一种探测器的时序控制方法

本发明涉及探测器的时序控制，具体涉及一种基于高可靠性应用的面阵探测器的时序控制方法。

背景技术：

1、二维面阵探测器与一维线阵成像探测器相比，输出的图像是以帧为单位的，而不是以行为循环周期的，感光的像素不仅存在列，还存在不同的行。面阵探测器输出的一帧图像，存在多个重复的读出行，还存在读出操作前的曝光操作。由于在不同的曝光时间范围内，工作的时序不同，工作时序复杂，容易出现设计错误。若在时序设计过程中处理不当，可能引起探测器内部工作异常，导致输出异常的图像。

技术实现思路

1、本发明为解决现有探测器的时序控制过程中，在不同的曝光时间范围内，工作的时序不同，工作时序复杂，容易出现设计错误；引起探测器内部工作异常，导致输出异常的图像等问题，提供一种探测器的时序控制方法。

2、一种探测器的时序控制方法，该方法的实现过程为：

3、将探测器的帧周期划分为读出阶段和曝光阶段；

4、设定所述读出阶段的长度不随曝光时间变化，曝光阶段的长度与曝光时间相关；

5、当曝光时间长度低于曝光工作时序所需的最小长度时，则曝光阶段的长度为恒定的曝光工作时序所需的最小长度；当曝光时间长度大于等于曝光工作时序所需的最小长度时，则曝光阶段的长度为曝光时间与固定曝光处理操作时间之和；

6、设定读出操作处理信号lp_ctrl_n的高电平长度为n+1个读出行周期长度加上曝光工作时序所需的最小长度再加上固定的曝光处理操作时间；当曝光时间长度小于曝光工作时序所需的最小长度时，则所述读出操作处理信号lp_ctrl_n的上升沿对应一帧的计时起点位置；当曝光时间长度大于等于曝光工作时序所需的最小长度时，则读出操作处理信号lp_ctrl_n的上升沿距离一帧的计时起点的长度为曝光时间减去曝光工作时序所需的最小长度；

7、当曝光时间长度小于曝光工作时序所需的最小长度时，则读出使能信号rd_fval的上升沿距离一帧的计时起点的长度为曝光时间与固定曝光处理操作时间之和；当曝光时间长度大于等于曝光工作时序所需的最小长度时，则读出使能信号rd_fval的上升沿距离一帧的计时起点的长度为曝光时间加上固定曝光处理操作时间；

8、当曝光时间长度小于曝光工作时序所需的最小长度时，则曝光复位起始信号rst_fval的上升沿距离一帧的计时起点的长度为曝光工作时序所需的最小长度加上固定曝光处理操作时间后减去曝光时间；当曝光时间长度大于等于曝光工作时序所需的最小长度时，则曝光复位起始信号rst_fval的上升沿对应一帧的计时起点位置。

9、本发明的有益效果：

10、1、本发明所述的时序控制方法中，将整个帧周期划分为读出阶段和曝光阶段，这样方便确定不变量和变化量，减少出错可能性。

11、2、本发明所述的时序控制方法中，以一帧的计时起点作为各时序信号共同的参考基准，这样便于保证各信号之间的相互相位关系。

12、3、本发明所述的时序控制方法中，将曝光时间长度于曝光工作时序所需的最小长度进行比较，从而形成不同信号的电平长度和计时起点位置，避免时序出错。

技术特征：

1.一种探测器的时序控制方法，其特征是：该方法的实现过程为：

2.根据权利要求1所述的一种探测器的时序控制方法，其特征在于：对曝光时间长度进行检测；

3.根据权利要求1所述的一种探测器的时序控制方法，其特征在于：对读出阶段的长度及时序进行检查；

4.根据权利要求1所述的一种探测器的时序控制方法，其特征在于：对曝光阶段长度及时序进行检查；

5.根据权利要求1至4任意一项所述的一种探测器的时序控制方法，其特征在于：该控制方法通过探测器的成像系统实现，所述成像系统包括相机控制器、成像控制器供电芯片、成像控制器、探测器供电芯片和多谱段探测器；

6.根据权利要求5所述的一种探测器的时序控制方法，其特征在于：所述成像系统还包括与所述成像控制器同时连接加载配置数据源prom和可擦写的主备flash，并连接mram进行校正系数的更新和每次摄像前校正系数的加载；所述成像控制器选择经cameralink芯片和cameralink连接器输出图像数据，或经过2711芯片和2711连接器输出图像数据。

技术总结
一种探测器的时序控制方法，涉及探测器的时序控制技术领域，解决现有探测器的时序控制过程中，由于工作的时序不同，工作时序复杂，容易出现设计错误；引起探测器内部工作异常，导致输出异常的图像等问题，本发明方法中，将整个帧周期划分为读出阶段和曝光阶段。读出阶段的长度不随曝光时间变化；当曝光时间长度低于曝光工作时序所需的最小长度时，则曝光阶段的长度为恒定的曝光工作时序所需的最小长度；当曝光时间长度大于曝光工作时序所需的最小长度时，则曝光阶段的长度为曝光时间与曝光处理操作时间之和。本发明将曝光时间长度于曝光工作时序所需的最小长度进行比较，从而形成不同信号的电平长度和计时起点位置，避免时序出错。

技术研发人员：余达,司国良,魏君成,梅贵,宁永慧,石俊霞,刘春香
受保护的技术使用者：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15