图像感测装置的制作方法

1.本专利文档中公开的技术和实现总体上涉及图像感测装置，该图像感测装置包括被构造为检测入射光并测量图像感测装置与目标对象之间的距离的像素。


背景技术：

2.图像感测装置是一种通过使用对光起反应的光敏半导体材料将光转换为电信号来捕获光学图像的装置。随着汽车、医疗、计算机和通信行业的发展，在诸如智能电话、数码相机、游戏机、iot(物联网)、机器人、安防摄像头和医疗微型相机之类的各个领域中，对高性能图像感测装置的需求不断增加。
3.图像感测装置大致可以分为ccd(电荷耦合器件)图像感测装置和cmos(互补金属氧化物半导体)图像感测装置。与cmos图像感测装置相比，ccd图像感测装置提供更好的图像质量，但它们往往消耗更多的电力并且体积更大。
4.cmos图像感测装置比ccd图像感测装置尺寸更小且消耗更少电力。此外，cmos传感器是使用cmos制造技术制造的，因此光敏元件和其它信号处理电路能够集成到单个芯片中，使得能够以低成本制造小型化图像感测装置。由于这些原因，正在为包括移动装置在内的许多应用开发cmos图像感测装置。


技术实现要素：

5.所公开技术的各种实施方式涉及能够提高光电荷检测效率并降低由暗电流产生的噪声的图像感测装置。
6.根据所公开技术的实施方式，一种图像感测装置可以包括像素阵列。像素阵列包括：感测区域，其包括多个单位像素，每个单位像素检测入射光以产生指示检测到的入射光的光电荷；偏置场区域，其掺杂有杂质并且沿感测区域的边缘设置；以及接触部分，其连接到偏置场区域，以向偏置场区域施加偏置电压以使感测区域中的光电荷移动。
7.在一些实现中，像素阵列还包括：钝化区域，其形成为与感测区域交叠，其中像素阵列形成在半导体层中，其中偏置场区域位于半导体层内的第一深度处，并且钝化区域位于半导体层内的第二深度处，并且其中第一深度大于第二深度。
8.在一些实现中，偏置场区域形成为围绕钝化区域，并且偏置场区域形成为与接触部分接触。
9.在一些实现中，偏置场区域沿钝化区域的边缘设置；以及钝化区域形成为与偏置场区域交叠。
10.在一些实现中，每个单位像素包括：控制区域，其在设置有单位像素的半导体层中产生电流；以及检测区域，其捕获通过电流移动的光电荷。
11.在一些实现中，解调控制信号被施加到控制区域，其中解调控制信号是通过使第一电压和第二电压以预定时间间隔重复而形成的。
12.在一些实现中，解调控制信号为各自之间具有180度的相位差的两个不同解调控
制信号中的任意一个。
13.在一些实现中，解调控制信号为各自之间具有90度的相位差的四个不同解调控制信号中的任意一个。
14.在一些实现中，光电荷在从偏置场区域到控制区域的方向上移动。
15.在一些实现中，偏置电压低于第一电压和第二电压中的每一个。
16.根据所公开技术的另一实施方式，一种图像感测装置可以包括：感测区域，其包括多个单位像素，每个单位像素包括用于接收第一电压或第二电压的控制区域和用于捕获通过第一电压或第二电压移动的电子的检测区域；偏置场区域，其沿感测区域的边缘设置；接触部分，其连接到偏置场区域以向偏置场区域施加偏置电压；以及偏置电压控制器，其向接触部分传送偏置电压，其中偏置电压低于第一电压和第二电压中的每一个。
17.在一些其它实现中，该图像感测装置还可以包括：钝化区域，其形成为与感测区域交叠，其中，偏置场区域位于半导体层内的第一深度处并且钝化区域位于半导体层内的第二深度处，并且其中第一深度大于第二深度。
18.在一些其它实现中，偏置场区域形成为围绕钝化区域；以及偏置场区域形成为与接触部分接触。
19.在一些其它实现中，偏置场区域沿钝化区域的边缘设置；以及钝化区域形成为与偏置场区域交叠。
20.根据所公开技术的另一实施方式，一种图像感测装置可以包括：感测区域，其包括形成在基板中的多个单位像素，以产生光电荷并捕获所产生的光电荷；偏置场区域，其掺杂有第一杂质，并且沿感测区域的边缘从基板的表面形成至基板中的第一深度；钝化区域，其掺杂有第一杂质，并且在感测区域上方从基板的表面形成至基板中的第二深度；以及接触部分，其连接到偏置场区域，以向偏置场区施加偏置电压以使光电荷移动，其中第一深度大于第二深度。
21.在一些其它实现中，偏置场区域形成为围绕钝化区域；以及偏置场区域形成为与接触部分接触。
22.在一些其它实现中，偏置场区域沿钝化区域的边缘设置；以及钝化区域形成为与偏置场区域交叠。
23.在一些其它实现中，每个单位像素包括：控制区域，其在设置有单位像素的半导体层中产生电流；以及检测区域，其捕获通过电流移动的光电荷。
24.应当理解，对所公开技术的前述概括描述和以下详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步解释。
附图说明
25.图1是例示了基于所公开技术的一些实现的图像感测装置的示例的框图。
26.图2是例示了基于所公开技术的一些实现的像素阵列的示例的示意图。
27.图3是例示了基于所公开技术的一些实现的沿图2所示的线a-a
′
截取的单位像素的截面的示意图和连接到单位像素的构成电路的电路图。
28.图4是例示了基于所公开技术的一些实现的沿图2所示的线b-b
′
截取的像素阵列的示例的截面图。
29.图5是例示了基于所公开技术的一些实现的沿图2所示的线b-b
′
截取的像素阵列的另一示例的截面图。
30.图6是例示了基于所公开技术的一些实现的沿图2所示的线b-b
′
截取的像素阵列的又一示例的截面图。
31.图7是例示了基于所公开技术的一些其它实现的像素阵列的包括接触部分的局部结构的截面图。
32.图8是例示了基于所公开技术的一些实现的解调控制信号之间的相位差的示例的定时图。
33.图9是例示了基于所公开技术的一些实现的解调控制信号之间的相位差的示例的定时图。
34.图10是例示了基于所公开技术的一些实现的响应于偏置电压而产生的电位梯度的示例的曲线图。
具体实施方式
35.本专利文档提供了图像感测装置设计的实现和示例，该图像感测装置设计可以用于配置中以基本上解决一个或更多个技术问题或工程问题并减轻在一些其它图像感测装置设计中遇到的限制或缺点。所公开技术的一些实现涉及可以在降低由暗电流产生的噪声的同时提高光电荷检测效率的图像感测装置。为了解决以上问题，所公开的技术可以在一些实施方式中实现为提供这样的图像感测装置：其包括沿感测区域边缘设置的偏置场区域，从而通过施加至偏置场区域的偏置电压来调整基板的电场。所公开技术可以在一些实施方式中实现为通过调整偏置场区域的深度来减轻响应于入射光而产生的电子的复合现象，从而减少通过形成接触区域而引起的暗电流的发生。
