发声装置和电子设备的制作方法

1.本实用新型涉及电声技术领域，特别涉及一种发声装置和电子设备。


背景技术：

2.扬声器是一种将电信号转换为声信号的换能器件，现已广泛运用于手机、电脑等电子设备中。随着电子设备的小型化和轻薄化需求，扬声器也逐渐朝向小型化和薄型化的方向发展，但随着用户的使用需求，扬声器在性能上却追求高响度、低失真。为了满足上述要求，开始出现一些双面发声扬声器，通常双面发声扬声器的内部结构为共用磁路系统结构，即磁路系统设有两个磁间隙，两套振动系统中的音圈分别插入到对应的磁间隙内，以此实现减小双面发声扬声器的厚度的目的。
3.但是，上述双面发声扬声器的磁路系统两侧的振膜分别由与各自对应的音圈驱动发声，受限于共用磁路系统的结构限制，两套振动系统中的音圈无法设计成完全一致的尺寸，因此两套振动系统的bl值一致性也较差，从而导致双面发声扬声器的双面发声的一致性也较差，影响了双面发声扬声器的发声效果。


技术实现要素：

4.本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种发声装置，所述发声装置具有双面发声一致性好的优点。
5.本实用新型还提出一种具有上述发声装置的电子设备。
6.根据本实用新型第一方面实施例的发声装置，包括：壳体；磁路系统，所述磁路系统固定于所述壳体；第一振动系统和第二振动系统，所述第一振动系统和所述第二振动系统设于所述磁路系统的相对两侧，所述第一振动系统包括第一振膜组件和第一音圈，所述第二振动系统包括第二振膜组件和第二音圈，所述磁路系统设有第一磁间隙和第二磁间隙，所述第一磁间隙与所述第二磁间隙间隔设置且位于所述第二磁间隙的周向外侧，所述第一音圈的一端与所述第一振膜组件连接，所述第一音圈的另一端插设于所述第一磁间隙内，所述第二音圈的一端与所述第二振膜组件连接，所述第二音圈的另一端插设于所述第二磁间隙内；其中，沿所述第一振动系统和所述第二振动系统的振动方向，所述第一音圈的延伸高度h1与所述第二音圈的延伸高度h2满足关系式：5/6≤h1/h2≤5/4。
7.根据本实用新型第一方面实施例的发声装置，通过设置第一音圈的延伸高度h1与第二音圈的延伸高度h2满足关系式：5/6≤h1/h2≤5/4，使得第一音圈和第二音圈的blx的非线性程度大致一致，在匹配同一个kms的情况下，第一振动系统和第二振动系统的thd大致实现一致，由此可以大大提升发声装置的双面发声一致性，进而可以提升发声装置的发声效果。
8.根据本实用新型的一些实施例，所述磁路系统包括导磁轭、中心磁部和边磁部，所述导磁轭包括第一支撑部、连接部和第二支撑部，所述第一支撑部的中心位置设有安装孔，所述连接部的两端分别与所述第一支撑部和所述第二支撑部连接，所述第二支撑部与所述
安装孔正对且与所述第一支撑部位于不同的平面上，所述中心磁部设于所述第二支撑部靠近所述安装孔的一侧，所述边磁部设于所述第一支撑部靠近所述第二支撑部的一侧，所述边磁部与所述第二支撑部之间形成所述第一磁间隙，所述中心磁部与所述第一支撑部之间形成所述第二磁间隙。
9.在本实用新型的一些实施例中，所述中心磁部包括中心磁铁和中心华司，所述中心磁铁设于所述第二支撑部，所述中心华司设于所述中心磁铁远离所述第二支撑部的一侧；所述边磁部包括边磁铁和边华司，所述边磁铁设于所述第一支撑部，所述边华司设于所述边磁体远离所述第一支撑部的一侧。
10.在本实用新型的一些实施例中，所述第一音圈靠近所述第一振膜组件的一侧与所述边华司靠近所述第一振膜组件的一侧之间的间距为d1，所述第二音圈靠近所述第二振膜组件的一侧与中心华司靠近所述第二振膜组件的一侧之间的间距为d2，d1和d2满足关系式：1/3≤d1/d2≤3。
11.在本实用新型的一些实施例中，所述第一音圈远离所述第一振膜组件的一侧与所述边华司远离所述第一振膜组件的一侧之间的间距为d3，所述第二音圈远离所述第二振膜组件的一侧与中心华司远离所述第二振膜组件的一侧之间的间距为d4，d3和d4满足关系式：1/3≤d3/d4≤3。
