电子设备的制作方法

1.本技术涉及通信技术领域，尤其涉及一种电子设备。


背景技术：

2.随着电子设备产品的发展，电子设备内需要设置多张信息卡，以满足其功能性的需求。以手机为例，通常手机内需要设置客户识别模块(subscriber identification module，sim)卡及存储卡等。各类信息卡均需要对应的卡座组件与之相匹配，因此，电子设备内通常需要设置多个卡座组件，导致卡座组件的占板面积需求在变大，占用了电子设备内部的空间，严重制约了电子设备轻薄化的发展。


技术实现要素：

3.本技术提供了一种电子设备，电子设备能够通过同一个卡座组件兼容nano sim卡和存储卡，从而无需额外设置单独适配存储卡的卡座组件，有利于电子设备的轻薄化。
4.第一方面，本技术提供一种电子设备，包括卡座组件和处理器；卡座组件的卡连接器包括排布成两列五排的十个弹片。处理器包括接口控制器、一个或多个存储卡控制器以及sim卡控制器，接口控制器电连接卡连接器的十个弹片；当卡座组件插入nano sim卡时，接口控制器导通sim卡控制器与卡连接器；当卡座组件插入存储卡时，接口控制器导通存储卡控制器与卡连接器。
5.在本技术中，电子设备能够通过处理器自动识别信息卡类型，并控制与信息卡对应的控制器与卡连接器导通，使得信息卡能够与电子设备能够自动匹配，从而进行通信，提高了用户的使用体验。
6.一些可能的实现方式中，sim卡控制器包括数据接口、时钟接口、编程电压/输入接口以及复位接口，sim卡控制器的各接口均电连接接口控制器。一个或多个存储卡控制器包括第二存储卡控制器，第二存储卡控制器支持ufs协议，第二存储卡控制器包括四个数据接口、参考时钟接口、第二电源接口以及检测接口，第二存储卡控制器的各接口均电连接接口控制器。处理器还包括电源接口和地接口，电源接口和地接口均电连接接口控制器。
7.一些可能的实现方式中，十个弹片包括第一弹片至第十弹片。接口控制器包括第一开关、第二开关及第三开关；第一开关连接第二存储卡控制器的一个数据接口和sim卡控制器的数据接口，第一开关还连接第三弹片；第二开关连接第二存储卡控制器的参考时钟接口和sim卡控制器的时钟接口，第二开关还连接第四弹片；第三开关连接第二存储卡控制器的检测接口和sim卡控制器的编程电压/输入接口，第三开关还连接第五弹片；第二存储卡控制器的另一个数据接口通过接口控制器连接第一弹片，第二存储卡控制器的第二电源接口通过接口控制器连接第二弹片，第二存储卡控制器的另外两个数据接口通过接口控制器分别连接第九弹片和第十弹片；电源接口通过接口控制器连接第八弹片，地接口通过接口控制器连接第七弹片；sim卡控制器的复位接口通过接口控制器连接第六弹片。
8.在本实现方式中，电子设备通过切换接口控制器的连接状态，使得电子设备能够
在不同的使用场景下，对应地分别与nano sim卡和存储卡进行通讯。
9.一些可能的实现方式中，一个或多个存储卡控制器还包括第一存储卡控制器，第一存储卡控制器包括四个数据接口、时钟接口以及命令和响应复用接口。第一存储卡控制器的一个数据接口连接第一开关，第一存储卡控制器的时钟接口连接第二开关，第一存储卡控制器的命令和响应复用接口连接第三开关。
10.接口控制器包括第四开关、第五开关及第六开关；第四开关连接第一存储卡控制器的另一个数据接口和sim卡控制器的复位接口，第四开关还连接第六弹片；第五开关连接第二存储卡控制器的另一个数据接口和第一存储卡控制器的另一个数据接口，第五开关还连接第九弹片；第六开关连接第二存储卡控制器的另一个数据接口和第一存储卡控制器的另一个数据接口，第六开关还连接第十弹片。
11.一些可能的实现方式中，十个弹片包括第一弹片至第十弹片；接口控制器包括第一开关、第二开关及第四开关；第一开关连接第二存储卡控制器的一个数据接口和sim卡控制器的数据接口，第一开关还连接第三弹片；第二开关连接第二存储卡控制器的参考时钟接口和sim卡控制器的时钟接口，第二开关还连接第四弹片；第四开关连接第二存储卡控制器的检测接口和sim卡控制器的复位接口，第四开关还连接第六弹片；sim卡控制器的编程电压/输入接口通过接口控制器连接第五弹片；第二存储卡控制器的另一个数据接口通过接口控制器连接第一弹片，第二存储卡控制器的第二电源接口通过接口控制器连接第二弹片，第二存储卡控制器的另外两个数据接口通过接口控制器分别连接第九弹片和第十弹片；电源接口通过接口控制器连接第八弹片，地接口通过接口控制器连接第七弹片。
12.一些可能的实现方式中，一个或多个存储卡控制器还包括第一存储卡控制器，第一存储卡控制器包括四个数据接口、时钟接口以及命令和响应复用接口；第一存储卡控制器的一个数据接口连接第一开关，第一存储卡控制器的时钟接口连接第二开关，第一存储卡控制器的另一个数据接口连接第四开关。接口控制器包括第三开关、第五开关及第六开关；第三开关连接第一存储卡控制器的命令和响应复用接口、sim卡控制器的编程电压/输入接口，第三开关还连接第五弹片；第五开关连接第二存储卡控制器的另一个数据接口和第一存储卡控制器的另一个数据接口，第五开关还连接第九弹片；第六开关连接第二存储卡控制器的另一个数据接口和第一存储卡控制器的另一个数据接口，第六开关还连接第十弹片。
13.一些可能的实现方式中，sim卡控制器包括数据接口、时钟接口以及复位接口，sim卡控制器的各接口均电连接接口控制器；一个或多个存储卡控制器包括第二存储卡控制器，第二存储卡控制器支持ufs协议，第二存储卡控制器包括四个数据接口、参考时钟接口、第二电源接口以及检测接口，第二存储卡控制器的各接口均电连接接口控制器；处理器还包括电源接口和地接口，电源接口和地接口均电连接接口控制器。
14.一些可能的实现方式中，十个弹片包括第一弹片至第十弹片；接口控制器包括第一开关和第二开关；第一开关连接第二存储卡控制器的一个数据接口和sim卡控制器的数据接口，第一开关还连接第三弹片；第二开关连接第二存储卡控制器的参考时钟接口和sim卡控制器的时钟接口，第二开关还连接第四弹片；第二存储卡控制器的检测接口通过接口控制器连接第五弹片，第二存储卡控制器的另一个数据接口通过接口控制器连接第一弹片，第二存储卡控制器的第二电源接口通过接口控制器连接第二弹片，第二存储卡控制器
的另外两个数据接口通过接口控制器分别连接第九弹片和第十弹片；电源接口通过接口控制器连接第八弹片，地接口通过接口控制器连接第七弹片；sim卡控制器的复位接口通过接口控制器连接第六弹片。
15.一些可能的实现方式中，一个或多个存储卡控制器还包括第一存储卡控制器，第一存储卡控制器包括四个数据接口、时钟接口以及命令和响应复用接口；第一存储卡控制器的一个数据接口连接第一开关，第一存储卡控制器的时钟接口连接第二开关；接口控制器包括还第三开关、第四开关、第五开关及第六开关；第三开关连接第一存储卡控制器的命令和响应复用接口和第二存储卡控制器的检测接口，第三开关还连接第五弹片；第四开关连接第一存储卡控制器的另一个数据接口和sim卡控制器的复位接口，第四开关还连接第六弹片；第五开关连接第二存储卡控制器的另一个数据接口和第一存储卡控制器的另一个数据接口，第五开关还连接第九弹片；第六开关连接第二存储卡控制器的另一个数据接口和第一存储卡控制器的另一个数据接口，第六开关还连接第十弹片。
16.一些可能的实现方式中，十个弹片包括第一弹片至第十弹片；接口控制器包括第一开关、第二开关及第四开关；第一开关连接第二存储卡控制器的一个数据接口和sim卡控制器的数据接口，第一开关还连接第三弹片；第二开关连接第二存储卡控制器的参考时钟接口和sim卡控制器的时钟接口，第二开关还连接第四弹片；第四开关连接第二存储卡控制器的检测接口和sim卡控制器的复位接口，第四开关还连接第六弹片；第二存储卡控制器的另一个数据接口通过接口控制器连接第一弹片，第二存储卡控制器的第二电源接口通过接口控制器连接第二弹片，第二存储卡控制器的另外两个数据接口通过接口控制器分别连接第九弹片和第十弹片；电源接口通过接口控制器连接第八弹片，地接口通过接口控制器连接第七弹片。
17.一些可能的实现方式中，一个或多个存储卡控制器还包括第一存储卡控制器，第一存储卡控制器包括四个数据接口、时钟接口以及命令和响应复用接口；第一存储卡控制器的一个数据接口连接第一开关，第一存储卡控制器的时钟接口连接第二开关，第一存储卡控制器的另一个数据接口连接第四开关,第一存储卡控制器的命令和响应复用接口通过接口控制器连接第五弹片；接口控制器还包括第五开关及第六开关；第五开关连接第二存储卡控制器的另一个数据接口和第一存储卡控制器的另一个数据接口，第五开关还连接第九弹片；第六开关连接第二存储卡控制器的另一个数据接口和第一存储卡控制器的另一个数据接口，第六开关还连接第十弹片。
18.一些可能的实现方式中，十个弹片沿第一方向排布成第一排弹片至第五排弹片。第二排弹片与第三排弹片的中心间距大于第一排弹片与第二排弹片的中心间距，且大于第四排弹片与第五排弹片的中心间距。第三排弹片与第四排弹片的中心间距大于第一排弹片与第二排弹片的中心间距，且大于第四排弹片与第五排弹片的中心间距。
19.在本技术实施例中，通过设置多个弹片的排布方式和中心间距，使得多个弹片能够形成多种组合，多种组合中的弹片数量及位置能够与多种类型的信息卡的金手指数量及位置相适配，使得卡连接器能够与不同类型的信息卡实现通信，实现多卡兼容，可拓展性较好。因此，当卡连接器应用于电子设备的卡座组件时，电子设备能够通过同一个卡座组件适配多种类型的信息卡，从而减少了卡座组件的数量，降低了对电子设备内部空间的占用，有利于电子设备的轻薄化。
20.第二方面，本技术还提供一种信息卡识别方法，包括：执行第一初始化流程；若接收到第一回复指令，则判断插入的信息卡为第一卡；若未接收到第一回复指令，则判断插入的信息卡非第一卡，执行第二初始化流程；若接收到第二回复指令，则判断插入的信息卡为第二卡；若未接收到第二回复指令，则判断插入的信息卡非第二卡。
21.在本实施例中，电子设备通过执行信息卡的初始化流程，若接收到特定的回复信号，则能够判断信息卡是与初始化流程对应的信息卡，若未接收到特定的回复信号，则判断信息卡不是与初始化流程对应的信息卡，并执行下一个初始化流程，判断信息卡是否为与下一个初始化流程对应的信息卡。
22.一些可能的实现方式中，第一初始化流程为sim卡初始化流程，第一卡为nano sim卡；第二初始化流程为第二nm卡初始化流程，第二卡为第二nm卡；或者，第二初始化流程为sim卡初始化流程，第二卡为nano sim卡；第一初始化流程为第二nm卡初始化流程，第一卡为第二nm卡。
23.一些可能的实现方式中，信息卡识别方法响应于电子设备开机或电子设备重启。其中，第一初始化流程可以为sim卡初始化流程。在本实施例中，当电子设备开机或电子设备重启时，信息卡识别方法先进行sim卡初始化流程，判断信息卡是否为nano sim卡，以先进入联网状态。当然，在其他一些实现方式中，当信息卡识别方法响应于电子设备开机或电子设备重启时，信息卡识别方法也可以先执行非nano sim卡初始化流程。
24.一些可能的实现方式中，信息卡识别方法响应于检测到卡托状态由脱离状态切换为插入状态，也即：在检测到卡托的状态由脱离状态切换为插入状态的情况下，执行第一初始化流程。其中，电子设备可以通过卡座组件中的插入检测弹片检测卡托状态为脱离状态还是插入状态。
25.一些可能的实现方式中，方法还包括：若未接收到第二回复指令，执行第三初始化流程；
26.若接收到第三回复指令，则判断插入的信息卡为第三卡；
27.若未接收到第三回复指令，则判断插入的信息卡非第三卡。在本实现方式中，电子设备可以实现三类信息卡的自动识别。
28.一些可能的实现方式中，在第一初始化流程、第二初始化流程以及第三初始化流程中，一者为sim卡初始化流程，另一者为第一nm卡初始化流程，另一者为第二nm卡初始化流程。
附图说明
29.图1是本技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图；
30.图2是图1所示卡座组件在一些使用状态中的结构示意图；
31.图3是图2所示卡座的分解结构示意图；
32.图4是图2所示卡托在另一角度的结构示意图；
33.图5是本技术实施例提供的一种卡连接器的结构示意图；
34.图6是图5所示卡连接器在另一个角度的结构示意图一；
35.图7是图6所示卡连接器的导电体的结构示意图；
36.图8是图6所示卡连接器的a处结构的内部结构示意图；
37.图9是图5所示卡连接器在另一角度的结构示意图二；
38.图10是本技术实施例提供的一种nano sim卡的示意框图；
39.图11是图10所示nano sim卡在一些实施例中的结构示意图；
40.图12是图11所示nano sim卡与图5所示卡连接器连接时的结构示意图；
41.图13是本技术实施例提供的一种第一nm卡的示意框图；
42.图14是图13所示第一nm卡在一些实施例中的结构示意图；
43.图15是图14所示第一nm卡与图5所示卡连接器连接时的结构示意图；
44.图16是本技术实施例提供的一种第二nm卡的示意框图；
45.图17是图16所示第二nm卡在一些实施例中的结构示意图；
46.图18是图17所示第二nm卡与图5所示卡连接器连接时的结构示意图；
47.图19是图1所示电子设备的部分电路在一些实施例中的示意框图；
48.图20是图17所示第二nm卡在一些实施例中的尺寸图；
49.图21a是图16所示第二nm卡在另一些实施例中的尺寸图；
50.图21b是图21a所示第二nm卡的另一尺寸图；
51.图22是图16所示第二nm卡在另一些实施例中的尺寸图；
52.图23是图16所示第二nm卡在另一些实施例中的尺寸图；
53.图24是图17所示第二nm卡在一些实施例中的示意图；
54.图25是图1所示电子设备在一些实施例中的部分电路的示意图；
55.图26是图1所示电子设备在另一些实施例中的部分电路的示意图；
56.图27是图17所示第二nm卡在另一些实施例中的示意图；
57.图28是图1所示电子设备在另一些实施例中的部分电路的示意图；
58.图29是图1所示电子设备在另一些实施例中的部分电路的示意图；
59.图30是图17所示第二nm卡在另一些实施例中的示意图；
60.图31是图1所示电子设备在另一些实施例中的部分电路的示意图；
61.图32是图1所示电子设备在另一些实施例中的部分电路的示意图；
62.图33是图17所示第二nm卡在另一些实施例中的示意图；
63.图34是图1所示电子设备在另一些实施例中的部分电路的示意图；
64.图35是图1所示电子设备在另一些实施例中的部分电路的示意图；
65.图36是图17所示第二nm卡在另一些实施例中的示意图；
66.图37是图1所示电子设备在另一些实施例中的部分电路的示意图；
67.图38是图1所示电子设备在另一些实施例中的部分电路的示意图；
68.图39是图17所示第二nm卡在另一些实施例中的示意图；
69.图40是图1所示电子设备在另一些实施例中的部分电路的示意图；
70.图41是图1所示电子设备在另一些实施例中的部分电路的示意图；
71.图42是图17所示第二nm卡在另一些实施例中的示意图；
72.图43是图1所示电子设备在另一些实施例中的部分电路的示意图；
73.图44是图1所示电子设备在另一些实施例中的部分电路的示意图；
74.图45是本技术实施例提供的第二nm卡在另一实施例中的结构示意图；
75.图46是本技术实施例提供的电子设备在一些实施例中的部分电路的示意图；
76.图47是本技术实施例提供的电子设备在一些实施例中的部分电路的示意图；
77.图48是图45所示第二nm卡与图5所示卡连接器的连接结构示意图；
78.图49是图1所示电子设备在另一些实施例中的部分电路的示意图；
79.图50是图1所示电子设备在另一些实施例中的部分电路的示意图。
具体实施方式
80.下面将结合附图对本技术实施例中的技术方案进行描述。其中，在本技术实施例的描述中，除非另有说明，“/”表示或的意思，例如，a/b可以表示a或b；文本中的“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况；文本中的“至少部分”包括“部分”和“全部”两种情况；文本中的“多个”是指两个或多于两个，“多张”是指两张或多于两张。
81.以下，术语“第一”、“第二”等用词仅用于描述目的，而不能理解为暗示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
82.本技术实施例中所提到的方位用语，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”、“顶”、“底”等，仅是参考附图的方向，因此，使用的方位用语是为了更好、更清楚地说明及理解本技术实施例，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术实施例的限制。
83.在本技术实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“设置在
……
上”应做广义理解，例如，“连接”可以是可拆卸地连接，也可以是不可拆卸地连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接。
84.请参阅图1，图1是本技术实施例提供的一种电子设备100的结构示意图。其中，电子设备100可以是手机、平板、智能穿戴设备等电子产品，本技术实施例以电子设备100是手机为例进行示意。
85.一些实施例中，电子设备100可以包括卡座组件10、处理器20、壳体30、显示屏40及电路板50。其中，显示屏40可以安装于壳体30，显示屏40用于显示图像、视频等。电路板50安装于壳体30的内侧，处理器20可以固定于电路板50且电连接电路板50。卡座组件10包括卡座1和卡托2。卡座1可以安装于壳体30的内侧，卡座1还可以固定连接电路板50，且与电路板50电连接。处理器20可以通过电路板50电连接卡座1。卡托2可拆卸地插接卡座1。卡托2用于安装一张或多张信息卡，卡托2可以携带信息卡插入卡座1，以使信息卡插接卡座组件10，信息卡与电子设备100实现通信。
86.示例性的，信息卡可以为nano sim(subscriber identification module，用户标识模块)卡、nano存储卡或nano二合一卡。nano sim卡也称为4ff卡，如etsi ts 102 221v11.0.0规范的、卡体的尺寸为长度12.30mm、宽度8.80mm、厚度0.67mm的sim卡。用户可以在卡座组件10中插入nano sim卡，nano sim卡与处理器20通信，电子设备100通过nano sim卡和网络交互，实现通话以及数据通信等功能。nano存储卡也可以简称为nm(nano memory，nano存储)卡。用户也可以在卡座组件10中插入nm卡，nm卡与处理器20通信，实现数据存储功能。例如可以将音乐、视频等文件保存在nm卡中。nano二合一卡可以包括sim卡电路和存储卡电路，sim卡电路用于支持通话以及数据通信等功能，存储卡电路用于支持数据
存储功能。用户也可以在卡座组件10中插入nano二合一卡，nano二合一卡与处理器20通信，实现通话、数据通信及数据存储等功能。
87.一些实施例中，电子设备100还可以包括内部存储器、通用串行总线(universal serial bus，usb)接口、充电管理模块、电源管理模块、电池、天线、移动通信模块、无线通信模块、音频模块、扬声器、受话器、麦克风、耳机接口、传感器模块、按键、马达、指示器以及摄像头等中的一者或多者。在其他一些实施例中，电子设备100可以具有比上述方案更多的或者更少的部件，可以组合两个或多个的部件，或者可以具有不同的部件配置。上述各种部件可以在包括一个或多个信号处理和/或专用集成电路在内的硬件、软件、或硬件和软件的组合中实现。
88.在一些实施例中，处理器20可以包括一个或多个处理单元，例如：处理器20可以包括应用处理器(application processor，ap)、调制解调处理器、图形处理器(graphics processing unit，gpu)、图像信号处理器(image signal processor，isp)、控制器、存储器、视频编解码器、数字信号处理器(digital signal processor，dsp)、基带处理器、神经网络处理器(neural-network processing unit，npu)等中的一者或多者，本技术实施例对此不作严格限定。其中，不同的处理单元可以是独立的器件，也可以集成在一个或多个处理器20中。其中，处理器20还可以包括一个或多个接口，处理器20可以通过一个或多个接口与电子设备100的其他部件通信。
89.请结合参阅图2至图4，图2是图1所示卡座组件10在一些使用状态中的结构示意图，图3是图2所示卡座1的分解结构示意图，图4是图2所示卡托2在另一角度的结构示意图。
90.一些实施例中，卡座1可以包括座体12、第一卡连接器13、第二卡连接器14、顶出组件15及插入检测弹片16。其中，座体12大体呈罩体形状，座体12包括顶板121及连接顶板121的多个侧板122，顶板121及多个侧板122共同围设出座体12的内侧空间123。第一卡连接器13位于座体12的内侧空间123且固定连接座体12，第一卡连接器13与顶板121相对设置。第二卡连接器14的结构与第一卡连接器13的结构可以相同或不同。第二卡连接器14位于座体12的内侧空间123，第二卡连接器14位于第一卡连接器13背向顶板121的一侧，第二卡连接器14与第一卡连接器13相对设置，第二卡连接器14与第一卡连接器13之间形成间隙。第一卡连接器13、第二卡连接器14及座体12的侧板122共同围设出卡座1的卡槽17。其中，卡槽17的一端敞开、形成开口，卡槽17的另一端形成卡槽17的底部。
91.其中，卡座1安装于电子设备100中时，多个侧板122的远离顶板121的端部固定至电子设备100的电路板50。第一卡连接器13的多个焊脚固定连接且电连接电路板50，使得第一卡连接器13能够电连接至电子设备100的处理器20。第二卡连接器14可以固定连接电路板50，以通过电路板50固定连接座体12。或者，第二卡连接器14也可以直接固定连接座体12。第二卡连接器14的多个焊脚固定连接且电连接电路板50，使得第二卡连接器14能够电连接至电子设备100的处理器20。
92.其中，卡托2可以具有相背设置的第一安装槽21和第二安装槽22，第一安装槽21的开口和第二安装槽22的开口分别位于卡托2的两侧表面。第一安装槽21和第二安装槽22均用于安装信息卡。例如图2和图4中，两张信息卡可以分别安装于第一安装槽21和第二安装槽22。其中，第一安装槽21和第二安装槽22的开槽尺寸可以相同或相近，安装于第一安装槽21和第二安装槽22的两张信息卡的卡体的尺寸相同。在其他一些实施例中，第一安装槽21
和第二安装槽22的开槽尺寸也可以不同，安装于第一安装槽21和第二安装槽22的两张信息卡的卡体的尺寸不同。
93.第一安装槽21和第二安装槽22的开槽尺寸与对应的信息卡的卡体的尺寸相适配，例如，第一安装槽21和第二安装槽22的开槽尺寸可以略大于对应的信息卡的卡体的尺寸，但尺寸相差不大，使得信息卡可以顺利装入第一安装槽21和第二安装槽22中，且安装位置较为稳定。
94.其中，卡托2可以单独、或者携带信息卡，经卡槽17的开口插入卡槽17中。卡托2和/或信息卡插入卡槽17的方向(也即插卡方向)为卡槽17的开口向卡槽17的底部的方向。卡槽17的尺寸与卡托2的尺寸相适配，例如，卡槽17的尺寸可以略大于卡托2的尺寸但两者相差不大，卡托2与卡槽17的槽壁之间具有一定的配合间隙，使得卡托2可以顺利插入卡槽17，且能够稳定安装于卡槽17中。卡托2携带信息卡插入卡槽17时，安装于卡托2的信息卡电连接第一卡连接器13或第二卡连接器14，以电连接电子设备100。
95.其中，顶出组件15可以安装于座体12和/或第一卡连接器13。卡托2插入卡槽17时，用户可以通过控制顶出组件15，使得顶出组件15将卡托2部分顶出卡槽17，以便于用户取下卡托2。示例性的，插入检测弹片16可以安装于第一卡连接器13，且电连接电路板50。插入检测弹片16可以至少部分位于卡槽17的底部。插入检测弹片16可以用于检测卡托2是否插入卡槽17。
96.在其他一些实施例中，卡座1也可以设置一个卡连接器，卡座组件10用于安装一张信息卡，卡托2的结构做适应性调整。在其他一些实施例中，卡座1也可以设有三个或更多个的卡连接器，使得卡座组件10能够用于安装三张以上的信息卡，卡托2的结构做适应性调整。本技术实施例对卡座1的卡连接器的数量、位置、卡托2的具体结构等不作严格限定。
97.在其他一些实施例中，卡座1也可以设置有不同于图示结构的顶出组件15和/或插入检测弹片16。在其他一些实施例中，卡座组件10可以包括比上述实施例更多的或更少的部件，本技术实施例对此不作严格限定。
98.请结合参阅图5和图6，图5是本技术实施例提供的一种卡连接器11的结构示意图，图6是图5所示卡连接器11在另一个角度的结构示意图一。示例性的，图5所示卡连接器11可以应用于图3所示卡座1中，作为第一卡连接器13和/或第二卡连接器14使用。
99.本技术实施例提供一种卡连接器11，卡连接器11可以应用于电子设备100的卡座1，卡连接器11用于连接信息卡。其中，卡连接器11包括多个弹片，卡连接器11连接信息卡时，弹片抵持信息卡。
100.一些实施例中，卡连接器11包括阵列排布的十个弹片，十个弹片彼此间隔。十个弹片可以大致排布成2
×
5的阵列结构。例如，十个弹片沿第一方向排布成第一排弹片至第五排弹片，沿第二方向排布成第一列弹片和第二列弹片。第一列弹片包括沿第一方向排布的第一弹片11a、第三弹片11c、第五弹片11e、第七弹片11g及第九弹片11i，第二列弹片包括沿第一方向排布的第二弹片11b、第四弹片11d、第六弹片11f、第八弹片11h及第十弹片11j。第一弹片11a和第二弹片11b位于第一排弹片，第三弹片11c和第四弹片11d位于第二排弹片，第五弹片11e和第六弹片11f位于第三排弹片，第七弹片11g和第八弹片11h位于第四排弹片，第九弹片11i和第十弹片11j位于第五排弹片。
101.其中，多个弹片沿第一方向成列排布时，位于同一列的多个弹片的中心点(也即弹
片的用于抵持信息卡的部分的中心点)可以在第一方向上对齐，也可以不对齐、而稍微错开排布，本技术实施例对此不作严格限定。其中，多个弹片沿第二方向成排排布时，位于同一排的两个弹片的中心点(也即弹片的用于抵持信息卡的部分的中心点)可以在第二方向上对齐，也可以不对齐、而稍微错开排布，本技术实施例对此不作严格限定。
102.其中，结合参阅图2、图3、图5以及图6，卡连接器11应用于卡座组件10时，信息卡插入卡座组件10卡槽17的插卡方向平行于第二方向，也即信息卡连接卡连接器11时的插入方向平行于第二方向。信息卡的插入过程中，信息卡先接触卡连接器11的排布于前侧的结构，后接触卡连接器11的排布于后侧的结构。卡连接器11安装于卡座1时，卡连接器11的排布于前侧的结构靠近卡槽17的开口，卡连接器11的排布于后侧的结构远离卡槽17的开口。例如，卡连接器11的第二列弹片可以位于第一列弹片的后侧，第二列弹片相对第一列弹片远离卡座组件10的卡槽17的开口。在其他一些实施例中，卡连接器11的第二列弹片也可以相对第一列弹片靠近卡座组件10的卡槽17的开口，本技术实施例对此方案不再进行赘述。
103.请结合参阅图6和图7，图7是图6所示卡连接器11的导电体113的结构示意图。
104.一些实施例中，卡连接器11包括绝缘本体112和导电体113。其中，绝缘本体112可以大致呈板状，绝缘本体112还设有多个彼此间隔设置的镂空区。例如，绝缘本体112可以包括六个第一镂空区1121、多个第二镂空区1122和多个第三镂空区1123。其中，六个第一镂空区1121可以排布成两列三排，包括第一列第一镂空区1121和位于第一列第一镂空区1121后侧的第二列第一镂空区1121。第二镂空区1122可以排布成两列，且两列第二镂空区1122分别位于两列第一镂空区1121的后侧。第三镂空区1123可以排布成一排，且位于第二列第一镂空区1121的后侧。
105.示例性的，导电体113嵌设于绝缘本体112。其中，导电体113可以由一体的金属板件冲压形成。导电体113包括十个弹片和十个固定件1131，十个弹片可以包括上述第一弹片11a至第十弹片11j,十个固定件1131一一对应地连接十个弹片，其中固定件1131和弹片都是导电材质。导电体113包括十个导电块，对应的一个固定件1131和一个弹片位于同一个导电块，十个导电块彼此间隔设置。其中，十个固定件1131嵌设于绝缘本体112中，以固定连接绝缘本体112，十个弹片分别通过十个固定件1131固定连接绝缘本体112。
106.示例性的，每个弹片(附图为了简洁，对其中一个弹片(例如11j)进行标示)均包括固定端111a、抵接端111b及活动端111c，固定端111a、抵接端111b及活动端111c沿弹片的延伸方向依次排布，弹片的延伸方向垂直于第一方向，也即平行于第二方向。固定端111a连接固定件1131，固定端111a通过固定件1131固定于绝缘本体112。抵接端111b相对绝缘本体112的一侧表面突出，以在卡连接器11连接信息卡时，弹性抵持信息卡。活动端111c活动安装于绝缘本体112，活动端111c能够相对绝缘本体112在第二方向上移动。
107.在本实施例中，卡连接器11与信息卡连接时，抵接端111b抵持信息卡，抵接端111b向靠近绝缘本体112的方向移动，活动端111c相对绝缘本体112发生位移，弹片顺利发生形变，弹片抵持信息卡的弹性力适中，使得信息卡能够顺利连接卡连接器11，并且能够降低由于弹片弹性力过大而损坏信息卡的风险，提高可靠性。
108.其中，弹片还包括第一连接段111d和第二连接段111e，第一连接段111d连接固定端111a与抵接端111b，第二连接段111e连接抵接端111b与活动端111c，抵接端111b相对第一连接段111d和第二连接段111e凸起。也即，在卡连接器11的厚度方向(垂直于第一方向和
第二方向)上，抵接端111b处于最高处，第一连接段111d和第二连接段111e次之，固定端111a和活动端111c位于最低处。弹片与信息卡连接时，弹片由抵接端111b抵持并电连接信息卡，第一连接段111d、固定端111a、第二连接段111e及活动端111c均不接触信息卡、并与信息卡形成间隙。
109.其中，抵接端111b可以包括凸起设置的抵接触点111f，抵接触点111f具有一定的接触面积。卡连接器11与信息卡连接时，抵接触点111f抵持信息卡的金手指，以使卡连接器11电连接信息卡。
110.示例性的，第三弹片11c至第八弹片11h可以分别位于六个第一镂空区1121中，第一弹片11a可以与第三弹片11c位于同一个第一镂空区1121中，第二弹片11b可以与第四弹片11d位于同一个第一镂空区1121中，第七弹片11g可以与第九弹片11i位于同一个第一镂空区1121中，第八弹片11h可以与第十弹片11j位于同一个第一镂空区1121中。
111.各固定件1131包围或半包围对应的弹片。其中，单独位于一个第一镂空区1121的弹片，其对应的固定件1131全包围该弹片。例如，第五弹片11e单独位于其中一个第一镂空区1121中，连接第五弹片11e的固定件1131全包围第五弹片11e。第六弹片11f单独位于其中一个第一镂空区1121中，连接第六弹片11f的固定件1131全包围第六弹片11f。
112.其中，共用同一个第一镂空区1121的两个弹片，其对应的两个固定件1131呈合围趋势，共同包括这两个弹片，且分别半包围对应的弹片。例如，第一弹片11a和第三弹片11c位于同一个第一镂空区1121中，连接第一弹片11a的固定件1131和连接第三弹片11c的固定件1131，共同环绕第一弹片11a和第三弹片11c，连接第一弹片11a的固定件1131半包围第一弹片11a，连接第三弹片11c的固定件1131半包围第三弹片11c。第七弹片11g和第九弹片11i位于同一个第一镂空区1121中，连接第七弹片11g的固定件1131和连接第九弹片11i的固定件1131，共同环绕第七弹片11g和第九弹片11i，连接第七弹片11g的固定件1131半包围第七弹片11g，连接第九弹片11i的固定件1131半包围第九弹片11i。第二弹片11b和第四弹片11d与其对应的固定件1131的关系，第八弹片11h和第十弹片11j与其对应的固定件1131的关系参考上述描述，此处不再赘述。
113.请结合参阅图6和图8，图8是图6所示卡连接器11的a处结构的内部结构示意图。图8中示意出弹片的活动端111c与绝缘本体112的连接结构。图6中以第十弹片11j为例进行标号。
114.一些实施例中，绝缘本体112还包括连通孔1124，连通孔1124连通相邻的第一镂空区1121和第二镂空区1122。弹片的活动端111c插接于连通孔1124，活动端111c的末端包括止位块1111，止位块1111与绝缘本体112配合形成防脱结构。在本实施例中，通过防脱结构能够有效防止弹片的活动端111c脱离绝缘本体112，提高了弹片与绝缘本体112的连接可靠性，使得卡连接器11的可靠性高。
115.示例性的，弹片的固定端111a和抵接端111b位于第一镂空区1121，弹片的活动端111c插接连通孔1124、经连通孔1124延伸至第二镂空区1122，止位块1111至少部分位于第二镂空区1122。其中，连通孔1124在卡位方向上的宽度小于止位块1111在卡位方向上的宽度，卡位方向可以为任意一个方向，连通孔1124在某一个方向上的尺寸小于止位块1111在同一个方向上的尺寸，即可以使得止位块1111与绝缘本体112配合形成防脱结构，以防止止位块1111穿过连通孔1124、而导致弹片的活动端111c脱离绝缘本体112。例如，在弹片的延
伸方向的垂直方向上，也即在第一方向上，止位块1111的宽度大于连通孔1124的宽度。可以理解的是，本技术实施例对连通孔1124的形状和尺寸、止位块1111的形状和尺寸不作严格限定。
116.请再次参阅图6和图7，一些实施例中，导电体113的各导电块均还包括焊脚1132(附图为了简洁，对部分焊脚1132进行标示)，焊脚1132固定连接固定件1131，焊脚1132用于焊接至电路板50(可参阅图1)，以使卡连接器11固定连接电路板50，弹片电连接电路板50。其中，每个导电块中的焊脚1132数量为至少一个。
117.示例性的，各导电块均的至少一个焊脚1132包括第一焊脚1133，第一焊脚1133靠近弹片的固定端111a设置。也即，第一焊脚1133连接于固定件1131的靠近弹片的固定端111a的端部。在信息卡的插卡过程中，信息卡与弹片的抵接端111b之间产生摩擦力，该摩擦力使得弹片具有沿插卡方向(也即第二方向)活动的趋势，弹片的固定端111a受到拉力。导电块通过设置靠近弹片的固定端111a的第一焊脚1133，第一焊脚1133焊接电路板50，使得弹片上的受力由第一焊脚1133传递至电路板50，导电块的固定件1131不易发生变形，固定件1131与绝缘本体112的连接关系稳定，有利于提高卡连接器11和卡座组件10的可靠性。可以理解的是，在信息卡的拔卡过程中，第一焊脚1133同样能够传递应力。
118.其中，部分导电块的至少一个焊脚1132还可以包括第二焊脚1134，第二焊脚1134靠近弹片的活动端111c设置。也即，第二焊脚1134连接于固定件1131的靠近弹片的活动端111c的端部。在信息卡的拔卡过程中，信息卡与弹片的抵接端111b之间产生摩擦力，该摩擦力使得弹片具有沿拔卡方向(也即第二方向的反方向)活动的趋势，弹片的活动端111c经防脱结构对绝缘本体112产生拉力，导电块通过设置靠近弹片的活动端111c的第二焊脚1134，第二焊脚1134焊接电路板50，使得绝缘本体112上的受力由第二焊脚1134传递至电路板50，导电块的固定件1131不易发生变形，固定件1131与绝缘本体112的连接关系稳定，有利于提高卡连接器11和卡座组件10的可靠性。可以理解的是，在信息卡的拔卡过程中，第一焊脚1133同样能够传递应力。在信息卡的插卡过程中，第一焊脚1133和第二焊脚1134均能够传递应力。
119.在其他一些实施例中，导电块上的焊脚1132也可以连接于固定件1131的其他位置，例如连接固定件1131的中部，本技术实施例对此不作严格限定。
