接近光发射功率处理方法和相关装置与流程

本技术涉及终端，尤其涉及一种接近光发射功率处理方法和相关装置。

背景技术：

1、随着终端技术的发展，越来越多的终端设备具有接近光收发功能，例如，用户在接打电话过程中，终端设备基于接近光传感器识别到人脸贴近终端设备时，熄灭屏幕；终端设备基于接近光传感器识别到人脸远离终端设备时，点亮屏幕。

2、然而，现有的终端设备存在人脸贴近终端设备时不灭屏，或人脸远离终端设备时不亮屏的情况发生。

技术实现思路

1、本技术实施例提供一种接近光发射功率处理方法和相关装置，应用于终端技术领域。终端设备可以灵活调整接近光的发射功率，提升采用接近光作为策略判断依据的业务中的准确度或灵敏度。

2、第一方面，本技术实施例提出一种接近光发射功率处理方法。该方法包括：

3、终端设备确定满足接近光发射功率调整条件；终端设备调大接近光发射功率为第一接近光发射功率；当终端设备采用第一接近光发射功率发射接近光满足第一目标条件时，终端设备更新预先存储的功率相关参数为第一功率相关参数，第一功率相关参数为采用第一接近光发射功率发射接近光时所对应的功率相关参数；第一目标条件包括：第一无遮挡底噪值小于第一预设值，第一遮挡底噪值变化量大于第二预设值，且第二遮挡底噪值变化量大于第三预设值；其中，第一无遮挡底噪值为采用第一接近光发射功率发射接近光时终端设备的无遮挡底噪值，第二预设值小于第三预设值，第一遮挡底噪值变化量为第一无遮挡底噪值与当第一距离存在遮挡时终端设备的底噪值之间的差值，第二遮挡底噪值变化量为第一无遮挡底噪值与当第二距离存在遮挡时终端设备的底噪值之间的差值，第一距离大于第二距离。

4、这样，本技术实施例终端设备可以在确定需要进行接近光发射功率调整时，调大接近光发射功率，并将调大后的满足终端设备灵敏度需求的接近光发射功率所对应的功率相关参数更新在存储位置，使得终端设备可以基于软件调整实现满足灵敏度需求。

5、一种可能的实现方式中，功率相关参数包括：接近光发射电流，和/或，接近光发射脉冲个数，终端设备调大接近光发射功率为第一接近光发射功率，包括：终端设备调大接近光发射电流，和/或，调大接近光发射脉冲个数；其中，调大后的接近光发射电流，和/或，调大后的接近光发射脉冲个数对应的接近光发射功率为第一接近光发射功率。这样，终端设备可以基于软件调节，实现对接近光发射功率的便捷调整，不需要增加额外硬件成本。

6、一种可能的实现方式中，终端设备调大接近光发射电流，和/或，调大接近光发射脉冲个数，包括：终端设备计算第二无遮挡底噪值以及终端设备中的初始无遮挡底噪值的第一比值；其中，第二无遮挡底噪值为当终端设备确定满足接近光发射功率调整条件时终端设备得到的无遮挡底噪值；终端设备根据第一比值调大接近光发射电流，和/或，调大接近光发射脉冲个数。这样，可以基于第一比值实现快速准确的接近光功率调整。

7、一种可能的实现方式中，第一接近光发射功率与终端设备的初始接近光发射功率的比值等于第一比值。这样可以使得调整后的第一接近光发射功率能很好符合终端设备的需求，且可以简化调整时需要的运算。

8、一种可能的实现方式中，终端设备更新预先存储的功率相关参数为第一功率相关参数，包括：终端设备将调大后的接近光发射电流，和/或，调大后的接近光发射脉冲个数写入非易失性存储器。这样，后续终端设备可以基于非易失性存储器中的数据实现稳定的接近光发射功率控制。

9、一种可能的实现方式中，终端设备确定满足接近光发射功率调整条件，包括：终端设备确定在连续n次无遮挡底噪值测量中，终端设备的无遮挡底噪值均大于或等于第四预设值。其中，第四预设值可以结合实际设置，本技术实施例不作具体限定。这样可以减少因误触等导致无遮挡底噪值变大时，触发的接近光发射功率调整的次数，使得接近光功率调整更加稳定准确。