12.在本实用新型的一些实施例中，沿所述第一振动系统和所述第二振动系统的振动方向，所述边磁铁的延伸高度l1与所述中心磁铁的延伸高度l2满足关系式：3/4≤l1/l2≤4/3。
13.在本实用新型的一些实施例中，沿所述第一振动系统和所述第二振动系统的振动方向，所述中心华司的厚度w1与所述边华司的厚度w2满足关系式：1/2≤w1/w2≤2。
14.在本实用新型的一些实施例中，所述连接部的至少相对的两条边设置镂空孔；且/或，所述边磁铁为多个，所述边华司包括一体成型设置的主体部和多个华司部，所述主体部固定于所述壳体，多个所述华司部均设于所述主体部且朝向靠近所述中心磁部的方向延伸，每个所述华司部分别设于对应的所述边磁铁远离所述第一支撑部的一侧。
15.根据本实用新型的一些实施例，所述第一音圈延其径向方向的厚度为t1，所述第二音圈延其径向方向的厚度为t2，t1和t2满足关系式：1/2≤t1/t2≤2。
16.根据本实用新型第二方面实施例的电子设备，包括根据本实用新型上述第一方面实施例的发声装置。
17.根据本实用新型第二方面实施例的电子设备，通过设置上述实施例的发声装置，发声装置设置其第一音圈的延伸高度h1与第二音圈的延伸高度h2满足关系式：5/6≤h1/h2≤5/4，由此可以大大提升发声装置的双面发声一致性，进而可以提升电子设备的音频质量。
18.本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
19.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅
是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
20.图1为本实用新型一个实施例的发声装置的整体结构示意图；
21.图2为本实用新型一个实施例的发声装置的结构爆炸图；
22.图3为本实用新型一个实施例的发声装置的沿第一方向的竖直剖面图；
23.图4为本实用新型一个实施例的发声装置的沿第一方向的竖直剖面图；
24.图5为本实用新型一个实施例的发声装置的沿第二方向的竖直剖面图；
25.图6为本实用新型一个实施例的导磁轭的结构示意图；
26.图7为本实用新型一个实施例的边华司的结构示意图；
27.图8为本实用新型一个实施例的发声装置中第一振动系统和第二振动系统的频响曲线图；
28.图9为本实用新型一个实施例的发声装置中第一振动系统和第二振动系统的总谐波失真曲线图；
29.图10为发声装置的第一音圈和第二音圈对应h1/h2大于5/4时的blx曲线图和对应的总谐波失真曲线图；
30.图11为发声装置的第一音圈和第二音圈分别对应1/3≤d1/d2≤3以及d1/d2＜1/3或d1/d2＞3时的blx曲线图和对应的总谐波失真曲线图。
31.附图标记：
32.发声装置100，
33.壳体1，第一子壳体11，第二子壳体12，
34.磁路系统2，导磁轭21，第一支撑部211，连接部212，镂空孔212a，第二支撑部213，框架部214，中心磁部22，中心磁铁221，中心华司222，边磁部23，边磁铁231，边华司232，主体部2321，华司部2322，
35.第一振动系统3，第一振膜组件31，第一振膜311，第一球顶312，第一音圈32，第一定心支片33，
36.第二振动系统4，第二振膜组件41，第二振膜411，第二球顶412，第二音圈42，第二定心支片43。
37.本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
38.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
39.需要说明，若本实用新型实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