36.在下文中，将参照附图描述各种实施方式。然而，应当理解，所公开技术不限于特定实施方式，而是包括实施方式的各种修改、等同和/或替代。所公开技术的实施方式可以提供能够通过所公开技术直接或间接认识到的各种效果。
37.使图像感测装置能够测量图像感测装置与目标对象之间的距离的距离和深度测量技术已经有了巨大的发展和进步。诸如安全装置、医疗装置、车辆、游戏机、虚拟现实(vr)/增强现实(ar)装置和移动装置之类的使用图像传感器的电子装置的快速增长，已经导致对测量深度信息的先进方法的更大需求。这种使用一个或更多个图像传感器测量深度信息的方法包括三角测量法、飞行时间(tof)法和干涉测量法。飞行时间(tof)法适用于各种技术领域，可以以更高的速度执行，并且具有优越的成本效益。
38.tof法主要分为直接法和间接法。尽管直接法和间接法二者都使用发射光和反射光来计算图像传感器与目标对象之间的距离(即，深度)，但直接法和间接法可以具有不同的测量方法。
39.直接法可以计算往返时间，并且可以使用计算出的往返时间来测量图像传感器与目标对象之间的距离。间接方法可以使用相位差来测量图像传感器与目标对象之间的距离。直接法用于测量较长的距离，因此广泛用于车辆。间接法用于测量较短的距离，因此广泛用于被设计为以更高速度运行的各种高速装置，例如，游戏机、移动相机等。间接法具有简单的电路设计，因此能够以较低成本实现。
40.作为间接tof传感器的示例，执行电流辅助光子解调器(capd)法以使用通过将控制电压施加到单位像素而获得的多数载劣电流，使用由电子引起的电压差来检测像素中已经产生的电子。如此，capd方法能够通过使用多数载劣电流来更快地检测电子并且能够检测在较深深度形成的电子。
41.图1是例示了基于所公开技术的一些实现的图像感测装置isd的示例的框图。
42.参照图1，图像感测装置isd可以使用飞行时间(tof)原理测量图像感测装置isd与目标对象1之间的距离。图像感测装置isd可以包括光源10、透镜模块20、像素阵列30和控制块40。
43.光源10可以在接收到来自控制块40的光调制信号mls时向目标对象1发射光。光源10可以是用于发射具有特定波长带的光(例如，近红外(nir)光、红外(ir)光或可见光)的激光二极管(ld)或发光二极管(led)。在另一实现中，光源10可以是近红外激光器(nir)、点光源、与白灯或单色器组合在一起的单色光源、以及其它激光源的组合中的任何一种。例如，光源10可以发射具有800nm至1000nm波长的红外光。从光源10发射的光可以是通过预定频率调制的光(例如，调制光)。虽然为了便于说明，图1仅示出了一个光源10，但是也可以在透镜模块20的附近布置多个光源。
44.透镜模块20可以收集从目标对象1反射的光，并且可以允许收集的光会聚到像素阵列30的像素(px)上。例如，透镜模块20可以包括具有由玻璃或塑料形成的表面的会聚透镜，或具有由玻璃或塑料形成的表面的另一圆柱光学元件。透镜模块20可以包括布置为会聚在光轴上的多个透镜。
45.像素阵列30可以包括按照二维(2d)矩阵阵列连续布置在行和列中的单位像素(px)。单位像素(px)可以是在像素阵列内以相同形状重复布置的最小单位。
46.在一些实现中，每个单位像素可以包括以矩阵阵列布置的多个子像素。
47.单位像素(px)可以形成于半导体基板或外延层上方。每个单位像素(px)可以将通过透镜模块20接收的入射光转换为与入射光的强度相对应的电信号，并且可以使用该电信号生成像素信号。在这种情况下，像素信号可以是指示单位像素与目标对象1之间的距离而不指示目标对象1的颜色的信号。
48.在单位像素(px)设置在像素阵列30上方的区域在下文中将被称为感测区域。位于感测区域中的单位像素(px)可以将入射光转换为与入射光的强度相对应的电信号，从而可以输出像素信号。
49.像素阵列30可以包括沿着感测区域的边缘定位的偏置场区域。偏置场区域可以形成在半导体基板或外延层中。图像感测装置isd可以通过调整施加到偏置场区域的电压来调整从单位像素(px)输出的像素信号。
50.每个单位像素(px)可以是电流辅助光子解调器(capd)像素。下文将参照图2至图10描述每个单位像素(px)的结构和操作。
51.控制块40可以通过控制光源10向目标对象1发射光，可以通过驱动像素阵列30的单位像素(px)来处理与从目标对象1反射的光相对应的每个像素信号，并且可以使用处理后的结果来测量单位像素与目标对象1的表面之间的距离。
52.控制块40可以包括行驱动器41、解调驱动器42、光源驱动器43、定时控制器44和读出电路45。
53.行驱动器41可以响应于定时控制器44生成的定时信号而激活像素阵列的单位像素(px)。例如，行驱动器41可以生成用于选择和控制多条行线当中的至少一条行线的控制信号。控制信号可以包括用于控制复位晶体管的复位信号rst、用于控制在检测区域中累积的光电荷的传输的传输信号trg、用于以高照度水平提供附加静电容量的浮置扩散信号fdg、用于控制选择晶体管的选择信号sel等。
54.虽然为了便于描述，图1例示了布置在像素阵列30的列方向(例如，垂直方向)上的行驱动器41，但是行驱动器41的至少一部分可以布置在像素阵列30的行方向(例如，水平方向)上。
55.解调驱动器42可以响应于由定时控制器44生成的定时信号而生成要施加到多个单位像素当中的至少一个单位像素的解调控制信号。解调控制信号可以在基板中产生电位差。在基板中产生的电位差可以产生用于移动基板的电子的空穴电流。
56.光源驱动器43可以响应于来自定时控制器44的控制信号而生成用于操作光源10的光调制信号mls。光调制信号mls可以是按照预定频率调制的信号。
57.定时控制器44可以生成定时信号，以控制行驱动器41、解调驱动器42、光源驱动器43和读出电路45。
58.读出电路45可以在定时控制器44的控制下处理从像素阵列30接收的像素信号，并且因此可以生成诸如数字像素数据之类的像素数据。为此，读出电路45可以包括用于对像素阵列30产生的像素信号执行相关双采样(cds)的相关双采样器(cds)电路。