120.示例性的，导电体113的多个焊脚1132中的部分焊脚1132可以位于第一镂空区1121中，部分焊脚1132可以位于第三镂空区1123中，排布位置可以参阅图6。在其他一些实施例中，导电体113的多个焊脚1132也可以有其他排布方式，例如，导电体113的多个焊脚1132均位于第一镂空区1121，则绝缘本体112也可以不设置第三镂空区1123，本技术实施例对此不作严格限定。
121.请参阅图9，图9是图5所示卡连接器11在另一角度的结构示意图二。
122.一些实施例中，第二排弹片(11c、11d)与第三排弹片(11e、11f)的中心间距s2，大于第一排弹片(11a、11b)与第二排弹片(11c、11d)的中心间距s1，且大于第四排弹片(11g、11h)与第五排弹片(11i、11j)的中心间距s4。第三排弹片(11e、11f)与第四排弹片(11g、11h)的中心间距s3，大于第一排弹片(11a、11b)与第二排弹片(11c、11d)的中心间距s1，且大于第四排弹片(11g、11h)与第五排弹片(11i、11j)的中心间距s4。
123.也即，第二排弹片(11c、11d)与第三排弹片(11e、11f)的中心间距s2、第三排弹片
(11e、11f)与第四排弹片(11g、11h)的中心间距s3较大，第一排弹片(11a、11b)与第二排弹片(11c、11d)的中心间距s1、第四排弹片(11g、11h)与第五排弹片(11i、11j)的中心间距s4较小。
124.其中，当同一排的两个弹片对齐时，两排弹片的中心间距即为位于同一列的两个弹片的中心间距；两个弹片的中心间距是指，两个弹片的用于抵持信息卡的部分(例如抵接触点111f)的中心点在第一方向上的间距。当同一排的两个弹片在第二方向上有少许错位时，则两排弹片的中心间距为第一列弹片的两个弹片的中心间距和第二列弹片的两个弹片的中心间距的平均值。
125.如图9所示，第三弹片11c与第五弹片11e的中心间距大于第一弹片11a与第三弹片11c的中心间距及第七弹片11g与第九弹片11i的中心间距；第五弹片11e与第七弹片11g的中心间距大于第一弹片11a与第三弹片11c的中心间距及第七弹片11g与第九弹片11i的中心间距；第四弹片11d与第六弹片11f的中心间距大于第二弹片11b与第四弹片11d的中心间距及第八弹片11h与第十弹片11j的中心间距；第六弹片11f与第八弹片11h的中心间距大于第二弹片11b与第四弹片11d的中心间距及第八弹片11h与第十弹片11j的中心间距。
126.示例性的，第二排弹片(11c、11d)与第三排弹片(11e、11f)的中心间距s2可以在1.0mm至3.0mm的范围内，例如可以在1.5mm至2.8mm的范围内，例如可以为2.48mm、2.54mm、2.59mm、2.63mm等；和/或，第三排弹片(11e、11f)与第四排弹片(11g、11h)的中心间距s3可以在1.0mm至3.0mm的范围内，例如可以在1.5mm至2.8mm的范围内，例如可以为2.48mm、2.54mm、2.59mm、2.63mm等；和/或，第一排弹片(11a、11b)与第二排弹片(11c、11d)的中心间距s1可以在1.0mm至1.7mm的范围内，例如可以为1.03mm、1.07mm、1.12mm等；和/或，第四排弹片(11g、11h)与第五排弹片(11i、11j)的中心间距s4可以在1.0mm至1.7mm的范围内，例如可以为1.32mm、1.37mm、1.41mm等。
127.其中，第二排弹片(11c、11d)与第三排弹片(11e、11f)的中心间距s2和第三排弹片(11e、11f)与第四排弹片(11g、11h)的中心间距s3可以相等，也可以不相等，本技术实施例对此不作严格限定。相邻两排弹片中对应的两组弹片的中心间距可以相等，也可以不相等,本技术实施例对此不作严格限定。例如，第一排弹片(11a、11b)和第二排弹片(11c、11d)中，第一弹片11a与第三弹片11c的中心间距，和第二弹片11b与第四弹片11d的中心间距，可以相等，也可以不相等。
128.在本技术实施例中，通过设置多个弹片的排布方式和中心间距，使得多个弹片能够形成多种组合，多种组合中的弹片数量及位置能够与多种类型的信息卡的金手指数量及位置相适配，使得卡连接器11能够与不同类型的信息卡实现通信，实现多卡兼容，可拓展性较好。因此，当卡连接器11应用于电子设备100的卡座组件10时，电子设备100能够通过同一个卡座组件10适配多种类型的信息卡，从而减少了卡座组件10的数量，降低了对电子设备100内部空间的占用，有利于电子设备100的轻薄化。
129.在一些实施例中，卡连接器11可以与具有六个金手指(也可以称为端子、端口、金属触点等)的nano sim卡通信，也可以与具有十个金手指或八个金手指或其他数量金手指的第二nm卡通信，以兼容nano sim卡和第二nm卡。其中，第二nm卡的卡体的尺寸与nano sim卡的卡体的尺寸相同。在本技术中，两张信息卡的卡体的尺寸相同，可以是指两张信息卡的卡体的尺寸一致，也可以是两张信息卡的卡体的尺寸很相近、均能够稳定地放置于卡座组
件10的卡托2的同一个安装槽中。
130.在另一些实施例中，卡连接器11可以与具有六个金手指的nano sim卡通信，也可以与具有十个金手指或八个金手指或其他数量金手指的第二nm卡通信，还可以与具有八个金手指的第一nm卡通信，以兼容nano sim卡、第二nm卡以及第一nm卡。其中，第一nm卡为第一代nm卡，第二nm卡为第二代nm卡，第二nm卡的传输速率大于第一nm卡的传输速率。第一nm卡的卡体的尺寸可以与nano sim卡的卡体的尺寸相同。
131.在另一些实施例中，卡连接器11可以与具有六个金手指的nano sim卡通信，也可以与具有至少十个金手指的二合一卡通信，以兼容nano sim卡和二合一卡。其中，二合一卡的卡体的尺寸与nano sim卡的卡体的尺寸相同。
132.在另一些实施例中，卡连接器11也可以在兼容nano sim卡和二合一卡时，还兼容第一nm卡和/或第二nm卡，本技术实施例对此不作严格限定。
133.本技术提供一种nano sim卡，该nano sim卡能够适配上述卡连接器11，以下对nano sim卡的结构、nano sim卡与卡连接器11的连接结构进行举例说明。
134.请结合参阅图10至图12，图10是本技术实施例提供的一种nano sim卡3的示意框图，图11是图10所示nano sim卡3在一些实施例中的结构示意图，图12是图11所示nano sim卡3与图5所示卡连接器11连接时的结构示意图。
135.一些实施例中，如图10和图11所示，nano sim卡3可以包括卡体31和卡接口32。卡体31包括封装件311和设置于封装件311内的控制电路312和sim电路313。卡接口32固定于卡体31，且相对卡体31露出，卡接口32电连接控制电路312。封装件311用于封装控制电路312、sim电路313以及控制电路312与sim电路313及卡接口32之间的电连接线路，以进行保护。封装件311采用介电材料，介电材料包括但不限于乙烯醋酸乙烯酯(ethylene-vinyl acetate，eva)、聚乙烯醇缩丁醛(polyvinyl butyral，pvb)、离聚物、聚烯烃(polyolefins，po)、硅、热塑性聚氨酯等材料。
136.其中，nano sim卡3具有两两垂直的长度方向、宽度方向及厚度方向，nano sim卡3的卡体31在长度方向上的最大尺寸为其长度，在宽度方向上的最大尺寸为其宽度，在厚度方向上的最大尺寸为其厚度。nano sim卡3的卡体31的尺寸可以为长度12.30mm、宽度8.80mm、厚度0.67mm。在本技术实施例中，信息卡的卡体的尺寸即为卡体的封装件的外轮廓的尺寸。
137.其中，图11中的nano sim卡3的卡接口32朝上设置；图12中的nano sim卡3所处视角相对图11中的nano sim卡3所处视角进行上下翻转，图12中的nano sim卡3的卡接口32朝下设置，卡连接器11位于nano sim卡3下方。
138.一些实施例中，nano sim卡3的卡体31包括第一边3111、第二边3112、第三边3113以及第四边3114，第一边3111和第三边3113相对设置并沿nano sim卡3的长度方向延伸，第二边3112和第四边3114相对设置并沿nano sim卡3的宽度方向延伸。其中，第二边3112与第四边3114的间距大于第一边3111与第三边3113的间距。换言之，第一边3111和第三边3113为长边，第二边3112和第四边3114为短边。其中，第一边3111和第三边3113可以平行或近似平行设置，第二边3112和第四边3114可以平行或近似平行设置。
139.其中，nano sim卡3的卡体31的一个角为切角，切角设置于第一边3111与第二边3112之间。该切角形成切边3115，切边3115与第一边3111之间形成钝角，且与第二边3112之
间形成钝角。其中，nano sim卡3的卡体31的相邻边(包括第一边3111、第二边3112、第三边3113、第四边3114以及切边3115)之间可以设置圆弧过渡结构或倒角过渡结构。在其他一些实施例中，nano sim卡3的卡体31也可以不设置上述切角，本技术对此不作严格限定。
140.示例性的，nano sim卡3的卡接口32包括至少六个金手指，例如包括阵列排布的第一金手指321、第二金手指322、第三金手指323、第四金手指324、第五金手指325以及第六金手指326。第一金手指321相较于其他金手指更靠近nano sim卡3的卡体31的切边3115。
141.当卡托2安装有nano sim卡3，nano sim卡3插入卡座组件10，nano sim卡3连接卡连接器11时，卡连接器11的十个弹片均抵持nano sim卡3，其中，卡连接器11的第三弹片11c至第八弹片11h(也即第二排弹片至第四排弹片)一一对应地抵持且电连接nano sim卡3的第一金手指321至第六金手指326，以电连接nano sim卡3。在本技术实施例中，卡连接器11的弹片与信息卡的金手指抵持时，两者能够实现电连接。
142.在本实施例中，卡连接器11将第三弹片11c至第八弹片11h排布成两列三排，第三弹片11c至第八弹片11h能够一一对应地抵持nano sim卡3的第一金手指321至第六金手指326，卡连接器11能够与nano sim卡3电连接以实现通信。
143.其中，结合参阅图9和图12，第二排弹片(11c、11d)与第三排弹片(11e、11f)的中心间距及第三排弹片(11e、11f)与第四排弹片(11g、11h)的中心间距设置在1.5mm至2.8mm的范围内，使得电子设备100能够通过第三弹片11c至第八弹片11h与nano sim卡3的第一金手指321至第六金手指326通信，且能够有效降低nano sim卡3的金手指间发生短路的风险，使得卡连接器11与nano sim卡3的电连接关系可靠。
144.可以理解的是，各国/不同运营商的nano sim卡3的金手指形状及尺寸可以不同，形成不同的金手指排布方式。例如，图11中所示nano sim卡3是为符合规范定义的其中一种金手指排布方式。本技术实施例中卡连接器11和卡座组件10能够兼容各国/不同运营商的nano sim卡3。
145.其中，当nano sim卡3连接卡连接器11时，卡连接器11的第一排弹片(11a、11b)和第五排弹片(11i、11j)抵持nano sim卡3。一些实施例中，如图11和图12所示，当nano sim卡3连接卡连接器11时，第一弹片11a和第三弹片11c可以抵持且电连接nano sim卡3的第一金手指321，第二弹片11b和第四弹片11d可以抵持且电连接nano sim卡3的第二金手指322，第七弹片11g和第九弹片11i可以抵持且电连接nano sim卡3的第五金手指325，第八弹片11h和第十弹片11j可以抵持且电连接nano sim卡3的第六金手指326。其中，抵持同一个金手指的两个弹片可以通过金手指导通。
146.在其他一些实施例中，nano sim卡3的卡接口32的多个金手指也可以有不同于图11的排布结构，当nano sim卡3连接卡连接器11时，卡连接器11的第一排弹片(11a、11b)和第五排弹片(11i、11j)抵持nano sim卡3的卡体31；或者，卡连接器11的第一弹片11a和第三弹片11c可以抵持且电连接nano sim卡3的第一金手指321，第二弹片11b和第四弹片11d可以抵持且电连接nano sim卡3的第二金手指322，卡连接器11的第五排弹片(11i、11j)抵持nano sim卡3的卡体31；或者，第七弹片11g和第九弹片11i可以抵持且电连接nano sim卡3的第五金手指325，第八弹片11h和第十弹片11j可以抵持且电连接nano sim卡3的第六金手指326，卡连接器11的第一排弹片(11a、11b)抵持nano sim卡3的卡体31。其中，当卡连接器11的第一排弹片(11a、11b)和/或第五排弹片(11i、11j)抵持nano sim卡3的卡体31时，第一
排弹片(11a、11b)和/或第五排弹片(11i、11j)与nano sim卡3的金手指不接触，相互之间无电连接关系。本技术实施例对卡连接器11的第一排弹片(11a、11b)和第五排弹片(11i、11j)与nano sim卡3的具体连接结构不作严格限定。
147.示例性的，nano sim卡3的六个金手指可以分别用于传输数据信号(data)、时钟信号(clock，clk)、编程电压/输入信号(programming voltage/input signal，vpp)、复位信号(reset signal，rst)、地信号(gnd)以及电源信号(vcc)。其中，数据信号(data)，也称为i/o信号，用于实现数据传输通讯；编程电压/输入信号(programming voltage/input signal，vpp)用于给nano sim卡3编程，也可以用在支持近场通信(near field communication，nfc)的卡上进行通讯。
148.如下表1所示，表1为卡连接器11的多个弹片与nano sim卡3的多个金手指及其传输信号的对应关系表。示例性的，卡连接器11的第三弹片11c电连接nano sim卡3的第一金手指321，第一金手指321用于传输数据信号(data)；第四弹片11d电连接nano sim卡3的第二金手指322，第二金手指322用于传输时钟信号(clk)；第五弹片11e电连接nano sim卡3的第三金手指323，第三金手指323用于编程电压/输入信号(vpp)；第六弹片11f电连接nano sim卡3的第四金手指324，第四金手指324用于传输复位信号(rst)；第七弹片11g电连接nano sim卡3的第五金手指325，第五金手指325用于传输地信号(gnd)；第八弹片11h电连接nano sim卡3的第六金手指326，第六金手指326用于传输电源信号(vcc)。
149.表1
[0150][0151][0152]
在其他一些实施例中，nano sim卡3的六个金手指与上述六路信号也可以有其他对应关系，nano sim卡3的六个金手指也可以用于传输其他组合的信号，例如nano sim卡3也可以不传输编程电压/输入信号(vpp)，第三金手指323悬空设置，相应的，第三金手指323对应的第五弹片11e也可以不提供编程电压/输入信号(vpp)。本技术实施例对此不作严格限定。在本技术实施例中，金手指悬空设置也即该金手指不用于传输信号，不用于为信息卡提供信号端口。
[0153]
本技术提供一种第一nm卡，该第一nm卡能够适配上述卡连接器11，以下对第一nm卡的结构、第一nm卡与卡连接器11的连接结构进行举例说明。
[0154]
请结合参阅图13、图14以及图15，图13是本技术实施例提供的一种第一nm卡4的示意框图，图14是图13所示第一nm卡4在一些实施例中的结构示意图，图15是图14所示第一nm卡4与图5所示卡连接器11连接时的结构示意图。
[0155]
一些实施例中，如图13和图14所示，第一nm卡4包括卡体41和卡接口42。卡体41包括封装件411和设置于封装件411内的控制电路412和存储电路413。卡接口42固定于卡体41，且相对卡体41露出，卡接口42电连接控制电路412。封装件411用于封装控制电路412、存储电路413、以及控制电路412与存储电路413及卡接口42之间的电连接线路，以进行保护。封装件411采用介电材料，介电材料包括但不限于乙烯醋酸乙烯酯(ethylene-vinyl acetate，eva)、聚乙烯醇缩丁醛(polyvinyl butyral，pvb)、离聚物、聚烯烃(polyolefins，po)、硅、热塑性聚氨酯等材料。
[0156]
其中，第一nm卡4的卡体41的尺寸可以与nano sim卡3的卡体31的尺寸相同。第一nm卡4具有两两垂直的长度方向、宽度方向及厚度方向，第一nm卡4的卡体41在长度方向上的最大尺寸为其长度，在宽度方向上的最大尺寸为其宽度，在厚度方向上的最大尺寸为其厚度。例如，第一nm卡4的卡体41的尺寸可以为长度12.30mm、宽度8.80mm、厚度0.67mm。
[0157]
其中，图14中的第一nm卡4的卡接口42朝上设置；图15中的第一nm卡4所处视角相对图14中的第一nm卡4所处视角进行上下翻转，图15中的第一nm卡4的卡接口42朝下设置，卡连接器11位于第一nm卡4下方。
[0158]
一些实施例中，第一nm卡4的卡体41包括第一边4111、第二边4112、第三边4113以及第四边4114，第一边4111和第三边4113相对设置并沿第一nm卡4的长度方向延伸，第二边4112和第四边4114相对设置并沿第一nm卡4的宽度方向延伸。其中，第二边4112与第四边4114的间距大于第一边4111与第三边4113的间距。换言之，第一边4111和第三边4113为长边，第二边4112和第四边4114为短边。其中，第一边4111和第三边4113可以平行或近似平行设置，第二边4112和第四边4114可以平行或近似平行设置。
[0159]
其中，第一nm卡4的卡体41的一个角为切角，切角设置于第一边4111与第二边4112之间。该切角形成切边4115，切边4115与第一边4111之间形成钝角，且与第二边4112之间形成钝角。其中，第一nm卡4的卡体41的相邻边(包括第一边4111、第二边4112、第三边4113、第四边4114以及切边4115)之间可以设置圆弧过渡结构或倒角过渡结构。在其他一些实施例中，第一nm卡4的卡体41也可以不设置上述切角，本技术对此不作严格限定。其中，第一nm卡4的卡体41的切角的尺寸可以与nano sim卡3的卡体31的切角的尺寸相同或不同，两者不同时，也认为第一nm卡4的卡体41的尺寸与nano sim卡3的卡体31的尺寸相同。
[0160]
示例性的，第一nm卡4的卡接口42包括至少八个金手指，例如可以包括阵列排布的第一金手指421、第二金手指422、第三金手指423、第四金手指424、第五金手指425、第六金手指426、第七金手指427及第八金手指428，第一金手指421相较于其他金手指更靠近卡体41的切边4115。
[0161]
当卡托2安装有第一nm卡4，第一nm卡4插入卡座组件10，第一nm卡4连接卡连接器11时，卡连接器11的十个弹片均抵持第一nm卡4，其中，卡连接器11的第三弹片11c至第十弹片11j(也即第二排弹片至第四排弹片)一一对应地抵持第一nm卡4的第一金手指421至第八金手指428，以电连接第一nm卡4。
[0162]
在本实施例中，卡连接器11将第三弹片11c至第十弹片11j排布成四排两列，第四
排弹片(11g、11h)与第五排弹片(11i、11j)的中心间距、小于第二排弹片(11c、11d)与第三排弹片(11e、11f)的中心间距及第三排弹片(11e、11f)与第四排弹片(11g、11h)的中心间距，使得卡连接器11的第三弹片11c至第八弹片11h能够与nano sim卡3的六个金手指一一对应地电连接，且第三弹片11c至第十弹片11j还能够同时与第一nm卡4的八个金手指一一对应地电连接，因此卡连接器11能够兼容nano sim卡3和第一nm卡4。
[0163]
其中，结合参阅图9、图12和图15，由于nano sim卡3和第一nm卡4的金手指数量不同，金手指的形状不同，金手指的尺寸不同，金手指排布位置以及金手指间隔距离也不同，通过将第二排弹片(11c、11d)与第三排弹片(11e、11f)的中心间距、及第三排弹片(11e、11f)与第四排弹片(11g、11h)的中心间距设置在1.5mm至2.8mm的范围内，第四排弹片(11g、11h)与第五排弹片(11i、11j)的中心间距设置在1.0mm至1.7mm的范围内，使得第三弹片11c至第八弹片11h能够分别与nano sim卡3的六个金手指通信，且三弹片11c至第十弹片11j能够分别与第一nm卡4的八个金手指通信，卡连接器11能够在兼容nano sim卡3和第一nm卡4的基础上，有效降低当nano sim卡3设置于卡连接器11时，nano sim卡3的金手指与卡连接器11的弹片发生短路的风险，以及当第一nm卡4设置于卡连接器11时，第一nm卡4的金手指与卡连接器11的弹片发生短路的风险，使得卡连接器11与nano sim卡3和第一nm卡4的电连接关系可靠，实现nano sim卡3和第一nm卡4可以分时共用同一个卡连接器11。
[0164]
其中，如图15所示，虽然第一nm卡4的第七金手指427和第八金手指428呈“l”型，但是由于卡连接器11的弹片是通过其抵接触点与信息卡的金手指抵接的，弹片的其余部分与金手指之间均形成间隙，因此第九弹片11i电连接第七金手指427，第七弹片11g与第七金手指427之间不接触、无电连接关系，第十弹片11j电连接第八金手指428，第八弹片11h与第八金手指428之间不接触、无电连接关系。
[0165]
其中，当第一nm卡4连接卡连接器11时，卡连接器11的第一排弹片(11a、11b)抵持第一nm卡4。一些实施例中，第一弹片11a和第三弹片11c抵持且电连接第一nm卡4的第一金手指421，第二弹片11b和第四弹片11d抵持且电连接第一nm卡4的第二金手指422；在另一些实施例中，第一排弹片(11a、11b)抵接第一nm卡4的卡体41，此时，第一排弹片(11a、11b)与第一nm卡4之间无电连接关系。本技术实施例对卡连接器11的第一排弹片(11a、11b)与第一nm卡4的具体连接结构不作严格限定。
[0166]
示例性的，第一nm卡4可以采用嵌入式多媒体存储卡(embedded multi media card，emmc)接口协议。第一nm卡4的八个金手指中可以有四个金手指用于传输数据信号(data0、data1、data2、data3)，一个金手指用于传输时钟信号(clk)，一个金手指用于传输命令和响应信号(cmd)，一个金手指用于传输地信号(gnd)，一个金手指用于传输电源信号(vcc)。其中，数据信号(data0、data1、data2、data3)用于实现数据传输通讯。命令和响应信号(cmd)可以将命令由外部设备发给存储卡，或者是让存储卡对外部设备进行命令的应答响应。
[0167]
如下表2所示，表2为卡连接器11的多个弹片与nano sim卡3和第一nm卡4的多个金手指及其传输信号的对应关系表。第一nm卡4与卡连接器11连接时，卡连接器11的第三弹片11c至第十弹片11j一一对应地抵持且电连接第一nm卡4的第一金手指421至第八金手指428。在本技术中，若两张信息卡上的两个金手指在与电子设备100的卡连接器11连接时，与同一个弹片抵持且电连接，则认为这两个金手指位置对应。例如，第一nm卡4的第一金手指
421至第六金手指426一一对应地与nano sim卡3的第一金手指321至第六金手指326位置对应。两张信息卡的两个金手指的位置对应时，两个金手指的形状、尺寸及在信息卡的卡体上具体位置，可以相同，也可以存在差异，本技术实施例对此不作严格限定。
[0168]
示例性的，第一nm卡4的第一金手指421、第四金手指424、第七金手指427及第八金手指428可以用于传输数据信号；例如，第一金手指421用于传输数据信号(data1)、第四金手指424用于传输数据信号(data0)、第七金手指427用于传输数据信号(data3)、第八金手指428用于传输数据信号(data2)，第一金手指421、第四金手指424、第七金手指427及第八金手指428中传输的信号在其他一些实施例中可以互相调换，此处不再赘述。第一nm卡4的第二金手指422用于传输时钟信号(clk)，第三金手指423用于传输命令和响应信号(cmd)，第五金手指425用于传输地信号(gnd)，第六金手指426用于传输电源信号(vcc)。
[0169]
表2
[0170][0171]
在其他一些实施例中，第一nm卡4的八个金手指与上述八路信号也可以有其他对应关系，第一nm卡4的八个金手指也可以用于传输其他组合的信号，本技术实施例对此不作严格限定。
[0172]
示例性的，第一nm卡4的第一金手指421、第四金手指424和第八金手指428均可以电连接耐高压电路或保护开关，用于避免第三弹片11c至第五弹片11e以及第八弹片11h提供高压时烧坏第一nm卡4的电路。其中，耐高压电路或保护开关均位于第一nm卡4的封装件411内。在其他一些实施例中，也可通过在电子设备内提供高阻抗保护电路，例如在接口控制器内增加保护电路实现。
[0173]
本技术还提供一种第二nm卡，第二nm卡为存储卡，通过对高速协议做适当裁剪适配，对卡接口的结构进行改动，使得高速协议可以适用于第二nm卡，以提高第二nm卡的传输速率，使得第二nm卡的传输速率大于第一nm卡的传输速率。通过提升第二nm卡的传输速率，使得插接第二nm卡的电子设备100能够更好地支撑5g、wifi6、8k高清视频、游戏等使用场景和需求，以提高用户使用体验。
[0174]
示例性的，第一nm卡的传输速率通常都低于100mb/s。例如，上述第一nm卡4可以采用emmc接口协议，卡接口42具有八个金手指，第一nm卡4的传输速率可以达到90mb/s。第二nm卡可以通过采用不同的接口协议，卡接口具有十个或八个或其他数量的金手指，使得传
输速率通常都高于100mb/s，甚至可以达到1gb/s。例如，第二nm卡可以采用通用闪存存储(universal flash storage，ufs)接口协议、高速外设部件互连(peripheral component interconnect express，pcie)接口协议、安全数据(secure digital，sd)接口协议，非易失性存储(non-volatile memory epress，nvme)接口协议等接口协议，第二nm卡的传输速率一般在200mb/s至800mb/s范围内。在一些实施例中，第二nm卡也可以采用emmc接口协议，通过变频手段提升传输速率。
[0175]
请结合参阅图16、图17和图18，图16是本技术实施例提供的一种第二nm卡5的示意框图，图17是图16所示第二nm卡5在一些实施例中的结构示意图，图18是图17所示第二nm卡5与图5所示卡连接器11连接时的结构示意图。
[0176]
一些实施例中，如图16和图17所示，第二nm卡5包括卡体51和卡接口52。卡体51包括封装件511和设置于封装件511内的控制电路512和存储电路513。卡接口52固定于卡体51，且相对露出于卡体51的一侧，卡接口52电连接控制电路512。封装件511用于封装控制电路512、存储电路513、以及控制电路512与存储电路513及卡接口52之间的电连接线路，以进行保护。封装件511采用介电材料，介电材料包括但不限于乙烯醋酸乙烯酯(ethylene-vinyl acetate，eva)、聚乙烯醇缩丁醛(polyvinyl butyral，pvb)、离聚物、聚烯烃(polyolefins，po)、硅、热塑性聚氨酯等材料。
[0177]
其中，第二nm卡5的卡体51的尺寸可以与nano sim卡3的卡体31的尺寸相同。第二nm卡5具有两两垂直的长度方向、宽度方向及厚度方向，第二nm卡5的卡体51在长度方向上的最大尺寸为其长度，在宽度方向上的最大尺寸为其宽度，在厚度方向上的最大尺寸为其厚度。例如，第二nm卡5的卡体51的尺寸可以为长度12.30mm、宽度8.80mm、厚度0.67mm。
[0178]
其中，图17中的第二nm卡5的卡接口52朝上设置；图18中的第二nm卡5所处视角相对图17中的第二nm卡5所处视角进行上下翻转，图18中的第二nm卡5的卡接口52朝下设置，卡连接器11位于第二nm卡5下方。
[0179]
一些实施例中，第二nm卡5的卡体51包括第一边5111、第二边5112、第三边5113以及第四边5114，第一边5111和第三边5113相对设置并沿第二nm卡5的长度方向延伸，第二边5112和第四边5114相对设置并沿第二nm卡5的宽度方向延伸。其中，第二边5112与第四边5114的间距大于第一边5111与第三边5113的间距。换言之，第一边5111和第三边5113为长边，第二边5112和第四边5114为短边。其中，第一边5111和第三边5113可以平行或近似平行设置，第二边5112和第四边5114可以平行或近似平行设置。
[0180]
其中，第二nm卡5的卡体51的一个角为切角，切角设置于第一边5111与第二边5112之间。该切角形成切边5115，切边5115与第一边5111之间形成钝角，且与第二边5112之间形成钝角。其中，卡体51的相邻边(包括第一边5111、第二边5112、第三边5113、第四边5114以及切边5115)之间可以设置圆弧过渡结构或倒角过渡结构。在其他一些实施例中，第二nm卡5的卡体51也可以不设置上述切角，本技术对此不作严格限定。其中，第二nm卡5的卡体51的切角的尺寸可以与nano sim卡3的卡体31的切角的尺寸相同或不同，两者不同时，也认为第二nm卡5的卡体51的尺寸与nano sim卡3的卡体31的尺寸相同。
[0181]
示例性的，第二nm卡5的卡接口52包括多个金手指，多个金手指露出于卡体51的同一侧。第二nm卡5的金手指的数量为至少十个，多个金手指例如可以包括第一金手指521、第二金手指522、第三金手指523、第四金手指524、第五金手指525、第六金手指526、第七金手
指527、第八金手指528、第九金手指529及第十金手指5210。第二nm卡5的第一金手指521、第三金手指523、第五金手指525、第七金手指527及第九金手指529沿第二nm卡5的宽度方向排成第一列金手指，第二金手指522、第四金手指524、第六金手指526、第八金手指528及第十金手指5210沿第二nm卡5的宽度方向排成第二列金手指，第一列金手指和第二列金手指排布于第二nm卡5的长度方向，第一列金手指(521、523、525、527、529)的五个金手指与第二列金手指(522、524、526、528、5210)的五个金手指一一对应、两两成排设置，也即十个金手指沿第二nm卡5的宽度方向排布成第一排金手指(521、522)、第二排金手指(523、524)、第三排金手指(525、526)、第四排金手指(527、528)以及第五排金手指(529、5210)。此时，第一金手指321至第十金手指5210排布成两列五排。
[0182]
其中，第一列金手指(521、523、525、527、529)位于第二边5112与第二列金手指(522、524、526、528、5210)之间，也即，第一列金手指(521、523、525、527、529)靠近第二边5112排布，第二列金手指(522、524、526、528、5210)靠近第四边5114排布。
[0183]
其中，第一金手指521位于第一边5111与第三金手指523之间，第二金手指522位于第一边5111与第四金手指514之间。也即，第一排金手指(521、522)靠近第一边5111排布，第五排金手指(529、5210)靠近第三边5113排布。
[0184]
其中，第一金手指521可以设有斜边，形成直角梯形，第一金手指521的斜边面向卡体51的切边5115设置，两者之间的间距大于或等于0.1mm，例如可以为0.2mm；第二金手指522至第十金手指5210可以为矩形。在其他一些实施例中，第一金手指521也可以为矩形。
[0185]
其中，第二排金手指(523、524)与第三排金手指(525、526)的中心间距大于第一排金手指(521、522)与第二排金手指(523、524)的中心间距，且大于第四排金手指(527、528)与第五排金手指(529、5210)的中心间距。第三排金手指(525、526)与第四排金手指(527、528)的中心间距，大于第一排金手指(521、522)与第二排金手指(523、524)的中心间距，且大于第四排金手指(527、528)与第五排金手指(529、5210)的中心间距。
[0186]
当第二nm卡5连接卡连接器11时，第二nm卡5的宽度方向平行于卡连接器11的第一方向，长度方向平行于卡连接器11的第二方向，卡连接器11的十个弹片均抵持第二nm卡5。其中，当卡托2安装有第二nm卡5，第二nm卡5插入卡座组件10，第二nm卡5连接卡连接器11时，卡连接器11的十个弹片一一对应地抵持第二nm卡5的十个金手指，第一弹片11a至第十弹片11j一一对应地抵持第二nm卡5的第一金手指521至第十金手指5210。
[0187]
在本实施例中，卡连接器11的第一弹片11a至第十弹片11j排布成两列五排，且第二排弹片(11c、11d)与第三排弹片(11e、11f)的中心间距和第三排弹片(11e、11f)与第四排弹片(11g、11h)的中心间距，均大于第一排弹片(11a、11b)与第二排弹片(11c、11d)的中心间距和第四排弹片(11g、11h)与第五排弹片(11i、11j)的中心间距，使得卡连接器11的第三弹片11c至第八弹片11h能够一一对应地抵持且电连接nano sim卡3的第一金手指321至第六金手指326，卡连接器11的第三弹片11c至第十弹片11j能够一一对应地抵持且电连接第一nm卡4的第一金手指421至第八金手指428，卡连接器11的第一弹片11a至第十弹片11j一一对应地抵持且电连接第二nm卡5的第一金手指521至第十金手指5210，因此卡连接器11能够兼容nano sim卡3、第一nm卡4以及第二nm卡5。在其他一些实施例中，卡连接器11也可以设计为兼容nano sim卡3和第二nm卡5。
[0188]
示例性的，结合参阅图9、图12、图15以及图18，卡连接器11的第二排弹片(11c、
11d)与第三排弹片(11e、11f)的中心间距及第三排弹片(11e、11f)与第四排弹片(11g、11h)的中心间距设置在1.5mm至2.8mm的范围内，第一排弹片(11a、11b)与第二排弹片(11c、11d)的中心间距设置在1.0mm至1.7mm的范围内，第四排弹片(11g、11h)与第五排弹片(11i、11j)的中心间距设置在1.0mm至1.7mm的范围内，使得第三弹片11c至第八弹片11h能够分别与nano sim卡3的六个金手指通信，第三弹片11c至第十弹片11j能够分别与第一nm卡4的八个金手指通信，第一弹片11a至第十弹片11j能够分别与第二nm卡5的十个金手指通信。
[0189]
由于nano sim卡3、第一nm卡4以及第二nm卡5三种卡的金手指的数量不同，金手指的形状不同，金手指的排布位置以及金手指的间隔距离也不同，通过第一弹片11a至第十弹片11j的间距的独特设计，实现卡连接器11能够在兼容nano sim卡3、第一nm卡4以及第二nm卡5的基础上，有效降低当nano sim卡3设置于卡连接器11，nano sim卡3的金手指与卡连接器11的弹片发生短路的风险，当第一nm卡4设置于卡连接器11，第一nm卡4的金手指与卡连接器11的弹片发生短路的风险，以及当第二nm卡5设置于卡连接器11，第二nm卡5的金手指与卡连接器11的弹片发生短路的风险，使得卡连接器11与nano sim卡3、第一nm卡4及第二nm卡5的电连接关系可靠，实现nano sim卡3、第一nm卡4以及第二nm卡5可以分时共用同一个卡连接器11。可以理解的是，在其他一些实施例中，卡连接器11也可以设计为能够兼容nano sim卡3和第二nm卡5即可的方案。
[0190]
请参阅图19，图19是图1所示电子设备100的部分电路在一些实施例中的示意框图。
[0191]