40.另外，若本实用新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指
示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。
41.本实用新型中对“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等方位的描述以图1所示的方位为基准，仅用于解释在图1所示姿态下各部件之间的相对位置关系，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
42.下面参考图1-图11详细描述根据本实用新型第一方面实施例的发声装置100，其中，该发声装置100可以为扬声器。
43.如图1-图5所示，根据本实用新型第一方面实施例的发声装置100，包括：壳体1、磁路系统2、第一振动系统3和第二振动系统4。
44.其中，磁路系统2可以固定于壳体1，第一振动系统3和第二振动系统4设于磁路系统2的相对两侧(例如上下两侧)，第一振动系统3包括第一振膜组件31和第一音圈32，第二振动系统4包括第二振膜组件41和第二音圈42，磁路系统2可以设有第一磁间隙和第二磁间隙，第一磁间隙与第二磁间隙间隔设置且第一磁间隙位于第二磁间隙的周向外侧，第一音圈32的一端与第一振膜组件31连接，第一音圈32的另一端插设于第一磁间隙内，第二音圈42的一端与第二振膜组件41连接，第二音圈42的另一端插设于第二磁间隙内。
45.具体而言，由于第一振动系统3和第二振动系统4设于磁路系统2的相对两侧，即第一振膜组件31和第二振膜组件41位于磁路系统2的相对两侧。当发声装置100工作时，第一音圈32和第二音圈42分别通入电流，第一音圈32和第二音圈42在磁场力的作用下分别驱动与其连接的第一振膜组件31和第二振膜组件41振动发声，由此实现双面发声的目的。
46.在一具体示例中，第一振膜组件31包括第一振膜311和第一球顶312，第一振膜311的边缘部与壳体1连接，第一球顶312与第一振膜311的中心位置粘接连接。其中，第一音圈32与第一振膜311或第一球顶312连接。第二振膜组件41包括第二振膜411和第二球顶412，第二振膜411的边缘部与壳体1连接，第二球顶412与第二振膜411的中心位置粘接连接。其中，第二音圈42与第二振膜411或第二球顶412连接。
47.在一具体实施例中，第一振动系统3还包括第一定心支片33，第二振动系统4还包括第二定心支片43。其中，第一定心支片33的一端与第一音圈32的底部(远离第一振膜组件31的一端)连接，第一定心支片33的另一端与壳体1连接。第一定心支片33可以起到平衡第一音圈32振动的效果，可以防止第一音圈32在振动过程中出现偏振的现象。第二定心支片43的厚度方向的一侧与壳体1固定连接，第二定心支片43的厚度方向的另一侧与第二振膜组件41连接。第二定心支片43可以起到平衡第二振膜组件41振动的作用。
48.如图4所示，沿第一振动系统3和第二振动系统4的振动方向，第一音圈32的延伸高度h1与第二音圈42的延伸高度h2可以满足关系式：5/6≤h1/h2≤5/4。具体而言，发声装置100的thd(total harmonic distortion)为总谐波失真，造成发声装置100总谐波失真的主要原因为振动系统的非线性kms和磁路系统2的非线性blx。其中，blx的非线性主要是磁感应密度沿音圈振动方向的不均性。当h1/h2＜5/6或h1/h2＞5/4时(如图10所示)，第一音圈32和第二音圈42的高度相差较大，则高度较小的音圈对应的振动系统blx的非线性程度增大，在匹配同一个kms的情况下对应发声装置100的thd会变差，因此第一振动系统3和第二
振动系统4的thd无法实现一致，即发声装置100的双面发声一致性较差。当5/6≤h1/h2≤5/4时，第一振动系统3和第二振动系统4的blx的非线性程度大致一致，在匹配同一个kms的情况下，第一振动系统3和第二振动系统4的thd大致实现一致，由此可以大大提升发声装置100的双面发声一致性，进而可以提升发声装置100的发声效果。可选地，h1/h2可以为5/6、1和5/4等。
