆霍兹共振腔25a连通后腔112的开口处于关闭状态时的第一谐振峰的峰值谐振强度之间的差值大于或者等于3db。
[0164]
作为示例性地，结合图25中(c)，亥姆霍兹共振腔25a可以设置成与前腔111连通。其中，经泄压孔114输出至耳机100外部的气导声的频响曲线具有第二谐振峰，亥姆霍兹共振腔25a设置成减弱第二谐振峰的峰值谐振强度。其中，第二谐振峰的峰值谐振频率可以大于或者等于2khz。进一步地，结合图26，亥姆霍兹共振腔25a连通前腔111的开口处于打开状态时的第二谐振峰的峰值谐振强度与亥姆霍兹共振腔25a连通前腔111的开口处于关闭状态时的第二谐振峰的峰值谐振强度之间的差值大于或者等于3db。
[0165]
作为示例性地，结合图25中(d)，亥姆霍兹共振腔25a可以设置成同时连通前腔111和后腔112。其中，连通前腔111的开口的面积可以大于或者等于连通后腔112的开口的面积。
[0166]
进一步地，亥姆霍兹共振腔25a与前腔111(或后腔112)连通的开口还可以设有声阻网25b。其中，结合图27，随着声阻网25b的声阻(例如图27中r)的增加，频响曲线更为平坦，音质更为均衡。作为示例性地，声阻网25b的孔隙率可以大于或者等于3％。
[0167]
结合图28，耳机100可以包括处理电路28a，处理电路28a可以集成在主控电路板40上，并可以用于将音频文件转换成换能装置12的驱动信号。其中，音频文件可以通过有线/无线的方式传输至处理电路28a，处理电路28a可以对音频文件进行如解码、均衡、增益调节等信号处理；被处理的信号进一步输入到扬声器，由扬声器完成从电信号到声音(例如骨导声和/或气导声)的转换，进而输出声音。
[0168]
基于上述的相关描述，前腔111和后腔112可以简单地视作亥姆霍兹腔体结构，使得经出声孔113、泄压孔114、调声孔117输出至耳机100外部的气导声分别具有一谐振峰。其中，上述任一实施例主要是使得谐振峰的峰值谐振频率向高频偏移，以改善耳机100的音质和漏音。进一步地，气导声在谐振峰处的峰值谐振强度会急剧增大，导致音质不够均衡。为此，处理电路28a可以包括至少一个均衡器(equalizer,eq)，均衡器可以对音频文件的第一频段的信号增益系数设置成大于第二频段的信号增益系数，且第二频段高于第一频段，以
便于削弱相对高频段的信号幅值，进而减少该频率的信号输出，削弱气导声的突增，进而使得音质更加均衡。当然，也可以削弱骨导声的突增，使之增加均衡。其中，当均衡器对音频文件进行增益处理时，信号增益系数以正数表示，当均衡器对音频文件进行衰减处理时，信号增益系数以负数表示。进一步地，均衡器的均衡功能可以通过滤波器实现；滤波器可以是单独的一个也可以是多个构成的模组，滤波器可以是模拟滤波器也可以是数字滤波器。
[0169]
作为示例性地，第一频段可以至少包括500hz。
[0170]
作为示例性地，第二频段可以至少包括3.5k或者4.5khz。
[0171]
作为示例性地，经出声孔113输出至耳机100外部的气导音具有一谐振峰，谐振峰的峰值谐振频率位于第二频段内，或者高于第二频段。如此，以使得谐振峰尽可能向高频偏移，并通过均衡器削弱其信号幅值，进而减少第二频率的信号输出，削弱气导声的突增，进而使得音质的高频更加均衡。
[0172]
作为示例性地，均衡器可以进一步根据耳机100的音量为第一频段设置不同的信号增益系数。其中，音量越大，第一频段的信号增益系数越小。例如：在音量较小的情况下，均衡器可以使得低频的信号增益系数较大，进而使得听感上低频充足，饱满，音质较好；而在音量较大的情况下，均衡器可以使得低频的信号增益系数较小，进而避免扬声器的振幅过大而引起的破音。
[0173]