一些实施例中，电子设备100的处理器20包括接口控制器201、一个或多个存储卡控制器202以及sim卡控制器203。接口控制器201电连接一个或多个存储卡控制器202以及sim卡控制器203，接口控制器201还电连接卡连接器11的多个弹片。存储卡控制器202用于控制存储卡运行，sim卡控制器203用于控制nano sim卡3运行。当不同的信息卡插入电子设备100的卡座组件10，与卡连接器11电连接时，接口控制器201能够控制存储卡控制器202或sim卡控制器203经卡连接器11与信息卡通信。例如，当卡托2安装有nano sim卡3，nano sim卡3插入卡座组件10时，接口控制器201控制sim卡控制器203经卡连接器11与nano sim卡3进行通信；当卡托2安装有第二nm卡5，第二nm卡5插入卡座组件10时，接口控制器201控制存储卡控制器202经卡连接器11与第二nm卡5进行通信。
[0192]
在本实施例中，电子设备100能够通过处理器20自动识别信息卡类型，并控制与信息卡对应的控制器与卡连接器11导通，使得信息卡能够与电子设备100能够自动匹配，从而进行通信，提高了用户的使用体验。
[0193]
其中，处理器20的多个控制器可以为彼此独立的部件，也可以通过集成部件进行组合，也可以一个控制器拆分在多个部件中，本技术实施例对此不作严格限定。其中，接口控制器201中可以包括多个开关，还可以包括导线，多个开关可以分开排布，也可以集中排布，本技术实施例对此不作严格限定。
[0194]
示例性的，处理器20可以通过多种方式识别与卡连接器11连接的信息卡的类型。例如，处理器20可以依次导通多个控制器与卡连接器11，通过控制器与信息卡的匹配情况识别信息卡的类型。或者，处理器20也可以设有用于检测信息卡类型的检测电路，处理器20能够依据检测电路的检测结果识别信息卡的类型。本技术实施例不对处理器20识别信息卡类型的具体方式进行严格限定。
[0195]
在一些实施例中，当电子设备100的卡座组件10能够兼容第一nm卡4和第二nm卡5时，存储卡控制器202可以包括有第一存储卡控制器和第二存储卡控制器，第一存储卡控制器用于控制第一nm卡4运行，第二存储卡控制器用于控制第二nm卡5运行。当卡托2安装有第一nm卡4，第一nm卡4插入卡座组件10时，接口控制器201控制第一存储卡控制器经卡连接器11与第一nm卡4进行通信。当卡托2安装有第二nm卡5，第二nm卡5插入卡座组件10时，接口控制器201控制第二存储卡控制器经卡连接器11与第二nm卡5进行通信。
[0196]
在本技术中，第二nm卡5的卡接口可以有多种实现方式，以下进行举例说明，以下实施例中的第二nm卡5均能够与图5所示卡连接器11连接。
[0197]
示例性的，第二nm卡5的十个金手指排布成两列五排，第二nm卡5的十个金手指沿宽度方向排布成第一排金手指(521、522)至第五排金手指(529、5210)，第二nm卡5的十个金手指沿长度方向排布成第一列金手指(521、523、525、527、529)和第二列金手指(522、524、526、528、5210)。
[0198]
在宽度方向上，第二排金手指(523、524)与第三排金手指(525、526)的中心间距和第三排金手指(525、526)与第四排金手指(527、528)的中心间距，大于第一排金手指(521、522)与第二排金手指(523、524)的中心间距，且大于第四排金手指(527、528)与第五排金手指(529、5210)的中心间距。
[0199]
例如，第二排金手指(523、524)与第三排金手指(525、526)的中心间距可以在1.5mm至2.8mm的范围内，第三排金手指(525、526)与第四排金手指(527、528)的中心间距可以在1.5mm至2.8mm的范围内，第一排金手指(521、522)与第二排金手指(523、524)的中心间距可以在1.0mm至1.7mm的范围内，第四排金手指(527、528)与第五排金手指(529、5210)的中心间距可以在1.0mm至1.7mm的范围内。
[0200]
请参阅图20，图20是图17所示第二nm卡5在一些实施例中的尺寸图。
[0201]
一些实施例中，第二nm卡5的十个金手指排布成两列五排，第一列金手指(521、523、525、527、529)靠近第二边5112排布，第二列金手指(522、524、526、528、5210)靠近第四边5114排布，每一列金手指均在宽度方向上对齐排列，第一排金手指(521、522)靠近第一边5111排布，第五排金手指(529、5210)靠近第三边5113排布，每一排金手指均在长度方向上对齐排列。其中，第一金手指521可以设有斜边，形成直角梯形，第一金手指521的斜边面向卡体51的切边5115设置，两者之间的间距可以为0.2mm；第二金手指522至第十金手指5210可以为矩形。
[0202]
示例性的，在宽度方向上，第二排金手指(523、524)的中心与第一边5111的间距可以为1.95mm，第三排金手指(525、526)的中心与第一边5111的间距可以为4.25mm，第三排金手指(525、526)的中心与第三边5113的间距可以为4.55mm，第四排金手指(527、528)的中心与第三边5113的间距可以为1.95mm。其中，在宽度方向上，第一排金手指(521、522)与第二排金手指(523、524)的间距可以为0.25mm，第一排金手指(521、522)与第一边5111的间距可以为0.2mm。其中，在宽度方向上，第四排金手指(527、528)与第五排金手指(529、5210)的间距可以为0.25mm，第五排金手指(529、5210)与第三边5113的间距可以为0.2mm。其中，在长度方向上，第一列金手指(521、523、525、527、529)与第二边5112的间距可以为1.1mm，第二列金手指(522、524、526、528、5210)与第四边5114的间距可以为1.1mm。
[0203]
其中，每个金手指的长度可以为3.2mm，宽度可以为1.0mm。其中，第一金手指521的
长度即为其底边的尺寸，第一金手指521的宽度即为其高的尺寸。
[0204]
其中，上述形状尺寸及间距尺寸的公差为
±
0.1mm。
[0205]
请结合参阅图21a和图21b，图21a是图16所示第二nm卡5在另一些实施例中的尺寸图，图21b是图21a所示第二nm卡5的另一尺寸图。
[0206]
一些实施例中，第二nm卡5的十个金手指排布成两列，第一列金手指(521、523、525、527、529)靠近第二边5112排布，第二列金手指(522、524、526、528、5210)靠近第四边5114排布。其中，第一金手指521至第六金手指526排布成两列三排，每一列金手指均在宽度方向上对齐排列，第一排金手指(521、522)靠近第一边5111排布，每一排金手指均在长度方向上对齐排列。第四排金手指(527、528)在长度方向上对齐排列。其中，第一金手指521可以设有斜边，形成直角梯形，第一金手指521的斜边面向卡体51的切边5115设置，两者之间的间距可以为0.2mm；第二金手指522至第八金手指528可以为矩形。第九金手指529和第十金手指5210可以呈l形。第九金手指529半包围第七金手指527。第九金手指529包括第一部分5291和第二部分，第一部分5291沿长度方向延伸，第二部分5292沿宽度方向延伸。第九金手指529的第一部分5291位于第七金手指527与第三边5113之间，第九金手指529的第二部分5292连接第一部分5291且位于第七金手指527与第二边5112之间。第十金手指5210包括第一部分52101和第二部分52102，第一部分52101沿长度方向延伸，第二部分52102沿宽度方向延伸。第十金手指5210的第一部分52101位于第八金手指528与第三边5113之间，第十金手指5210的第二部分52102连接第一部分5291且位于第八金手指528与第二边5112之间。如上描述，可以将第九金手指529和第十金手指5210理解为第五排金手指(529、5210)。
[0207]
示例性的，在宽度方向上，第二排金手指(523、524)的中心与第一边5111的间距可以为1.95mm，第三排金手指(525、526)的中心与第一边5111的间距可以为4.25mm，第三排金手指(525、526)的中心与第三边5113的间距可以为4.55mm，第四排金手指(527、528)的中心与第三边5113的间距可以为1.95mm。其中，在宽度方向上，第一排金手指(521、522)与第二排金手指(523、524)的间距可以为0.25mm，第一排金手指(521、522)与第一边5111的间距可以为0.2mm。其中，在宽度方向上，第四排金手指(527、528)与第五排金手指(529、5210)的间距可以为0.25mm，第五排金手指(529、5210)与第三边5113的间距可以为0.2mm。也即，在宽度方向上，第九金手指529与第三边5113的间距可以为0.2mm，第九金手指529的第一部分5291与第七金手指527的间距可以为0.25mm；第十金手指5210与第三边5113的间距可以为0.2mm，第十金手指5210的第一部分52101与第八金手指528的间距可以为0.25mm。其中，第九金手指529的第二部分5292的靠近第一边5111的顶边可以与第七金手指527的靠近第一边5111的顶边齐平；第十金手指5210的第二部分52102的靠近第一边5111的顶边可以与第八金手指528的靠近第一边5111的顶边齐平。其中，在宽度方向上，第一金手指521至第八金手指528以及第九金手指529的第一部分5291、第十金手指5210的第一部分52101的宽度均可以为1.0mm。
[0208]
示例性的，在长度方向上，第一金手指521、第三金手指523及第五金手指525与第二边5112的间距可以为1.1mm，第二金手指522、第四金手指524及第六金手指526与第四边5114的间距可以为1.1mm。其中，在长度方向上，第七金手指527的靠近第四边5114的侧边和第九金手指529的第一部分5291的靠近第四边5114的侧边，均可以与第五金手指525靠近第四边5114的侧边齐平；第七金手指527与第九金手指529的第二部分5292的间距可以为
0.2mm，第九金手指529与第二边5112的间距可以为0.5mm；第九金手指529的第二部分5292的宽度可以为0.9mm。其中，在长度方向上，第八金手指528的靠近第二边5112的侧边和第十金手指5210的第一部分52101的靠近第二边5112的侧边，均可以与第六金手指526靠近第二边5112的侧边齐平；第八金手指528与第十金手指5210的第二部分52102的间距可以为0.2mm，第十金手指5210与第四边5114的间距可以为0.5mm；第十金手指5210的第二部分52102的宽度可以为0.9mm。
[0209]
其中，上述形状尺寸及间距尺寸的公差为
±
0.1mm。
[0210]
请参阅图22，图22是图16所示第二nm卡5在另一些实施例中的尺寸图。
[0211]
一些实施例中，第二nm卡5的第一金手指521至第十金手指5210排布成两列五排，第一列金手指(521、523、525、527、529)靠近第二边5112排布，第二列金手指(522、524、526、528、5210)靠近第四边5114排布；第一排金手指(521、522)靠近第一边5111排布，第五排金手指(529、5210)靠近第三边5113排布，每一排金手指均在长度方向上对齐排列。第二nm卡5还包括第十一金手指5220和第十二金手指5230，第十一金手指5220和第十二金手指5230排布于第四排金手指(527、528、5220、5230)，第十一金手指5220位于第二边5112与第七金手指527之间，第十二金手指5230位于第四边5114与第八金手指528之间。其中，第一金手指521可以设有斜边，形成直角梯形，第一金手指521的斜边面向卡体51的切边5115设置，两者之间的间距可以为0.2mm；第二金手指522至第十二金手指5230可以为矩形。
[0212]
示例性的，在宽度方向上，第二排金手指(523、524)的中心与第一边5111的间距可以为1.95mm，第三排金手指(525、526)的中心与第一边5111的间距可以为4.25mm，第三排金手指(525、526)的中心与第三边5113的间距可以为4.55mm，第四排金手指(527、528、5220、5230)的中心与第三边5113的间距可以为1.95mm。其中，在宽度方向上，第一排金手指(521、522)与第二排金手指(523、524)的间距可以为0.25mm，第一排金手指(521、522)与第一边5111的间距可以为0.2mm。其中，在宽度方向上，第四排金手指(527、528、5220、5230)与第五排金手指(529、5210)的间距可以为0.25mm，第五排金手指(529、5210)与第三边5113的间距可以为0.2mm。其中，在宽度方向上，第一金手指521至第十二金手指5230的宽度均可以为1.0mm。
[0213]
示例性的，在长度方向上，第一金手指521、第三金手指523及第五金手指525与第二边5112的间距可以为1.1mm，第二金手指522、第四金手指524及第六金手指526与第四边5114的间距可以为1.1mm。其中，在长度方向上，第七金手指527的靠近第四边5114的侧边和第九金手指529的靠近第四边5114的侧边，均可以与第五金手指525靠近第四边5114的侧边齐平；第十一金手指5220的靠近第二边5112的侧边与第九金手指529的靠近第二边5112的侧边齐平；第七金手指527与第十一金手指5220的间距可以为0.2mm，第十一金手指5220与第二边5112的间距可以为0.5mm，第十一金手指5220的长度可以为0.9mm。其中，在长度方向上，第八金手指528的靠近第二边5112的侧边和第十金手指5210的靠近第二边5112的侧边，均可以与第六金手指526靠近第二边5112的侧边齐平；第十二金手指5230的靠近第四边5114的侧边与第十金手指5210的靠近第四边5114的侧边齐平；第八金手指528与第十二金手指5230的间距可以为0.2mm，第十二金手指5230与第四边5114的间距可以为0.5mm，第十二金手指5230的长度可以为0.9mm。
[0214]
其中，上述形状尺寸及间距尺寸的公差为
±
0.1mm。
[0215]
请参阅图23，图23是图16所示第二nm卡5在另一些实施例中的尺寸图。
[0216]
一些实施例中，第二nm卡5的第一金手指521至第十金手指5210排布成两列五排，第一列金手指(521、523、525、527、529)靠近第二边5112排布，第二列金手指(522、524、526、528、5210)靠近第四边5114排布，每一列金手指均在宽度方向上对齐排列；第一排金手指(521、522)靠近第一边5111排布，第五排金手指(529、5210)靠近第三边5113排布，每一排金手指均在长度方向上对齐排列。其中，第一金手指521至第十金手指5210均可以为矩形。其中，第一金手指521可以相较于其他金手指更靠近卡体51的切边5115。
[0217]
示例性的，在宽度方向上，第二排金手指(523、524)的中心与第一边5111的间距可以为1.86mm，第三排金手指(525、526)的中心与第一边5111的间距可以为4.4mm，第三排金手指(525、526)的中心与第三边5113的间距可以为4.4mm，第四排金手指(527、528)的中心与第三边5113的间距可以为1.86mm。其中，第一排金手指(521、522)与第一边5111的间距可以为0.2mm，第五排金手指(529、5210)与第三边5113的间距可以为0.2mm。
[0218]
示例性的，在长度方向上，第一列金手指(521、523、525、527、529)的中心与第二边5112的间距可以为2.68mm，第二列金手指(522、524、526、528、5210)的中心与第四边5114的间距可以为2.0mm。其中，第二nm卡5的卡体51的长度可以为12.3mm。
[0219]
其中，上述形状尺寸及间距尺寸的公差为
±
0.1mm。
[0220]
可以理解的是，图20至图23所示第二nm卡5的结构尺寸是为第二nm卡5的部分示例，第二nm卡5的卡接口52还可以有更多种金手指排布方式和尺寸，第二nm卡5的卡接口52至少包括第一金手指521至第十金手指5210即可，本技术实施例对此不作严格限定。
[0221]
以下分别对第二nm卡采用的ufs接口协议、pcie接口协议以及sd接口协议的方案进行举例说明，同时对能够兼容nano sim卡和第二nm卡的电子设备的部分电路进行举例说明。其中，ufs接口协议、pcie接口协议以及sd接口协议均能够应用于具有第一金手指至第十金手指的第二nm卡中，例如图17、图20至图23所示第二nm卡5及具有其他卡接口结构的第二nm卡，以下实施例以第二nm卡5具有图17所示卡接口52为例进行示意。
[0222]
一些实施例中，第二nm卡5采用的ufs接口协议。ufs协议是由联合电子设备工程委员会(joint electron device engineering council，jedec)协会制定的、用于定义ufs通用闪存的电气接口和ufs存储设备的标准。ufs定义了一个完整的协议栈，从上到下依次为应用层、传输层和互联层。ufs定义了一个独特的ufs特性集，并将emmc标准的特性集作为一个子集，使用mipi(mobile industry processor interface，移动产业处理器20接口)联盟的unipro(接口)作为数据链路层和mipi的m-phy(串行接口)作为物理层，两者合起来称之为互连层(ufs interconnect layer)。ufs协议自2011年发布了1.0版本，之后于2012年、2013年、2016年、2018年分别发布了1.1版本、2.0版本、2.1版本、3.0版本，每个版本的更新都伴随了速度的提升。ufs协议是emmc协议4.5版本之后的衔接。ufs协议的主要改进在于传输层，在数据信号传输上ufs协议采用的是差分串行传输，支持同时读写数据，同时由于差分信号抗干扰能力强、能提供更宽的带宽，而emmc是并行数据传输，因此相对于前一代协议标准emmc，ufs协议具有速度快、功耗低的特点。因此，ufs协议具有速度快、功耗低的特点，适用于手机等电子设备。
[0223]
示例性的，第二nm卡5包括至少十个金手指，例如包括第一金手指521至第十金手指5210。在第一金手指521至第十金手指5210中，四个金手指用于传输数据信号(rx+、rx-、
tx+、tx-)，一个金手指用于传输参考时钟信号(rclk，也可以命名为ref_clk)，一个金手指用于传输第一电源信号(vcc)、一个金手指用于传输地信号(vss)、一个金手指用于传输第二电源信号(vccq)。此时，第二nm卡5能够支撑ufs协议，实现高速卡的基本性能。
[0224]
其中，数据信号(rx+)和数据信号(rx-)为输入差分信号；数据信号(tx+)和数据信号(tx-)信号为输出差分信号；第一电源信号(vcc)负责第二nm卡5的闪存颗粒(也即存储电路513)的供电；第二电源信号(vccq)负责第二nm卡5的控制电路512的供电。其中，在一些实施例中，第二电源信号(vccq)也可以负责第二nm卡5的m-phy接口、闪存输入输出及其他内部低电压电路的供电。其中，第一电源信号(vcc)的电压可以在1.7v至1.95v的范围内，或者在2.7v至3.6v的范围内。第二电源信号(vccq)的电压可以在1.1v至1.3v的范围内。
[0225]
其中，在第一金手指521至第十金手指5210中，剩余的两个金手指可以均悬空设置；或者，剩余的两个金手指中的其中一个金手指悬空设置，另一个金手指用于传输检测信号(c/d)；或者，剩余两个金手指中的其中一个金手指用于传输检测信号(c/d)，另一个金手指用于传输其他信号；或者，剩余的两个金手指均用于传输检测信号(c/d)。其中，检测信号(c/d)可以为特殊的数据信号，当信息卡与卡连接器电连接，与电子设备通信时，电子设备可以通过检测信号(c/d)识别插入的信息卡是否为第二nm卡5；在一些实施例中，电子设备还可以通过检测信号(c/d)识别插入的第二nm卡5的版本，或者识别插入的第二nm卡5的接口协议。第二nm卡5通过其中至少一个金手指传输检测信号(c/d)，能够降低电子设备识别第二nm卡5的难度。在其他一些实施例中，在第一金手指521至第十金手指5210中，剩余的两个金手指中的一个或两个金手指也可以用于传输其他信号。
[0226]
以下对采用的ufs接口协议的第二nm卡5的第一种信号排布方式进行举例说明。
[0227]
请参阅图24，图24是图17所示第二nm卡5在一些实施例中的示意图。
[0228]
示例性的，第二nm卡5的第一金手指521、第三金手指523、第九金手指529及第十金手指5210用于传输数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)。以下实施例以第一金手指521用于传输数据信号(rx+)、第三金手指523用于传输数据信号(rx-)、第九金手指529用于传输数据信号(tx+)、第十金手指5210用于传输数据信号(tx-)，为例进行说明。在其他一些实施例中，第一金手指521、第三金手指523、第九金手指529及第十金手指5210传输的数据信号能够互相调换。例如，第一金手指521与第三金手指523传输的数据信号互相调换，第九金手指529与第十金手指5210传输的数据信号互相调换，其他实施例此处不再赘述。
[0229]
其中，第二金手指522用于传输第二电源信号(vccq)；第四金手指524用于传输参考时钟信号(rclk)；第七金手指527用于传输地信号(vss)；第八金手指528用于传输第一电源信号(vcc)。其中，第五金手指525可以用于传输检测信号(c/d)。其中，第六金手指526悬空设置。
[0230]
如下表3所示，表3为卡连接器11的多个弹片与nano sim卡3、第一nm卡4以及第二nm卡5的多个金手指及其传输信号的对应关系表一。第二nm卡5与卡连接器11连接时，卡连接器11的第一弹片11a至第十弹片11j一一对应地抵持且电连接第二nm卡5的第一金手指521至第十金手指5210，第二nm卡5的第三金手指523至第八金手指528一一对应地与nano sim卡3的第一金手指321至第六金手指326位置对应。一些实施例中，第二nm卡5的第三金手指523至第十金手指5210一一对应地与第一nm卡4的第一金手指421至第八金手指428位置对应。
[0231]
表3
[0232][0233]
在本实施例中，第二nm卡5将ufs协议所需的第二电源信号(vccq)排布于第二金手指522，由于第二nm卡5的第二金手指522与nano sim卡3和第一nm卡4的所有金手指均无位置对应关系，第二nm卡5的第二金手指522无需与nano sim卡3和第一nm卡4复用卡连接器11的同一个弹片，避免第二电源信号(vccq)与nano sim卡3和第一nm卡4的数据信号共用同一个弹片，以降低nano sim卡3和第一nm卡4插入电子设备100、连接卡连接器11时，被第二电源信号(vccq)烧坏的风险，电子设备100兼容nano sim卡3和第一nm卡4以及第二nm卡5的可靠性较高。此外，第一nm卡4和nano sim卡3也无需部署用于避免电路被第二电源信号(vccq)烧坏的耐高压设计，能够降低成本。
[0234]
第二nm卡5将其中一个高速的数据信号(例如rx+)排布于第一金手指521，由于第二nm卡5的第一金手指521与nano sim卡3和第一nm卡4的所有金手指均无位置对应关系，因此第一弹片11a连接电子设备100的处理器20的高速数据接口、无需连接低速数据接口，无论电子设备100中插入的信息卡是第二nm卡5、nano sim卡3还是第一nm卡4，处理器20均无需切换与第一弹片11a电连接的接口，从而可以降低高速数据接口和低速数据接口切换的难度，简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
[0235]
此外，由于第二nm卡5的第七金手指527与nano sim卡3的第五金手指325位置对应、与第一nm卡4的第五金手指425的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第七弹片11g抵持并电连接，第二nm卡5的第七金手指527、nano sim卡3的第五金手指325以及第
一nm卡4的第五金手指425均用于传输地信号(分别为vss/gnd/gnd)，因此电子设备100的处理器20可以通过同一个地接口电连接卡连接器11的第七弹片11g，无论电子设备100中插入的信息卡是第二nm卡5、nano sim卡3还是第一nm卡4，处理器20均无需切换与第七弹片11g电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
[0236]
第二nm卡5的第八金手指528与nano sim卡3的第六金手指326位置对应、与第一nm卡4的第六金手指426的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第八弹片11h抵持并电连接，第二nm卡5的第八金手指528、nano sim卡3的第六金手指326以及第一nm卡4的第六金手指426均用于传输电源信号(分别为vcc/vcc/vcc)，因此电子设备100的处理器20可以通过同一个电源接口电连接卡连接器11的第八弹片11h，无论电子设备100中插入的信息卡是第二nm卡5、nano sim卡3还是第一nm卡4，处理器20均无需切换与第八弹片11h电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
[0237]
第二nm卡5的第四金手指524与nano sim卡3的第二金手指322位置对应、与第一nm卡4的第二金手指422的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第四弹片11d抵持并电连接，第二nm卡5的第四金手指524用于传输参考时钟信号(rclk)，nano sim卡3的第二金手指322用于传输时钟信号(clk)，第一nm卡4的第二金手指422用于传输时钟信号(clk)，第二nm卡5、nano sim卡3及第一nm卡4可以分时复用第四弹片11d。处理器20均可通过第四弹片11d提供不同频率的时钟信号，无需切换数据接口信号，从而简化处理器20的电路，降低设计复杂度和成本。在一些场景下，当第一nm卡4、第二nm卡5、nano sim卡3如能有相同频率的时钟信号时，处理器20则可为三种卡提供相同的时钟信号，不再需要切换，更为简化处理器20设计难度，例如，统一为20mhz的时钟频率。
[0238]
第二nm卡5的第三金手指523与nano sim卡3的第一金手指321位置对应、与第一nm卡4的第一金手指421的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第三弹片11c抵持并电连接，第二nm卡5的第三金手指523用于传输数据信号(例如rx-)，nano sim卡3的第一金手指321用于数据信号(data)，第一nm卡4的第一金手指421用于传输数据信号(例如data1)，第二nm卡5、nano sim卡3及第一nm卡可以分时复用第三弹片11c。
[0239]
第二nm卡5的第五金手指525与nano sim卡3的第三金手指323位置对应、与第一nm卡4的第三金手指423的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第五弹片11e抵持并电连接，第二nm卡5的第五金手指525用于传输检测信号(c/d)，nano sim卡3的第三金手指323用于传输编程电压/输入信号(vpp)，第一nm卡4的第三金手指423用于传输命令和响应信号(cmd)，第二nm卡5、nano sim卡3及第一nm卡4可以分时复用第五弹片11e。可选的，nano sim卡3的编程电压/输入信号(vpp)信号可以不支持，以降低处理器20的设计难度。
[0240]
第二nm卡5的第九金手指529与第一nm卡4的第七金手指427位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第九弹片11i抵持并电连接，第二nm卡5的第九金手指529用于传输数据信号(例如tx+)，第一nm卡4的第七金手指427用于传输数据信号(例如data3)，第二nm卡5和第一nm卡4可以分时复用第九弹片11i。
[0241]
第二nm卡5的第十金手指5210与第一nm卡4的第八金手指428位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第十弹片11j抵持并电连接，第二nm卡5的第十金手指5210用于传输数据信号(例如tx-)，第一nm卡4的第八金手指428用于传输数据信号(例如data2)，第二nm卡5和第一nm卡4可以分时复用第十弹片11j。
[0242]
当电子设备100兼容nano sim卡3和第二nm卡5、不兼容第一nm卡4时，卡连接器11的第九弹片11i和第十弹片11j也可以为第二nm卡5的独有弹片，第九弹片11i和第十弹片11j均连接高速数据接口，无论电子设备100中插入的信息卡是第二nm卡5还是nano sim卡3，处理器20均无需切换与第九弹片11i和第十弹片11j电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
[0243]
示例性的，第二nm卡5的第四金手指524和第十金手指5210均可以电连接耐高压电路或保护开关，用于避免第二nm卡5的卡接口52短路时烧坏电路。其中，耐高压电路或保护开关均位于第二nm卡5的封装件511内。在其他一些实施例中，也可通过在电子设备内提供高阻抗保护电路，避免烧坏第二nm卡5的电路，例如在电子设备的接口控制器内增加保护电路实现。
[0244]
在本技术实施例中所述的分时复用某一弹片，可以包含当插入不同的信息卡时，提供不同的信号，例如某个弹片，当插入的为第一nm卡4时提供第一nm卡4的金手指所对应的信号，该弹片在放入第二nm卡5时提供的为第二nm卡5的金手指所对应的信号，为分时复用的举例场景。
[0245]
在其他一些实施例中，第五金手指525可以悬空设置，第六金手指526用于传输c/d信号；或者，第五金手指525和第六金手指526均悬空设置。
[0246]
请参阅图25，图25是图1所示电子设备100在一些实施例中的部分电路的示意图。
[0247]
一些实施例中，电子设备100的卡座组件10能够兼容nano sim卡3和第二nm卡5，第二nm卡5的卡接口52的信号排布如图24所示。电子设备100的处理器20包括接口控制器201、sim卡控制器203以及第二存储卡控制器2022，接口控制器201电连接sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022，接口控制器201电连接卡座组件10的卡连接器11的第一弹片11a至第十弹片11j。
[0248]
其中，sim卡控制器203包括数据接口、时钟接口、编程电压/输入接口以及复位接口，数据接口用于传输数据信号(data)，时钟接口用于传输时钟信号(clk)，编程电压/输入接口用于传输编程电压/输入信号(vpp)，复位接口用于传输复位信号(rst)。可选的，其中编程电压/输入接口可以不支持，减低处理器20设计难度。图25中以及后续附图和实施例内容的相关描述中，sim卡控制器203的多个接口以其传输的信号进行标识示意。
[0249]
第二存储卡控制器2022支持ufs协议。第二存储卡控制器2022包括四个数据接口、参考时钟接口、第二电源接口以及检测接口，四个数据接口用于传输数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)，参考时钟接口用于传输参考时钟信号(rclk)，第二电源接口用于传输第二电源信号(vccq)，检测接口用于传输检测信号(c/d)。图25中以及后续附图和实施例内容的相关描述中，第二存储卡控制器2022的多个接口以其传输的信号进行标识示意。在其他一些实施例中，第二电源接口也可以独立在第二存储卡控制器2022之外，本技术实施例对此不作严格限定。
[0250]
其中，处理器20还包括电源接口和地接口，电源接口用于传输电源信号(vcc)或第一电源信号(vcc)，地接口用于传输地信号(gnd)或地信号(vss)。其中，电源接口和地接口可以独立在sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022之外，也可以各自拆分后、集成在sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022中，本技术实施例对此不作严格限定。图25中以及后续附图中，以电源接口和地接口相对sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022独立为例进
行示意，并分别标识为电源和地。
[0251]
示例性的，接口控制器201用于导通sim卡控制器203与卡连接器11，或者导通第二存储卡控制器2022与卡连接器11。接口控制器201可以包括多个开关和导线。
[0252]
一些实施例中，接口控制器201包括第一开关2011、第二开关2012以及第三开关2013。
[0253]
第一开关2011连接第二存储卡控制器2022的一个数据接口(例如rx-)和sim卡控制器203的数据接口(data)，第一开关2011还连接卡连接器11的第三弹片11c，第一开关2011用于导通第三弹片11c与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如rx-)，或者导通第三弹片11c与sim卡控制器203的数据接口(data)。
[0254]
第二开关2012连接第二存储卡控制器2022的参考时钟接口(rclk)和sim卡控制器203的时钟接口(clk)，第二开关2012还连接卡连接器11的第四弹片11d，第二开关2012用于导通第四弹片11d与第二存储卡控制器2022的参考时钟接口(rclk)，或者导通第四弹片11d与sim卡控制器203的时钟接口(clk)。
[0255]
第三开关2013连接第二存储卡控制器2022的检测接口(c/d)和sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)，第三开关2013还连接卡连接器11的第五弹片11e，第三开关2013用于导通第五弹片11e与第二存储卡控制器2022的检测接口(c/d)，或者导通第五弹片11e与sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)。
[0256]
第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如rx+)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第一弹片11a。第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vccq)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第二弹片11b。第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx+)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第九弹片11i。第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx-)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第十弹片11j。处理器20的电源接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第八弹片11h。处理器20的地接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第七弹片11g。sim卡控制器203的复位接口(rst)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第六弹片11f。
[0257]