49.根据本实用新型第一方面实施例的发声装置100，通过设置第一音圈32的延伸高度h1与第二音圈42的延伸高度h2满足关系式：5/6≤h1/h2≤5/4，使得第一音圈32和第二音圈42的blx的非线性程度大致一致，在匹配同一个kms的情况下，第一振动系统3和第二振动系统4的thd大致实现一致，由此可以大大提升发声装置100的双面发声一致性，进而可以提升发声装置100的发声效果。
50.如图3-图6所示，根据本实用新型的一些实施例，磁路系统2可以包括导磁轭21、中心磁部22和边磁部23，导磁轭21包括第一支撑部211、连接部212和第二支撑部213，第一支撑部211的中心位置设有安装孔，连接部212的两端可以分别与第一支撑部211和第二支撑部213连接，第二支撑部213与安装孔正对且与第一支撑部211位于不同的平面上，中心磁部22设于第二支撑部213靠近安装孔的一侧，边磁部23设于第一支撑部211靠近第二支撑部213的一侧，边磁部23与第二支撑部213之间形成第一磁间隙，中心磁部22与第一支撑部211之间形成第二磁间隙。
51.具体而言，导磁轭21大致可以形成为碗状，第一支撑部211和第二支撑部213分别位于连接部212的两端，且第一支撑部211和第二支撑部213位于不同的平面上，由此，连接部212和第二支撑部213之间可以限定出安装空间，中心磁部22可通过安装孔设于第二支撑部213并位于安装空间内，由于边磁部23设于第一支撑部211的靠近第二支撑部213的一侧，由此边磁部23和中心磁部22大致位于相同的水平高度范围内，由此可以使得磁路系统2的整体结构更加紧凑，减小磁路系统2的整体高度，从而可以实现发声装置100的薄型化设计。
52.如图3-图5所示，在本实用新型的一些实施例中，中心磁部22可以包括中心磁铁221和中心华司222，中心磁铁221设于第二支撑部213，中心华司222设于中心磁铁221远离第二支撑部213的一侧；边磁部23可以包括边磁铁231和边华司232，边磁铁231设于第一支撑部211，边华司232设于边磁体远离第一支撑部211的一侧。
53.具体而言，中心华司222和边华司232均可以起到聚磁的作用，由此可以使得磁感线聚集在第一磁间隙和第二磁间隙附近，增大第一磁间隙和第二磁间隙附近的磁场强度。当第一音圈32和第二音圈42上下振动时，第一音圈32和第二音圈42对应的磁场bl值会增大，由此可以提升第一音圈32和第二音圈42作用于第一振膜组件31和第二振膜组件41上的驱动力，从而可以增大第一振膜组件31和第二振膜组件41的发声响度，提升发声装置100的发声效果。
54.如图4所示，在本实用新型的一些实施例中，第一音圈32靠近第一振膜组件31的一侧与边华司232靠近第一振膜组件31的一侧之间的间距为d1，第二音圈42靠近第二振膜组件41的一侧与中心华司222靠近第二振膜组件41的一侧之间的间距为d2，d1和d2满足关系式：1/3≤d1/d2≤3。例如，当发声装置100竖直放置时，第一振动系统3和第二振动系统4分别位于磁路系统2的上下两侧。其中，第一音圈32的顶部与第一振膜组件31连接，第二音圈42的顶部与第二振膜组件41连接。第一音圈32的顶部与边华司232的上表面之间的间距为
d1，第二音圈42的顶部与中心华司222的下表面之间的间距为d2，1/3≤d1/d2≤3。
55.具体而言，当d1/d2＜1/3或d1/d2＞3时(如图11所示)，第一振动系统3和第二振动系统4的blx的非线性程度曲线的走势差别较大，在匹配同一个kms的情况下，第一振动系统3和第二振动系统4的thd无法实现一致，即发声装置100的双面发声一致性较差。当1/3≤d1/d2≤3时，第一振动系统3和第二振动系统4的blx的非线性程度大致一致，在匹配同一个kms的情况下，第一振动系统3和第二振动系统4的thd大致实现一致，由此可以大大提升发声装置100的双面发声一致性，进而可以提升发声装置100的发声效果。可选地，d1/d2可以为1/3、1、2和3等。