结合图29，机芯壳体11可以包括主壳体29a、辅壳体29b和弹性连接件29c。其中，主壳体29a可以用于与用户的皮肤接触，并形成皮肤接触区域。换能装置12可以与主壳体29a连接，振膜13可以连接在换能装置12与主壳体29a之间。此时，主壳体29a与振膜13配合可以形成前腔111，辅壳体29b可以通过弹性连接件29c与主壳体29a连接，并与振膜13配合可以形成后腔112。进一步地，辅壳体29b和弹性连接件29c所形成的振动系统具有一固有频率f0。此时，辅壳体29b可以与皮肤接触区域相对设置。其中，固有频率的大小可以根据辅壳体29b及弹性连接件29c的弹性系数等参数进行调节，在此不作限制。进一步地，固有频率可以小于或者等于2khz。优选地，固有频率可以小于或者等于1khz。
[0174]
作为示例性地，结合图30，主壳体29a的振动频率介于20hz至150hz之间时，辅壳体29b与主壳体29a之间的相位差可以介于
‑
π/3至+π/3之间。此时，辅壳体29b相对于主壳体29a的随动性较好，辅壳体29b与皮肤接触区域的振动甚至可以同相，后腔112内的空气依旧能够被压缩或扩张，进而能够形成经出声孔113输出至耳机100外部的气导声。进一步地，主壳体29a的振动频率介于2khz至4khz之间时，辅壳体29b与主壳体29a之间的相位差可以介于2π/3至4π/3之间。此时，辅壳体29b相对于主壳体29a的随动性较差，辅壳体29b与皮肤接触区域的振动甚至可以反相，后腔112内的空气难以被压缩或扩张，进而难以形成经出声孔113输出至耳机100外部的气导声。
[0175]
简而言之，通过合理设计辅壳体29b的固有频率，可以控制耳机100在某一特定频段(例如＜f0)形成经出声孔113输出至耳机100外部的气导声，以及在另一频段(例如＞f0)经出声孔113输出至耳机100外部的气导声明显减小，进行利用气导声对骨导声的特定频段进行补充。
[0176]
类似地，主壳体29a的振动频率介于20hz至400hz之间时，辅壳体29b与主壳体29a之间的相位差可以介于
‑
π/3至+π/3之间。进一步地，主壳体29a的振动频率介于1khz至2khz之间时，辅壳体29b与主壳体29a之间的相位差可以介于2π/3至4π/3之间；但该频段需要避
开辅壳体29b的固有频率。
[0177]
基于上述的相关描述，机芯壳体11的皮肤接触区域用于与用户的皮肤接触，以便于传输机芯模组10产生的机械振动，进而形成骨导声。其中，耳机100在产生骨导声的同时，换能装置12与机芯壳体11发生相对运动。进一步地，因为振膜13的存在，前述相对运动的过程中还会使得后腔112产生经出声孔113向人耳传输的与骨导声同相的气导声。基于此，用户的皮肤的机械特性(例如弹性、阻尼、质量)会反过来影响机芯模组10的振动状态。具体而言，机芯壳体11与用户的皮肤贴合越好，越紧密，则会使得机芯壳体11的振动变弱。相应地，机芯壳体11振动的变弱，使得机芯壳体11与换能装置12及振膜13之间的相对运动变弱，因此而产生的气导声也随之变小，最终影响气导声的听音效果。然而，机芯壳体11也无法与用户的皮肤完全分离，因为这样会影响骨导声的传输，进而影响骨导声的听音效果。为此，在耳机100处于佩戴状态下，皮肤接触区域的第一区域31a与用户的皮肤贴合设置，而皮肤接触区域的第二区域31b相对于用户的皮肤倾斜且间隔设置，以兼顾气导声的产生与骨导声的传输。其中，第二区域31b相较于第一区域31a可以远离耳挂组件20。
[0178]
作为示例性地，第二区域31b与用户的皮肤之间的倾角可以介于0度至45度之间。优选地，倾角可以介于10度至30度之间。
[0179]
作为示例性地，第一区域31a和第二区域31b可以共面设置，以降低机芯壳体11的加工难度。当然，机芯壳体11也可以设置呈弧面，使得第一区域31a与用户的皮肤贴合设置的同时第二区域31b能够对于用户的皮肤倾斜且间隔设置。
[0180]
作为示例性地，第二区域31b的面积可以大于第一区域31a的面积，以确保气导声的产生。
[0181]