10、一种可能的实现方式中，终端设备更新预先存储的功率相关参数为第一功率相关参数之后，还包括：终端设备再次确定满足接近光发射功率调整条件；终端设备基于第三无遮挡底噪值以及第一无遮挡底噪值关系，调大接近光发射功率为第二接近光发射功率；其中，第三无遮挡底噪值为当终端设备再次确定满足接近光发射功率调整条件时终端设备的无遮挡底噪值；当终端设备采用第二接近光发射功率发射接近光满足第二目标条件时，终端设备更新预先存储的功率相关参数为第二功率相关参数，第二功率相关参数为采用第二接近光发射功率发射接近光时所对应的功率相关参数；第二目标条件包括：第四无遮挡底噪值小于第一预设值，第三遮挡底噪值变化量大于第二预设值，且第四遮挡底噪值变化量大于第三预设值；其中，第四无遮挡底噪值为采用第二接近光发射功率发射接近光时终端设备的无遮挡底噪值，第三遮挡底噪值变化量为第四无遮挡底噪值与当第一距离存在遮挡时终端设备的底噪值之间的差值，第四遮挡底噪值变化量为第四无遮挡底噪值与当第二距离存在遮挡时终端设备的底噪值之间的差值。这样可以使得终端设备在使用中，能结合使用情况不断修正接近光发射功率，使得终端设备的亮灭屏灵敏度可以持续保持在较好的状态，提升用户体验。

11、一种可能的实现方式中，第二接近光发射功率与第一接近光发射功率的比值等于：第三无遮挡底噪值以及第二无遮挡底噪值的比值。这样，可以基第三无遮挡底噪值以及第二无遮挡底噪值的比值实现快速准确的接近光功率调整。

12、一种可能的实现方式中，方法还包括：确定终端设备处于通话业务中；若终端设备的接收功率小于当第一距离存在遮挡时终端设备的接收功率时，则终端设备亮屏；或者，若终端设备的接收功率大于当第二距离存在遮挡时终端设备的接收功率时，则终端设备灭屏。这样，可以增加终端设备控制通话业务中亮灭屏的灵敏度。

13、第二方面，本技术实施例提供一种接近光发射功率处理的装置，该接近光发射功率处理的装置可以是终端设备，也可以是终端设备内的芯片或者芯片系统。该接近光发射功率处理的装置可以包括处理单元。处理单元用于实现第一方面或第一方面的任意一种可能的实现方式中与处理相关的任意方法。当该接近光发射功率处理的装置是终端设备时，该处理单元可以是处理器。该接近光发射功率处理的装置还可以包括存储单元，该存储单元可以是存储器。该存储单元用于存储指令，该处理单元执行该存储单元所存储的指令，以使该终端设备实现第一方面或第一方面的任意一种可能的实现方式中描述的一种方法。当该接近光发射功率处理的装置是终端设备内的芯片或者芯片系统时，该处理单元可以是处理器。该处理单元执行存储单元所存储的指令，以使该终端设备实现第一方面或第一方面的任意一种可能的实现方式中描述的一种方法。该存储单元可以是该芯片内的存储单元(例如，寄存器、缓存等)，也可以是该终端设备内的位于该芯片外部的存储单元(例如，只读存储器、随机存取存储器等)。

14、示例性的，处理单元用于确定满足接近光发射功率调整条件；调大接近光发射功率为第一接近光发射功率；当终端设备采用第一接近光发射功率发射接近光满足第一目标条件时，更新预先存储的功率相关参数为第一功率相关参数，第一功率相关参数为采用第一接近光发射功率发射接近光时所对应的功率相关参数；第一目标条件包括：第一无遮挡底噪值小于第一预设值，第一遮挡底噪值变化量大于第二预设值，且第二遮挡底噪值变化量大于第三预设值；其中，第一无遮挡底噪值为采用第一接近光发射功率发射接近光时终端设备的无遮挡底噪值，第二预设值小于第三预设值，第一遮挡底噪值变化量为第一无遮挡底噪值与当第一距离存在遮挡时终端设备的底噪值之间的差值，第二遮挡底噪值变化量为第一无遮挡底噪值与当第二距离存在遮挡时终端设备的底噪值之间的差值，第一距离大于第二距离。