56.如图4所示，在本实用新型的一些实施例中，第一音圈32远离第一振膜组件31的一侧与边华司232远离第一振膜组件31的一侧之间的间距为d3，第二音圈42远离第二振膜组件41的一侧与中心华司222远离第二振膜组件41的一侧之间的间距为d4，d3和d4满足关系式：1/3≤d3/d4≤3。例如，当发声装置100竖直放置时，第一振动系统3和第二振动系统4分别位于磁路系统2的上下两侧。其中，第一音圈32的顶部与第一振膜组件31连接，第二音圈42的顶部与第二振膜组件41连接。第一音圈32的底部与边华司232的下表面之间的间距为d3，第二音圈42的底部与中心华司222的上表面之间的间距为d4，1/3≤d3/d4≤3。
57.具体而言，如图11所示，当d3/d4＜1/3或d3/d4＞3时，第一振动系统3和第二振动系统4的blx的非线性程度曲线的走势差别较大，在匹配同一个kms的情况下，第一振动系统3和第二振动系统4的thd无法实现一致，即发声装置100的双面发声一致性较差。当1/3≤d3/d4≤3时，第一振动系统3和第二振动系统4的blx的非线性程度大致一致，在匹配同一个kms的情况下，第一振动系统3和第二振动系统4的thd大致实现一致，由此可以大大提升发声装置100的双面发声一致性，进而可以提升发声装置100的发声效果。可选地，d3/d4可以为1/3、1、2和3等。
58.如图4所示，在本实用新型的一些实施例中，沿第一振动系统3和第二振动系统4的振动方向，边磁铁231的延伸高度l1与中心磁铁221的延伸高度l2可以满足关系式：3/4≤l1/l2≤4/3。具体而言，中心磁铁221和边磁铁231的延伸高度与bl值的大小有直接的关系。当l1/l2＜3/4时，即第一振动系统3对应的bl值小于第二振动系统4对应的bl值，因此第一振膜组件31产生的声音响度小于第二振膜组件41产生的声音响度，无法实现发声装置100双面发声的频响一致。同理，当l1/l2＞4/3时，即第二振动系统4对应的bl值小于第一振动系统3对应的bl值，因此第二振膜组件41产生的声音响度小于第一振膜组件31产生的声音响度，同时无法实现发声装置100双面发声的频响一致。当3/4≤l1/l2≤4/3时，第一振动系统3对应的bl值与第二振动系统4对应的bl值之间的差值较小，第一振膜组件31产生的声音响度与第二振膜组件41产生的声音响度大小基本一致，由此可以提升发声装置100的双面发声的一致性，提升发声装置100的发声效果。可选地，l1/l2可以为3/4、1和4/3等。
59.如图4所示，在本实用新型的一些实施例中，沿第一振动系统3和第二振动系统4的振动方向，中心华司222的厚度w1与边华司232的厚度w2可以满足关系式：1/2≤w1/w2≤2。如上所述，中心华司222和边华司232均可以起到聚磁的作用，因此，中心华司222和边华司232的厚度对磁场强度b有着直接的影响。当w1/w2＜1/2或w1/w2＞2时，第一磁间隙和第二磁间隙对应的磁场强度b之间的差值较大，第一振动系统3和第二振动系统4的blx的非线性程度曲线的走势差别较大，在匹配同一个kms的情况下，第一振动系统3和第二振动系统4的
thd无法实现一致，即发声装置100的双面发声一致性较差。当1/2≤w1/w2≤2时，第一振动系统3和第二振动系统4的blx的非线性程度大致一致，在匹配同一个kms的情况下，第一振动系统3和第二振动系统4的thd大致实现一致，由此可以大大提升发声装置100的双面发声一致性，进而可以提升发声装置100的发声效果。可选地，w1/w2可以为1/2、1、3/2和2等。
60.如图6所示，在本实用新型的一些实施例中，连接部212的至少相对的两条边设置镂空孔212a，且/或，边磁铁231可以为多个，边华司232包括一体成型设置的主体部2321和多个华司部2322，主体部2321可以固定于壳体1，多个华司部2322均设于主体部2321且朝向靠近中心磁部22的方向延伸，每个华司部2322分别设于对应的边磁铁231远离第一支撑部211的一侧。