其中，在第二存储卡控制器2022的数据接口(例如rx+)与第一弹片11a之间、第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vccq)与第二弹片11b之间、第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx+)与第九弹片11i之间、第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx-)与第十弹片11j之间、处理器20的电源接口与第八弹片11h之间以及地接口与第七弹片11g之间，接口控制器201可以通过设置导线连接，以保持导通状态，接口控制器201也可以串接开关，通过开关实现导通状态与切断状态的切换，本技术实施例对此不作严格限定。
[0258]
在本实施例中，当nano sim卡3插入电子设备100的卡座组件10，nano sim卡3电连接卡连接器11时，接口控制器201导通sim卡控制器203与卡连接器11，sim卡控制器203经卡连接器11的第三弹片11c至第六弹片11f，与nano sim卡3之间进行数据信号(data)、时钟信号(clk)、传输编程电压/输入信号(vpp)以及复位信号(rst)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与nano sim卡3之间进行电源信号(vcc)和地信号(gnd)的传输，nano sim卡3与电子设备100实现通信。
[0259]
当第二nm卡5插入电子设备100的卡座组件10，第二nm卡5电连接卡连接器11时，接口控制器201导通第二存储卡控制器2022与卡连接器11，第二存储卡控制器2022经卡连接
器11的第一弹片11a至第五弹片11e、第九弹片11i以及第十弹片11j，与第二nm卡5之间进行数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)、参考时钟信号(rclk)、第二电源信号(vccq)以及检测信号(c/d)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与第二nm卡5之间进行第一电源信号(vcc)和地信号(vss)的传输，第二nm卡5与电子设备100实现通信。因此，电子设备100能够兼容nano sim卡3和第二nm卡5。
[0260]
在另一些实施例中，编程电压/输入信号(vpp)可不支持，以降低处理器20设计难度。此时，sim卡控制器203可以不包括编程电压/输入接口(vpp)，接口控制器201可以不包括第三开关2013，第二存储卡控制器2022的检测接口(c/d)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第五弹片11e，其他方案内容参阅以上实施例，此处不再赘述。
[0261]
可以理解的是，当第二nm卡5的第五金手指525悬空设置、第六金手指526用于传输检测信号(c/d)时，接口控制器201做适应性调整，例如，接口控制器201包括第四开关2014，可以省去第三开关2013，第二存储卡控制器2022的检测接口(c/d)连接至第四开关2014，接口控制器201还用于在第二nm卡5插入电子设备100时，导通第二存储卡控制器2022的检测接口(c/d)与第六弹片11f。当第二nm卡5的第五金手指525和第六金手指526均悬空设置时，第二存储卡控制器2022无需设置检测接口，接口控制器201做适应性调整，例如也可以不设置第四开关2014。
[0262]
请参阅图26，图26是图1所示电子设备100在另一些实施例中的部分电路的示意图。
[0263]
一些实施例中，电子设备100的卡座组件10能够兼容nano sim卡3、第一nm卡4以及第二nm卡5，第二nm卡5的卡接口52信号排布如图24所示。电子设备100的处理器20包括接口控制器201、sim卡控制器203、第一存储卡控制器2021以及第二存储卡控制器2022，sim卡控制器203、第一存储卡控制器2021以及第二存储卡控制器2022电连接接口控制器201，接口控制器201电连接卡座组件10的卡连接器11的第一弹片11a至第十弹片11j。
[0264]
其中，sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022可以参阅图25对应实施例的相关描述，此处不再赘述。第一存储卡控制器2021包括四个数据接口、时钟接口以及命令和响应复用接口。四个数据接口用于传输数据信号(data0、data1、data2、data3)，时钟接口用于传输时钟信号(clk)，命令和响应复用接口用于传输命令和响应信号(cmd)。图26中以及后续附图和实施例内容的相关描述中，第一存储卡控制器2021的多个接口以其传输的信号进行标识示意。其中，当电源接口和地接口拆分后，也可以集成在第一存储卡控制器2021中。
[0265]
示例性的，接口控制器201用于导通sim卡控制器203与卡连接器11，或者导通第一存储卡控制器2021与卡连接器11，或者导通第二存储卡控制器2022与卡连接器11。接口控制器201可以包括多个开关和导线。
[0266]
一些实施例中，接口控制器201包括第一开关2011、第二开关2012、第三开关2013、第四开关2014、第五开关2015以及第六开关2016。
[0267]
第一开关2011连接第二存储卡控制器2022的一个数据接口(例如rx-)、第一存储卡控制器2021的一个数据接口(例如data1)以及sim卡控制器203的数据接口(data)，第一开关2011还连接卡连接器11的第三弹片11c，第一开关2011用于导通第三弹片11c与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如rx-)，或者导通第三弹片11c与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data1)，或者导通第三弹片11c与sim卡控制器203的数据接口(data)。
[0268]
第二开关2012连接第二存储卡控制器2022的参考时钟接口(rclk)、第一存储卡控制器2021的时钟接口(clk)以及sim卡控制器203的时钟接口(clk)，第二开关2012还连接卡连接器11的第四弹片11d，第二开关2012用于导通第四弹片11d与第二存储卡控制器2022的参考时钟接口(rclk)，或者导通第三弹片11c与第一存储卡控制器2021的时钟接口(clk)，或者导通第四弹片11d与sim卡控制器203的时钟接口(clk)。
[0269]
第三开关2013连接第二存储卡控制器2022的检测接口(c/d)、第一存储卡控制器2021的命令和响应复用接口(cmd)以及sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)，第三开关2013还连接卡连接器11的第五弹片11e，第三开关2013用于导通第五弹片11e与第二存储卡控制器2022的检测接口(c/d)，或者导通第五弹片11e与第一存储卡控制器2021的命令和响应复用接口(cmd)，或者导通第五弹片11e与sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)。可选的，检测接口(c/d)或编程电压/输入接口(vpp)可以支持，也可以不支持，以便降低处理器20设计难度。
[0270]
第四开关2014连接第一存储卡控制器2021的另一个数据接口(例如data0)和sim卡控制器203的复位接口(rst)，第四开关2014还连接卡连接器11的第六弹片11f，第四开关2014用于导通第六弹片11f与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data0)，或者导通第六弹片11f与sim卡控制器203的复位接口(rst)。
[0271]
第五开关2015连接第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx+)和第一存储卡控制器2021的另一个数据接口(例如data3)，第五开关2015还连接卡连接器11的第九弹片11i，第五开关2015用于导通第九弹片11i与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx+)，或者导通第九弹片11i与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data3)。
[0272]
第六开关2016连接第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx-)和第一存储卡控制器2021的另一个数据接口(例如data2)，第六开关2016还连接卡连接器11的第十弹片11j，第六开关2016用于导通第十弹片11j与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx-)，或者导通第十弹片11j与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data2)。
[0273]
第二存储卡控制器2022的另一数据接口(例如rx+)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第一弹片11a。第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vccq)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第二弹片11b。处理器20的电源接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第八弹片11h。处理器20的地接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第七弹片11g。其中，在第二存储卡控制器2022的数据接口(例如rx+)与第一弹片11a之间、第二电源接口(vccq)与第二弹片11b之间、处理器20的电源接口与第八弹片11h之间以及地接口与第七弹片11g之间，接口控制器201可以通过设置导线连接，以保持导通状态，接口控制器201也可以串接开关，通过开关实现导通状态与切断状态的切换，本技术实施例对此不作严格限定。
[0274]
在本实施例中，当nano sim卡3插入电子设备100的卡座组件10，nano sim卡3电连接卡连接器11时，接口控制器201导通sim卡控制器203与卡连接器11，sim卡控制器203经卡连接器11的第三弹片11c至第六弹片11f，与nano sim卡3之间进行数据信号(data)、时钟信号(clk)、传输编程电压/输入信号(vpp)以及复位信号(rst)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与nano sim卡3之间进行电源信号(vcc)和地信号(gnd)的传输，nano sim卡3与电子设备100实现通信。
[0275]
当第一nm卡4插入电子设备100的卡座组件10，第一nm卡4电连接卡连接器11时，接口控制器201导通第一存储卡控制器2021与卡连接器11，第一存储卡控制器2021经卡连接器11的第三弹片11c至第六弹片11f、第九弹片11i以及第十弹片11j，与第一nm卡4之间进行数据信号(data0、data1、data2、data3)、时钟信号(clk)以及命令和响应信号(cmd)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与第一nm卡4之间进行电源信号(vcc)和地信号(gnd)的传输，第一nm卡4与电子设备100实现通信。
[0276]
当第二nm卡5插入电子设备100的卡座组件10，第二nm卡5电连接卡连接器11时，接口控制器201导通第二存储卡控制器2022与卡连接器11，第二存储卡控制器2022经卡连接器11的第一弹片11a至第五弹片11e、第九弹片11i以及第十弹片11j，与第二nm卡5之间进行数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)、参考时钟信号(rclk)、第二电源信号(vccq)以及检测信号(c/d)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与第二nm卡5之间进行第一电源信号(vcc)和地信号(vss)的传输，第二nm卡5与电子设备100实现通信。因此，电子设备100能够兼容nano sim卡3、第一nm卡4以及第二nm卡5。
[0277]
在另一些实施例中，编程电压/输入信号(vpp)可不支持，以降低处理器20设计难度。此时，sim卡控制器203可以不包括编程电压/输入接口(vpp)，第三开关2013连接第二存储卡控制器2022的检测接口(c/d)和第一存储卡控制器2021的命令和响应复用接口(cmd)，第三开关2013还连接卡连接器11的第五弹片11e，其他方案内容参阅以上实施例，此处不再赘述。
[0278]
可以理解的是，当第二nm卡5的第五金手指525悬空设置、第六金手指526用于传输检测信号(c/d)时，接口控制器201做适应性调整，例如，第二存储卡控制器2022的检测接口(c/d)连接至第四开关2014，接口控制器201还用于在第二nm卡5插入电子设备100时，导通第二存储卡控制器2022的检测接口(c/d)与第六弹片11f。当第二nm卡5的第五金手指525和第六金手指526均悬空设置时，第二存储卡控制器2022无需设置检测接口，接口控制器201做适应性调整。
[0279]
以下对采用的ufs接口协议的第二nm卡5的第二种信号排布方式进行举例说明。
[0280]
请参阅图27，图27是图17所示第二nm卡5在另一些实施例中的示意图。
[0281]
示例性的，第二nm卡5的第一金手指521、第五金手指525、第九金手指529及第十金手指5210用于传输数据信号。以下实施例以第一金手指521用于传输数据信号(rx+)、第五金手指525用于传输数据信号(rx-)、第九金手指529用于传输数据信号(tx+)、第十金手指5210用于传输数据信号(tx-)，为例进行说明。在其他一些实施例中，第一金手指521、第五金手指525、第九金手指529及第十金手指5210传输的数据信号能够互相调换。例如，第一金手指521与第五金手指525传输的数据信号互相调换，第九金手指529与第十金手指5210传输的数据信号互相调换，其他实施例此处不再赘述。
[0282]
其中，第二金手指522用于传输第二电源信号(vccq)；第四金手指524用于传输参考时钟信号(rclk)；第七金手指527用于传输地信号(vss)；第八金手指528用于传输第一电源信号(vcc)。其中，第三金手指523和第六金手指526悬空设置。
[0283]
如下表4所示，表4为卡连接器11的多个弹片与nano sim卡3、第一nm卡4以及第二nm卡5的多个金手指及其传输信号的对应关系表二。第二nm卡5与卡连接器11连接时，卡连接器11的第一弹片11a至第十弹片11j一一对应地抵持且电连接第二nm卡5的第一金手指
521至第十金手指5210，第二nm卡5的第三金手指523至第八金手指528一一对应地与nano sim卡3的第一金手指321至第六金手指326位置对应。一些实施例中，第二nm卡5的第三金手指523至第十金手指5210一一对应地与第一nm卡4的第一金手指421至第八金手指428位置对应。
[0284]
表4
[0285][0286]
在本实施例中，第二nm卡5将ufs协议所需的第二电源信号(vccq)排布于第二金手指522，由于第二nm卡5的第二金手指522与nano sim卡3和第一nm卡4的所有金手指均无位置对应关系，第二nm卡5的第二金手指522无需与nano sim卡3和第一nm卡4复用卡连接器11的同一个弹片，避免第二电源信号(vccq)与nano sim卡3和第一nm卡4的数据信号共用同一个弹片，以降低nano sim卡3和第一nm卡4插入电子设备100、连接卡连接器11时，被第二电源信号(vccq)烧坏的风险，电子设备100兼容nano sim卡3和第一nm卡4以及第二nm卡5的可靠性较高。此外，第一nm卡4和nano sim卡3也无需部署用于避免电路被第二电源信号(vccq)烧坏的耐高压设计，能够降低成本。
[0287]
第二nm卡5将其中一个高速的数据信号(例如rx+)排布于第一金手指521，由于第二nm卡5的第一金手指521与nano sim卡3和第一nm卡4的所有金手指均无位置对应关系，因此第一弹片11a连接电子设备100的处理器20的高速数据接口、无需连接低速数据接口，无论电子设备100中插入的信息卡是第二nm卡5、nano sim卡3还是第一nm卡4，处理器20均无需切换与第一弹片11a电连接的接口，从而可以降低高速数据接口和低速数据接口切换的
难度，简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
[0288]
此外，由于第二nm卡5的第七金手指527与nano sim卡3的第五金手指325位置对应、与第一nm卡4的第五金手指425的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第七弹片11g抵持并电连接，第二nm卡5的第七金手指527、nano sim卡3的第五金手指325以及第一nm卡4的第五金手指425均用于传输地信号(分别为vss/gnd/gnd)，因此电子设备100的处理器20可以通过同一个地接口电连接卡连接器11的第七弹片11g，无论电子设备100中插入的信息卡是第二nm卡5、nano sim卡3还是第一nm卡4，处理器20均无需切换与第七弹片11g电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
[0289]
第二nm卡5的第八金手指528与nano sim卡3的第六金手指326位置对应、与第一nm卡4的第六金手指426的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第八弹片11h抵持并电连接，第二nm卡5的第八金手指528、nano sim卡3的第六金手指326以及第一nm卡4的第六金手指426均用于传输电源信号(分别为vcc/vcc/vcc)，因此电子设备100的处理器20可以通过同一个电源接口电连接卡连接器11的第八弹片11h，无论电子设备100中插入的信息卡是第二nm卡5、nano sim卡3还是第一nm卡4，处理器20均无需切换与第八弹片11h电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
[0290]
第二nm卡5的第四金手指524与nano sim卡3的第二金手指322位置对应、与第一nm卡4的第二金手指422的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第四弹片11d抵持并电连接，第二nm卡5的第四金手指524用于传输参考时钟信号(rclk)，nano sim卡3的第二金手指322用于传输时钟信号(clk)，第一nm卡4的第二金手指422用于传输时钟信号(clk)，第二nm卡5、nano sim卡3及第一nm卡4可以分时复用第四弹片11d。处理器20均可通过第四弹片11d提供不同频率的时钟信号，无需切换数据接口信号，从而简化处理器20的电路，降低设计复杂度和成本。在一些场景下，当第一nm卡4、第二nm卡5、nano sim卡3如能有相同频率的时钟信号时，处理器20则可为三种卡提供相同的时钟信号，不再需要切换，更为简化处理器20设计难度，例如，统一为20mhz的时钟频率。
[0291]
第二nm卡5的第五金手指525与nano sim卡3的第三金手指323位置对应、与第一nm卡4的第三金手指423的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第五弹片11e抵持并电连接，第二nm卡5的第五金手指525用于传输数据信号(例如rx-)，nano sim卡3的第三金手指323用于传输编程电压/输入信号(vpp)，第一nm卡4的第三金手指423用于传输命令和响应信号(cmd)，第二nm卡5、nano sim卡3及第一nm卡4可以分时复用第五弹片11e。其中，第二nm卡5的第五金手指525的高速数据信号与第一nm卡4的第三金手指423的命令和响应信号(cmd)复用同一个弹片，不与第一nm卡4的低速数据信号复用同一个弹片，相比较于高速数据信号和低速数据信号复用同一个弹片并进行接口切换的方案，本方案设计难度较小。可选的，编程电压/输入信号(vpp)可以不支持，以降低处理器20设计难度。
[0292]
第二nm卡5的第九金手指529与第一nm卡4的第七金手指427位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第九弹片11i抵持并电连接，第二nm卡5的第九金手指529用于传输数据信号(例如tx+)，第一nm卡4的第七金手指427用于传输数据信号(例如data3)，第二nm卡5和第一nm卡4可以分时复用第九弹片11i。
[0293]
第二nm卡5的第十金手指5210与第一nm卡4的第八金手指428位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第十弹片11j抵持并电连接，第二nm卡5的第十金手指5210用
于传输数据信号(例如tx-)，第一nm卡4的第八金手指428用于传输数据信号(例如data2)，第二nm卡5和第一nm卡4可以分时复用第十弹片11j。
[0294]
当电子设备100兼容nano sim卡3和第二nm卡5、不兼容第一nm卡4时，卡连接器11的第九弹片11i和第十弹片11j也可以为第二nm卡5的独有弹片，第九弹片11i和第十弹片11j均连接高速数据接口，无论电子设备100中插入的信息卡是第二nm卡5还是nano sim卡3，处理器20均无需切换与第九弹片11i和第十弹片11j电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
[0295]
示例性的，第二nm卡5的第四金手指524和第十金手指5210均可以电连接耐高压电路或保护开关，用于避免第二nm卡5的卡接口52短路时烧坏电路。其中，耐高压电路或保护开关均位于第二nm卡5的封装件511内。在其他一些实施例中，也可通过在电子设备内提供高阻抗保护电路，避免烧坏第二nm卡5的电路，例如在电子设备的接口控制器内增加保护电路实现。
[0296]
在其他一些实施例中，第三金手指523和第六金手指526中的一者可以用于传输检测信号(c/d)，另一者可以悬空设置或者用于传输其他信号；或者，第三金手指523和第六金手指526均用于传输检测信号(c/d)。第二nm卡5通过至少一个金手指传输检测信号(c/d)，能够降低电子设备100识别第二nm卡5的难度。其中，当第三金手指523或第六金手指526用于传输检测信号(c/d)时，第二nm卡5、nano sim卡3及第一nm卡4对应地可以分时复用第三弹片11c或第六弹片11f。
[0297]
请参阅图28，图28是图1所示电子设备100在另一些实施例中的部分电路的示意图。
[0298]
一些实施例中，电子设备100的卡座组件10能够兼容nano sim卡3和第二nm卡5，第二nm卡5的卡接口52信号排布如图27所示。电子设备100的处理器20包括接口控制器201、sim卡控制器203以及第二存储卡控制器2022，sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022电连接接口控制器201，接口控制器201电连接卡座组件10的卡连接器11的第一弹片11a至第十弹片11j。
[0299]
其中，sim卡控制器203包括数据接口、时钟接口、编程电压/输入接口以及复位接口，数据接口用于传输数据信号(data)，时钟接口用于传输时钟信号(clk)，编程电压/输入接口用于传输编程电压/输入信号(vpp)，复位接口用于传输复位信号(rst)。图28中以及后续附图和实施例内容的相关描述中，sim卡控制器203的多个接口以其传输的信号进行标识示意。
[0300]
第二存储卡控制器2022包括四个数据接口、参考时钟接口以及第二电源接口，四个数据接口用于传输数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)，参考时钟接口用于传输参考时钟信号(rclk)，第二电源接口用于传输第二电源信号(vccq)。图28中以及后续附图和实施例内容的相关描述中，第二存储卡控制器2022的多个接口以其传输的信号进行标识示意。在其他一些实施例中，第二电源接口也可以独立在第二存储卡控制器2022之外，本技术实施例对此不作严格限定。
[0301]
其中，处理器20还包括电源接口和地接口，电源接口用于传输电源信号(vcc)或第一电源信号(vcc)，地接口用于传输地信号(gnd)或地信号(vss)。其中，电源接口和地接口可以独立在sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022之外，也可以各自拆分后、集成在sim
卡控制器203和第二存储卡控制器2022中，本技术实施例对此不作严格限定。图28中以及后续附图中，以电源接口和地接口相对sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022独立为例进行示意，并分别标识为电源和地。
[0302]
示例性的，接口控制器201用于导通sim卡控制器203与卡连接器11，或者导通第二存储卡控制器2022与卡连接器11。接口控制器201可以包括多个开关和导线。
[0303]
一些实施例中，接口控制器201包括第一开关2011和第二开关2012。
[0304]
第一开关2011连接第二存储卡控制器2022的参考时钟接口(rclk)和sim卡控制器203的时钟接口(clk)，第一开关2011还连接卡连接器11的第四弹片11d，第一开关2011用于导通第四弹片11d与第二存储卡控制器2022的参考时钟接口(rclk)，或者导通第四弹片11d与sim卡控制器203的时钟接口(clk)。
[0305]
第二开关2012连接第二存储卡控制器2022的一个数据接口(例如rx-)和sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)，第二开关2012还连接卡连接器11的第五弹片11e，第二开关2012用于导通第五弹片11e与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如rx-)，或者导通第五弹片11e与sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)。可选的，编程电压/输入接口(vpp)可以支持，也可以不支持，以降低处理器20设计难度。
[0306]
第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如rx+)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第一弹片11a。第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vccq)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第二弹片11b。第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx+)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第九弹片11i。第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx-)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第十弹片11j。sim卡控制器203的数据接口(data)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第三弹片11c。处理器20的电源接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第八弹片11h。处理器20的地接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第七弹片11g。sim卡控制器203的复位接口(rst)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第六弹片11f。
[0307]
其中，在第二存储卡控制器2022的数据接口(例如rx+)与第一弹片11a之间、第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vccq)与第二弹片11b之间、第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx+)与第九弹片11i之间、第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx-)与第十弹片11j之间、sim卡控制器203的数据接口(data)与第三弹片11c之间、处理器20的电源接口与第八弹片11h之间以及地接口与第七弹片11g之间，接口控制器201可以通过设置导线连接，以保持导通状态，接口控制器201也可以串接开关，通过开关实现导通状态与切断状态的切换，本技术实施例对此不作严格限定。
[0308]
在本实施例中，当nano sim卡3插入电子设备100的卡座组件10，nano sim卡3电连接卡连接器11时，接口控制器201导通sim卡控制器203与卡连接器11，sim卡控制器203经卡连接器11的第三弹片11c至第六弹片11f，与nano sim卡3之间进行数据信号(data)、时钟信号(clk)、传输编程电压/输入信号(vpp)以及复位信号(rst)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与nano sim卡3之间进行电源信号(vcc)和地信号(gnd)的传输，nano sim卡3与电子设备100实现通信。
[0309]
当第二nm卡5插入电子设备100的卡座组件10，第二nm卡5电连接卡连接器11时，接口控制器201导通第二存储卡控制器2022与卡连接器11，第二存储卡控制器2022经卡连接
器11的第一弹片11a、第二弹片11b、第四弹片11d、第五弹片11e、第九弹片11i以及第十弹片11j，与第二nm卡5之间进行数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)、参考时钟信号(rclk)以及第二电源信号(vccq)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与第二nm卡5之间进行第一电源信号(vcc)和地信号(vss)的传输，第二nm卡5与电子设备100实现通信。因此，电子设备100能够兼容nano sim卡3和第二nm卡5。
[0310]
在另一些实施例中，编程电压/输入信号(vpp)可不支持，以降低处理器20设计难度。此时，sim卡控制器203可以不包括编程电压/输入接口(vpp)，接口控制器201可以不包括第二开关2012，第二存储卡控制器2022的一个数据接口(例如rx-)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第五弹片11e，其他方案内容参阅以上实施例，此处不再赘述。
[0311]
请参阅图29，图29是图1所示电子设备100在另一些实施例中的部分电路的示意图。
[0312]
一些实施例中，电子设备100的卡座组件10能够兼容nano sim卡3、第一nm卡4以及第二nm卡5，第二nm卡5的卡接口52信号排布如图27所示。电子设备100的处理器20包括接口控制器201、sim卡控制器203、第一存储卡控制器2021以及第二存储卡控制器2022，sim卡控制器203、第一存储卡控制器2021以及第二存储卡控制器2022电连接接口控制器201，接口控制器201电连接卡座组件10的卡连接器11的第一弹片11a至第十弹片11j。
[0313]
其中，sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022可以参阅图28对应实施例的相关描述，此处不再赘述。第一存储卡控制器2021包括四个数据接口、时钟接口以及命令和响应复用接口。四个数据接口用于传输数据信号(data0、data1、data2、data3)，时钟接口用于传输时钟信号(clk)，命令和响应复用接口用于传输命令和响应信号(cmd)。图29中以及后续附图和实施例内容的相关描述中，第一存储卡控制器2021的多个接口以其传输的信号进行标识示意。其中，当电源接口和地接口拆分后，也可以集成在第一存储卡控制器2021中。
[0314]
示例性的，接口控制器201用于导通sim卡控制器203与卡连接器11，或者导通第一存储卡控制器2021与卡连接器11，或者导通第二存储卡控制器2022与卡连接器11。接口控制器201可以包括多个开关和导线。
[0315]
一些实施例中，接口控制器201包括第一开关2011、第二开关2012、第三开关2013、第四开关2014、第五开关2015以及第六开关2016。
[0316]
第一开关2011连接第二存储卡控制器2022的参考时钟接口(rclk)、第一存储卡控制器2021的时钟接口(clk)以及sim卡控制器203的时钟接口(clk)，第一开关2011还连接卡连接器11的第四弹片11d，第一开关2011用于导通第四弹片11d与第二存储卡控制器2022的参考时钟接口(rclk)，或者导通第三弹片11c与第一存储卡控制器2021的时钟接口(clk)，或者导通第四弹片11d与sim卡控制器203的时钟接口(clk)。
[0317]
第二开关2012连接第二存储卡控制器2022的一个数据接口(例如rx-)、第一存储卡控制器2021的命令和响应复用接口(cmd)以及sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)，第二开关2012还连接卡连接器11的第五弹片11e，第二开关2012用于导通第五弹片11e与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如rx-)，或者导通第五弹片11e与第一存储卡控制器2021的命令和响应复用接口(cmd)，或者导通第五弹片11e与sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)。
[0318]
第三开关2013连接第一存储卡控制器2021的一个数据接口(例如data1)以及sim
卡控制器203的数据接口(data)，第三开关2013还连接卡连接器11的第三弹片11c，第三开关2013用于导通第三弹片11c与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data1)，或者导通第三弹片11c与sim卡控制器203的数据接口(data)。
[0319]
第四开关2014连接第一存储卡控制器2021的另一个数据接口(例如data0)和sim卡控制器203的复位接口(rst)，第四开关2014还连接卡连接器11的第六弹片11f，第四开关2014用于导通第六弹片11f与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data0)，或者导通第六弹片11f与sim卡控制器203的复位接口(rst)。
[0320]