59.另外，读出电路45可以包括用于将cds电路的输出信号转换为数字信号的模数转换器(adc)。另外，读出电路45可以包括缓冲器电路，该缓冲器电路临时存储由模数转换器(adc)生成的像素数据并在定时控制器44的控制下输出像素数据。由于像素阵列30包括capd像素，因此可以为像素阵列30的每列分配用于传输像素信号的两条列线，并且用于对从每条列线产生的像素信号进行处理的结构可以对应于各条列线。
60.光源10可以向由图像感测装置isd捕获的场景发射按照预定频率调制的光(例如，调制光)。图像感测装置isd可以感测从该场景中所包括的目标对象1反射的调制光(即，入射光)，因此可以生成每个单位像素(px)的深度信息。
61.在调制光和入射光之间可以出现基于图像感测装置isd和每个目标对象1之间的距离的时间延迟。时间延迟可以由图像感测装置isd产生的信号与控制光源10的光调制信号mls之间的相位差来表示。图像处理器(未示出)可以计算在图像感测装置isd的输出信号中产生的相位差，并且因此可以生成深度图像。
62.图2是例示了基于所公开技术的一些实现的像素阵列30的示例的示意图。
63.参照图2，像素阵列30可以包括：感测区域31，其包括诸如图像感测像素和相位检测像素之类的多个单位像素；以及偏置场区域32，其沿着感测区域31的边缘设置。在一些实现中，接触部分33形成于偏置场区域32中或与偏置场区域32电接触，以向偏置场区域32施加偏置电压。
64.另外，接触部分33可以联接到偏置电压控制器(未示出)，该偏置电压控制器被配置为向接触部分33提供偏置电压。在一些实现中，偏置电压控制器可以被包括在控制块(例如，图1的40)中。
65.为了使单位像素(px)基于从定时控制器(例如，图1的44)接收到的控制或定时信
号而检测入射光，偏置电压控制器可以将偏置电压传输到包括感测区域31的基板。
66.设置在感测区域31中的多个单位像素(px)可以响应于它们各自接收的入射光而分别生成像素信号。稍后将参照图3描述每个单位像素(px)的截面图和连接到单位像素(px)的其它电路。
67.在一些实现中，偏置场区域32可以沿着感测区域31的边缘设置。偏置场区域32可以形成在设置有像素阵列30的半导体基板或外延层中。由于偏置场区域32沿感测区域31的边缘设置，因此图像感测装置isd能够有效地调整像素阵列30内部的电位梯度。
68.在一些实现中，其中形成有偏置场区域32的半导体基板或外延层可以掺杂有p型杂质。另外，偏置场区域32可以是具有比半导体基板或外延层更高的掺杂浓度的p型杂质区域。
69.透镜模块20可以形成为与像素阵列30交叠。由于入射光被透镜模块20会聚，因此到达与像素阵列30的边缘相邻设置的一个单位像素(px)的光线的量可以不同于到达与像素阵列30的中心相邻设置的另一单位像素(px)的光线的量。
70.依据单位像素(px)在像素阵列30上的位置，单位像素(px)之间的这种光线量的不同可以导致像素信号之间的差异。具体来说，与像素阵列30的边缘相邻设置的单位像素(px)可以接收比与像素阵列30的中心相邻设置的其它单位像素(px)更少量的入射光线。如此，依据单位像素(px)的位置，单位像素(px)可以收集响应于入射光产生的不同量的光电荷，从而在像素信号之间产生差异。
71.在一些实现中，由于偏置场区域32具有与半导体基板或外延层不同的掺杂浓度，因此在像素阵列30的偏置场区域32和其它区域之间可能出现电位梯度。
72.这样的电位梯度导致在与偏置场区域32相邻的区域中产生的光电荷从与偏置场区域32相邻的区域向单位像素(px)移动。结果，与偏置场区域32相邻的单位像素(px)可以比远离偏置场区域32的其它单位像素(px)更容易收集光电荷。
73.因此，可以通过偏置场区域32来补偿与像素阵列30的边缘相邻设置的一个像素和与像素阵列30的中心相邻设置的另一像素(px)之间的像素信号的差异。
74.接触部分33可以形成为与偏置场区域32交叠。在一些实现中，接触部分33可以包括金属。例如，金属可以包括钨(w)、铝(al)和铜(cu)中的至少一种。在一些其它实现中，接触部分33可以包括多晶硅(si)。
75.接触部分33可以与偏置场区域32接触。接触部分33可以向偏置场区域32施加偏置电压。在一些实现中，偏置电压可以是负(-)电压。随着负(-)电压施加到偏置场区域32，可以在像素阵列30的偏置场区域32和其它区域之间出现电位梯度。
76.当负(-)电压施加到偏置场区域32时产生的电位梯度可以大于当负(-)电压没有施加到偏置场区域32时产生的电位梯度。
77.换言之，施加于偏置场区域32的负(-)电压能够促进光电荷的移动，因此与负(-)电压未被施加到偏置场区域32时相比，当负(-)电压被施加到偏置场区域32时，单位像素(px)能够更容易收集光电荷。
78.在一些实现中，偏置场区域32和接触部分33与感测区域31不交叠，使得感测区域31能够最大化光接收区域。
79.图3是例示了基于所公开技术的一些实现的沿图2所示的线a-a
′
截取的单位像素
(px)的截面的示意图300和连接到单位像素(px)的构成电路的电路图。
80.在下文中将参照图3描述单位像素(px)的截面结构和用于操作单位像素(px)的方法。
81.单位像素(px)可以包括光电转换区域311、检测区域312和控制区域313。在一些实现中，单位像素(px)可以形成在半导体层310中。半导体层310可以包括半导体基板或外延层。例如，半导体基板可以包括硅晶圆，外延层可以包括形成在硅晶圆上的晶体生长层。在一些实现中，检测区域312收集由光电转换区域311产生的光电荷，并且控制区域313接收用于控制这些操作的控制信号。
82.在图3的示例中，光电转换区域311可以形成在半导体层310中，并且光线可以入射在半导体层310的一个表面上。光所入射的表面在下文中将被称为光接收表面。
83.在一些实现中，单位像素(px)位于图2所示的感测区域31处，并且因此光电转换区域311、检测区域312和控制区域313可以包括在感测区域31中。
84.半导体层310还可以包括钝化区域(未示出)和偏置场区域(未示出)，但是图3中所示的电路元件不限于出于描述单位像素的特征和操作的目的而绘制的每个单位像素(px)的某些元件。