15、一种可能的实现方式中，功率相关参数包括：接近光发射电流，和/或，接近光发射脉冲个数，处理单元，具体用于调大接近光发射电流，和/或，调大接近光发射脉冲个数；其中，调大后的接近光发射电流，和/或，调大后的接近光发射脉冲个数对应的接近光发射功率为第一接近光发射功率。

16、一种可能的实现方式中，处理单元，具体用于计算第二无遮挡底噪值以及终端设备中的初始无遮挡底噪值的第一比值；其中，第二无遮挡底噪值为当终端设备确定满足接近光发射功率调整条件时终端设备得到的无遮挡底噪值；根据第一比值调大接近光发射电流，和/或，调大接近光发射脉冲个数。

17、一种可能的实现方式中，第一接近光发射功率与终端设备的初始接近光发射功率的比值等于第一比值。

18、一种可能的实现方式中，处理单元，具体用于将调大后的接近光发射电流，和/或，调大后的接近光发射脉冲个数写入非易失性存储器。

19、一种可能的实现方式中，处理单元，具体用于终端设备确定在连续n次无遮挡底噪值测量中，终端设备的无遮挡底噪值均大于或等于第四预设值。

20、一种可能的实现方式中，处理单元，还用于再次确定满足接近光发射功率调整条件；基于第三无遮挡底噪值以及第一无遮挡底噪值关系，调大接近光发射功率为第二接近光发射功率；其中，第三无遮挡底噪值为当终端设备再次确定满足接近光发射功率调整条件时终端设备的无遮挡底噪值；当终端设备采用第二接近光发射功率发射接近光满足第二目标条件时，更新预先存储的功率相关参数为第二功率相关参数，第二功率相关参数为采用第二接近光发射功率发射接近光时所对应的功率相关参数；第二目标条件包括：第四无遮挡底噪值小于第一预设值，第三遮挡底噪值变化量大于第二预设值，且第四遮挡底噪值变化量大于第三预设值；其中，第四无遮挡底噪值为采用第二接近光发射功率发射接近光时终端设备的无遮挡底噪值，第三遮挡底噪值变化量为第四无遮挡底噪值与当第一距离存在遮挡时终端设备的底噪值之间的差值，第四遮挡底噪值变化量为第四无遮挡底噪值与当第二距离存在遮挡时终端设备的底噪值之间的差值。

21、一种可能的实现方式中，第二接近光发射功率与第一接近光发射功率的比值等于：第三无遮挡底噪值以及第二无遮挡底噪值的比值。

22、一种可能的实现方式中，处理单元，还用于确定终端设备处于通话业务中；若终端设备的接收功率小于当第一距离存在遮挡时终端设备的接收功率时，则控制亮屏；或者，若终端设备的接收功率大于当第二距离存在遮挡时终端设备的接收功率时，则控制灭屏。

23、第三方面，本技术实施例提供一种电子设备，括处理器和存储器，存储器用于存储代码指令，处理器用于运行代码指令，以执行第一方面或第一方面的任意一种可能的实现方式中描述的方法。

24、第四方面，本技术实施例提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质中存储有计算机程序或指令，当计算机程序或指令在计算机上运行时，使得计算机执行第一方面或第一方面的任意一种可能的实现方式中描述的接近光发射功率处理方法。

25、第五方面，本技术实施例提供一种包括计算机程序的计算机程序产品，当计算机程序在计算机上运行时，使得计算机执行第一方面或第一方面的任意一种可能的实现方式中描述的接近光发射功率处理方法。

26、第六方面，本技术提供一种芯片或者芯片系统，该芯片或者芯片系统包括至少一个处理器和通信接口，通信接口和至少一个处理器通过线路互联，至少一个处理器用于运行计算机程序或指令，以执行第一方面或第一方面的任意一种可能的实现方式中描述的接近光发射功率处理方法。其中，芯片中的通信接口可以为输入/输出接口、管脚或电路等。

27、在一种可能的实现中，本技术中上述描述的芯片或者芯片系统还包括至少一个存储器，该至少一个存储器中存储有指令。该存储器可以为芯片内部的存储单元，例如，寄存器、缓存等，也可以是该芯片的存储单元(例如，只读存储器、随机存取存储器等)。

28、应当理解的是，本技术的第二方面至第六方面与本技术的第一方面的技术方案相对应，各方面及对应的可行实施方式所取得的有益效果相似，不再赘述。