第五开关2015连接第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx+)和第一存储卡控制器2021的另一个数据接口(例如data3)，第五开关2015还连接卡连接器11的第九弹片11i，第五开关2015用于导通第九弹片11i与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx+)，或者导通第九弹片11i与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data3)。
[0321]
第六开关2016连接第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx-)和第一存储卡控制器2021的另一个数据接口(例如data2)，第六开关2016还连接卡连接器11的第十弹片11j，第六开关2016用于导通第十弹片11j与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx-)，或者导通第十弹片11j与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data2)。
[0322]
第二存储卡控制器2022的另一数据接口(例如rx+)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第一弹片11a。第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vccq)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第二弹片11b。处理器20的电源接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第八弹片11h。处理器20的地接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第七弹片11g。其中，在第二存储卡控制器2022的数据接口(例如rx+)与第一弹片11a之间、第二电源接口(vccq)与第二弹片11b之间、处理器20的电源接口与第八弹片11h之间以及地接口与第七弹片11g之间，接口控制器201可以通过设置导线连接，以保持导通状态，接口控制器201也可以串接开关，通过开关实现导通状态与切断状态的切换，本技术实施例对此不作严格限定。
[0323]
在本实施例中，当nano sim卡3插入电子设备100的卡座组件10，nano sim卡3电连接卡连接器11时，接口控制器201导通sim卡控制器203与卡连接器11，sim卡控制器203经卡连接器11的第三弹片11c至第六弹片11f，与nano sim卡3之间进行数据信号(data)、时钟信号(clk)、传输编程电压/输入信号(vpp)以及复位信号(rst)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与nano sim卡3之间进行电源信号(vcc)和地信号(gnd)的传输，nano sim卡3与电子设备100实现通信。
[0324]
当第一nm卡4插入电子设备100的卡座组件10，第一nm卡4电连接卡连接器11时，接口控制器201导通第一存储卡控制器2021与卡连接器11，第一存储卡控制器2021经卡连接器11的第三弹片11c至第六弹片11f、第九弹片11i以及第十弹片11j，与第一nm卡4之间进行数据信号(data0、data1、data2、data3)、时钟信号(clk)以及命令和响应信号(cmd)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与第一nm卡4之间进行电源信号(vcc)和地信号(gnd)的传输，第一nm卡4与电子设备100实现通信。
[0325]
当第二nm卡5插入电子设备100的卡座组件10，第二nm卡5电连接卡连接器11时，接口控制器201导通第二存储卡控制器2022与卡连接器11，第二存储卡控制器2022经卡连接器11的第一弹片11a、第二弹片11b、第四弹片11d、第五弹片11e、第九弹片11i以及第十弹片
11j，与第二nm卡5之间进行数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)、参考时钟信号(rclk)以及第二电源信号(vccq)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与第二nm卡5之间进行第一电源信号(vcc)和地信号(vss)的传输，第二nm卡5与电子设备100实现通信。因此，电子设备100能够兼容nano sim卡3、第一nm卡4以及第二nm卡5。
[0326]
在另一些实施例中，编程电压/输入信号(vpp)可不支持，以降低处理器20设计难度。此时，sim卡控制器203可以不包括编程电压/输入接口(vpp)，第二开关2012连接第二存储卡控制器2022的一个数据接口(例如rx-)和第一存储卡控制器2021的命令和响应复用接口(cmd)，第二开关2012还连接卡连接器11的第五弹片11e，其他方案内容参阅以上实施例，此处不再赘述。
[0327]
可以理解的是，当第二nm卡5的第三金手指523或第六金手指526用于传输检测信号(c/d)时，在兼容该第二nm卡5电子设备100中，第二存储卡控制器2022还包括检测接口，检测接口用于传输检测信号(c/d)，接口控制器201还用于在第二nm卡5插入电子设备100时，导通检测接口与对应的第三弹片11c或第六弹片11f。其中，接口控制器201通过开关连接第三弹片11c或第六弹片11f，该开关还连接第二存储卡控制器2022的检测接口。
[0328]
以下对采用的ufs接口协议的第二nm卡5的第三种信号排布方式进行举例说明。
[0329]
请参阅图30，图30是图17所示第二nm卡5在另一些实施例中的示意图。
[0330]
示例性的，第二nm卡5的第一金手指521、第五金手指525、第九金手指529及第十金手指5210用于传输数据信号。以下实施例以第一金手指521用于传输数据信号(rx+)、第五金手指525用于传输数据信号(rx-)、第九金手指529用于传输数据信号(tx+)、第十金手指5210用于传输数据信号(tx-)，为例进行说明。在其他一些实施例中，第一金手指521、第五金手指525、第九金手指529及第十金手指5210传输的数据信号能够互相调换。例如，第一金手指521与第五金手指525传输的数据信号互相调换，第九金手指529与第十金手指5210传输的数据信号互相调换，其他实施例此处不再赘述。
[0331]
其中，第二金手指522用于传输第二电源信号(vccq)；第六金手指526用于传输参考时钟信号(rclk)；第七金手指527用于传输地信号(vss)；第八金手指528用于传输第一电源信号(vcc)。其中，第三金手指523和第四金手指524悬空设置。
[0332]
如下表5所示，表5为卡连接器11的多个弹片与nano sim卡3、第一nm卡4以及第二nm卡5的多个金手指及其传输信号的对应关系表三。第二nm卡5与卡连接器11连接时，卡连接器11的第一弹片11a至第十弹片11j一一对应地抵持且电连接第二nm卡5的第一金手指521至第十金手指5210，第二nm卡5的第三金手指523至第八金手指528一一对应地与nano sim卡3的第一金手指321至第六金手指326位置对应。一些实施例中，第二nm卡5的第三金手指523至第十金手指5210一一对应地与第一nm卡4的第一金手指421至第八金手指428位置对应。
[0333]
表5
[0334][0335][0336]
在本实施例中，第二nm卡5将ufs协议所需的第二电源信号(vccq)排布于第二金手指522，由于第二nm卡5的第二金手指522与nano sim卡3和第一nm卡4的所有金手指均无位置对应关系，第二nm卡5的第二金手指522无需与nano sim卡3和第一nm卡4复用卡连接器11的同一个弹片，避免第二电源信号(vccq)与nano sim卡3和第一nm卡4的数据信号共用同一个弹片，以降低nano sim卡3和第一nm卡4插入电子设备100、连接卡连接器11时，被第二电源信号(vccq)烧坏的风险，电子设备100兼容nano sim卡3和第一nm卡4以及第二nm卡5的可靠性较高。此外，第一nm卡4和nano sim卡3也无需部署用于避免电路被第二电源信号(vccq)烧坏的耐高压设计，能够降低成本。
[0337]
第二nm卡5将其中一个高速的数据信号(例如rx+)排布于第一金手指521，由于第二nm卡5的第一金手指521与nano sim卡3和第一nm卡4的所有金手指均无位置对应关系，因此第一弹片11a连接电子设备100的处理器20的高速数据接口、无需连接低速数据接口，无论电子设备100中插入的信息卡是第二nm卡5、nano sim卡3还是第一nm卡4，处理器20均无需切换与第一弹片11a电连接的接口，从而可以降低高速数据接口和低速数据接口切换的难度，简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
[0338]
此外，由于第二nm卡5的第七金手指527与nano sim卡3的第五金手指325位置对应、与第一nm卡4的第五金手指425的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第七弹片11g抵持并电连接，第二nm卡5的第七金手指527、nano sim卡3的第五金手指325以及第
一nm卡4的第五金手指425均用于传输地信号(分别为vss/gnd/gnd)，因此电子设备100的处理器20可以通过同一个地接口电连接卡连接器11的第七弹片11g，无论电子设备100中插入的信息卡是第二nm卡5、nano sim卡3还是第一nm卡4，处理器20均无需切换与第七弹片11g电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
[0339]
第二nm卡5的第八金手指528与nano sim卡3的第六金手指326位置对应、与第一nm卡4的第六金手指426的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第八弹片11h抵持并电连接，第二nm卡5的第八金手指528、nano sim卡3的第六金手指326以及第一nm卡4的第六金手指426均用于传输电源信号(分别为vcc/vcc/vcc)，因此电子设备100的处理器20可以通过同一个电源接口电连接卡连接器11的第八弹片11h，无论电子设备100中插入的信息卡是第二nm卡5、nano sim卡3还是第一nm卡4，处理器20均无需切换与第八弹片11h电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
[0340]
第二nm卡5的第五金手指525与nano sim卡3的第三金手指323位置对应、与第一nm卡4的第三金手指423的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第五弹片11e抵持并电连接，第二nm卡5的第五金手指525用于传输数据信号(例如rx-)，nano sim卡3的第三金手指323用于传输编程电压/输入信号(vpp)，第一nm卡4的第一金手指421用于传输命令和响应信号(cmd)，第二nm卡5、nano sim卡3及第一nm卡4可以分时复用第五弹片11e。
[0341]
第二nm卡5的第六金手指526与nano sim卡3的第四金手指324位置对应、与第一nm卡4的第四金手指424的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第六弹片11f抵持并电连接，第二nm卡5的第六金手指526用于传输参考时钟信号(rclk)，nano sim卡3的第四金手指324用于传输复位信号(rst)，第一nm卡4的第四金手指424用于传输数据信号(例如data0)，第二nm卡5、nano sim卡3及第一nm卡4可以分时复用第六弹片11f。
[0342]
第二nm卡5的第九金手指529与第一nm卡4的第七金手指427位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第九弹片11i抵持并电连接，第二nm卡5的第九金手指529用于传输数据信号(例如tx+)，第一nm卡4的第七金手指427用于传输数据信号(例如data3)，第二nm卡5和第一nm卡4可以分时复用第九弹片11i。
[0343]
第二nm卡5的第十金手指5210与第一nm卡4的第八金手指428位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第十弹片11j抵持并电连接，第二nm卡5的第十金手指5210用于传输数据信号(例如tx-)，第一nm卡4的第八金手指428用于传输数据信号(例如data2)，第二nm卡5和第一nm卡4可以分时复用第十弹片11j。
[0344]
当电子设备100兼容nano sim卡3和第二nm卡5、不兼容第一nm卡4时，卡连接器11的第九弹片11i和第十弹片11j也可以为第二nm卡5的独有弹片，第九弹片11i和第十弹片11j均连接高速数据接口，无论电子设备100中插入的信息卡是第二nm卡5还是nano sim卡3，处理器20均无需切换与第九弹片11i和第十弹片11j电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
[0345]
示例性的，第二nm卡5的第四金手指524和第十金手指5210均可以电连接耐高压电路或保护开关，用于避免第二nm卡5的卡接口52短路时烧坏电路。其中，耐高压电路或保护开关均位于第二nm卡5的封装件511内。其中，当第四金手指524悬空设置时，不形成第二nm卡5的接口时，第四金手指524也可以不电连接耐高压电路或保护开关。在其他一些实施例中，也可通过在电子设备内提供高阻抗保护电路，避免烧坏第二nm卡5的电路，例如在电子
设备的接口控制器内增加保护电路实现。
[0346]
在本实施例中，第二nm卡5的第三金手指523和第四金手指524悬空设置时，简化了电连接器的第三弹片11c和第四弹片11d对应的接口连接电路，使得电子设备100更易兼容nano sim卡3和第二nm卡5。在其他一些实施例中，第三金手指523和第四金手指524中的一者可以用于传输检测信号(c/d)，另一者可以悬空设置或者用于传输其他信号；或者，第三金手指523和第四金手指524均用于传输检测信号(c/d)。第二nm卡5通过至少一个金手指传输检测信号(c/d)，能够降低电子设备100识别第二nm卡5的难度。其中，当第三金手指523或第四金手指524用于传输检测信号(c/d)时，第二nm卡5、nano sim卡3及第一nm卡4对应地可以分时复用第三弹片11c或第四弹片11d。
[0347]
请参阅图31，图31是图1所示电子设备100在另一些实施例中的部分电路的示意图。
[0348]
一些实施例中，电子设备100的卡座组件10能够兼容nano sim卡3和第二nm卡5，第二nm卡5的卡接口52信号排布如图30所示。电子设备100的处理器20包括接口控制器201、sim卡控制器203以及第二存储卡控制器2022，sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022电连接接口控制器201，接口控制器201电连接卡座组件10的卡连接器11的第一弹片11a至第十弹片11j。
[0349]
其中，sim卡控制器203包括数据接口、时钟接口、编程电压/输入接口以及复位接口，数据接口用于传输数据信号(data)，时钟接口用于传输时钟信号(clk)，编程电压/输入接口用于传输编程电压/输入信号(vpp)，复位接口用于传输复位信号(rst)。图31中以及后续附图和实施例内容的相关描述中，sim卡控制器203的多个接口以其传输的信号进行标识示意。
[0350]
第二存储卡控制器2022包括四个数据接口、参考时钟接口以及第二电源接口，四个数据接口用于传输数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)，参考时钟接口用于传输参考时钟信号(rclk)，第二电源接口用于传输第二电源信号(vccq)。图31中以及后续附图和实施例内容的相关描述中，第二存储卡控制器2022的多个接口以其传输的信号进行标识示意。在其他一些实施例中，第二电源接口也可以独立在第二存储卡控制器2022之外，本技术实施例对此不作严格限定。
[0351]
其中，处理器20还包括电源接口和地接口，电源接口用于传输电源信号(vcc)或第一电源信号(vcc)，地接口用于传输地信号(gnd)或地信号(vss)。其中，电源接口和地接口可以独立在sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022之外，也可以各自拆分后、集成在sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022中，本技术实施例对此不作严格限定。图31中以及后续附图中，以电源接口和地接口相对sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022独立为例进行示意，并分别标识为电源和地。
[0352]
示例性的，接口控制器201用于导通sim卡控制器203与卡连接器11，或者导通第二存储卡控制器2022与卡连接器11。接口控制器201可以包括多个开关和导线。
[0353]
一些实施例中，接口控制器201包括第一开关2011和第二开关2012。
[0354]
第一开关2011连接第二存储卡控制器2022的一个数据接口(例如rx-)和sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)，第一开关2011还连接卡连接器11的第五弹片11e，第一开关2011用于导通第五弹片11e与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如rx-)，或者导
通第五弹片11e与sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)。
[0355]
第二开关2012连接第二存储卡控制器2022的参考时钟接口(rclk)和sim卡控制器203的复位接口(rst)，第二开关2012还连接卡连接器11的第六弹片11f，第二开关2012用于导通第六弹片11f与第二存储卡控制器2022的参考时钟接口(rclk)，或者导通第六弹片11f与sim卡控制器203的复位接口(rst)。
[0356]
第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如rx+)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第一弹片11a。第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vccq)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第二弹片11b。第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx+)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第九弹片11i。第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx-)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第十弹片11j。sim卡控制器203的数据接口(data)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第三弹片11c。sim卡控制器203的时钟接口(clk)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第四弹片11d。处理器20的电源接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第八弹片11h。处理器20的地接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第七弹片11g。
[0357]
其中，在第二存储卡控制器2022的数据接口(例如rx+)与第一弹片11a之间、第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vccq)与第二弹片11b之间、第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx+)与第九弹片11i之间、第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx-)与第十弹片11j之间、sim卡控制器203的数据接口(data)与第三弹片11c之间、sim卡控制器203的时钟接口(clk)与第四弹片11d之间、处理器20的电源接口与第八弹片11h之间以及地接口与第七弹片11g之间，接口控制器201可以通过设置导线连接，以保持导通状态，接口控制器201也可以串接开关，通过开关实现导通状态与切断状态的切换，本技术实施例对此不作严格限定。
[0358]
在本实施例中，当nano sim卡3插入电子设备100的卡座组件10，nano sim卡3电连接卡连接器11时，接口控制器201导通sim卡控制器203与卡连接器11，sim卡控制器203经卡连接器11的第三弹片11c至第六弹片11f，与nano sim卡3之间进行数据信号(data)、时钟信号(clk)、传输编程电压/输入信号(vpp)以及复位信号(rst)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与nano sim卡3之间进行电源信号(vcc)和地信号(gnd)的传输，nano sim卡3与电子设备100实现通信。
[0359]
当第二nm卡5插入电子设备100的卡座组件10，第二nm卡5电连接卡连接器11时，接口控制器201导通第二存储卡控制器2022与卡连接器11，第二存储卡控制器2022经卡连接器11的第一弹片11a、第二弹片11b、第五弹片11e、第六弹片11f、第九弹片11i及第十弹片11j，与第二nm卡5之间进行数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)、参考时钟信号(rclk)以及第二电源信号(vccq)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与第二nm卡5之间进行第一电源信号(vcc)和地信号(vss)的传输，第二nm卡5与电子设备100实现通信。因此，电子设备100能够兼容nano sim卡3和第二nm卡5。
[0360]
在另一些实施例中，编程电压/输入信号(vpp)可不支持，以降低处理器20设计难度。此时，sim卡控制器203可以不包括编程电压/输入接口(vpp)，接口控制器201可以不包括第一开关2011，第二存储卡控制器2022的一个数据接口(例如rx-)通过接口控制器201连接卡连接器11的第五弹片11e，其他方案内容参阅以上实施例，此处不再赘述。
[0361]
请参阅图32，图32是图1所示电子设备100在另一些实施例中的部分电路的示意图。
[0362]
一些实施例中，电子设备100的卡座组件10能够兼容nano sim卡3、第一nm卡4以及第二nm卡5，第二nm卡5的卡接口52信号排布如图30所示。电子设备100的处理器20包括接口控制器201、sim卡控制器203、第一存储卡控制器2021以及第二存储卡控制器2022，sim卡控制器203、第一存储卡控制器2021以及第二存储卡控制器2022电连接接口控制器201，接口控制器201电连接卡座组件10的卡连接器11的第一弹片11a至第十弹片11j。
[0363]
其中，sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022可以参阅图31对应实施例的相关描述，此处不再赘述。第一存储卡控制器2021包括四个数据接口、时钟接口以及命令和响应复用接口。四个数据接口用于传输数据信号(data0、data1、data2、data3)，时钟接口用于传输时钟信号(clk)，命令和响应复用接口用于传输命令和响应信号(cmd)。图31中以及后续附图和实施例内容的相关描述中，第一存储卡控制器2021的多个接口以其传输的信号进行标识示意。其中，当电源接口和地接口拆分后，也可以集成在第一存储卡控制器2021中。
[0364]
示例性的，接口控制器201用于导通sim卡控制器203与卡连接器11，或者导通第一存储卡控制器2021与卡连接器11，或者导通第二存储卡控制器2022与卡连接器11。接口控制器201可以包括多个开关和导线。
[0365]
一些实施例中，接口控制器201包括第一开关2011、第二开关2012、第三开关2013、第四开关2014、第五开关2015以及第六开关2016。
[0366]
第一开关2011连接第二存储卡控制器2022的一个数据接口(例如rx-)、第一存储卡控制器2021的命令和响应复用接口(cmd)以及sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)，第一开关2011还连接卡连接器11的第五弹片11e，第一开关2011用于导通第五弹片11e与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如rx-)，或者导通第五弹片11e与第一存储卡控制器2021的命令和响应复用接口(cmd)，或者导通第五弹片11e与sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)。
[0367]
第二开关2012连接第二存储卡控制器2022的参考时钟接口(rclk)、第一存储卡控制器2021的一个数据接口(例如data0)以及sim卡控制器203的复位接口(rst)，第二开关2012还连接卡连接器11的第六弹片11f，第二开关2012用于导通第六弹片11f与第二存储卡控制器2022的参考时钟接口(rclk)，或者导通第六弹片11f与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data0)，或者导通第六弹片11f与sim卡控制器203的复位接口(rst)。
[0368]
第三开关2013连接第一存储卡控制器2021的另一个数据接口(例如data1)以及sim卡控制器203的数据接口(data)，第三开关2013还连接卡连接器11的第三弹片11c，第三开关2013用于导通第三弹片11c与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data1)，或者导通第三弹片11c与sim卡控制器203的数据接口(data)。
[0369]
第四开关2014连接第一存储卡控制器2021的时钟接口(clk)和sim卡控制器203的时钟接口(clk)，第四开关2014还连接卡连接器11的第四弹片11d，第四开关2014用于导通第四弹片11d与第一存储卡控制器2021的时钟接口(clk)，或者导通第四弹片11d与sim卡控制器203的时钟接口(clk)。
[0370]
第五开关2015连接第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx+)和第一存储卡控制器2021的另一个数据接口(例如data3)，第五开关2015还连接卡连接器11的第九
弹片11i，第五开关2015用于导通第九弹片11i与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx+)，或者导通第九弹片11i与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data3)。
[0371]
第六开关2016连接第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx-)和第一存储卡控制器2021的另一个数据接口(例如data2)，第六开关2016还连接卡连接器11的第十弹片11j，第六开关2016用于导通第十弹片11j与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx-)，或者导通第十弹片11j与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data2)。
[0372]
第二存储卡控制器2022的另一数据接口(例如rx+)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第一弹片11a。第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vccq)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第二弹片11b。处理器20的电源接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第八弹片11h。处理器20的地接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第七弹片11g。其中，在第二存储卡控制器2022的数据接口(例如rx+)与第一弹片11a之间、第二电源接口(vccq)与第二弹片11b之间、处理器20的电源接口与第八弹片11h之间以及地接口与第七弹片11g之间，接口控制器201可以通过设置导线连接，以保持导通状态，接口控制器201也可以串接开关，通过开关实现导通状态与切断状态的切换，本技术实施例对此不作严格限定。
[0373]
在本实施例中，当nano sim卡3插入电子设备100的卡座组件10，nano sim卡3电连接卡连接器11时，接口控制器201导通sim卡控制器203与卡连接器11，sim卡控制器203经卡连接器11的第三弹片11c至第六弹片11f，与nano sim卡3之间进行数据信号(data)、时钟信号(clk)、传输编程电压/输入信号(vpp)以及复位信号(rst)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与nano sim卡3之间进行电源信号(vcc)和地信号(gnd)的传输，nano sim卡3与电子设备100实现通信。
[0374]
当第一nm卡4插入电子设备100的卡座组件10，第一nm卡4电连接卡连接器11时，接口控制器201导通第一存储卡控制器2021与卡连接器11，第一存储卡控制器2021经卡连接器11的第三弹片11c至第六弹片11f、第九弹片11i以及第十弹片11j，与第一nm卡4之间进行数据信号(data0、data1、data2、data3)、时钟信号(clk)以及命令和响应信号(cmd)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与第一nm卡4之间进行电源信号(vcc)和地信号(gnd)的传输，第一nm卡4与电子设备100实现通信。
[0375]
当第二nm卡5插入电子设备100的卡座组件10，第二nm卡5电连接卡连接器11时，接口控制器201导通第二存储卡控制器2022与卡连接器11，第二存储卡控制器2022经卡连接器11的第一弹片11a、第二弹片11b、第五弹片11e、第六弹片11f、第九弹片11i及第十弹片11j，与第二nm卡5之间进行数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)、参考时钟信号(rclk)以及第二电源信号(vccq)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与第二nm卡5之间进行第一电源信号(vcc)和地信号(vss)的传输，第二nm卡5与电子设备100实现通信。因此，电子设备100能够兼容nano sim卡3、第一nm卡4以及第二nm卡5。
[0376]
在另一些实施例中，编程电压/输入信号(vpp)可不支持，以降低处理器20设计难度。此时，sim卡控制器203可以不包括编程电压/输入接口(vpp)，第一开关2011连接第二存储卡控制器2022的一个数据接口(例如rx-)和第一存储卡控制器2021的命令和响应复用接口(cmd)，第一开关2011还连接卡连接器11的第五弹片11e，其他方案内容参阅以上实施例，此处不再赘述。
[0377]
可以理解的是，当第二nm卡5的第三金手指523或第四金手指524用于传输检测信号(c/d)时，在兼容该第二nm卡5电子设备100中，第二存储卡控制器2022还包括检测接口，检测接口用于传输检测信号(c/d)，接口控制器201还用于在第二nm卡5插入电子设备100时，导通检测接口与对应的第三弹片11c或第六弹片11f。其中，接口控制器201通过开关连接第三弹片11c或第四弹片11d，该开关还连接第二存储卡控制器2022的检测接口。
[0378]
一些实施例中，第二nm卡采用的pcie接口协议。pcie又称为pci express，是一种分层协议，由事务层、数据链路层和物理层组成。它的主要优势就是数据传输速率高，另外还有抗干扰能力强、传输距离远、功耗低等优点。pci express的传输方式由pci的并行改为串行，通过使用差分信号传输(differential transmission)。这种传输方式将相同内容通过一正一反镜像传输以提高干扰被发现和纠正的效率，并且pci express可以采用全双工，因此pci express的传输效率相较pci大大提升。自2001年起，pci express从1.0版本在20年间更新至5.0版本，且在2021年将会正式更新至6.0版本，无疑pci express是流行的传输总线标准。对于pcie1.0，带宽达到pci的近两倍，而在2021年计划发布的pci express6.0带宽最高可达256gb/s。2018年，sd association正式宣布sd(secure digital)卡兼容pci express通道，pci express兼容于移动存储卡成为现实，对于nm卡来说，pci express具有提供大带宽的优势。
[0379]
示例性的，第二nm卡5包括至少十个金手指，例如包括第一金手指521至第十金手指5210。在第一金手指521至第十金手指5210中，四个金手指用于传输数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)，两个金手指用于传输时钟信号(clk+、clk-)，一个金手指用于传输第一电源信号(vdd1)、一个金手指用于传输地信号(vss)、一个金手指用于传输第二电源信号(vdd2)。其中，在第一金手指521至第十金手指5210中，其中一个金手指可以悬空设置。此时，第二nm卡5能够支撑pcie接口协议，实现高速卡的基本性能。
[0380]
其中，数据信号(rx+)和数据信号(rx-)为输入差分信号；数据信号(tx+)和数据信号(tx-)信号为输出差分信号；时钟信号(clk+)和时钟信号(clk-)为差分低压时钟信号。第一电源信号(vdd1)负责第二nm卡5的存储电路513的供电；第二电源信号(vdd2)负责第二nm卡5的控制电路512的供电。其中，第一电源信号(vdd1)的电压高于第二电源信号(vdd2)的电压。例如，第一电源信号(vdd1)的电压可以在2.7v至3.6v的范围内，第二电源信号(vdd2)的电压可以在1.70v至1.95v的范围内。
[0381]