85.在实现中，每个单位像素(px)中的光电转换区域311被构造为响应入射光并且产生与单位像素(px)接收的入射光相对应的光电荷。光电转换区域311可以包括彼此层叠在顶部上的多个掺杂区域或层。例如，光电转换区域311可以包括多个n型掺杂区域和多个p型掺杂区域。
86.检测区域312和控制区域313中的每一个可以形成为距与相对于半导体基板或外延层的入射光的光接收表面面对或相对的表面具有预定深度。
87.检测区域312和控制区域313中的每一个可以被包括在单位像素(px)中。检测区域312可以掺杂有与半导体层310不同的杂质。例如，当半导体层310掺杂有p型杂质时，检测区域312可以掺杂有n型杂质。检测区域312可以包括具有不同杂质浓度的多个掺杂区域。
88.检测区域312可以接收检测电压作为输入。随着检测电压的施加，检测区域312能够容易地收集在光电转换区域311中产生的光电荷。多个电路可以联接到检测区域312以处理所收集的电子并将电子转换为电信号。可以针对包括每个检测区域312的每个单位像素(px)形成多个电路。
89.控制区域313可以掺杂有与半导体层310相同的杂质。例如，当半导体层310掺杂有p型杂质时，控制区域313可以掺杂有p型杂质。控制区域313可以包括具有不同杂质浓度的多个掺杂区域。
90.虽然作为示例，图3例示了各自从与光接收表面面对或相对的一个表面朝向光接收表面延伸的检测区域312和控制区域313长度相似，但是应当注意，控制区域313可以形成为具有比检测区域312更长的长度。当控制区域313具有比检测区域312更长的长度时，检测区域312能够通过形成于光电转换区域311和控制区域313之间的电位梯度更容易地捕获光电荷。
91.在一些实现中，可以向控制区域313施加分别对应于单位像素(px)的解调控制信号(v
cs
)。施加到相邻单位像素(px)的解调控制信号(v
cs
)可以具有不同的相位差值。
92.在一些实现中，解调控制信号(v
cs
)可以是具有180度相位差的两个信号中的任一
个，并且可以向两个相邻的单位像素(px)施加两个信号中的任一个。
93.在其它实现中，解调控制信号(v
cs
)可以是具有90度相位差的四个不同信号中的任一个，并且可以向四个相邻的单位像素(px)施加四个信号中的任一个。
94.解调控制信号(v
cs
)可以使第一电压(v1)或第二电压(v2)以预定时间间隔重复地施加到控制区域313。
95.当第一电压(v1)被施加至控制区域313时，电流可以在控制区域313和光电转换区域311之间或在控制区域313和偏置电压区域(未示出)之间流动。
96.这种由第一电压(v1)引起的电流可以是空穴电流。随着空穴电流的产生，与控制区域313相邻的检测区域312可以捕获电子。例如，第一电压(v1)可以是1.2伏(1.2v)。用于施加第一电压(v1)的解调驱动器42的逻辑值可以处于逻辑高电平(h)。
97.当在每个单位像素(px)中包括的控制区域313和光电转换区域311之间或者控制区域313和偏置电压区域之间没有电流流动时可以生成施加至控制区域313的第二电压(v2)。例如，第二电压(v2)可以是接地电压(v
gnd
)。用于施加第二电压(v2)的解调驱动器42的逻辑值可以处于逻辑低电平(l)。
98.解调控制信号(v
cs
)可以使第一电压(v1)和第二电压(v2)以预定时间间隔被施加到控制区域313。稍后将参照图8和图9描述分别向单位像素施加的解调控制信号。
99.在一些实现中，包括于感测区域31中的单位像素(px)可以布置在光电转换区域311中。光电转换区域311可以在像素阵列30内占据尽可能大的区域。
100.图3还例示了连接到单位像素(px)中所包括的检测区域312的电路。
101.在一些实现中，连接到检测区域312的电路可以形成在与形成有半导体层310的基板相同的基板上方。以下将形成有上述电路的区域称为电路区域320。
102.电路区域320可以包括多个电路以基于由检测区域312捕获的电子生成电信号并对电信号进行处理。可以从行驱动器41接收控制信号rst、trg、fdg和sel。另外，像素电压(v
px
)可以是电源电压(vdd)或者源极电压或接地电压(vss)。
103.虽然图3中未示出，但是在一些实现中，电路区域320可以设置在单位像素(px)之间。在其它实现中，电路区域320可以形成为与其中设置有单位像素(px)的感测区域31交叠。电路区域320的位置可以依据单位像素的布局和结构而变化。
104.电路区域320可以包括复位晶体管rx、传输晶体管tx、第一电容器c1、第二电容器c2、浮置扩散晶体管fdx、驱动晶体管dx和选择晶体管sx。
105.复位晶体管rx可以响应于施加到其栅电极的复位信号rst的逻辑高电平(逻辑高电压电平)而被激活，使得浮置扩散节点fd的电压和检测区域312的电压可以被复位为预定电平(例如，像素电压v
px
)。另外，当复位晶体管rx被激活(例如，激活状态)时，传输晶体管tx也可以被激活(例如，激活状态)以使浮置扩散节点fd复位。
106.传输晶体管tx可以响应于施加到其栅电极的传输信号trg的逻辑高电平而被激活(例如，激活状态)，使得可以向浮置扩散节点fd传输检测区域312中累积的电子。
107.第一电容器c1可以联接到浮置扩散节点fd，并且第一电容器c1可以提供预定的静电容量。
108.第二电容器c2可以根据浮置扩散晶体管fdx执行的操作而选择性地联接到浮置扩散节点fd，并且第二电容器c2可以提供额外的预定静电容量。
109.第一电容器c1和第二电容器c2中的每一个可以包括例如金属-绝缘体-金属(mim)电容器、金属-绝缘体-多晶硅(mip)电容器、金属-氧化物-半导体(mos)电容器和结电容器中的至少一种。
110.浮置扩散晶体管fdx可以响应于施加到其栅电极的浮置扩散信号fdg的逻辑高电平而被激活(例如，激活状态)，从而浮置扩散晶体管fdx可以将第二电容器c2联接到浮置扩散节点fd。
111.例如，当入射光的量充足并且图像传感器处于相对高的照度条件下时，行驱动器41可以激活浮置扩散晶体管fdx，使得浮置扩散晶体管fdx进入激活状态并且浮置扩散节点fd可以联接到第二电容器c2。结果，当入射光的量充足并且图像传感器处于高照度水平时，浮置扩散节点fd中累积的光电荷的量增加，能够进行高动态范围(hdr)成像。