基于上述的相关描述，并结合图2及图17，泄压孔114可以使得前腔111与耳机100外部连通，调声孔117可以使得后腔112与耳机100外部连通；且至少部分泄压孔114和至少部分调声孔117还可以分别相邻设置，两者间隔距离可以小于或者等于2mm，例如第一泄压孔1141与第一调声孔1171相邻设置，第二泄压孔1142与第二调声孔1172相邻设置。基于此，机芯模组10还可以包括防护罩15，防护罩15可以罩设在泄压孔114和调声孔117的外围。其中，防护罩15可以由金属丝编织而成，金属丝的丝径可以为0.1mm，防护罩15的目数可以为90
‑
100，使之具有一定的结构强度和良好的透气率，这样既可以避免外物侵入机芯模组10内部，又可以不影响耳机100的声学表现力。如此，防护罩15可以同时覆盖相邻设置的泄压孔114和调声孔117，也即是“一罩盖两孔”，进而大大减少物料，并改善耳机100的外观品质。
[0182]
作为示例性地，结合图32，机芯壳体11的外表面可以设置有容置区118，容置区118可以与相邻设置的泄压孔114和调声孔117的出口端连通。此时，防护罩15可以设置呈板状，并可以通过卡接、胶接、焊接等连接方式中的一种或其组合固定在容置区118内，例如与容置区118的底部胶接或者焊接连接，以覆盖泄压孔114和调声孔117。其中，防护罩15的外表面可以与机芯壳体11的外表面平齐或者圆弧过渡，以改善耳机100的外观品质。
[0183]
进一步地，容置区118内还可以形成有凸台1181，凸台1181与容置区118的侧壁间隔设置，以形成环绕凸台1181的容置槽1182。其中，容置槽1182的槽宽可以小于或者等于0.3mm。此时，泄压孔114和调声孔117的出口端位于凸台1181的顶部，也即是容置槽1182可以环绕泄压孔114和调声孔117。相应地，防护罩15可以包括主盖板151和环形侧板152，环形侧板152与主盖板151的边缘弯折连接，以向主盖板151的侧向延伸。其中，环形侧板152相对
于主盖板151的高度可以介于0.5mm至1.0mm之间。如此，当防护罩15固定在容置区118内时，环形侧板152还可以插入并固定在容置槽1182内，以改善防护罩15与机芯壳体11之间的连接强度。例如，环形侧板152通过容置槽1182内的胶体(图中未示出)与机芯壳体11固定连接。进一步地，主盖板151也可以通过焊接的方式与凸台1181的顶部连接。其中，凸台1181的顶部可以略低于机芯壳体11的外表面，例如两者之间的段差约等于主盖板151的厚度。
[0184]
基于上述的相关描述，并结合图32及图2，泄压孔114和调声孔117的出口端还可以分别盖设声阻网1140和声阻网1170，以分别调整泄压孔114和调声孔117的出口端的有效面积，进而改善耳机100的声学表现力。此时，声阻网1140和声阻网1170可以先通过第一环状胶片1183固定在凸台1181的顶部，防护罩15则可以随后固定在容置区118内。其中，第一环状胶片1183环绕泄压孔114和调声孔117，以露出两者的出口端。进一步的，主盖板151也可以通过第二环状胶片1184固定在声阻网1140和声阻网1170上。其中，第一环状胶片1183、第二环状胶片1184的环宽可以分别介于0.4mm至0.5mm之间，厚度可以分别小于或者等于0.1mm。当然，在其他一些实施方式中，也可以预先将声阻网1140和声阻网1170固定在防护罩15上，以形成一结构组件，然后将该结构组件固定在容置区118内。例如：声阻网1140和声阻网1170通过第二环状胶片1184固定在主盖板151的同一侧，并被环形侧板152环绕，进而与防护罩15形成一个结构组件。其中，声阻网1140和声阻网1170可以彼此至少部分错开，以便于分别盖设相邻设置的泄压孔114和调声孔117的出口端，并便于适应两者之间的间隔距离。
[0185]
需要说明的是：结合图2，导声部件14背离机芯壳体11的一端也可以采用与上述任一方式相同或者相似的方式固定设置声阻网140其及相应的防护罩15，以便于声阻网140盖设在导声通道141的出口端，并被相应的防护罩15覆盖。