在其他一些实施例中，在第一金手指521至第十金手指5210中，其中一个金手指不悬空设置，用于传输检测信号(c/d)。其中，检测信号(c/d)可以为特殊的数据信号，当信息卡与卡连接器11电连接，与电子设备100通信时，电子设备100可以通过检测信号(c/d)识别插入的信息卡是否为第二nm卡5；在一些实施例中，电子设备100还可以通过检测信号(c/d)识别插入的第二nm卡5的版本，或者识别插入的第二nm卡5的接口协议。第二nm卡5通过其中一个金手指传输检测信号(c/d)，能够降低电子设备100识别第二nm卡5的难度。
[0382]
以下对采用的pcie接口协议的第二nm卡5的第一种信号排布方式进行举例说明。
[0383]
请参阅图33，图33是图17所示第二nm卡5在另一些实施例中的示意图。
[0384]
示例性的，第二nm卡5的第三金手指523、第六金手指526、第九金手指529及第十金手指5210用于传输数据信号。以下实施例以第三金手指523用于传输数据信号(rx-)、第六金手指526用于传输数据信号(rx+)、第九金手指529用于传输数据信号(tx+)、第十金手指
5210用于传输数据信号(tx-)，为例进行说明。在其他一些实施例中，第三金手指523、第六金手指526、第九金手指529及第十金手指5210传输的数据信号能够互相调换。例如，第三金手指523与第六金手指526传输的数据信号互相调换，第九金手指529与第十金手指5210传输的数据信号互相调换，其他实施例此处不再赘述。
[0385]
其中，第二金手指522和第五金手指525用于传输时钟信号。以下实施例以第二金手指522用于传输时钟信号(clk-)、第五金手指525用于传输时钟信号(clk+)，为例进行说明。在其他一些实施例中，第二金手指522和第五金手指525传输的时钟信号能够互相调换。
[0386]
其中，第一金手指521用于传输第二电源信号(vdd2)；第七金手指527用于传输地信号(vss)；第八金手指528用于传输第一电源信号(vdd1)。其中，第四金手指524悬空设置。
[0387]
如下表6所示，表6为卡连接器11的多个弹片与nano sim卡3、第一nm卡4以及第二nm卡5的多个金手指及其传输信号的对应关系表四。第二nm卡5与卡连接器11连接时，卡连接器11的第一弹片11a至第十弹片11j一一对应地抵持且电连接第二nm卡5的第一金手指521至第十金手指5210，第二nm卡5的第三金手指523至第八金手指528一一对应地与nano sim卡3的第一金手指321至第六金手指326位置对应。一些实施例中，第二nm卡5的第三金手指523至第十金手指5210一一对应地与第一nm卡4的第一金手指421至第八金手指428位置对应。
[0388]
表6
[0389][0390]
在本实施例中，第二nm卡5将pcie协议所需的第二电源信号(vdd2)排布于第一金
手指521，由于第二nm卡5的第一金手指521与nano sim卡3和第一nm卡4的所有金手指均无位置对应关系，第二nm卡5的第一金手指521无需与nano sim卡3和第一nm卡4复用卡连接器11的同一个弹片，避免第二电源信号(vdd2)与nano sim卡3和第一nm卡4的数据信号共用同一个弹片，以降低nano sim卡3和第一nm卡4插入电子设备100、连接卡连接器11时，被第二电源信号(vdd2)烧坏的风险，电子设备100兼容nano sim卡3和第一nm卡4以及第二nm卡5的可靠性较高。此外，第一nm卡4和nano sim卡3也无需部署用于避免电路被第二电源信号(vdd2)烧坏的耐高压设计，能够降低成本。
[0391]
第二nm卡5将其中一个时钟信号(例如clk-)排布于第二金手指522，由于第二nm卡5的第二金手指522与nano sim卡3和第一nm卡4的所有金手指均无位置对应关系，因此无论电子设备100中插入的信息卡是第二nm卡5、nano sim卡3还是第一nm卡4，处理器20均无需切换与第一弹片11a电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
[0392]
此外，由于第二nm卡5的第七金手指527与nano sim卡3的第五金手指325位置对应、与第一nm卡4的第五金手指425的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第七弹片11g抵持并电连接，第二nm卡5的第七金手指527、nano sim卡3的第五金手指325以及第一nm卡4的第五金手指425均用于传输地信号(分别为vss/gnd/gnd)，因此电子设备100的处理器20可以通过同一个地接口电连接卡连接器11的第七弹片11g，无论电子设备100中插入的信息卡是第二nm卡5、nano sim卡3还是第一nm卡4，处理器20均无需切换与第七弹片11g电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
[0393]
第二nm卡5的第八金手指528与nano sim卡3的第六金手指326位置对应、与第一nm卡4的第六金手指426的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第八弹片11h抵持并电连接，第二nm卡5的第八金手指528、nano sim卡3的第六金手指326以及第一nm卡4的第六金手指426均用于传输电源信号(分别为vdd1/vcc/vcc)，因此电子设备100的处理器20可以通过同一个电源接口电连接卡连接器11的第八弹片11h，无论电子设备100中插入的信息卡是第二nm卡5、nano sim卡3还是第一nm卡4，处理器20均无需切换与第八弹片11h电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
[0394]
第二nm卡5的第三金手指523与nano sim卡3的第一金手指321位置对应、与第一nm卡4的第一金手指421的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第三弹片11c抵持并电连接，第二nm卡5的第三金手指523用于传输数据信号(例如rx-)，nano sim卡3的第一金手指321用于数据信号(data)，第一nm卡4的第一金手指421用于传输数据信号(例如data1)，第二nm卡5、nano sim卡3及第一nm卡4可以分时复用第三弹片11c。
[0395]
第二nm卡5的第五金手指525与nano sim卡3的第三金手指323位置对应、与第一nm卡4的第三金手指423的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第五弹片11e抵持并电连接，第二nm卡5的第五金手指525用于传输另一个时钟信号(例如clk+)，nano sim卡3的第三金手指323用于传输编程电压/输入信号(vpp)，第一nm卡4的第一金手指421用于传输命令和响应信号(cmd)，第二nm卡5、nano sim卡3及第一nm卡4可以分时复用第五弹片11e。
[0396]
第二nm卡5的第六金手指526与nano sim卡3的第四金手指324位置对应、与第一nm卡4的第四金手指424的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第六弹片11f抵持并电连接，第二nm卡5的第六金手指526用于传输另一个数据信号(例如rx+)，nano sim卡3
的第四金手指324用于传输复位信号(rst)，第一nm卡4的第四金手指424用于传输数据信号(例如data0)，第二nm卡5、nano sim卡3及第一nm卡4可以分时复用第六弹片11f。
[0397]
第二nm卡5的第九金手指529与第一nm卡4的第七金手指427位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第九弹片11i抵持并电连接，第二nm卡5的第九金手指529用于传输数据信号(例如tx+)，第一nm卡4的第七金手指427用于传输数据信号(例如data3)，第二nm卡5和第一nm卡4可以分时复用第九弹片11i。
[0398]
第二nm卡5的第十金手指5210与第一nm卡4的第八金手指428位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第十弹片11j抵持并电连接，第二nm卡5的第十金手指5210用于传输数据信号(例如tx-)，第一nm卡4的第八金手指428用于传输数据信号(例如data2)，第二nm卡5和第一nm卡4可以分时复用第十弹片11j。
[0399]
当电子设备100兼容nano sim卡3和第二nm卡5、不兼容第一nm卡4时，卡连接器11的第九弹片11i和第十弹片11j也可以为第二nm卡5的独有弹片，第九弹片11i和第十弹片11j均连接高速数据接口，无论电子设备100中插入的信息卡是第二nm卡5还是nano sim卡3，处理器20均无需切换与第九弹片11i和第十弹片11j电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
[0400]
示例性的，第二nm卡5的第三金手指523、第十金手指5210可以电连接耐高压电路或保护开关，用于避免第二nm卡5的卡接口52短路时烧坏电路。其中，耐高压电路或保护开关均位于第二nm卡5的封装件511内。在其他一些实施例中，也可通过在电子设备内提供高阻抗保护电路，避免烧坏第二nm卡5的电路，例如在电子设备的接口控制器内增加保护电路实现。
[0401]
在其他一些实施例中，第四金手指524也可以不悬空设置，用于传输检测信号(c/d)。
[0402]
在其他一些实施例中，第二nm卡5的第二金手指522悬空设置或者用于传输检测信号(c/d)，第四金手指524用于传输时钟信号(例如clk-)。第四金手指524和第五金手指525传输的时钟信号可以互相调换。
[0403]
请参阅图34，图34是图1所示电子设备100在另一些实施例中的部分电路的示意图。
[0404]
一些实施例中，电子设备100的卡座组件10能够兼容nano sim卡3和第二nm卡5，第二nm卡5的卡接口52信号排布如图33所示。电子设备100的处理器20包括接口控制器201、sim卡控制器203以及第二存储卡控制器2022，sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022电连接接口控制器201，接口控制器201电连接卡座组件10的卡连接器11的第一弹片11a至第十弹片11j。
[0405]
其中，sim卡控制器203包括数据接口、时钟接口、编程电压/输入接口以及复位接口，数据接口用于传输数据信号(data)，时钟接口用于传输时钟信号(clk)，编程电压/输入接口用于传输编程电压/输入信号(vpp)，复位接口用于传输复位信号(rst)。图34中以及后续附图和实施例内容的相关描述中，sim卡控制器203的多个接口以其传输的信号进行标识示意。
[0406]
第二存储卡控制器2022包括四个数据接口、两个时钟接口以及第二电源接口，四个数据接口用于传输数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)，两个时钟接口用于传输时钟信号(clk
+、clk-)，第二电源接口用于传输第二电源信号(vdd2)。图34中以及后续附图和实施例内容的相关描述中，第二存储卡控制器2022的多个接口以其传输的信号进行标识示意。在其他一些实施例中，第二电源接口也可以独立在第二存储卡控制器2022之外，本技术实施例对此不作严格限定。
[0407]
其中，处理器20还包括电源接口和地接口，电源接口用于传输电源信号(vcc)或第一电源信号(vdd1)，地接口用于传输地信号(gnd)或地信号(vss)。其中，电源接口和地接口可以独立在sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022之外，也可以各自拆分后、集成在sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022中，本技术实施例对此不作严格限定。图34中以及后续附图中，以电源接口和地接口相对sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022独立为例进行示意，并分别标识为电源和地。
[0408]
示例性的，接口控制器201用于导通sim卡控制器203与卡连接器11，或者导通第二存储卡控制器2022与卡连接器11。接口控制器201可以包括多个开关和导线。
[0409]
一些实施例中，接口控制器201包括第一开关2011、第二开关2012以及第三开关2013。
[0410]
第一开关2011连接第二存储卡控制器2022的一个数据接口(例如rx-)和sim卡控制器203的数据接口(data)，第一开关2011还连接卡连接器11的第三弹片11c，第一开关2011用于导通第三弹片11c与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如rx-)，或者导通第三弹片11c与sim卡控制器203的数据接口(data)。
[0411]
第二开关2012连接第二存储卡控制器2022的其中一个时钟接口(例如clk+)和sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)，第二开关2012还连接卡连接器11的第五弹片11e，第二开关2012用于导通第五弹片11e与第二存储卡控制器2022的时钟接口(例如clk+)，或者导通第五弹片11e与sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)。
[0412]
第三开关2013连接第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如rx+)和sim卡控制器203的复位接口(rst)，第三开关2013还连接卡连接器11的第六弹片11f，第三开关2013用于导通第六弹片11f与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如rx+)，或者导通第六弹片11f与sim卡控制器203的复位接口(rst)。
[0413]
第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vdd2)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第一弹片11a。第二存储卡控制器2022的另一个时钟接口(例如clk-)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第二弹片11b。第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx+)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第九弹片11i。第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx-)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第十弹片11j。处理器20的电源接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第八弹片11h。处理器20的地接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第七弹片11g。sim卡控制器203的时钟接口(clk)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第四弹片11d。
[0414]
其中，在第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vdd2)与第一弹片11a之间、第二存储卡控制器2022的时钟接口(例如clk-)与第二弹片11b之间、sim卡控制器203的时钟接口(clk)与第四弹片11d之间、第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx+)与第九弹片11i之间、第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx-)与第十弹片11j之间、处理器20的电源接口与第八弹片11h之间以及地接口与第七弹片11g之间，接口控制器201可以通过设置导
线连接，以保持导通状态，接口控制器201也可以串接开关，通过开关实现导通状态与切断状态的切换，本技术实施例对此不作严格限定。
[0415]
在本实施例中，当nano sim卡3插入电子设备100的卡座组件10，nano sim卡3电连接卡连接器11时，接口控制器201导通sim卡控制器203与卡连接器11，sim卡控制器203经卡连接器11的第三弹片11c至第六弹片11f，与nano sim卡3之间进行数据信号(data)、时钟信号(clk)、传输编程电压/输入信号(vpp)以及复位信号(rst)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与nano sim卡3之间进行电源信号(vcc)和地信号(gnd)的传输，nano sim卡3与电子设备100实现通信。
[0416]
当第二nm卡5插入电子设备100的卡座组件10，第二nm卡5电连接卡连接器11时，接口控制器201导通第二存储卡控制器2022与卡连接器11，第二存储卡控制器2022经卡连接器11的第一弹片11a至第三弹片11c、第五弹片11e和第六弹片11f、第九弹片11i以及第十弹片11j，与第二nm卡5之间进行数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)、时钟信号(clk+、clk-)、以及第二电源信号(vdd2)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与第二nm卡5之间进行第一电源信号(vdd1)和地信号(vss)的传输，第二nm卡5与电子设备100实现通信。因此，电子设备100能够兼容nano sim卡3和第二nm卡5。
[0417]
示例性的，第二nm卡5的第三金手指523、第十金手指5210可以电连接耐高压电路或保护开关，用于避免第二nm卡5的卡接口52短路时烧坏电路。其中，耐高压电路或保护开关均位于第二nm卡5的封装件511内。在其他一些实施例中，也可通过在电子设备内提供高阻抗保护电路，避免烧坏第二nm卡5的电路，例如在电子设备的接口控制器内增加保护电路实现。
[0418]
可以理解的是，当第二nm卡5的第四金手指524用于传输检测信号(c/d)时，接口控制器201做适应性调整，接口控制器201还用于在第二nm卡5插入电子设备100时，导通第二存储卡控制器2022的检测接口(c/d)与第四弹片11d。
[0419]
在其他一些实施例中，当第二nm卡5的第二金手指522悬空设置，第四金手指524用于传输时钟信号(例如clk-)时，接口控制器201做适应性调整，接口控制器201还用于在第二nm卡5插入电子设备100时，导通第二存储卡控制器2022的时钟接口(例如clk-)与第四弹片11d。
[0420]
在另一些实施例中，编程电压/输入信号(vpp)可不支持，以降低处理器20设计难度。此时，sim卡控制器203可以不包括编程电压/输入接口(vpp)，接口控制器201可以不包括第二开关2012，第二存储卡控制器2022的一个时钟接口(例如clk+)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第五弹片11e，其他方案内容参阅以上实施例，此处不再赘述。
[0421]
请参阅图35，图35是图1所示电子设备100在另一些实施例中的部分电路的示意图。
[0422]
一些实施例中，电子设备100的卡座组件10能够兼容nano sim卡3、第一nm卡4以及第二nm卡5，第二nm卡5的卡接口52信号排布如图33所示。电子设备100的处理器20包括接口控制器201、sim卡控制器203、第一存储卡控制器2021以及第二存储卡控制器2022，sim卡控制器203、第一存储卡控制器2021以及第二存储卡控制器2022电连接接口控制器201，接口控制器201电连接卡座组件10的卡连接器11的第一弹片11a至第十弹片11j。
[0423]
其中，sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022可以参阅图34对应实施例的相关
描述，此处不再赘述。第一存储卡控制器2021包括四个数据接口、时钟接口以及命令和响应复用接口。四个数据接口用于传输数据信号(data0、data1、data2、data3)，时钟接口用于传输时钟信号(clk)，命令和响应复用接口用于传输命令和响应信号(cmd)。图35中以及后续附图和实施例内容的相关描述中，第一存储卡控制器2021的多个接口以其传输的信号进行标识示意。其中，当电源接口和地接口拆分后，也可以集成在第一存储卡控制器2021中。
[0424]
示例性的，接口控制器201用于导通sim卡控制器203与卡连接器11，或者导通第一存储卡控制器2021与卡连接器11，或者导通第二存储卡控制器2022与卡连接器11。接口控制器201可以包括多个开关和导线。
[0425]
一些实施例中，接口控制器201包括第一开关2011、第二开关2012、第三开关2013、第四开关2014、第五开关2015以及第六开关2016。
[0426]
第一开关2011连接第二存储卡控制器2022的一个数据接口(例如rx-)、第一存储卡控制器2021的一个数据接口(例如data1)以及sim卡控制器203的数据接口(data)，第一开关2011还连接卡连接器11的第三弹片11c，第一开关2011用于导通第三弹片11c与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如rx-)，或者导通第三弹片11c与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data1)，或者导通第三弹片11c与sim卡控制器203的数据接口(data)。
[0427]
第二开关2012连接第二存储卡控制器2022的其中一个时钟接口(clk+)、第一存储卡控制器2021的命令和响应复用接口(cmd)以及sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)，第二开关2012还连接卡连接器11的第五弹片11e，第二开关2012用于导通第五弹片11e与第二存储卡控制器2022的时钟接口(clk+)，或者导通第五弹片11e与第一存储卡控制器2021的命令和响应复用接口(cmd)，或者导通第五弹片11e与sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)。
[0428]
第三开关2013连接第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如rx+)、第一存储卡控制器2021的另一个数据接口(例如data0)和sim卡控制器203的复位接口(rst)，第三开关2013还连接卡连接器11的第六弹片11f，第三开关2013用于导通第六弹片11f与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如rx+)，或者导通第六弹片11f与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data0)，或者导通第六弹片11f与sim卡控制器203的复位接口(rst)。
[0429]
第四开关2014连接第一存储卡控制器2021的时钟接口(clk)和sim卡控制器203的时钟接口(clk)，第四开关2014还连接卡连接器11的第四弹片11d，第四开关2014用于导通第三弹片11c与第一存储卡控制器2021的时钟接口(clk)，或者导通第四弹片11d与sim卡控制器203的时钟接口(clk)。
[0430]
第五开关2015连接第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx+)和第一存储卡控制器2021的另一个数据接口(例如data3)，第五开关2015还连接卡连接器11的第九弹片11i，第五开关2015用于导通第九弹片11i与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx+)，或者导通第九弹片11i与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data3)。
[0431]
第六开关2016连接第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx-)和第一存储卡控制器2021的另一个数据接口(例如data2)，第六开关2016还连接卡连接器11的第十弹片11j，第六开关2016用于导通第十弹片11j与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx-)，或者导通第十弹片11j与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data2)。
[0432]
第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vdd2)通过接口控制器201电连接卡连接
器11的第一弹片11a。第二存储卡控制器2022的另一个时钟接口(例如clk-)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第二弹片11b。处理器20的电源接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第八弹片11h。处理器20的地接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第七弹片11g。其中，在第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vdd2)与第一弹片11a之间、第二存储卡控制器2022的时钟接口(例如clk-)与第二弹片11b之间、处理器20的电源接口与第八弹片11h之间以及地接口与第七弹片11g之间，接口控制器201可以通过设置导线连接，以保持导通状态，接口控制器201也可以串接开关，通过开关实现导通状态与切断状态的切换，本技术实施例对此不作严格限定。
[0433]
在本实施例中，当nano sim卡3插入电子设备100的卡座组件10，nano sim卡3电连接卡连接器11时，接口控制器201导通sim卡控制器203与卡连接器11，sim卡控制器203经卡连接器11的第三弹片11c至第六弹片11f，与nano sim卡3之间进行数据信号(data)、时钟信号(clk)、传输编程电压/输入信号(vpp)以及复位信号(rst)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与nano sim卡3之间进行电源信号(vcc)和地信号(gnd)的传输，nano sim卡3与电子设备100实现通信。
[0434]
当第一nm卡4插入电子设备100的卡座组件10，第一nm卡4电连接卡连接器11时，接口控制器201导通第一存储卡控制器2021与卡连接器11，第一存储卡控制器2021经卡连接器11的第三弹片11c至第六弹片11f、第九弹片11i以及第十弹片11j，与第一nm卡4之间进行数据信号(data0、data1、data2、data3)、时钟信号(clk)以及命令和响应信号(cmd)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与第一nm卡4之间进行电源信号(vcc)和地信号(gnd)的传输，第一nm卡4与电子设备100实现通信。
[0435]
当第二nm卡5插入电子设备100的卡座组件10，第二nm卡5电连接卡连接器11时，接口控制器201导通第二存储卡控制器2022与卡连接器11，第二存储卡控制器2022经卡连接器11的第一弹片11a至第三弹片11c、第五弹片11e和第六弹片11f、第九弹片11i以及第十弹片11j，与第二nm卡5之间进行数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)、时钟信号(clk+、clk-)、以及第二电源信号(vdd2)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与第二nm卡5之间进行第一电源信号(vdd1)和地信号(vss)的传输，第二nm卡5与电子设备100实现通信。因此，电子设备100能够兼容nano sim卡3和第二nm卡5。
[0436]
可以理解的是，当第二nm卡5的第四金手指524用于传输检测信号(c/d)时，接口控制器201做适应性调整，接口控制器201还用于在第二nm卡5插入电子设备100时，导通第二存储卡控制器2022的检测接口(c/d)与第四弹片11d。
[0437]
在其他一些实施例中，当第二nm卡5的第二金手指522悬空设置，第四金手指524用于传输时钟信号(例如clk-)时，接口控制器201做适应性调整，接口控制器201还用于在第二nm卡5插入电子设备100时，导通第二存储卡控制器2022的时钟接口(例如clk-)与第四弹片11d。
[0438]
在另一些实施例中，编程电压/输入信号(vpp)可不支持，以降低处理器20设计难度。此时，sim卡控制器203可以不包括编程电压/输入接口(vpp)，第二开关2012连接第二存储卡控制器2022的其中一个时钟接口(clk+)和第一存储卡控制器2021的命令和响应复用接口(cmd)，第二开关2012还连接卡连接器11的第五弹片11e，其他方案内容参阅以上实施例，此处不再赘述。
[0439]
以下对采用的pcie接口协议的第二nm卡5的第二种信号排布方式进行举例说明。
[0440]
请结合参阅图36至图38，图36是图17所示第二nm卡5在另一些实施例中的示意图，图37是图1所示电子设备100在另一些实施例中的部分电路的示意图，图38是图1所示电子设备100在另一些实施例中的部分电路的示意图。
[0441]
图36所示第二nm卡5与图33所示第二nm卡5的主要区别在于，第二nm卡5的第一金手指521用于传输时钟信号(例如clk-)，第二金手指522用于传输第二电源信号(vdd2)。也即，图36所示第二nm卡5与图33所示第二nm卡5的第一金手指521和第二金手指522传输的信号互相调换。其中，第一金手指521与第五金手指525传输的时钟信号能够互相调换。图36所示第二nm卡5的其他方案内容可以参考图33所示第二nm卡5的相关描述，此处不再赘述。
[0442]
其中，在图36所示第二nm卡5中，当第二金手指522相邻的第四金手指524悬空设置时，由于第四金手指524不进行信号传输，因此第四金手指524不会因与第二金手指522短路，而导致第二nm卡5电路被烧毁，提高了第二nm卡5的可靠性，并且第二nm卡5的第四金手指524无需设置电连接耐高压电路或保护开关，第二nm卡5的成本较低。在其他一些实施例中，也可以第一金手指521悬空设置，第四金手指524用于传输时钟信号(例如clk-)。
[0443]
图37所示电子设备100与图34所示电子设备100的主要区别在于，第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vdd2)电连接卡连接器11的第一弹片11a，其中一个时钟接口(例如clk-)电连接卡连接器11的第二弹片11b。图37所示电子设备100的其他方案内容可以参考图34所示电子设备100的相关描述，此处不再赘述。
[0444]
图38所示电子设备100与图35所示电子设备100的主要区别在于，第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vdd2)电连接卡连接器11的第一弹片11a，其中一个时钟接口(例如clk-)电连接卡连接器11的第二弹片11b。图38所示电子设备100的其他方案内容可以参考图35所示电子设备100的相关描述，此处不再赘述。
[0445]
以下对采用的pcie接口协议的第二nm卡5的第三种信号排布方式进行举例说明。
[0446]
请参阅图39，图39是图17所示第二nm卡5在另一些实施例中的示意图。
[0447]
示例性的，第二nm卡5的第二金手指522、第六金手指526、第九金手指529及第十金手指5210用于传输数据信号。以下实施例以第二金手指522用于传输数据信号(rx-)、第六金手指526用于传输数据信号(rx+)、第九金手指529用于传输数据信号(tx+)、第十金手指5210用于传输数据信号(tx-)，为例进行说明。在其他一些实施例中，第二金手指522、第六金手指526、第九金手指529及第十金手指5210传输的数据信号能够互相调换。例如，第二金手指522与第六金手指526传输的数据信号互相调换，第九金手指529与第十金手指5210传输的数据信号互相调换，其他实施例此处不再赘述。
[0448]
其中，第四金手指524和第五金手指525用于传输时钟信号。以下实施例以第四金手指524用于传输时钟信号(clk-)、第五金手指525用于传输时钟信号(clk+)，为例进行说明。在其他一些实施例中，第四金手指524和第五金手指525传输的时钟信号能够互相调换。
[0449]
其中，第一金手指521用于传输第二电源信号(vdd2)；第七金手指527用于传输地信号(vss)；第八金手指528用于传输第一电源信号(vdd1)。其中，第三金手指523悬空设置。
[0450]
如下表7所示，表7为卡连接器11的多个弹片与nano sim卡3、第一nm卡4以及第二nm卡5的多个金手指及其传输信号的对应关系表五。第二nm卡5与卡连接器11连接时，卡连接器11的第一弹片11a至第十弹片11j一一对应地抵持且电连接第二nm卡5的第一金手指
521至第十金手指5210，第二nm卡5的第三金手指523至第八金手指528一一对应地与nano sim卡3的第一金手指321至第六金手指326位置对应。一些实施例中，第二nm卡5的第三金手指523至第十金手指5210一一对应地与第一nm卡4的第一金手指421至第八金手指428位置对应。
[0451]
表7
[0452][0453][0454]
在本实施例中，第二nm卡5将pcie协议所需的第二电源信号(vdd2)排布于第一金手指521，由于第二nm卡5的第一金手指521与nano sim卡3和第一nm卡4的所有金手指均无位置对应关系，第二nm卡5的第一金手指521无需与nano sim卡3和第一nm卡4复用卡连接器11的同一个弹片，避免第二电源信号(vdd2)与nano sim卡3和第一nm卡4的数据信号共用同一个弹片，以降低nano sim卡3和第一nm卡4插入电子设备100、连接卡连接器11时，被第二电源信号(vdd2)烧坏的风险，电子设备100兼容nano sim卡3和第一nm卡4以及第二nm卡5的可靠性较高。此外，第一nm卡4和nano sim卡3也无需部署用于避免电路被第二电源信号(vdd2)烧坏的耐高压设计，能够降低成本。
[0455]
第二nm卡5将其中一个高速的数据信号(例如rx-)排布于第二金手指522，由于第二nm卡5的第二金手指522与nano sim卡3和第一nm卡4的所有金手指均无位置对应关系，因此第二弹片11b连接电子设备100的处理器20的高速数据接口、无需连接低速数据接口，无论电子设备100中插入的信息卡是第二nm卡5、nano sim卡3还是第一nm卡4，处理器20均无
需切换与第二弹片11b电连接的接口，从而可以降低高速数据接口和低速数据接口切换的难度，简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
[0456]