112.另一方面，当入射光的量不足并且图像传感器处于相对低的照度水平时，行驱动器41可以控制浮置扩散晶体管fdx被停用(例如，非激活状态)，使得浮置扩散节点fd可以与第二电容器c2隔离。
113.在一些其它实现中，可以根据需要省略浮置扩散晶体管fdx和第二电容器c2。
114.驱动晶体管dx的漏电极联接到像素电压(v
px
)，并且驱动晶体管dx的源电极通过选择晶体管sx联接到垂直信号线sl，使得可以构造联接到垂直信号线sl的一端的恒流源电路cs的负载(mos)和源极跟随器电路。因此，驱动晶体管dx可以通过选择晶体管sx向垂直信号线sl输出与联接到栅电极的浮置扩散节点fd的电压相对应的电流。
115.选择晶体管sx可以响应于施加到其栅电极的选择信号sel的逻辑高电平而被激活(即，激活状态)，使得从驱动晶体管dx产生的像素信号可以输出到垂直信号线sl。
116.电路区域320可以包括与感测区域31中包括的多个单位像素(px)对应的多个复位晶体管(rx)、多个传输晶体管(tx)、多个第一电容器(c1)、多个第二电容器(c2)、多个浮置扩散晶体管(fdx)、多个驱动晶体管(dx)和多个选择晶体管(sx)。也就是说，每个单位像素(px)可以包括复位晶体管(rx)、传输晶体管(tx)、第一电容器(c1)、第二电容器(c2)、浮置扩散晶体管(fdx)、驱动晶体管(dx)和选择晶体管(sx)。
117.在一些实现中，可以对从电路区域320传输到垂直信号线sl的像素信号执行噪声消除和模数(adc)转换处理，将每个像素信号转换为图像数据。
118.图像处理器(未示出)可以计算从由多个单位像素(px)捕获的电子所获取的图像数据，并且因此可以使用得到的图像数据计算相位差。
119.图4是例示了基于所公开技术的一些实现的沿图2所示的线b-b
′
截取的像素阵列30的示例的截面图400。
120.参照图4，光电转换区域411、多个单位像素(px)和至少一个偏置电压区域430可以是半导体层410的一部分。至少一个接触部分440可以形成为与偏置电压区域430电接触，以向偏置电压区域430施加偏置电压。在一些实现中，接触部分440可以包括被构造成将半导体基板中的晶体管和其它器件彼此连接的诸如金属接触件、掺杂接触区域、或者接触插塞之类的各种合适的接触件中的一种。
121.每个单位像素(px)可以包括检测区域412和控制区域413、以及光电转换区域411的至少一部分。
122.在一些实现中，图4中所示的光电转换区域411、检测区域412和控制区域413的结
构和其它技术特征可以与图3中的相应区域的结构和其它技术特征相同或相似。下文将参照图4描述偏置场区域430和接触部分440。
123.偏置场区域430可以形成为从半导体层410的光接收表面朝向面对光接收表面的一个表面延伸。
124.偏置场区域430可以形成在接触部分440下方，并且可以形成在像素阵列30的边缘中。在这种情况下，像素阵列30的边缘可以是半导体层410的边缘区域。
125.偏置场区域430可以形成在像素阵列30的位于像素阵列30外部的边缘中而不与任何单位像素(px)交叠，以使单位像素(px)的光接收区域的有效面积尽可能大，以接收入射光，从而产生足够量的光电荷。
126.偏置场区域430可以形成为距半导体层410的光接收表面具有第一深度(d1)。这里，第一深度d1可以是足够深以防止接触部分440中的暗电流分量影响单位像素(px)的深度。另外，在第一深度(d1)，通过施加到偏置场区域430的偏置电压，能够容易地调整像素阵列30内部的电位梯度。
127.在一些实现中，偏置场区域430的一个表面距半导体层410的光接收表面的深度可以称为第一深度d1。在这种情况下，偏置场区域430的所述一个表面可以平行于半导体层410的光接收表面，并且可以被定位为远离半导体层410的光接收表面。
128.然而，当半导体层410内由偏置场区域430所占据的区域尺寸较大时，可能无法充分保证光电转换区域411所占据的区域。另外，通过偏置场区域430从光电转换区域411产生的光电荷可能复合，从而降低了像素阵列30的光电转换效率。
129.因此，第一深度d1可以是能够容易地调整在像素阵列30中产生的电位梯度和暗电流分量的出现并且能够防止光电荷的复合的深度。
130.包括于感测区域31中的多个单位像素(px)可以彼此间隔开预定距离。由于单位像素(px)彼此间隔开预定距离，因此由各个单位像素收集的光电荷能够彼此隔离。在一些实现中，能够将单位像素(px)彼此电隔离的隔离结构可以设置在单位像素(px)之间，使得单位像素(px)能够通过隔离结构彼此容易地隔离。
131.由偏置场区域430和半导体层410之间的掺杂浓度的不同所产生的电位梯度和由偏置电压产生的电位梯度可以使由半导体层410中所包括的光电转换区域411将产生的光电荷容易地流入到各个单位像素(px)中。具体地，所产生的光电荷可以流入到每个单位像素(px)中包括的控制区域413中，并且可以被检测区域412捕获。
132.图5是例示了基于所公开技术的一些实现的沿图2所示的线b-b
′
截取的像素阵列30的另一示例的截面图500。
133.参照图5，在半导体层510中可以形成光电转换区域511、多个单位像素(px)、偏置电压区域530、接触部分540和钝化区域550。
134.在一些实现中，光电转换区域511、检测区域512、控制区域513、偏置场区域530和接触部分540的结构和其它技术特征可以与图4的相应区域的结构和其它技术特征相同或相似。下文将参照图5描述钝化区域550。
135.钝化区域550可以掺杂有与半导体层510相同的杂质。例如，钝化区域550可以掺杂有p型杂质。钝化区域550可以具有与偏置场区域530相同的掺杂浓度。
136.钝化区域550可以从半导体层510的光接收表面延伸到第二深度d2。在一些实现
中，在半导体层510内，第二深度d2可以小于由偏置场区域530形成的第一深度d1。
137.在一些实现中，钝化区域550的一个表面距离半导体层510的光接收表面的深度可以称为第二深度d2。在这种情况下，钝化区域550的所述一个表面可以平行于半导体层510的光接收表面，并且可以被定位为远离半导体层510的光接收表面。
