传感器封装、其制造方法和成像装置与流程

文档序号:31404595发布日期:2022-09-03 06:01阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种传感器封装,包括:固态成像元件,其根据入射光的光量通过光电转换产生像素信号;电路板,其电气连接到所述固态成像元件;传感器封装基板,其配置在所述固态成像元件的入射光侧,并且使所述固态成像元件处于密封状态;和透镜,其形成在所述传感器封装基板的位于所述固态成像元件侧的下表面上。2.根据权利要求1所述的传感器封装,其中从焦点到所述传感器封装基板的上表面的距离y满足y>{(x
×
√(a2/0.02))/d}其中d代表透镜有效孔径,x代表焦距,a代表容许的灰尘直径。3.根据权利要求1所述的传感器封装,其中具有滤波功能的膜形成在所述透镜的下表面上或者所述传感器封装基板的上表面或下表面中的至少一个上。4.根据权利要求1所述的传感器封装,其中所述传感器封装基板的材料为玻璃系材料、树脂系材料和金属系材料中的任一种。5.根据权利要求1所述的传感器封装,其中所述固态成像元件是接收单波长的入射光的传感器或者接收多波长的入射光的传感器。6.根据权利要求1所述的传感器封装,其中所述透镜的材料为树脂材料、玻璃系材料和金属系材料中的任一种。7.根据权利要求1所述的传感器封装,还包括:保持所述传感器封装基板的传感器封装保持部件。8.根据权利要求7所述的传感器封装,其中所述传感器封装保持部件在所述固态成像元件上方的位置处具有开口部,和所述开口部的侧面形成为倾斜,使得所述开口部在所述固态成像元件侧或所述传感器封装基板侧更宽。9.根据权利要求7所述的传感器封装,其中所述传感器封装保持部件与所述传感器封装基板的上表面或下表面接触以固定所述传感器封装基板。10.根据权利要求7所述的传感器封装,其中所述传感器封装保持部件是在所述固态成像元件上方的位置处具有开口部的电路板,和所述开口部在所述固态成像元件侧和所述传感器封装基板侧具有相同的尺寸。11.根据权利要求7所述的传感器封装,其中所述传感器封装保持部件在所述固态成像元件上方的位置处具有开口部,和所述开口部的平面形状为四边形或圆形。12.根据权利要求7所述的传感器封装,其中所述传感器封装保持部件在所述固态成像元件上方的位置处具有开口部,和所述透镜通过使所述透镜的侧面与所述开口部的侧面接触而由所述传感器封装保持
部件保持。13.根据权利要求7所述的传感器封装,其中所述传感器封装保持部件和所述透镜之间的接触面具有凹凸结构。14.根据权利要求7所述的传感器封装,还包括:多个凹状槽部,其设置在所述传感器封装保持部件的位于所述传感器封装基板侧的上表面上。15.根据权利要求7所述的传感器封装,其中所述传感器封装保持部件是在所述固态成像元件上方的位置处具有开口部的电路板,和所述开口部的尺寸大于所述固态成像元件的尺寸。16.根据权利要求1所述的传感器封装,还包括:遮光膜,其设置在所述传感器封装基板的一部分或所述透镜的一部分中。17.根据权利要求1所述的传感器封装,还包括:透镜组,其将入射光聚焦在所述固态成像元件的光接收面上;和驱动单元,其使所述透镜组在光轴方向上移动。18.根据权利要求1所述的传感器封装,还包括:透镜组,其将入射光聚焦在所述固态成像元件的光接收面上;和固定所述透镜组的透镜支架,其中所述透镜支架与所述传感器封装基板的上表面接触以固定所述传感器封装基板。19.根据权利要求1所述的传感器封装,其中所述固态成像元件和所述电路板通过引线接合而电气连接。20.一种传感器封装的制造方法,所述方法包括:在形成有预定开口部的传感器封装保持部件被固定为与传感器封装基板的一侧的表面接触的状态下,用透镜材料填充所述预定开口部;以及利用透镜的模具使所述透镜材料成型并使成型的透镜材料固化,以将所述传感器封装基板、所述传感器封装保持部件和所述透镜彼此同时接合。21.一种成像装置,包括:传感器封装,所述传感器封装包括固态成像元件,其根据入射光的光量通过光电转换产生像素信号;电路板,其电气连接到所述固态成像元件;传感器封装基板,其配置在所述固态成像元件的入射光侧,并且使所述固态成像元件处于密封状态;和透镜,其形成在所述传感器封装基板的位于所述固态成像元件侧的下表面上,和透镜单元,所述透镜单元包括将入射光聚焦在所述固态成像元件的光接收面上的透镜组。

技术总结
本公开涉及一种能够实现小型化和高度减小并抑制眩光的发生的传感器封装、其制造方法和成像装置。所述传感器封装包括:固态成像元件,其根据入射光的光量通过光电转换产生像素信号;电路板,其电气连接到所述固态成像元件;传感器封装基板,其配置在所述固态成像元件的入射光侧,并且使所述固态成像元件处于密封状态;和透镜,其形成在所述传感器封装基板的位于所述固态成像元件侧的下表面上。本公开可以适用于例如成像装置等。适用于例如成像装置等。适用于例如成像装置等。


技术研发人员:土桥英一郎
受保护的技术使用者:索尼半导体解决方案公司
技术研发日:2021.03.03
技术公布日:2022/9/2
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