此外，由于第二nm卡5的第七金手指527与nano sim卡3的第五金手指325位置对应、与第一nm卡4的第五金手指425的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第七弹片11g抵持并电连接，第二nm卡5的第七金手指527、nano sim卡3的第五金手指325以及第一nm卡4的第五金手指425均用于传输地信号(分别为vss/gnd/gnd)，因此电子设备100的处理器20可以通过同一个地接口电连接卡连接器11的第七弹片11g，无论电子设备100中插入的信息卡是第二nm卡5、nano sim卡3还是第一nm卡4，处理器20均无需切换与第七弹片11g电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
[0457]
第二nm卡5的第八金手指528与nano sim卡3的第六金手指326位置对应、与第一nm卡4的第六金手指426的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第八弹片11h抵持并电连接，第二nm卡5的第八金手指528、nano sim卡3的第六金手指326以及第一nm卡4的第六金手指426均用于传输电源信号(分别为vdd1/vcc/vcc)，因此电子设备100的处理器20可以通过同一个电源接口电连接卡连接器11的第八弹片11h，无论电子设备100中插入的信息卡是第二nm卡5、nano sim卡3还是第一nm卡4，处理器20均无需切换与第八弹片11h电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
[0458]
第二nm卡5的第四金手指524与nano sim卡3的第二金手指322位置对应、与第一nm卡4的第二金手指422的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第四弹片11d抵持并电连接，第二nm卡5的第四金手指524用于传输时钟信号(例如clk-)，nano sim卡3的第二金手指322用于传输时钟信号(clk)，第一nm卡4的第二金手指422用于传输时钟信号(clk)，第二nm卡5、nano sim卡3及第一nm卡4可以分时复用第四弹片11d。处理器20可通过第四弹片11d提供不同频率的时钟信号，无需切换数据接口信号，从而简化处理器20的电路，降低设计复杂度和成本。在一些场景下，当第一nm卡4、第二nm卡5、nano sim卡3如能有相同频率的时钟信号时，处理器20则可为三种卡提供相同的时钟信号，不再需要切换，更为简化处理器20设计难度，例如，统一为20mhz的时钟频率。
[0459]
第二nm卡5的第五金手指525与nano sim卡3的第三金手指323位置对应、与第一nm卡4的第三金手指423的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第五弹片11e抵持并电连接，第二nm卡5的第五金手指525用于传输另一个时钟信号(例如clk+)，nano sim卡3的第三金手指323用于传输编程电压/输入信号(vpp)，第一nm卡4的第一金手指421用于传输命令和响应信号(cmd)，第二nm卡5、nano sim卡3及第一nm卡4可以分时复用第五弹片11e。
[0460]
第二nm卡5的第六金手指526与nano sim卡3的第四金手指324位置对应、与第一nm卡4的第四金手指424的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第六弹片11f抵持并电连接，第二nm卡5的第六金手指526用于传输另一个数据信号(例如rx+)，nano sim卡3的第四金手指324用于传输复位信号(rst)，第一nm卡4的第四金手指424用于传输数据信号(例如data0)，第二nm卡5、nano sim卡3及第一nm卡4可以分时复用第六弹片11f。
[0461]
第二nm卡5的第九金手指529与第一nm卡4的第七金手指427位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第九弹片11i抵持并电连接，第二nm卡5的第九金手指529用于传输数据信号(例如tx+)，第一nm卡4的第七金手指427用于传输数据信号(例如data3)，第二
nm卡5和第一nm卡4可以分时复用第九弹片11i。
[0462]
第二nm卡5的第十金手指5210与第一nm卡4的第八金手指428位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器11的第十弹片11j抵持并电连接，第二nm卡5的第十金手指5210用于传输数据信号(例如tx-)，第一nm卡4的第八金手指428用于传输数据信号(例如data2)，第二nm卡5和第一nm卡4可以分时复用第十弹片11j。
[0463]
当电子设备100兼容nano sim卡3和第二nm卡5、不兼容第一nm卡4时，卡连接器11的第九弹片11i和第十弹片11j也可以为第二nm卡5的独有弹片，第九弹片11i和第十弹片11j均连接高速数据接口，无论电子设备100中插入的信息卡是第二nm卡5还是nano sim卡3，处理器20均无需切换与第九弹片11i和第十弹片11j电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
[0464]
其中，由于与第一金手指521相邻的第三金手指523可以悬空设置，不进行信号传输，因此第三金手指523不会因与第一金手指521短路，而导致第二nm卡5电路被烧毁，提高了第二nm卡5的可靠性，并且第二nm卡5的第三金手指523无需设置电连接耐高压电路或保护开关，第二nm卡5的成本较低。
[0465]
示例性的，第十金手指5210可以电连接耐高压电路或保护开关，用于避免第二nm卡5的卡接口52短路时烧坏电路。在其他一些实施例中，第三金手指523也可以用于传输检测信号(c/d)。此时，第三金手指523也可以电连接耐高压电路或保护开关，用于避免第二nm卡5的卡接口52短路时烧坏电路。其中，耐高压电路或保护开关均位于第二nm卡5的封装件511内。在其他一些实施例中，也可通过在电子设备内提供高阻抗保护电路，避免烧坏第二nm卡5的电路，例如在电子设备的接口控制器内增加保护电路实现。
[0466]
在其他一些实施例中，第二nm卡5的第三金手指523也可以用于传输时钟信号(例如clk-)，第四金手指524悬空设置或者用于传输检测信号(c/d)。此时，第三金手指523可以电连接耐高压电路或保护开关，以避免第三金手指523由于弹片短路，而导致第二nm卡5电路被烧毁，提高了第二nm卡5的可靠性。在其他一些实施例中，也可通过在电子设备内提供高阻抗保护电路，避免烧坏第二nm卡5的电路，例如在电子设备的接口控制器内增加保护电路实现。
[0467]
请参阅图40，图40是图1所示电子设备100在另一些实施例中的部分电路的示意图。
[0468]
一些实施例中，电子设备100的卡座组件10能够兼容nano sim卡3和第二nm卡5，第二nm卡5的卡接口52信号排布如图39所示。电子设备100的处理器20包括接口控制器201、sim卡控制器203以及第二存储卡控制器2022，sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022电连接接口控制器201，接口控制器201电连接卡座组件10的卡连接器11的第一弹片11a至第十弹片11j。
[0469]
其中，sim卡控制器203包括数据接口、时钟接口、编程电压/输入接口以及复位接口，数据接口用于传输数据信号(data)，时钟接口用于传输时钟信号(clk)，编程电压/输入接口用于传输编程电压/输入信号(vpp)，复位接口用于传输复位信号(rst)。图40中以及后续附图和实施例内容的相关描述中，sim卡控制器203的多个接口以其传输的信号进行标识示意。
[0470]
第二存储卡控制器2022包括四个数据接口、两个时钟接口以及第二电源接口，四
个数据接口用于传输数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)，两个时钟接口用于传输时钟信号(clk+、clk-)，第二电源接口用于传输第二电源信号(vdd2)。图40中以及后续附图和实施例内容的相关描述中，第二存储卡控制器2022的多个接口以其传输的信号进行标识示意。在其他一些实施例中，第二电源接口也可以独立在第二存储卡控制器2022之外，本技术实施例对此不作严格限定。
[0471]
其中，处理器20还包括电源接口和地接口，电源接口用于传输电源信号(vcc)或第一电源信号(vdd1)，地接口用于传输地信号(gnd)或地信号(vss)。其中，电源接口和地接口可以独立在sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022之外，也可以各自拆分后、集成在sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022中，本技术实施例对此不作严格限定。图40中以及后续附图中，以电源接口和地接口相对sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022独立为例进行示意，并分别标识为电源和地。
[0472]
示例性的，接口控制器201用于导通sim卡控制器203与卡连接器11，或者导通第二存储卡控制器2022与卡连接器11。接口控制器201可以包括多个开关和导线。
[0473]
一些实施例中，接口控制器201包括第一开关2011、第二开关2012以及第三开关2013。
[0474]
第一开关2011连接第二存储卡控制器2022的一个时钟接口(例如clk-)和sim卡控制器203的时钟接口(clk)，第一开关2011还连接卡连接器11的第四弹片11d，第一开关2011用于导通第四弹片11d与第二存储卡控制器2022的时钟接口(例如clk-)，或者导通第四弹片11d与sim卡控制器203的时钟接口(clk)。
[0475]
第二开关2012连接第二存储卡控制器2022的另一个时钟接口(例如clk+)和sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)，第二开关2012还连接卡连接器11的第五弹片11e，第二开关2012用于导通第五弹片11e与第二存储卡控制器2022的时钟接口(例如clk+)，或者导通第五弹片11e与sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)。
[0476]
第三开关2013连接第二存储卡控制器2022的一个数据接口(例如rx+)和sim卡控制器203的复位接口(rst)，第三开关2013还连接卡连接器11的第六弹片11f，第三开关2013用于导通第六弹片11f与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如rx+)，或者导通第六弹片11f与sim卡控制器203的复位接口(rst)。
[0477]
第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vdd2)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第一弹片11a。第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如rx-)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第二弹片11b。第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx+)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第九弹片11i。第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx-)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第十弹片11j。处理器20的电源接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第八弹片11h。处理器20的地接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第七弹片11g。sim卡控制器203的数据接口(data)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第三弹片11c。
[0478]
其中，在第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vdd2)与第一弹片11a之间、第二存储卡控制器2022的时钟接口(例如clk-)与第二弹片11b之间、sim卡控制器203的数据接口(data)与第三弹片11c之间、第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx+)与第九弹片11i之间、第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx-)与第十弹片11j之间、处理器20的电
源接口与第八弹片11h之间以及地接口与第七弹片11g之间，接口控制器201可以通过设置导线连接，以保持导通状态，接口控制器201也可以串接开关，通过开关实现导通状态与切断状态的切换，本技术实施例对此不作严格限定。
[0479]
在本实施例中，当nano sim卡3插入电子设备100的卡座组件10，nano sim卡3电连接卡连接器11时，接口控制器201导通sim卡控制器203与卡连接器11，sim卡控制器203经卡连接器11的第三弹片11c至第六弹片11f，与nano sim卡3之间进行数据信号(data)、时钟信号(clk)、传输编程电压/输入信号(vpp)以及复位信号(rst)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与nano sim卡3之间进行电源信号(vcc)和地信号(gnd)的传输，nano sim卡3与电子设备100实现通信。
[0480]
当第二nm卡5插入电子设备100的卡座组件10，第二nm卡5电连接卡连接器11时，接口控制器201导通第二存储卡控制器2022与卡连接器11，第二存储卡控制器2022经卡连接器11的第一弹片11a、第二弹片11b、第三弹片11c至第六弹片11f、第九弹片11i以及第十弹片11j，与第二nm卡5之间进行数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)、时钟信号(clk+、clk-)、以及第二电源信号(vdd2)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与第二nm卡5之间进行第一电源信号(vdd1)和地信号(vss)的传输，第二nm卡5与电子设备100实现通信。因此，电子设备100能够兼容nano sim卡3和第二nm卡5。
[0481]
可以理解的是，当第二nm卡5的第三金手指523用于传输检测信号(c/d)时，接口控制器201做适应性调整，接口控制器201还用于在第二nm卡5插入电子设备100时，导通第二存储卡控制器2022的检测接口(c/d)与第三弹片11c。
[0482]
在其他一些实施例中，当第二nm卡5的第三金手指523用于传输时钟信号(例如clk-)，第四金手指524悬空设置时，接口控制器201做适应性调整，接口控制器201还用于在第二nm卡5插入电子设备100时，导通第二存储卡控制器2022的时钟接口(例如clk-)与第三弹片11c。
[0483]
在另一些实施例中，编程电压/输入信号(vpp)可不支持，以降低处理器20设计难度。此时，sim卡控制器203可以不包括编程电压/输入接口(vpp)，接口控制器201可以不包括第二开关2012，第二存储卡控制器2022的另一个时钟接口(例如clk+)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第五弹片11e，其他方案内容参阅以上实施例，此处不再赘述。
[0484]
请参阅图41，图41是图1所示电子设备100在另一些实施例中的部分电路的示意图。
[0485]
一些实施例中，电子设备100的卡座组件10能够兼容nano sim卡3、第一nm卡4以及第二nm卡5，第二nm卡5的卡接口52信号排布如图39所示。电子设备100的处理器20包括接口控制器201、sim卡控制器203、第一存储卡控制器2021以及第二存储卡控制器2022，sim卡控制器203、第一存储卡控制器2021以及第二存储卡控制器2022电连接接口控制器201，接口控制器201电连接卡座组件10的卡连接器11的第一弹片11a至第十弹片11j。
[0486]
其中，sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022可以参阅图40对应实施例的相关描述，此处不再赘述。第一存储卡控制器2021包括四个数据接口、时钟接口以及命令和响应复用接口。四个数据接口用于传输数据信号(data0、data1、data2、data3)，时钟接口用于传输时钟信号(clk)，命令和响应复用接口用于传输命令和响应信号(cmd)。图41中以及后续附图和实施例内容的相关描述中，第一存储卡控制器2021的多个接口以其传输的信号进行
标识示意。其中，当电源接口和地接口拆分后，也可以集成在第一存储卡控制器2021中。
[0487]
示例性的，接口控制器201用于导通sim卡控制器203与卡连接器11，或者导通第一存储卡控制器2021与卡连接器11，或者导通第二存储卡控制器2022与卡连接器11。接口控制器201可以包括多个开关和导线。
[0488]
一些实施例中，接口控制器201包括第一开关2011、第二开关2012、第三开关2013、第四开关2014、第五开关2015以及第六开关2016。
[0489]
第一开关2011连接第一存储卡控制器2021的时钟接口(clk)、sim卡控制器203的时钟接口(clk)以及第二存储卡控制器2022的其中一个时钟接口(例如clk-)，第四开关2014还连接卡连接器11的第四弹片11d，第四开关2014用于导通第三弹片11c与第一存储卡控制器2021的时钟接口(clk)，或者导通第四弹片11d与sim卡控制器203的时钟接口(clk)，或者导通第四弹片11d与第二存储卡控制器2022的时钟接口(例如clk-)。
[0490]
第二开关2012连接第二存储卡控制器2022的另一个时钟接口(clk+)、第一存储卡控制器2021的命令和响应复用接口(cmd)以及sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)，第二开关2012还连接卡连接器11的第五弹片11e，第二开关2012用于导通第五弹片11e与第二存储卡控制器2022的时钟接口(clk+)，或者导通第五弹片11e与第一存储卡控制器2021的命令和响应复用接口(cmd)，或者导通第五弹片11e与sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)。
[0491]
第三开关2013连接第二存储卡控制器2022的一个数据接口(例如rx+)、第一存储卡控制器2021的另一个数据接口(例如data0)和sim卡控制器203的复位接口(rst)，第三开关2013还连接卡连接器11的第六弹片11f，第三开关2013用于导通第六弹片11f与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如rx+)，或者导通第六弹片11f与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data0)，或者导通第六弹片11f与sim卡控制器203的复位接口(rst)。
[0492]
第四开关2014连接第一存储卡控制器2021的一个数据接口(例如data1)和sim卡控制器203的数据接口(data)，第一开关2011还连接卡连接器11的第三弹片11c，第一开关2011用于导通第三弹片11c与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data1)，或者导通第三弹片11c与sim卡控制器203的数据接口(data)。
[0493]
第五开关2015连接第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx+)和第一存储卡控制器2021的另一个数据接口(例如data3)，第五开关2015还连接卡连接器11的第九弹片11i，第五开关2015用于导通第九弹片11i与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx+)，或者导通第九弹片11i与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data3)。
[0494]
第六开关2016连接第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx-)和第一存储卡控制器2021的另一个数据接口(例如data2)，第六开关2016还连接卡连接器11的第十弹片11j，第六开关2016用于导通第十弹片11j与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx-)，或者导通第十弹片11j与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data2)。
[0495]
第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vdd2)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第一弹片11a。第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如rx-)通过接口控制器201电连接卡连接器11的第二弹片11b。处理器20的电源接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第八弹片11h。处理器20的地接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第七弹片11g。其中，在第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vdd2)与第一弹片11a之间、第二
存储卡控制器2022的数据接口(例如rx-)与第二弹片11b之间、处理器20的电源接口与第八弹片11h之间以及地接口与第七弹片11g之间，接口控制器201可以通过设置导线连接，以保持导通状态，接口控制器201也可以串接开关，通过开关实现导通状态与切断状态的切换，本技术实施例对此不作严格限定。
[0496]
在本实施例中，当nano sim卡3插入电子设备100的卡座组件10，nano sim卡3电连接卡连接器11时，接口控制器201导通sim卡控制器203与卡连接器11，sim卡控制器203经卡连接器11的第三弹片11c至第六弹片11f，与nano sim卡3之间进行数据信号(data)、时钟信号(clk)、传输编程电压/输入信号(vpp)以及复位信号(rst)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与nano sim卡3之间进行电源信号(vcc)和地信号(gnd)的传输，nano sim卡3与电子设备100实现通信。
[0497]
当第一nm卡4插入电子设备100的卡座组件10，第一nm卡4电连接卡连接器11时，接口控制器201导通第一存储卡控制器2021与卡连接器11，第一存储卡控制器2021经卡连接器11的第三弹片11c至第六弹片11f、第九弹片11i以及第十弹片11j，与第一nm卡4之间进行数据信号(data0、data1、data2、data3)、时钟信号(clk)以及命令和响应信号(cmd)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与第一nm卡4之间进行电源信号(vcc)和地信号(gnd)的传输，第一nm卡4与电子设备100实现通信。
[0498]
当第二nm卡5插入电子设备100的卡座组件10，第二nm卡5电连接卡连接器11时，接口控制器201导通第二存储卡控制器2022与卡连接器11，第二存储卡控制器2022经卡连接器11的第一弹片11a至第三弹片11c、第五弹片11e和第六弹片11f、第九弹片11i以及第十弹片11j，与第二nm卡5之间进行数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)、时钟信号(clk+、clk-)、以及第二电源信号(vdd2)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器11的第八弹片11h和第七弹片11g，与第二nm卡5之间进行第一电源信号(vdd1)和地信号(vss)的传输，第二nm卡5与电子设备100实现通信。因此，电子设备100能够兼容nano sim卡3和第二nm卡5。
[0499]
可以理解的是，当第二nm卡5的第三金手指523用于传输检测信号(c/d)时，接口控制器201做适应性调整，接口控制器201还用于在第二nm卡5插入电子设备100时，导通第二存储卡控制器2022的检测接口(c/d)与第三弹片11c。
[0500]
在其他一些实施例中，当第二nm卡5的第三金手指523用于传输时钟信号(例如clk-)，第四金手指524悬空设置时，接口控制器201做适应性调整，接口控制器201还用于在第二nm卡5插入电子设备100时，导通第二存储卡控制器2022的时钟接口(例如clk-)与第三弹片11c。
[0501]
在另一些实施例中，编程电压/输入信号(vpp)可不支持，以降低处理器20设计难度。此时，sim卡控制器203可以不包括编程电压/输入接口(vpp)，第二开关2012连接第二存储卡控制器2022的其中一个时钟接口(clk+)和第一存储卡控制器2021的命令和响应复用接口(cmd)，第二开关2012还连接卡连接器11的第五弹片11e，其他方案内容参阅以上实施例，此处不再赘述。
[0502]
以下对采用的pcie接口协议的第二nm卡5的第四种信号排布方式进行举例说明。
[0503]
请结合参阅图42至图44，图42是图17所示第二nm卡5在另一些实施例中的示意图，图43是图1所示电子设备100在另一些实施例中的部分电路的示意图，图44是图1所示电子设备100在另一些实施例中的部分电路的示意图。
[0504]
图42所示第二nm卡5与图39所示第二nm卡5的主要区别在于，第二nm卡5的第一金手指521用于传输数据信号(例如rx-)，第二金手指522用于传输第二电源信号(vdd2)。也即，图42所示第二nm卡5与图39所示第二nm卡5的第一金手指521和第二金手指522传输的信号互相调换。其中，第一金手指521、第六金手指526、第九金手指529及第十金手指5210传输的数据信号能够互相调换。图42所示第二nm卡5的其他方案内容可以参考图39所示第二nm卡5的相关描述，此处不再赘述。
[0505]
图43所示电子设备100与图40所示电子设备100的主要区别在于，其中一个数据接口(例如rx-)电连接卡连接器11的第一弹片11a，第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vdd2)电连接卡连接器11的第二弹片11b。图43所示电子设备100的其他方案内容可以参考图40所示电子设备100的相关描述，此处不再赘述。
[0506]
图44所示电子设备100与图41所示电子设备100的主要区别在于，其中一个数据接口(例如rx-)电连接卡连接器11的第一弹片11a，第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vdd2)电连接卡连接器11的第二弹片11b。图44所示电子设备100的其他方案内容可以参考图41所示电子设备100的相关描述，此处不再赘述。
[0507]
在其他一些实施例中，第二nm卡5也可以采用sd接口协议。采用sd接口协议的第二nm卡5与采用pcie接口协议的第二nm卡5的区别在于，第二nm卡5传输的数据信号为d0+、d0-、d1+、d1-。采用sd接口协议的第二nm卡5的其他方案内容参考采用pcie接口协议的第二nm卡5的相关描述，此处不再赘述。此外，能够兼容采用pcie接口协议的第二nm卡5的电子设备100，亦能够支撑采用sd接口协议的第二nm卡5，其第二存储卡控制器2022的数据接口做适应性变化。
[0508]
本技术还提供一种包括至少八个金手指的第二nm卡，第二nm卡可以采用ufs协议。ufs协议的相关描述可以参考前文实施例，此处不再赘述。第二nm卡的卡接口可以与第一nm卡4的卡接口42结构相同或相似，第二nm卡可以与能够插接第一nm卡4的卡连接器(例如图5所示卡连接器11)连接。以下进行举例说明。
[0509]
请参阅图45，图45是本技术实施例提供的第二nm卡在另一实施例中的结构示意图。
[0510]
本实施例第二nm卡6可以包括图17及其他附图所示第二nm卡5的大部分技术特征，以下主要说明两者的区别：
[0511]
一些实施例中，第二nm卡6的卡体61包括第一边6111、第二边6112、第三边6113以及第四边6114，第一边6111和第三边6113相对设置并沿第二nm卡6的长度方向延伸，第二边6112和第四边6114相对设置并沿第二nm卡6的宽度方向延伸。其中，第二边6112与第四边6114的间距大于第一边6111与第三边6113的间距。换言之，第一边6111和第三边6113为长边，第二边6112和第四边6114为短边。其中，第一边6111和第三边6113可以平行或近似平行设置，第二边6112和第四边6114可以平行或近似平行设置。
[0512]
其中，第二nm卡6的卡体61的一个角为切角，切角设置于第一边6111与第二边6112之间。该切角形成切边6115，切边6115与第一边6111之间形成钝角，且与第二边6112之间形成钝角。其中，卡体61的相邻边(包括第一边6111、第二边6112、第三边6113、第四边6114以及切边6115)之间可以设置圆弧过渡结构或倒角过渡结构。在其他一些实施例中，第二nm卡6的卡体61也可以不设置上述切角，本技术对此不作严格限定。
[0513]
示例性的，第二nm卡6的卡接口62包括至少八个金手指，例如包括第一金手指621至第八金手指628，第一金手指621至第八金手指628呈阵列排布，第一金手指621至第八金手指628沿第二nm卡6的长度方向排布成第一列金手指和第二列金手指，第一列金手指包括沿第二nm卡6的宽度方向排布的第一金手指621、第三金手指623、第五金手指625及第七金手指627，第二列金手指包括沿第二nm卡6的宽度方向排布的第二金手指622、第四金手指624、第六金手指626及第八金手指628。第一列金手指(621、623、625、627)的四个金手指与第二列金手指(622、624、626、628)的四个金手指一一对应、两两成排设置，也即排布成第一排金手指(621、622)、第二排金手指(623、624)、第三排金手指(625、626)、以及第四排金手指(627、628)。也即，第一金手指621至第八金手指628排布成两列四排。
[0514]
其中，第一列金手指(621、623、625、627)位于第二边6112与第二列金手指(622、624、626、628)之间，也即，第一列金手指(621、623、625、627)靠近第二边6112排布，第二列金手指(622、624、626、628)靠近第四边6114排布。
[0515]
其中，第一金手指621位于第一边6111与第三金手指623之间，第二金手指622位于第一边6111与第四金手指614之间。也即，第一排金手指(621、622)靠近第一边6111排布，第四排金手指(627、628)靠近第三边6113排布。此时，第一金手指621相较于其他金手指更靠近卡体61的切边6115。
[0516]
其中，第一排金手指(621、622)与第二排金手指(623、624)的中心间距大于第三排金手指(625、626)与第四排金手指(627、628)的中心间距。第二排金手指(623、624)与第三排金手指(625、626)的中心间距大于第三排金手指(625、626)与第四排金手指(627、628)的中心间距。
[0517]
例如，第一排金手指(621、622)与第二排金手指(623、624)的中心间距及第二排金手指(623、624)与第三排金手指(625、626)可以在1.5mm至2.8mm的范围内，第三排金手指(625、626)与第四排金手指(627、628)的中心间距可以在1.0mm至1.7mm的范围内。第二nm卡6的卡体61的尺寸可以与nano sim卡3的卡体31的尺寸相同。
[0518]
第二nm卡6的第一金手指621至第八金手指628中，四个金手指用于传输数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)，一个金手指用于传输参考时钟信号(rclk)，一个金手指用于传输第一电源信号(vcc)、一个金手指用于传输地信号(vss)、一个金手指用于传输第二电源信号(vccq)。此时，第二nm卡6能够支撑ufs协议，实现高速卡的基本性能。本实施例第二nm卡6的其他方案内容可以参考图17及其他附图所示第二nm卡5的相关描述，此处不再赘述。
[0519]
在本实施例中，由于第二nm卡6的金手指排布结构与第一nm卡4的金手指排布结构相同或相似，因此第二nm卡6能够与兼容第一nm卡4的卡连接器实现结构连接和电连接，从而能够减少电子设备100的电路线路的布线改动，降低改动难度和成本。
[0520]
示例性的，第二nm卡6的第一金手指621、第四金手指624、第七金手指627及第八金手指628用于传输数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)。以下实施例以第一金手指621用于传输数据信号(rx-)、第四金手指624用于传输数据信号(rx+)、第七金手指627用于传输数据信号(tx+)、第八金手指628用于传输数据信号(tx-)，为例进行说明。在其他一些实施例中，第一金手指621、第四金手指624、第七金手指627及第八金手指628传输的数据信号能够互相调换。例如，第一金手指621与第四金手指624传输的数据信号互相调换，第七金手指627与第八金手指628传输的数据信号互相调换，其他实施例此处不再赘述。其中，第二金手指622用
于传输参考时钟信号(rclk)；第三金手指623用于传输第二电源信号(vccq)；第五金手指625用于传输地信号(vss)；第六金手指626用于传输第一电源信号(vcc)。
[0521]
一些实施例中，请参阅表8，表8为另一种卡连接器的多个弹片与nano sim卡3、第一nm卡4以及第二nm卡6的多个金手指及其传输信号的对应关系表一。当第二nm卡6连接兼容第一nm卡4的、具有八个弹片的卡连接器时，卡连接器的八个弹片一一对应地抵持且电连接第二nm卡6的第一金手指621至第八金手指628，第二nm卡6的第一金手指621至第六金手指626一一对应地与nano sim卡3的第一金手指321至第六金手指326位置对应。其中，上述具有八个弹片的卡连接器的第一弹片至第八弹片，可以一一对应地与图5所示卡连接器的第三弹片至第十弹片位置对应。一些实施例中，第二nm卡6的第一金手指621至第八金手指628一一对应地与第一nm卡4的第一金手指421至第八金手指428位置对应。
[0522]
表8
[0523][0524][0525]