138.由于钝化区域550形成为具有比偏置场区域530更小的深度，因此可以减少在钝化区域550中产生的光电荷的复合。在钝化区域550中复合的光电荷可以是由设置于钝化区域550下方的光电转换区域511产生的光电荷。
139.光电转换区域511产生的光电荷可以与掺杂有与半导体层510相同杂质的钝化区域550的空穴对复合，使得可能通过光电荷的复合而出现像素信号的失真。
140.钝化区域550可以电联接到偏置场区域530。由于钝化区域550电联接到偏置场区域530，所以在与像素阵列30的中心相邻设置的单位像素(px)的控制区域513和钝化区域550之间可以出现电位梯度。
141.由于钝化区域550联接到偏置场区域530，因此可以向钝化区域550施加偏置电压。随着偏置电压施加到钝化区域550，可以在钝化区域550和控制区域513之间出现电位梯度。与未形成钝化区域550的情况相比，由与像素阵列30的中心相邻的光电转换区域511产生的光电荷可以容易地流入到单位像素(px)中。
142.在一些实现中，随着钝化区域550越靠近偏置场区域530设置，形成于钝化区域550和控制区域513之间的电位梯度可以增加。换言之，随着从钝化区域550到像素阵列30的边缘的距离变得越短，钝化区域550与控制区域513之间的电位梯度可以增加。
143.在一些实现中，钝化区域550可以形成为与偏置电压区域530所形成的区域隔离。
144.例如，在除钝化区域550所形成的区域之外的其余区域上方形成掩模图案(例如，光刻胶)，然后通过注入工艺形成钝化区域550。随后，在形成的钝化区域550上方形成掩模图案，并且可以通过注入工艺沿着钝化区域550的边缘形成偏置场区域530。
145.在这种情况下，通过形成偏置场区域530而在钝化区域550上方形成掩模图案，并且钝化区域550与感测区域31交叠。
146.图6是例示了基于所公开技术的一些实现的沿图2所示的线b-b
′
截取的像素阵列30的又一示例的截面图600。
147.参照图6，可以在半导体层610中形成光电转换区域611、多个单位像素(px)、偏置电压区域630、接触部分640和钝化区域650。
148.在一些实现中，除钝化区域650和偏置电压区域630之外，光电转换区域611、检测区域612和控制区域613的结构和其它技术特征可以与图5的相应区域的结构和其它技术特征相同或相似。
149.在一些其它实现中，钝化区域650可以从半导体层610的光接收表面延伸到第二深度d2。另外，偏置场区域630可以形成为距半导体层610具有第一深度d1。在半导体层610内，第二深度d2可以小于由偏置场区域630形成的第一深度d1。
150.在一些实现中，偏置场区域630的一个表面距半导体层610的光接收表面的深度可以称为第一深度d1。在这种情况下，偏置场区域630的所述一个表面可以平行于半导体层610的光接收表面，并且可以被定位为远离半导体层610的光接收表面。
151.在一些实现中，钝化区域650的一个表面距半导体层610的光接收表面的深度可以
称为第二深度d2。在这种情况下，钝化区域650的所述一个表面可以平行于半导体层610的光接收表面，并且可以被定位为远离半导体层610的光接收表面。
152.钝化区域650和偏置场区域630可以具有相同的杂质类型和相同的掺杂浓度。
153.另外，钝化区域650可以电联接到偏置场区域630。由于钝化区域650电联接到偏置场区域630，所以在与像素阵列30的中心相邻设置的单位像素(px)的控制区域613和钝化区域650之间可以出现电位梯度。
154.在一些其它实现中，在形成钝化区域650之后，可以通过注入工艺形成偏置电压区域630。
155.例如，在钝化区域650形成为距半导体层610的光接收表面具有第二深度d2之后，在所形成的钝化区域650的一部分上方形成掩模图案，并且可以通过注入工艺沿着钝化区域650的边缘形成偏置场区域630。在这种情况下，当形成偏置场区域630时，被遮蔽的钝化区域650可以形成为与感测区域31交叠。
156.在一些其它实现中，所形成的偏置场区域630可以形成为与钝化区域650交叠。
157.图7是例示了基于所公开技术的一些其它实现的像素阵列30的包括接触部分740的局部结构700的截面图。
158.在一些实现中，图7中所示的光电转换区域711和钝化区域750的结构和其它技术特征与图6的相应区域的结构和其它技术特征相同或相似。下文将描述图7所示的构成元件，并且将在下文具体讨论偏置场区域730和接触部分740。
159.参照图7，接触部分740可以蚀刻偏置场区域730的一部分，使得接触部分740可以形成为与被蚀刻的偏置场区域730接触。由于接触部分740形成在偏置场区域730被蚀刻的位置处，因此接触部分740和偏置场区域730可以彼此稳定地联接。
160.另外，由于接触部分740形成在偏置场区域730被蚀刻的位置处，因此由接触部分740提供的偏置电压能够有效地移动光电转换区域711的电子。
161.换言之，由于接触部分740形成在偏置场区域730被蚀刻的位置处，因此偏置电压能够更大地影响光电转换区域711，使得光电荷通过偏置电压能够容易地移动。
162.当偏置场区域730被蚀刻以形成接触部分740时，可能出现对偏置场区域730的表面的损坏，并且在被蚀刻的区域中也可能出现暗电流分量。因此，由于能够充分地确保形成偏置场区域730的深度，因此能够防止在被蚀刻区域中产生的暗电流分量渗入光电转换区域711中。
163.图8是例示了基于所公开技术的一些实现的解调控制信号v
cs1
和v
cs2
之间的相位差的示例的定时图。
164.参照图8，图8中例示了调制光(ml)、入射光(il)以及第一解调控制信号v
cs1
和第二解调控制信号v
cs2
。
165.与感测区域31中包括的多个单位像素(px)相关联，可以向相邻的单位像素(px)施加不同的解调控制信号。
166.可以向分别包括于单位像素(px)中的控制区域(例如，图3的313)施加第一解调控制信号(v
cs1
)和第二解调控制信号(v
cs2
)。
167.第一解调控制信号(v
cs1
)可以相对于第二解调控制信号(v
cs2
)具有180
°
(π)的相位差。例如，第一解调控制信号(v
cs1
)可以具有与调制光(ml)相同的相位，并且第二解调控制
信号(v
cs2
)可以相对于调制光(ml)具有180
°
(π)的相位差。