[0186]
结合图33及图2，线圈支架121可以在后壳体115与前壳体116的扣合方向的垂直方向上从前壳体116的侧向外露。换言之，结合图4，对于前壳体116而言，其前筒状侧板1162与出声孔113或者导声部件14相邻的一侧可以至少部分被切除，以形成一个用于外露线圈支架121的避让区。进一步地，导声部件14可以扣合于线圈支架121的外露部分和后壳体115的外侧，并使得出声通道141与出声孔113连通。如此，前壳体116与导声部件14相邻的一侧可以不用完全包裹线圈支架121，既可以避免机芯模组10局部过厚，又不妨碍导声部件14与机芯壳体11之间的固定。
[0187]
作为示例性地，线圈支架121的外露部分与后壳体115的外侧面可以配合形成一凸台119。其中，凸台119可以包括位于后壳体115的第一子凸台部1191和位于线圈支架121的第二子凸台部1192。此时，出声孔113可以全部设于后壳体115，且出声孔113的出口端可以位于第一子凸台部1191的顶部。相应地，导声部件14朝向线圈支架121和后壳体115一侧可以设置有凹陷区142。此时，导声通道141的入口端可以与凹陷区142的底部连通。如此，当导声部件14与机芯壳体11组装时，凸台119可以嵌设在凹陷区142内，并使得出声通道141与出声孔113连通。其中，结合图2，凸台119的高度与凹陷区142的深度之间可以满足如下关系：当凸台119的顶部与凹陷区142的底部抵接时，导声部件14的端面与机芯壳体11恰好接触，或者两者之间留有一缝隙，以改善导声通道141与出声孔113之间的气密性。基于此，凸台119的顶部与凹陷区142的底部之间还可以设置环状密封件(图中未示出)等。
[0188]
进一步地，后壳体115和导声部件14中的一者上可以设置有接插孔1154；相应地，
另一者上可以设置有接插柱143。其中，接插柱143可以插置固定在接插孔1154内，以改善导声部件14与机芯壳体11组装的精度及可靠性。作为示例性地，接插孔1154设于后壳体115，具体可以位于第一子凸台部1191；接插柱143设于导声组件14，具体可以位于凹陷区142内。
[0189]
需要说明的是：结合图33，导声部件14与机芯壳体11可以沿图33中虚线所示的方向进行组装。
[0190]
在一些实施方式中，例如机芯模组10未设置振膜13，前壳体116可以将线圈支架121压持在环形承台1153上，以改善机芯模组10组装的可靠性。具体而言，前壳体116可以将第二筒状支架部1213背离环状主体部1211的另一端压持在环形承台1153上。
[0191]
在其他一些实施方式中，例如机芯模组10设置有振膜13，前壳体116可以将线圈支架121及与之连接的振膜13一同压持在环形承台1153上，以改善机芯模组10组装的可靠性。其中，振膜13可以通过其补强环136与第二筒状支架部1213背离环状主体部1211的另一端连接。具体而言，前壳体116可以通过第二筒状支架部1213将补强环136压持在环形承台1153上。
[0192]
作为示例性地，结合图33及图4，调声孔117可以以完整的通孔的形式设于后壳体115；而泄压孔114可以以不完整的缺口的形式设于前壳116，并通过后壳体115与前壳体116拼接配合的方式形成完整的通孔。如此，既便于减小相邻设置的泄压孔114与调声孔117之间的间隔距离，又便于使得泄压孔114的出口端的实际面积大于调声孔117的出口端的实际面积。
[0193]
以上所述仅为本技术的部分实施例，并非因此限制本技术的保护范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效装置或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。