在本实施例中，第二nm卡6的第五金手指625与nano sim卡3的第五金手指325位置对应、与第一nm卡4的第五金手指425的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器的第七弹片抵持并电连接，第二nm卡6的第五金手指625、nano sim卡3的第五金手指325以及第一nm卡4的第五金手指425均用于传输地信号(分别为vss/gnd/gnd)，因此电子设备100的处理器20可以通过同一个地接口电连接卡连接器的第五弹片，无论电子设备100中插入的信息卡是第二nm卡6、nano sim卡3还是第一nm卡4，处理器20均无需切换与第五弹片电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
[0526]
第二nm卡6的第六金手指626与nano sim卡3的第六金手指326位置对应、与第一nm卡4的第六金手指426的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器的第六弹片抵持并电连接，第二nm卡6的第六金手指626、nano sim卡3的第六金手指326以及第一nm卡4的第六金手指426均用于传输电源信号(分别为vcc/vcc/vcc)，因此电子设备100的处理器20可以通
过同一个电源接口电连接卡连接器的第六弹片，无论电子设备100中插入的信息卡是第二nm卡6、nano sim卡3还是第一nm卡4，处理器20均无需切换与第六弹片电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
[0527]
第二nm卡6的第一金手指621与nano sim卡3的第一金手指321位置对应、与第一nm卡4的第一金手指421的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器的第一弹片抵持并电连接，第二nm卡6的第一金手指621用于传输数据信号(例如rx-)，nano sim卡3的第一金手指321用于数据信号(data)，第一nm卡4的第一金手指421用于传输数据信号(例如data1)，第二nm卡6、nano sim卡3及第一nm卡4可以分时复用第一弹片。
[0528]
第二nm卡6的第二金手指622与nano sim卡3的第二金手指322位置对应、与第一nm卡4的第二金手指422的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器的第二弹片抵持并电连接，第二nm卡6的第二金手指622用于传输参考时钟信号(rclk)，nano sim卡3的第二金手指322用于传输时钟信号(clk)，第一nm卡4的第二金手指422用于传输时钟信号(clk)，第二nm卡6、nano sim卡3及第一nm卡4可以分时复用第二弹片。
[0529]
第二nm卡6的第三金手指623与nano sim卡3的第三金手指323位置对应、与第一nm卡4的第三金手指423的位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器的第三弹片抵持并电连接，第二nm卡6的第三金手指623用于传输第二电源信号(vccq)，nano sim卡3的第三金手指323用于传输编程电压/输入信号(vpp)，第一nm卡4的第一金手指421用于传输命令和响应信号(cmd)，第二nm卡6、nano sim卡3及第一nm卡4可以分时复用第三弹片。
[0530]
第二nm卡6的第七金手指627与第一nm卡4的第七金手指427位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器的第七弹片抵持并电连接，第二nm卡6的第七金手指627用于传输数据信号(例如tx+)，第一nm卡4的第七金手指427用于传输数据信号(例如data3)，第二nm卡6和第一nm卡4可以分时复用第七弹片。
[0531]
第二nm卡6的第八金手指628与第一nm卡4的第八金手指428位置对应，插入电子设备100时均与卡连接器的第八弹片抵持并电连接，第二nm卡6的第八金手指628用于传输数据信号(例如tx-)，第一nm卡4的第八金手指428用于传输数据信号(例如data2)，第二nm卡6和第一nm卡4可以分时复用第八弹片。
[0532]
示例性的，第二nm卡6的第八金手指628可以电连接耐高压电路或保护开关，用于避免第二nm卡6的卡接口62短路时烧坏电路。其中，耐高压电路或保护开关均位于第二nm卡6的封装件611内。在其他一些实施例中，也可通过在电子设备内提供高阻抗保护电路，避免烧坏第二nm卡6的电路，例如在电子设备的接口控制器内增加保护电路实现。
[0533]
可以理解的是，由于第二nm卡6的第三金手指623与nano sim卡3的第三金手指323、第一nm卡4的第三金手指423分时复用第三弹片，第三弹片在一些使用场景中传输第二nm卡6的第二电源信号(vccq)，因此可以在nano sim卡3的第三金手指323、第一nm卡4的第三金手指423上电连接耐高压电路或保护开关，用于避免烧坏电路，以提高nano sim卡3和第一nm卡4的可靠性。在其他一些实施例中，也可通过在电子设备内提供高阻抗保护电路，避免烧坏nano sim卡3的电路，例如在电子设备的接口控制器内增加保护电路实现。
[0534]
请参阅图46，图46是本技术实施例提供的电子设备100在一些实施例中的部分电路的示意图。
[0535]
一些实施例中，电子设备100的卡座组件10能够兼容nano sim卡3和第二nm卡6，第
二nm卡6的卡接口62信号排布如图45所示。电子设备100的处理器20包括接口控制器201、sim卡控制器203以及第二存储卡控制器2022，sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022电连接接口控制器201，接口控制器201电连接卡座组件10的卡连接器的第一弹片至第八弹片。
[0536]
其中，sim卡控制器203包括数据接口、时钟接口、编程电压/输入接口以及复位接口，数据接口用于传输数据信号(data)，时钟接口用于传输时钟信号(clk)，编程电压/输入接口用于传输编程电压/输入信号(vpp)，复位接口用于传输复位信号(rst)。图46中以及后续附图和实施例内容的相关描述中，sim卡控制器203的多个接口以其传输的信号进行标识示意。
[0537]
第二存储卡控制器2022包括四个数据接口、参考时钟接口以及第二电源接口，四个数据接口用于传输数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)，参考时钟接口用于传输参考时钟信号(rclk)，第二电源接口用于传输第二电源信号(vccq)。图46中以及后续附图和实施例内容的相关描述中，第二存储卡控制器2022的多个接口以其传输的信号进行标识示意。在其他一些实施例中，第二电源接口也可以独立在第二存储卡控制器2022之外，本技术实施例对此不作严格限定。
[0538]
其中，处理器20还包括电源接口和地接口，电源接口用于传输电源信号(vcc)或第一电源信号(vcc)，地接口用于传输地信号(gnd)或地信号(vss)。其中，电源接口和地接口可以独立在sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022之外，也可以各自拆分后、集成在sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022中，本技术实施例对此不作严格限定。图46中以及后续附图中，以电源接口和地接口相对sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022独立为例进行示意，并分别标识为电源和地。
[0539]
示例性的，接口控制器201用于导通sim卡控制器203与卡连接器，或者导通第二存储卡控制器2022与卡连接器。接口控制器201可以包括多个开关和导线。
[0540]
一些实施例中，接口控制器201包括第一开关2011、第二开关2012、第三开关2013以及第四开关2014。
[0541]
第一开关2011连接第二存储卡控制器2022的一个数据接口(例如rx-)和sim卡控制器203的数据接口(data)，第一开关2011还连接卡连接器的第一弹片，第一开关2011用于导通第一弹片与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如rx-)，或者导通第一弹片与sim卡控制器203的数据接口(data)。
[0542]
第二开关2012连接第二存储卡控制器2022的参考时钟接口(rclk)和sim卡控制器203的时钟接口(clk)，第二开关2012还连接卡连接器的第二弹片，第二开关2012用于导通第二弹片与第二存储卡控制器2022的参考时钟接口(rclk)，或者导通第二弹片与sim卡控制器203的时钟接口(clk)。
[0543]
第三开关2013连接第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vccq)和sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)，第三开关2013还连接卡连接器的第三弹片，第三开关2013用于导通第三弹片与第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vccq)，或者导通第三弹片与sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)。
[0544]
第四开关2014连接第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如rx+)和sim卡控制器203的复位接口(rst)，第四开关2014还连接卡连接器的第四弹片，第四开关2014用
于导通第四弹片与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如rx+)，或者导通第四弹片与sim卡控制器203的复位接口(rst)。
[0545]
第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx+)通过接口控制器201电连接卡连接器的第九弹片。第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx-)通过接口控制器201电连接卡连接器的第十弹片。处理器20的电源接口通过接口控制器201电连接卡连接器的第八弹片。处理器20的地接口通过接口控制器201电连接卡连接器的第七弹片。其中，在第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx+)与第九弹片之间、第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx-)与第十弹片之间、处理器20的电源接口与第八弹片之间以及地接口与第七弹片之间，接口控制器201可以通过设置导线连接，以保持导通状态，接口控制器201也可以串接开关，通过开关实现导通状态与切断状态的切换，本技术实施例对此不作严格限定。
[0546]
在本实施例中，当nano sim卡3插入电子设备100的卡座组件10，nano sim卡3电连接卡连接器时，接口控制器201导通sim卡控制器203与卡连接器，sim卡控制器203经卡连接器的第一弹片至第四弹片，与nano sim卡3之间进行数据信号(data)、时钟信号(clk)、传输编程电压/输入信号(vpp)以及复位信号(rst)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器的第六弹片和第五弹片，与nano sim卡3之间进行电源信号(vcc)和地信号(gnd)的传输，nano sim卡3与电子设备100实现通信。
[0547]
当第二nm卡6插入电子设备100的卡座组件10，第二nm卡6电连接卡连接器时，接口控制器201导通第二存储卡控制器2022与卡连接器，第二存储卡控制器2022经卡连接器的第一弹片至第四弹片、第七弹片以及第八弹片，与第二nm卡6之间进行数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)、参考时钟信号(rclk)以及第二电源信号(vccq)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器的第六弹片和第五弹片，与第二nm卡6之间进行第一电源信号(vcc)和地信号(vss)的传输，第二nm卡6与电子设备100实现通信。因此，电子设备100能够兼容nano sim卡3和第二nm卡6。
[0548]
请参阅图47，图47是本技术实施例提供的电子设备100在一些实施例中的部分电路的示意图。
[0549]
一些实施例中，电子设备100的卡座组件10能够兼容nano sim卡3、第一nm卡4以及第二nm卡6，第二nm卡6的卡接口62信号排布如图45所示。电子设备100的处理器20包括接口控制器201、sim卡控制器203以及第二存储卡控制器2022，sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022电连接接口控制器201，接口控制器201电连接卡座组件10的卡连接器的第一弹片至第八弹片。
[0550]
其中，sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022可以参阅图46对应实施例的相关描述，此处不再赘述。第一存储卡控制器2021包括四个数据接口、时钟接口以及命令和响应复用接口。四个数据接口用于传输数据信号(data0、data1、data2、data3)，时钟接口用于传输时钟信号(clk)，命令和响应复用接口用于传输命令和响应信号(cmd)。图47中以及后续附图和实施例内容的相关描述中，第一存储卡控制器2021的多个接口以其传输的信号进行标识示意。其中，当电源接口和地接口拆分后，也可以集成在第一存储卡控制器2021中。
[0551]
示例性的，接口控制器201用于导通sim卡控制器203与卡连接器，或者导通第一存储卡控制器2021与卡连接器，或者导通第二存储卡控制器2022与卡连接器。接口控制器201
可以包括多个开关和导线。
[0552]
一些实施例中，接口控制器201包括第一开关2011、第二开关2012、第三开关2013、第四开关2014、第五开关2015以及第六开关2016。
[0553]
第一开关2011连接第二存储卡控制器2022的一个数据接口(例如rx-)、第一存储卡控制器2021的一个数据接口(例如data1)以及sim卡控制器203的数据接口(data)，第一开关2011还连接卡连接器的第一弹片，第一开关2011用于导通第一弹片与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如rx-)，或者导通第一弹片与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data1)，或者导通第一弹片与sim卡控制器203的数据接口(data)。
[0554]
第二开关2012连接第二存储卡控制器2022的参考时钟接口(rclk)、第一存储卡控制器2021的时钟接口(clk)以及sim卡控制器203的时钟接口(clk)，第二开关2012还连接卡连接器的第二弹片，第二开关2012用于导通第二弹片与第二存储卡控制器2022的参考时钟接口(rclk)，或者导通第二弹片与第一存储卡控制器2021的时钟接口(clk)，或者导通第二弹片与sim卡控制器203的时钟接口(clk)。
[0555]
第三开关2013连接第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vccq)、第一存储卡控制器2021的命令和响应复用接口(cmd)以及sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)，第三开关2013还连接卡连接器的第三弹片，第三开关2013用于导通第三弹片与第二存储卡控制器2022的第二电源接口(vccq)，或者导通第三弹片与第一存储卡控制器2021的命令和响应复用接口(cmd)，或者导通第三弹片与sim卡控制器203的编程电压/输入接口(vpp)。
[0556]
第四开关2014连接第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如rx+)、第一存储卡控制器2021的另一个数据接口(例如data0)以及sim卡控制器203的复位接口(rst)，第四开关2014还连接卡连接器的第四弹片，第四开关2014用于导通第四弹片与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如rx+)，或者导通第四弹片与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data0)，或者导通第四弹片与sim卡控制器203的复位接口(rst)。
[0557]
第五开关2015连接第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx+)和第一存储卡控制器2021的另一个数据接口(例如data3)，第五开关2015还连接卡连接器的第七弹片，第五开关2015用于导通第七弹片与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx+)，或者导通第七弹片与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data3)。
[0558]
第六开关2016连接第二存储卡控制器2022的另一个数据接口(例如tx-)和第一存储卡控制器2021的另一个数据接口(例如data2)，第六开关2016还连接卡连接器的第八弹片，第六开关2016用于导通第八弹片与第二存储卡控制器2022的数据接口(例如tx-)，或者导通第八弹片与第一存储卡控制器2021的数据接口(例如data2)。
[0559]
处理器20的电源接口通过接口控制器201电连接卡连接器的第六弹片。处理器20的地接口通过接口控制器201电连接卡连接器的第五弹片。其中，处理器20的电源接口与第六弹片之间以及地接口与第五弹片之间，接口控制器201可以通过设置导线连接，以保持导通状态，接口控制器201也可以串接开关，通过开关实现导通状态与切断状态的切换，本技术实施例对此不作严格限定。
[0560]
在本实施例中，当nano sim卡3插入电子设备100的卡座组件10，nano sim卡3电连接卡连接器时，接口控制器201导通sim卡控制器203与卡连接器，sim卡控制器203经卡连接器的第一弹片至第四弹片，与nano sim卡3之间进行数据信号(data)、时钟信号(clk)、传输
编程电压/输入信号(vpp)以及复位信号(rst)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器的第六弹片和第五弹片，与nano sim卡3之间进行电源信号(vcc)和地信号(gnd)的传输，nano sim卡3与电子设备100实现通信。
[0561]
当第一nm卡4插入电子设备100的卡座组件10，第一nm卡4电连接卡连接器时，接口控制器201导通第一存储卡控制器2021与卡连接器，第一存储卡控制器2021经卡连接器的第一弹片至第四弹片、第七弹片及第八弹片，与第一nm卡4之间进行数据信号(data0、data1、data2、data3)、时钟信号(clk)以及命令和响应信号(cmd)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器的第六弹片和第五弹片，与第一nm卡4之间进行电源信号(vcc)和地信号(gnd)的传输，第一nm卡4与电子设备100实现通信。
[0562]
当第二nm卡6插入电子设备100的卡座组件10，第二nm卡6电连接卡连接器时，接口控制器201导通第二存储卡控制器2022与卡连接器，第二存储卡控制器2022经卡连接器的第一弹片至第四弹片、第七弹片以及第八弹片，与第二nm卡6之间进行数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)、参考时钟信号(rclk)以及第二电源信号(vccq)的传输，电子设备100的处理器20通过卡连接器的第六弹片和第五弹片，与第二nm卡6之间进行第一电源信号(vcc)和地信号(vss)的传输，第二nm卡6与电子设备100实现通信。因此，电子设备100能够兼容nano sim卡3和第二nm卡6。
[0563]
基于上述实施例的描述，在不冲突的情况下，在本技术的其他一些实施例中，第二nm卡的第一金手指、第二金手指以及第八金手指用作数据接口时，也可以电连接耐高压电路或保护开关，用于避免在卡连接器的第一弹片输出sim卡控制器203的高压的数据信号、第二弹片输出sim卡控制器203的高压的时钟信号、第六弹片输出高压的电源信号时，由于弹片短路，而烧坏电路，以提高第二nm卡的可靠性。其中，耐高压电路或保护开关均位于第二nm卡的封装件内。
[0564]
请参阅图48，图48是图45所示第二nm卡6与图5所示卡连接器11的连接结构示意图。
[0565]
在其他一些实施例中，第二nm卡6也可以插接具有图5所示卡连接器11的电子设备100。当第二nm卡6连接图5所示卡连接器11时，卡连接器11的十个弹片均抵持第二nm卡6，其中，卡连接器11的第三弹片11c至第十弹片11j一一对应地抵持第二nm卡6的第一金手指621至第八金手指628，以电连接第二nm卡6。卡连接器11的第一弹片11a可以与第三弹片11c抵持且电连接第二nm卡的第一金手指621，第二弹片11b可以与第四弹片11d抵持且电连接第二nm卡6的第二金手指622；或者，第一排弹片(11a、11b)抵接第二nm卡6的卡体51。
[0566]
请参阅表9，表9为图5所示卡连接器11的多个弹片与nano sim卡3、第一nm卡4以及第二nm卡6的多个金手指及其传输信号的对应关系表二。第二nm卡6与卡连接器11连接时，卡连接器11的第三弹片11c至第十弹片11j一一对应地抵持且电连接第二nm卡6的第一金手指621至第八金手指628，第二nm卡6的第一金手指621至第六金手指626一一对应地与nano sim卡3的第一金手指321至第六金手指326位置对应。一些实施例中，第二nm卡6的第一金手指621至第八金手指628一一对应地与第一nm卡4的第一金手指421至第八金手指428位置对应。
[0567]
表9
[0568][0569]
请参阅图49，图49是图1所示电子设备100在另一些实施例中的部分电路的示意图。
[0570]
一些实施例中，所示电子设备100的卡座组件10能够兼容nano sim卡3和第二nm卡6，第二nm卡6的卡接口62信号排布如图45所示。电子设备100的处理器20包括接口控制器201、sim卡控制器203以及第二存储卡控制器2022，sim卡控制器203和第二存储卡控制器2022电连接接口控制器201，接口控制器201电连接卡座组件10的卡连接器11的第三弹片11c至第十弹片11j。
[0571]
本实施例可以包括图46所示实施例的大部分技术特征。两者的主要区别在于，接口控制器201与卡连接器11的弹片的连接关系。例如，在本实施例中，第一开关2011至第四开关2014分别电连接卡连接器11的第三弹片11c至第六弹片11f，电源接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第八弹片11h，地接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第七弹片11g，第二存储卡控制器2022的两个数据接口(例如rx+、rx-)通过接口控制器201分别电连接第九弹片11i和第十弹片11j。其中，本实施例中sim卡控制器203、第二存储卡控制器2022、电源接口、地接口以及接口控制器201的其他方案内容可以参考图46对应实施例的相关描述，此处不再赘述。
[0572]
请参阅图50，图50是图1所示电子设备100在另一些实施例中的部分电路的示意图。
[0573]
一些实施例中，所示电子设备100的卡座组件10能够兼容nano sim卡3、第一nm卡4
以及第二nm卡6，第二nm卡6的卡接口62信号排布如图45所示。电子设备100的处理器20包括接口控制器201、sim卡控制器203、第一存储卡控制器2021以及第二存储卡控制器2022，sim卡控制器203、第一存储卡控制器2021以及第二存储卡控制器2022电连接接口控制器201，接口控制器201电连接卡座组件10的卡连接器11的第三弹片11c至第十弹片11j。
[0574]
本实施例可以包括图47所示实施例的大部分技术特征。两者的主要区别在于，接口控制器201与卡连接器11的弹片的连接关系。例如，在本实施例中，第一开关2011至第四开关2014分别电连接卡连接器11的第三弹片11c至第六弹片11f，电源接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第八弹片11h，地接口通过接口控制器201电连接卡连接器11的第七弹片11g，第五开关2015和第六开关2016分别电连接第九弹片11i和第十弹片11j。其中，本实施例中sim卡控制器203、第二存储卡控制器2022、电源接口、地接口以及接口控制器201的其他方案内容可以参考图47对应实施例的相关描述，此处不再赘述。
[0575]
上述电子设备可以通过信息卡识别方法识别插入电子设备的信息卡的类型。
[0576]
一些实施例中，信息卡识别方法能够识别信息卡是否为nano sim卡或第二nm卡，信息卡识别方法可以应用于能够兼容nano sim卡和第二nm卡的电子设备。
[0577]
信息卡识别方法包括：
[0578]
步骤001：执行第一初始化流程；
[0579]
步骤002：若接收到第一回复指令，则判断插入的信息卡为第一卡；若未接收到第一回复指令，则判断插入的信息卡非第一卡，执行第二初始化流程；
[0580]
步骤003：若接收到第二回复指令，则判断插入的信息卡为第二卡；若未接收到第二回复指令，则判断插入的信息卡非第二卡。
[0581]
在本实施例中，电子设备通过执行信息卡的初始化流程，若接收到特定的回复信号，则能够判断信息卡是与初始化流程对应的信息卡，若未接收到特定的回复信号，则判断信息卡不是与初始化流程对应的信息卡，并执行下一个初始化流程，判断信息卡是否为与下一个初始化流程对应的信息卡。
[0582]
一些实施例中，第一初始化流程可以为sim卡初始化流程，第一卡为nano sim卡；第二初始化流程可以为第二nm卡初始化流程，第二卡为第二nm卡。或者，第一初始化流程可以为第二nm卡初始化流程，第一卡为第二nm卡；第二初始化流程可以为sim卡初始化流程，第二卡为nano sim卡。
[0583]
一些实施例中，sim卡初始化流程可以包括：控制接口控制器导通sim卡控制器与卡连接器。其中，卡连接器的第三弹片传输数据信号(data)，第四弹片传输时钟信号(clk)，第五弹片传输编程电压/输入信号(vpp)，第六弹片传输复位信号(rst)，第七弹片传输地信号(gnd)，第八弹片传输电源信号(vcc)。
[0584]
一些实施例中，第二nm卡的初始化流程可以包括：控制接口控制器导通第二nm卡控制器与卡连接器。
[0585]
示例性的，当信息卡识别方法应用于兼容图24所示第二nm卡的电子设备时，卡连接器的第一弹片、第三弹片、第九弹片以及第十弹片传输数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)，第二弹片传输第二电源信号(vccq)，第四弹片传输参考时钟信号(rclk)，第五弹片传输检测信号(c/d)，第七弹片传输地信号(vss)，第八弹片传输第一电源信号(vcc)。其中，第二nm卡控制器可以通过卡连接器的第五弹片发送检测信号(c/d)至信息卡，若接收到正确的信息
卡返回的响应信号，则可以识别信息卡为第二nm卡。
[0586]
示例性的，当信息卡识别方法应用于兼容图27所示第二nm卡的电子设备时，卡连接器的第一弹片、第五弹片、第九弹片以及第十弹片传输数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)，第二弹片传输第二电源信号(vccq)，第四弹片传输参考时钟信号(rclk)，第七弹片传输地信号(vss)，第八弹片传输第一电源信号(vcc)。其中，当第二nm卡的第三金手指或第六金手指用于传输检测信号(c/d)时，卡连接器的对应的第三弹片或第六弹片用于传输检测信号(c/d)。
[0587]
示例性的，当信息卡识别方法应用于兼容图30所示第二nm卡的电子设备时，卡连接器的第一弹片、第五弹片、第九弹片以及第十弹片传输数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)，第二弹片传输第二电源信号(vccq)，第六弹片传输参考时钟信号(rclk)，第七弹片传输地信号(vss)，第八弹片传输第一电源信号(vcc)。
[0588]
示例性的，当信息卡识别方法应用于兼容图33所示第二nm卡的电子设备时，卡连接器的第三弹片、第六弹片、第九弹片以及第十弹片传输数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)，第一弹片传输第二电源信号(vdd2)，第二弹片和第五弹片传输时钟信号(clk+、clk-)，第七弹片传输地信号(vss)，第八弹片传输第一电源信号(vdd1)。
[0589]
示例性的，当信息卡识别方法应用于兼容图36所示第二nm卡的电子设备时，卡连接器的第三弹片、第六弹片、第九弹片以及第十弹片传输数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)，第一弹片和第五弹片传输时钟信号(clk+、clk-)，第二弹片传输第二电源信号(vdd2)，第七弹片传输地信号(vss)，第八弹片传输第一电源信号(vdd1)。
[0590]
示例性的，当信息卡识别方法应用于兼容图39所示第二nm卡的电子设备时，卡连接器的第二弹片、第六弹片、第九弹片以及第十弹片传输数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)，第一弹片传输第二电源信号(vdd2)，第四弹片和第五弹片传输时钟信号(clk+、clk-)，第七弹片传输地信号(vss)，第八弹片传输第一电源信号(vdd1)。
[0591]
示例性的，当信息卡识别方法应用于兼容图42所示第二nm卡的电子设备时，卡连接器的第一弹片、第六弹片、第九弹片以及第十弹片传输数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)，第二弹片传输第二电源信号(vdd2)，第四弹片和第五弹片传输时钟信号(clk+、clk-)，第七弹片传输地信号(vss)，第八弹片传输第一电源信号(vdd1)。
[0592]
示例性的，当信息卡识别方法应用于兼容图45所示第二nm卡的电子设备(例如图49和图50对应实施例)时，卡连接器的第三弹片、第六弹片、第九弹片以及第十弹片传输数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)，第五弹片传输第二电源信号(vccq)，第四弹片传输参考时钟信号(rclk)，第七弹片传输地信号(vss)，第八弹片传输第一电源信号(vcc)；
[0593]
当信息卡识别方法应用于兼容图45所示第二nm卡的电子设备(例如图46和图47对应实施例)时，卡连接器的第一弹片、第四弹片、第七弹片以及第八弹片传输数据信号(rx+、rx-、tx+、tx-)，第三弹片传输第二电源信号(vccq)，第二弹片传输参考时钟信号(rclk)，第五弹片传输地信号(vss)，第六弹片传输第一电源信号(vcc)。
[0594]
一些实施例中，当信息卡识别方法应用于兼容图45所示第二nm卡的电子设备时，在第二nm卡的初始化流程中，控制卡连接器的第三弹片不传输第二电源信号(vccq)。例如，控制卡连接器的第三弹片可以不传输信号；或者，控制卡连接器的第三弹片传输识别信号，识别信号用于识别或者辅助识别信息卡是否为第二nm卡。其中，在判断信息卡为第二nm卡
后，控制卡连接器的第三弹片传输第二电源信号(vccq)。
[0595]
一些实施例中，当信息卡识别方法应用于兼容图45所示第二nm卡和nano sim卡的电子设备时，第一初始化流程可以为sim卡初始化流程，第一卡为nano sim卡；第二初始化流程可以为第二nm卡初始化流程，第二卡为第二nm卡。
[0596]
一些实施例中，信息卡识别方法响应于电子设备开机或电子设备重启。其中，第一初始化流程可以为sim卡初始化流程。在本实施例中，当电子设备开机或电子设备重启时，信息卡识别方法先进行sim卡初始化流程，判断信息卡是否为nano sim卡，以先进入联网状态。当然，在其他一些实施例中，当信息卡识别方法响应于电子设备开机或电子设备重启时，信息卡识别方法也可以先执行非nano sim卡初始化流程，本技术实施例对此不作严格限定。
[0597]
一些实施例中，信息卡识别方法响应于检测到卡托状态由脱离状态切换为插入状态，也即：在检测到卡托的状态由脱离状态切换为插入状态的情况下，执行第一初始化流程。其中，参阅图3，电子设备可以通过卡座组件中的插入检测弹片检测卡托状态为脱离状态还是插入状态。
[0598]
另一些实施例中，信息卡识别方法能够识别信息卡是否为nano sim卡、第一nm卡或第二nm卡，信息卡识别方法可以应用于能够兼容nano sim卡、第一nm卡以及第二nm卡的电子设备。
[0599]
信息卡识别方法包括：
[0600]
步骤001：执行第一初始化流程；
[0601]
步骤002：若接收到第一回复指令，则判断插入的信息卡为第一卡；若未接收到第一回复指令，则判断插入的信息卡非第一卡，执行第二初始化流程；
[0602]
步骤003：若接收到第二回复指令，则判断插入的信息卡为第二卡；若未接收到第二回复指令，则判断插入的信息卡非第二卡，执行第三初始化流程；
[0603]
步骤004：若接收到第三回复指令，则判断插入的信息卡为第三卡；若未接收到第三回复指令，则判断插入的信息卡非第三卡。
[0604]
本实施例信息卡识别方法与前文实施例中信息卡识别方法的主要区别在于，在步骤003中，当判断插入的信息卡非第二卡时，信息卡识别方法接着执行第三初始化流程，以判断信息卡是否为第三卡。
[0605]
一些实施例中，在第一初始化流程、第二初始化流程、第三初始化流程中，一者为sim卡初始化流程，另一者为第一nm卡初始化流程，另一者为第二nm卡初始化流程。对应的，在第一卡、第二卡和第三卡中，一者为nano sim卡、另一者为第一nm卡、另一者为第二nm卡。
[0606]
一些实施例中，sim卡初始化流程和第二nm卡的初始化流程可以参考前文实施例中信息卡识别方法的相关描述。一些实施例中，第一nm卡的初始化流程可以包括：控制接口控制器导通第一nm卡控制器与卡连接器。其中，卡连接器的第三弹片、第六弹片、第九弹片以及第十弹片传输数据信号(data0、data1、data2、data3)，第四弹片传输时钟信号(clk)，第五弹片传输命令和响应信号(cmd)，第七弹片传输地信号(gnd)，第八弹片传输第一电源信号(vcc)。
[0607]
一些实施例中，当信息卡识别方法应用于兼容图45所示第二nm卡、第一nm卡以及nano sim卡的电子设备时，第三初始化流程可以为第二nm卡初始化流程，第三卡为第二nm
卡。其中，第一初始化流程可以为sim卡初始化流程或第一nm卡初始化流程。
[0608]
本实施例信息卡识别方法的其他内容可以参阅前文实施例中信息卡识别方法的相关描述，此处不再赘述。
[0609]
以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。