168.第一解调控制信号(v
cs1
)可以是用于向每个单位像素(px)中包括的控制区域(例如，图3的313)周期性地施加第一电压(v1)和第二电压(v2)的信号。
169.类似地，第二解调控制信号(v
cs2
)可以是用于向每个单位像素(px)中包括的控制区域(例如，图3的313)周期性地施加第一电压(v1)和第二电压(v2)的信号。
170.各个单位像素可以检测与在解调控制信号v
cs1
或v
cs2
具有第一电压(v1)的时间点接收到的入射光对应的电子。
171.例如，当第一解调控制信号v
cs1
和第二解调控制信号v
cs2
中的每一个具有第一电压(v1)时，可以由检测区域312捕获分别包括在单位像素(px)中的每个光电转换区域(例如，图3的311)产生的光电荷。
172.在所捕获的电子已经移动通过传输晶体管tx之后，电子可以累积在浮置扩散区域(fd)中。累积在浮置扩散区域(fd)中的电子可以在穿过驱动晶体管dx和选择晶体管sx之后作为像素信号而输出。
173.在已经输出像素信号之后，单位像素(px)可以通过复位晶体管rx复位到预定电压(例如，像素电压v
px
)。
174.在检测单位像素(px)的像素信号的同时，可以向偏置场区域(例如，图2的32)施加偏置电压。如上所述，由于向偏置场区域施加偏置电压，因此检测区域312能够容易地检测到电子。
175.调制光(ml)可以是指由控制块40控制的光源10向目标对象1发射的光。调制光(ml)可以被生成为交替地具有高电平区段(即，发射光的时段)和低电平区段(即，不发射光的时段)。
176.入射光(il)可以是指入射到基板上以通过光电转换效应产生电子-空穴对的光。入射光(il)可以具有随着图像感测装置isd和目标对象1之间的距离而改变的相位差(θ)。
177.图8所示的调制光(ml)和入射光(il)中的每一个的电平可以是指光的强度。例如，“h”可以是指高强度光，并且“l”可以是指低强度光。
178.当在包括于每个单位像素(px)中的检测区域312中捕获由入射光(il)产生的电子的同时，第一解调控制信号(v
cs1
)和第二解调控制信号(v
cs2
)中的每一个可以以预定时间间隔交替地向所连接的控制区域313施加第一电压(v1)和第二电压(v2)。
179.解调驱动器42的用于按照解调控制信号向控制区域313施加第一电压(v1)的逻辑电平可以被认为是逻辑高电平(h)。另外，解调驱动器42的用于按照解调控制信号向控制区域313施加第二电压(v2)的逻辑电平可以被认为是逻辑低电平(l)。例如，第一电压(v1)可以是1.2v，并且第二电压(v2)可以是零伏(0v)。
180.另外，第一解调控制信号(v
cs1
)可以具有与调制光(ml)相同的相位，并且第二解调控制信号(v
cs2
)可以相对于调制光(ml)具有180
°
(π)的相位差。
181.在一些实现中，为了便于描述，假设产生调制光(ml)的光调制信号与调制光(ml)之间不存在相位差，使得光调制信号和调制光(ml)可以具有相同的相位。
182.相对于调制光(ml)具有相位差(θ)的入射光(il)可以入射到基板上。单位像素可以在分别施加到单位像素(px)的解调控制信号(v
cs1
和v
cs2
)具有逻辑高电平(h)的时间段中捕获由入射光(il)产生的光电荷。
183.图像感测装置isd可以以两个相邻单位像素(px)为单位执行感测操作和距离信息检测。
184.布置在感测区域31中的每个单位像素(px)可以接收与第一解调控制信号和第二解调控制信号(v
cs1
和v
cs2
)中的任一个相对应的解调控制信号。每个单位像素(px)可以输出与施加到浮置扩散区域(fd)的电子相对应的像素信号。图像处理器(未示出)可以通过处理所输出的像素信号来获取从图像感测装置isd到目标对象1的距离。
185.图像感测装置isd可以使用由单位像素(px)检测到的像素信号来计算相位差(θ)。在一些实现中，由接收第一解调控制信号(v
cs1
)的一个单位像素检测到的一个像素信号在下文中将被称为q(0)，并且由接收第二解调控制信号(v
cs2
)的另一个单位像素检测到的另一个像素信号在下文中将被称为q(π)。
186.由施加到像素阵列30的入射光(il)产生的电子可以根据各自的相位以不同的方式由两个相邻的单位像素(px)分开捕获。
187.图像处理器(未示出)可以从相邻的单位像素(px)接收对应于像素信号q(0)的图像数据和对应于像素信号q(π)的图像数据，并且可以基于接收到的图像数据计算相位差。
188.图9是例示了基于所公开技术的一些实现的解调控制信号(v
cs1
′
、v
cs2
′
、v
cs3
′
、v
cs4
′
)之间的相位差的示例的定时图。
189.参照图9，图9中例示了调制光(ml)、入射光(il)和第一解调控制信号至第四解调控制信号(v
cs1
′
至v
cs4
′
)。
190.与感测区域31中包括的多个单位像素(px)相关联，可以向相邻的单位像素(px)施加不同的解调控制信号。例如，可以向分别包括在以(2
×
2)矩阵阵列布置的四个相邻单位像素(px)中的控制区域(例如，图3的313)分别施加第一解调控制信号至第四解调控制信号(v
cs1
′
至v
cs4
′
)。
191.第一解调控制信号(v
cs1
′
)可以相对于第二解调控制信号(v
cs2
′
)具有180
°
(π)的相位差。第三解调控制信号(v
cs3
′
)可以相对于第一解调控制信号(v
cs1
′
)具有90
°
的相位差。第四解调控制信号(v
cs4
′
)可以相对于第一解调控制信号(v
cs1
′
)具有270
°
的相位差。
192.第一解调控制信号至第四解调控制信号(v
cs1
′
至v
cs4
′
)中的每一个可以是用于向包括于每个单位像素(px)中的控制区域(例如，图3的313)周期性地施加第一电压(v1)和第二电压(v2)中的每一个的信号。
193.各个单位像素(px)可以检测与在解调控制信号(v
cs1
′
至v
cs4
′
)中的每一个具有第一电压(v1)的时间点接收到的入射光相对应的电子。
194.例如，在第一解调控制信号至第四解调控制信号(v
cs1
′
至v
cs4
′
)中的每一个具有第一电压(v1)时，可以由检测区域312捕获分别包括于单位像素(px)中的每个光电转换区域(例如，图3的311)产生的光电荷。
