半导体器件的制作方法

本公开涉及一种半导体器件。

背景技术：

1、已经在通信设备的接收器中引入了载波聚合(ca)以提高数据传输速率。在使用ca的情况下，因为其中将若干个信号频带同时组合起来使用的带宽(bw)被加宽，所以可以一次传输的数据量增加，因此可以增加数据传输速率。

2、因为分配给每个国家或每个国家的每个通信公司的频带彼此不同，所以通信设备的接收器应当支持各种频带中的所有频带。为此，通信设备的接收器可以根据所需的ca组合和载波分量(cc)特性来确定用于处理信号的接收端口的数目和接收电路的数目，然后可以将接收端口与接收电路连接以执行信号处理。

3、在这种情况下，因为信号处理质量可以根据接收端口与接收电路之间的连接状态而变化，所以需要研究以改善信号处理质量。

技术实现思路

1、一个方面是提供一种具有改进的信号处理性能的半导体器件。

2、根据一个或更多个实施例的一些方面，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一低噪声放大器(lna)，所述第一lna连接到第一接收端口；第二lna，所述第二lna连接到与所述第一接收端口不同的第二接收端口；第一接收电路，所述第一接收电路包括第一变压器并且被配置为对所述第一lna的输出和所述第二lna的输出中的至少一者进行处理；第二接收电路，所述第二接收电路被配置为对所述第一lna的输出和所述第二lna的输出中的至少一者进行处理；以及射频(rf)多路选择器，所述rf多路选择器被配置为控制所述第一lna和所述第二lna与所述第一接收电路和所述第二接收电路之间的连接。所述第一接收电路还包括具有第一端和第二端的第一可变电容器，所述第一端连接到所述rf多路选择器的输出，并且所述第二端连接到所述第一变压器。

3、根据一个或更多个实施例的一些方面，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一lna，所述第一lna连接到第一接收端口；第二lna，所述第二lna连接到与所述第一接收端口不同的第二接收端口；第一接收电路，所述第一接收电路包括第一变压器并且被配置为对所述第一lna的输出和所述第二lna的输出中的至少一者进行处理；第二接收电路，所述第二接收电路被配置为对所述第一lna的输出和所述第二lna的输出中的至少一者进行处理；以及rf多路选择器，所述rf多路选择器被配置为控制所述第一lna和所述第二lna与所述第一接收电路和所述第二接收电路之间的连接；其中，所述第一接收电路还包括第一电容器，所述第一电容器具有连接到所述rf多路选择器的输出的第一端和连接到所述第一变压器的第二端，所述第一电容器具有第一电容，并且所述第二接收电路还包括第二电容器，所述第二电容器具有连接到所述rf多路选择器的输出的第一端和连接到所述第二变压器的第二端，所述第二电容器具有与所述第一电容不同的第二电容。

4、根据一个或更多个实施例的一些方面，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一低噪声放大器(lna)，所述第一lna连接到第一接收端口；第二lna，所述第二lna连接到与所述第一接收端口不同的第二接收端口；第一接收电路，所述第一接收电路包括第一变压器并且被配置为对所述第一lna的输出和所述第二lna的输出中的至少一者进行处理；第二接收电路，所述第二接收电路被配置为对所述第一lna的输出和所述第二lna的输出中的至少一者进行处理；以及rf多路选择器，所述rf多路选择器被配置为控制所述第一lna和所述第二lna与所述第一接收电路和所述第二接收电路之间的连接。所述第一接收电路包括：第二开关，所述第二开关通过具有第一电容的第一电容器将所述rf多路选择器的输出传送到所述第一变压器；第三开关，所述第三开关通过具有第二电容的第二电容器将所述rf多路选择器的输出传送到所述第一变压器，所述第二电容不同于所述第一电容；以及第一开关，所述第一开关将所述rf多路选择器的输出连接到所述第一电容器的第二端和所述第二电容器的第二端，以绕开所述第一电容器和所述第二电容器。

技术特征：

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接收电路还包括第一混频器，并且

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一接收电路还包括：

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一可变电容器的电容基于由所述第一接收电路处理的信号的频带而改变。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一接收电路还包括第一混频器，并且所述第一可变电容器的电容基于输入到所述第一混频器的本地振荡器信号而改变。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接收电路还包括第二可变电容器，所述第二可变电容器被配置为对所述第一变压器的调谐范围进行调整并且连接在所述第一变压器的输出端之间。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接收电路还包括第二可变电容器，所述第二可变电容器被配置为对所述第一变压器的调谐范围进行调整，所述第二可变电容器具有连接到所述第一变压器的第一端和接地的第二端。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一可变电容器包括：

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中：

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一接收电路还包括第一混频器，并且

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，当所述射频多路选择器将所述第一低噪声放大器与所述第一接收电路连接时所使用的第一线的长度不同于当所述射频多路选择器将所述第一低噪声放大器与所述第二接收电路连接时所使用的第二线的长度。

12.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，由所述第一接收电路处理的信号的频带不同于由所述第二接收电路处理的信号的频带。

14.根据权利要求12所述的半导体器件，其中：

15.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第一接收电路还包括可变电容器，所述可变电容器被配置为对所述第一变压器的调谐范围进行调整并且连接在所述第一变压器的输出端之间。

16.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中：

18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述第一接收电路还包括第一混频器，并且

19.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，所述第一接收电路还包括可变电容器，所述可变电容器被配置为对所述第一变压器的调谐范围进行调整并且连接在所述第一变压器的输出端之间。

20.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，所述第一接收电路还包括可变电容器，所述可变电容器被配置为对所述第一变压器的调谐范围进行调整，所述可变电容器具有连接到所述第一变压器的第一端和接地的第二端。

技术总结
一种半导体器件包括第一低噪声放大器(LNA)、第二LNA、第一接收电路和第二接收电路、以及射频多路选择器。第一LNA连接到第一接收端口，并且第二LNA连接到与第一接收端口不同的第二接收端口。第一接收电路包括第一变压器并且对第一LNA和第二LNA的一个或更多个输出进行处理。第二接收电路对第一LNA和第二LNA的输出中的一个或更多个输出进行处理。射频多路选择器控制第一LNA和第二LNA与第一接收电路和第二接收电路之间的连接。第一接收电路包括具有第一端和第二端的第一可变电容器，该第一端连接到射频多路选择器的输出并且该第二端连接到第一变压器。

技术研发人员：裵廷烈,李钟洙,金德洙,梁义凤
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4