61.具体而言，通过在连接部212的相对的两条边上设置镂空孔212a，由此可以最大限度的利用壳体1内部的空间，使得中心磁部22和边磁部23之间的间隙的宽度做的更小。而且，设置镂空孔212a还可以减小磁路系统2的整体重量，从而可以实现发声装置100的轻量化设计。通过将边华司232设置成由主体部2321与多个华司部2322一体设置的一体成型结构，可以简化边华司232的整体结构，而且还可以简化边华司232与边磁铁231之间的装配流程，提升装配效率。
62.如图2、图6和图7所示，在本实用新型的一个具体实施例中，壳体1包括分体设置的第一子壳体11和第二子壳体12，第一子壳体11和第二子壳体12卡扣或粘接配合。其中，第一子壳体11与边华司232粘接连接或一体注塑成型，第二子壳体12与导磁轭21粘接连接或一体注塑成型。其中，边磁铁231为四个，边华司232包括一体成型设置的主体部2321和四个华司部2322，，主体部2321形成为方形并与第一子壳体11一体注塑成型，四个华司部2322分别设于主体部2321的四条边的靠近中心磁部22的一侧，每个华司部2322均设于对应的边磁铁231的顶端。导磁轭21包括框架部214，框架部214设于第一支撑部211的四周，当第二壳体1与导磁轭21配合时，框架部214与第二壳体1形成为一体注塑件。由此，通过上述设置，可以简化边华司232、导磁轭21与壳体1之间的装配关系，提升装配效率。
63.如图4所示，在本实用新型的一些实施例中，第一音圈32延其径向方向的厚度为t1，第二音圈42延其径向方向的厚度为t2，t1和t2满足关系式：1/2≤t1/t2≤2。具体而言，第一音圈32和第二音圈42的电阻阻值相同。当第一音圈32和第二音圈42的音圈线线径大小一致时，厚度较大的音圈的高度会降低。当t1/t2＜1/2或t1/t2＞2时，第一音圈和第二音圈之间的高度差较大，第一振动系统3和第二振动系统4的blx的非线性程度曲线的走势差别较大，在匹配同一个kms的情况下，第一振动系统3和第二振动系统4的thd无法实现一致，即发声装置100的双面发声一致性较差。同理，当第一音圈32和第二音圈42的音圈线线径大小相差较大时，在第一音圈32和第二音圈42相同阻值的前提下，当t1/t2＜1/2或t1/t2＞2时，线径大的音圈bl值大且质量也大，线径小的音圈bl值小且质量小，因此第一振动系统3和第二振动系统4的bl值和质量差异较大，第一振膜组件31和第二振膜组件41的发声响度差异也较大，即发声装置100的两侧发声的一致性也很差。
64.当1/2≤t1/t2≤2时，可以解决上述论述中存在的问题，第一振动系统3和第二振动系统4的blx的非线性程度大致一致，在匹配同一个kms的情况下，第一振动系统3和第二振动系统4的thd大致实现一致，由此可以大大提升发声装置100的双面发声一致性，进而可以提升发声装置100的发声效果。可选地，t1/t2可以为1/2、1、3/2和2等。
65.根据本实用新型第二方面实施例的电子设备，包括根据本实用新型上述第一方面实施的发声装置100。其中，电子设备可以为手机、pad、智能穿戴设备、电视等。
66.根据本实用新型第二方面实施例的电子设备，通过设置上述实施例的发声装置100，发声装置100设置其第一音圈32的延伸高度h1与第二音圈42的延伸高度h2满足关系式：5/6≤h1/h2≤5/4，由此可以大大提升发声装置100的双面发声一致性，进而可以提升电子设备的音频质量。
67.需要进行说明的是，以上仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的实用新型构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。