195.在检测单位像素(px)的像素信号的同时，可以向偏置场区域(例如，图2的32)施加偏置电压。如上所述，由于向偏置场区域施加偏置电压，所以检测区域312能够容易地检测电子。
196.调制光(ml)可以是指由控制块40控制的光源10向目标对象1发射的光。调制光(ml)可以被生成为交替地具有高电平区段(即，发射光的时段)和低电平区段(即，不发射光的时段)。
197.入射光(il)可以是指入射在基板上以通过光电转换效应产生电子-空穴对的光。入射光(il)可以具有随着图像感测装置isd和目标对象1之间的距离而变化的相位差(θ)。
198.图9所示的调制光(ml)和入射光(il)中的每一个的电平可以是指光的强度。例如，“h”可以是指高强度光，并且“l”可以是指低强度光。
199.在每个单位像素(px)中所包括的检测区域312中捕获由入射光(il)产生的电子的同时，第一解调控制信号(v
cs1
′
)和第二解调控制信号(v
cs2
′
)中的每一个可以以预定时间间隔交替地向所连接的控制区域313施加第一电压(v1)和第二电压(v2)。
200.解调驱动器42的用于按照解调控制信号向控制区域313施加第一电压(v1)的逻辑电平可以被认为是逻辑高电平(h)。另外，解调驱动器42的用于按照解调控制信号向控制区域313施加第二电压(v2)的逻辑电平可以被认为是逻辑低电平(l)。例如，第一电压(v1)可以是1.2v，而第二电压(v2)可以是零伏(0v)。
201.另外，第一解调控制信号(v
cs1
′
)可以具有与调制光(ml)相同的相位，第二解调控制信号(v
cs2
′
)可以相对于调制光(ml)具有180
°
(π)的相位差，第三解调控制信号(v
cs3
′
)可以相对于调制光(ml)具有90
°
(π/2)的相位差，并且第四解调控制信号(v
cs4
′
)可以相对于调制光(ml)具有270
°
(3π/2)的相位差。
202.在一些实现中，为了便于描述，假设产生调制光(ml)的光调制信号与调制光(ml)之间不存在相位差，使得光调制信号和调制光(ml)可以具有相同的相位。
203.相对于调制光(ml)具有相位差(θ)的入射光(il)可以入射到基板上。单位像素可以在分别向单位像素(px)施加的解调控制信号(v
cs1
′
至v
cs4
′
)具有逻辑高电平(h)的时间段中捕获由入射光(il)产生的光电荷。
204.图像感测装置isd可以以四个相邻单位像素(px)为单位执行感测操作和距离信息检测。
205.布置在感测区域31中的每个单位像素(px)可以接收与第一解调控制信号至第四解调控制信号(v
cs1
′
至v
cs4
′
)中的任一个相对应的解调控制信号。每个单位像素(px)可以输出与施加到浮置扩散区域(fd)的电子相对应的像素信号。图像处理器(未示出)可以通过处理所输出的像素信号来获取从图像感测装置isd到目标对象1的距离。
206.图像感测装置isd可以使用由各个单位像素(px)检测到的像素信号来计算相位差(θ)。在一些实现中，由接收到第一解调控制信号(v
cs1
′
)的单位像素检测到的像素信号在下文中将被称为q(0)，并且由接收到第二解调控制信号(v
cs2
′
)的单位像素检测到的像素信号在下文中将被称为q(π)。另外，由接收到第三解调控制信号(v
cs3
′
)的单位像素检测到的像素信号在下文中将被称为q(π/2)，并且由接收到第四解调控制信号(v
cs4
′
)的单位像素检测到的像素信号在下文中将被称为q(3π/2)。
207.由施加到像素阵列30的入射光(il)产生的电子可以根据各自的相位以不同的方式由四个相邻的单位像素(px)分开捕获。
208.图像处理器(未示出)可以从相邻单位像素(px)接收对应于像素信号q(0)的图像数据、对应于像素信号q(π)的图像数据、对应于像素信号q(π/2)的图像数据、以及对应于像素信号q(3π/2)的图像数据，并且可以基于接收到的图像数据计算相位差。
209.图10是例示了基于所公开技术的一些实现的响应于偏置电压而产生的电位梯度的示例的曲线图。
210.具体来说，图10例示了偏置场区域、光电转换区域和检测区域的静电电位的示例。
211.参照图10，偏置电压(偏置电位)可以是负(-)电压。随着偏置电压被施加至偏置场区域，偏置场区域的静电电位可以是负(-)电压。
212.当向偏置场区域提供偏置电压(参见“偏置电位曲线”)时，与不向偏置场区域提供偏置电压的其它情况(参见“无偏置电位曲线”)相比，偏置场区域和光电转换区域之间的电位梯度可以极大增加。
213.因此，当向偏置场区域提供偏置电压(参见“偏置电位曲线”)时，与不向偏置场区域提供偏置电压的其它情况(参见“无偏置电位曲线”)相比，光电荷能够更容易地从偏置场区域向光电转换区域和检测区域中的每一个移动。另外，当向偏置场区域提供偏置电压(参见“偏置电位曲线”)时，与不向偏置场区域提供偏置电压的其它情况(参见“无偏置电位曲线”)相比，光电荷能够更容易地从光电转换区域向检测区域移动。
214.从以上描述显而易见的是，基于所公开技术的一些实现的图像感测装置能够使偏置场区域沿感测区域的边缘设置，并且能够通过在偏置场区域中提供的偏置电压来调整基板的电场。
215.基于所公开技术的一些实现的图像感测装置能够通过调整偏置场区域的深度来减轻响应于入射光而产生的电子的复合现象，并且能够防止由于形成接触区域而引起的暗电流的发生。
216.所公开技术的实施方式可以提供通过上述专利文档能够直接或间接地认识到的各种效果。
217.本领域技术人员将理解，所公开的技术可以以本文所阐述的方式之外的其它特定方式来实施。另外，在所附权利要求中未显式地提出的权利要求可以在提交申请后通过后续修改，作为实施方式组合呈现或者作为新的权利要求而包括进来。
218.尽管已经描述了大量示例性实施方式，但是应当理解，基于本专利文档中描述和/或例示的内容，可以设计所公开的实施方式和其它实施方式的各种修改和/或增强。
219.相关申请的交叉引用
220.本专利文档要求于2021年8月12日提交的韩国专利申请no.10-2021-0106902的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入，作为本专利文档公开内容的一部分。