专利名称：一种电话外线防偷搭窃打装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电话外线路防偷搭窃打的装置，属电通信技术的保密通信类。
近年来，随着城乡电话的普及，偷搭他人电话线打电话的不道德事件也屡有发生，已发展成一个社会公害，虽然国内也出现多种结构各异的“电话防窃警示器”，但共同的特点结构复杂，成本高，可靠性低，有的甚至还须外带电池，所以都不够理想。
本实用新型的目的是提供一种电话线路防偷搭窃打器；它不仅结构简单，可靠性高，静态电流极小，更无须外带电池供电，具有成本低，可靠性好的特点。
本实用新型是这样实现的控制电话线路不被窃打是由两个VMOS场效应管和光电耦合器配合产生振荡来实现的，光电耦合器的发光管一端接在一VMOS场效应管的漏极，另一端接在电话线的正极端，VMOS场效应管的栅极由一电阻接向电话线的正极同时又与另一VMOS场效应管的漏极相接，另一VMOS场效应管的栅极经一电阻再与双向触发管(DIAC)和光电耦合器的光敏管并联电路相接到电话线的正极端，两VMOS场效应管的源极都接在电话线的负极。也就是说光电耦合器的发光管与一VMOS场效应管的漏极相连，VMOS场效应管的栅极与另一VMOS场效应管的漏极相连，另一VMOS场效应管的栅极又经一电阻与光电耦合器的光敏管相连。用户话机一端接在另一VMOS场效应管的栅极，并经一电容到负极(确保振铃信号的交流通路)。另一端接电话线的正极，这样当外线路被偷搭话机时，由于电话线两端电位降低，双向触发管截止，而引起振荡产生干扰信号使窃打者无法拨号，用户自身话机却不受制约。
本实用新型具有结构简单、成本低、可靠性高的有效装置，并不需要外带电池供电，是一种理想的电话卫士。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的原理结构连接图。
图2是本实用新型实施例1的原理结构连接图。
图1中Q1、Q2是VMOS场效应管，R1、R2、R3是电阻，D是双向触发二极管(DIAC)，U是光电耦合器，C1、C2是电容，K是话机叉簧开关，Z是用户话机的等效电路。
图1中，在正常情况下电话线两端电压约48V，加在本电路中时48V电压使D雪崩击穿，通过R2、R3给Q2提供一分压，Q2导通，把Q1的栅极拉成低电位，Q1截止，由于Q1、Q2都是VMOS场效应管，所以正常情况下该装置几乎不耗能(静态电流只有微安级)。当外线被偷搭话机时，电话线的正负极之间电压由48V降到6至8V，此时双向触发二极管D截止，Q2得不到电压截止，致使Q1栅极电压升高Q1导通，由于Q1导通，光电耦合器内部的发光管亮，光敏管导通又给Q2一个栅极电压，Q2又导通，Q1的栅极得不到电压又截止，光电耦合器也截止，Q2得不到栅极电压又截止。Q1的栅极电压又提高，Q1再次导通，这样周而复始产生的振荡信号回馈到电话线使偷搭者无法拨号窃打电话。而当用户话机提机时相当于叉簧K合上，Q2得到电压保持导通，使Q1的栅极保持低电位Q1处于截止。不产生振荡干扰信号，从而不影响用户话机的正常使用。
实施例1从图2可知，它与图1的不同之处在于图中的VMOS场效应管Q1、Q2由高β值的达林顿管所代替，其工作原理与相同，故不再赘述。
权利要求1.一种电话外线防偷搭窃打装置，其特征在于光电耦合器的发光管与一VMOS场效应管的漏极相连，VMOS场效应管的栅极与另一VMOS场效应管的漏极相连，另一VMOS场效应管的栅极又经一电阻与光电耦合器的光敏管相连。
2.根据权利要求1所述的电话外线防偷搭窃打装置，其特征在于VMOS场效应管可以由高β值的达林顿管所代替。
专利摘要一种能防止电话线路被偷搭窃打的装置，它是由光电耦合器的发光管与一VMOS场效应管的漏极相连接，VMOS场效应管的栅极又与另一VMOS场效应管的漏极相连接，另一VMOS场效应管的栅极，经由一电阻再与双向触发二极管(DIAC)和光电耦合器的光敏管并联电路连接至电话线的正极，VMOS场效应管的源极都接在电话线的负极，用户话机接在另一VMOS场效应管的栅极和电话线的正极间，这可确保用户话机使用时不受影响(该装置保持截止)，而当有人偷搭外线窃打电话时，该装置产生振荡信号使偷搭话机无法使用。
文档编号H04M1/00GK2214056SQ9423127
公开日1995年11月29日 申请日期1994年12月31日 优先权日1994年12月31日
发明者陈树光 申请人:陈树光