射频电路以及射频模组的制作方法

文档序号:34324839发布日期:2023-06-01 02:51阅读:42来源:国知局
射频电路以及射频模组的制作方法

本申请涉及射频,更具体地,涉及一种射频电路以及射频模组。


背景技术:

1、在射频技术领域中,在某些特定的情况下,射频信号不需要经过射频模块。以射频模块为低噪声放大器为例,当输入的射频信号的信号功率比较大时,则该射频信号不需要经过低噪声放大器。在这种情况下,在射频模块所在的电路中则需要设计一个旁路支路让射频信号通过。

2、在现有技术中,往往会在射频模块的信号输入端和信号输出端并联一个可控开关(例如,金属氧化物半导体场效应晶体管,metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor,mos管)作为旁路支路。当该mos管处于导通状态时,射频信号流向该mos管所在的支路;当该mos管处于断开状态时,射频信号则流向射频模块。

3、然而,若是mos管要保证能够正常工作,对栅极电压和源极电压的电位要求比较苛刻,也即,栅极和源极之间的电压差要大于mos管的阈值电压。但是,在射频信号的信号功率较大的情况下,射频信号的电压摆幅较大,导致mos管的源极电压会受到射频信号的影响,进而影响mos管的工作状态。


技术实现思路

1、本申请实施例提供一种射频电路以及射频模组。

2、根据本申请的第一方面,本申请实施例提供一种射频电路,包括射频模块、旁路开关、第一模块以及控制模块。其中,射频模块包括第一信号端和第二信号端;旁路开关包括第一连接端、第二连接端和控制端,第一连接端和第一信号端相连接,第二连接端和第二信号端相连接;第一模块包括第一电容,第一电容连接在第一连接端和第一信号端之间;控制模块连接于旁路开关的控制端和第一连接端。

3、其中,在一些可选实施例中,第一模块还包括第一电阻;第一电阻的第一端连接于第一电容和第一连接端之间的公共连接端,第一电阻的第二端连接于控制模块。

4、其中,在一些可选实施例中,射频电路还包括第二模块;第二模块包括第二电容,第二电容连接在第二连接端和第二信号端之间。

5、其中,在一些可选实施例中,第二模块还包括第二电阻;第二电阻的第一端连接于第二电容和第二连接端之间的公共连接端,第二电阻的第二端连接于第一电阻的第二端。

6、其中,在一些可选实施例中,第一电阻的电阻值和第二电阻的电阻值相等;第一电容的电容值和第二电容的电容值相等。

7、其中,在一些可选实施例中,第一电阻的电阻值大于或等于10千欧。

8、其中,在一些可选实施例中,控制模块包括控制单元和电压反相单元;控制单元包括电压输出端,电压输出端连接于旁路开关的控制端;电压反相单元的输入端连接于电压输出端,电压反相单元的输出端连接于第一电阻的第二端。

9、其中,在一些可选实施例中,旁路开关为n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。

10、其中,在一些可选实施例中,旁路开关为p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。

11、根据本申请的第二方面,本申请实施例提供一种射频模组,包括上述的射频电路。

12、本申请实施方式提供的射频电路以及配置有射频电路的射频模组中,射频电路包括射频模块、旁路开关、第一模块和控制模块。其中,旁路开关和射频模块相并联。第一模块中的第一电容连接在旁路开关的第一连接端和射频模块的第一信号端之间,控制模块还连接于旁路开关的控制端和第一连接端。具体地,控制模块可以向旁路开关的控制端和第一连接端输出控制电压,使得旁路开关处于导通状态,此时,射频电路输入的射频信号不再流向射频模块。

13、由于本申请中的第一电容连接在射频模块和旁路开关之间,可以用于对射频信号中的直流电压进行阻隔,避免了控制模块在对旁路开关进行控制时,输出的控制电压受到射频信号中直流电压的影响,进而保证控制模块能够顺利对旁路开关的工作状态进行控制。



技术特征:

1.一种射频电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的射频电路,其特征在于,所述第一模块还包括第一电阻;

3.根据权利要求2所述的射频电路,其特征在于,所述射频电路还包括第二模块;

4.根据权利要求3所述的射频电路,其特征在于,所述第二模块还包括第二电阻;

5.根据权利要求4所述的射频电路,其特征在于,所述第一电阻的电阻值和所述第二电阻的电阻值相等;所述第一电容的电容值和所述第二电容的电容值相等。

6.根据权利要求2至5任意一项所述的射频电路,其特征在于,所述第一电阻的电阻值大于或等于10千欧。

7.根据权利要求2至5任意一项所述的射频电路,其特征在于,所述控制模块包括控制单元和电压反相单元;

8.根据权利要求1至5任意一项所述的射频电路,其特征在于,所述旁路开关为n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。

9.根据权利要求1至5任意一项所述的射频电路,其特征在于,所述旁路开关为p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。

10.一种射频模组,其特征在于,包括:如权利要求1至9任意一项所述的射频电路。


技术总结
本申请公开了一种射频电路以及射频模组。该射频电路包括射频模块、旁路开关、第一模块以及控制模块。其中,射频模块包括第一信号端和第二信号端;旁路开关包括第一连接端、第二连接端和控制端,第一连接端和第一信号端相连接,第二连接端和第二信号端相连接;第一模块包括第一电容,第一电容连接在第一连接端和第一信号端之间;控制模块连接于旁路开关的控制端和第一连接端。由于本申请中的第一电容连接在射频模块和旁路开关之间,可以用于对射频信号中的直流电压进行阻隔,避免了控制模块在对旁路开关进行控制时,输出的控制电压受到射频信号中直流电压的影响,进而保证控制模块能够顺利对旁路开关的工作状态进行控制。

技术研发人员:吴昊,李镁钰,倪建兴
受保护的技术使用者:锐石创芯(深圳)科技股份有限公司
技术研发日:20221230
技术公布日:2024/1/12
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