0028]在没有声波作用于电极B上时，如图1由于电场平衡电极B合场强为零，输出不显电性，F无音频信号输出。
[0029]在有声波作用于电极板B上时，如图2、3电极板B随声波振动此时电场静电平衡被打破，电极板B带电荷，F输出音频电压信号。
[0030]本实施例中，所述的导电薄膜是一个弹性的、保持预应力的薄膜，正极板、负极板之间建立了一个电场，导电薄膜受到声场作用并且直接被该声场激励而进行振动。
[0031]本实施例，所述的静电场平板话筒结构简单，造价低廉，生产制造方便。性能优良，表现优秀。使用环境无特殊限制，可以在户内，也可以是户外。
[0032]结构简单只有3个电极和相应的绝缘结构件不含笨重的磁体，娇贵的音圈，铝带，以及难以制造的高性能驻极振膜，或驻极极板。造价低廉取材容易无复杂核心技术。无精密易损配件，寿命较长。易制成单体多单元话筒用以适不同频段。本话筒是高阻抗电荷型输出。抗干扰能力较强，不易受磁场干扰。话筒可以做的很轻巧和超薄，仍不影响其性能。
[0033]本实施例，制造静电场的两个极板A和C，可以选用带孔的金属材料，本实施例中选用一种80目的不锈钢丝网将其固定在支架结构上，以其制成电极A和C。丝网本身带孔(导声孔)无需再开孔。电极B，我们在这里选用一种用以制造薄膜电容器的覆铝聚乙烯薄膜，而后在3个电极上安装引线即可。
[0034]实施例2
[0035]如图4所示，本实施例静电场平板话筒，包括绝缘支架，设置在所述绝缘支架上的正极板A、负极板C以及设置在所述的正极板、负极板之间的两导电薄膜Bl、B2，所述导电薄膜与所述的正极板、负极板间距设置，所述的正极板、负极板分别连接偏压电源形成一个静电场，所述的正极板、负极板上分别设有导声孔，两所述的导电薄膜间距的排布在同一平面。
[0036]正极板A、导电薄膜Bl、B2、负极板C均为导体电极，其中A和C均为固定电极，电极上开导声孔。电极板B为导电薄膜可以在声场中随着声波振动。电极B放置在由电极A和C电源D和E构成的静电场。
[0037]在没有声波作用于电极B上时，如图4由于电场平衡电极B合场强为零，输出不显电性，Fl、F2无音频信号输出。
[0038]本实施例不同实施例1之处在于，本实施例设置了两导电薄膜Bl、B2，两导电薄膜，两薄膜尺寸不相同，该静电场平板话筒即为一个双频段的话筒。如此类推，导电薄膜还可以为3片、4片甚至更多。
[0039]在有声波作用于导电薄膜上时，导电薄膜随声波振动此时电场静电平衡被打破，导电薄膜显电性，在Fl.F2输出音频信号。
[0040]本实施例中，所述的导电薄膜是一个弹性的、保持预应力的薄膜，正极板、负极板之间建立了一个电场，导电薄膜受到声场作用并且直接被该声场激励而进行振动。
[0041 ] 上述各实施例中，所述的正极板、负极板和振膜可以采用任何导电体材料。
[0042]上述各实施例中，所述的正极板、负极板需加一路(单电源方式)或俩路(双电源方式)偏压，用于产生静电场。
[0043]上述各实施例中，所述的正极板需连接偏压电源的正极，负极板需连接偏压电源的负极或接地。
[0044]上述各实施例中，所述导电薄膜与所述的正极板、负极板之间的间距分别为0.8至丨J 90 μπι。
[0045]上述各实施例中，所述的正极板、负极板上的导声孔的大小为80目。
[0046]上述各实施例中，还包括分别与所述导电薄膜连接的放大器。
[0047]上述各实施例中，所述导电薄膜的厚度为0.8到90 μ m0
[0048]对本发明应当理解的是，以上所述的实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细的说明，以上仅为本发明的实施例而已，并不用于限定本发明，凡是在本发明的精神原则之内，所作出的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内，本发明的保护范围应该以权利要求所界定的保护范围为准。
【主权项】
1.一种静电场平板话筒，其特征在于:包括绝缘支架，设置在所述绝缘支架上的正极板、负极板以及设置在所述的正极板、负极板之间的至少一导电薄膜，所述导电薄膜与所述的正极板、负极板间距设置，所述的正极板、负极板分别连接偏压电源形成一个静电场，所述的正极板、负极板上分别设有导声孔。2.根据权利要求1所述的静电场平板话筒，其特征在于:所述的正极板、负极板之间设有两导电薄膜，两所述的导电薄膜间距的排布在同一平面。3.根据权利要求1所述的静电场平板话筒，其特征在于:所述导电薄膜与所述的正极板、负极板之间的间距为0.8到90 μ m。4.根据权利要求1所述的静电场平板话筒，其特征在于:所述的正极板、负极板上的导声孔的大小为80目。5.根据权利要求1所述的静电场平板话筒，其特征在于:所述偏压电源为单电源，所述正极板连接所述单电源的正极，所述负极板连接所述单电源的负极或接地； 或 所述偏压电源为双电源，所述正极板连接一电源的正极，所述负极板连接另一电源的负极。6.根据权利要求1所述的静电场平板话筒，其特征在于:所述正极板和所述负极板结构相同。7.根据权利要求1所述的静电场平板话筒，其特征在于:所述导电薄膜的厚度为0.8至丨J 90 μ??ο
【专利摘要】本发明为静电场平板话筒，包括绝缘支架，设置在所述绝缘支架上的正极板、负极板以及设置在所述的正极板、负极板之间的至少一导电薄膜，所述导电薄膜与所述的正极板、负极板间距设置，所述的正极板、负极板分别连接偏压电源形成一个静电场，所述的正极板、负极板上分别设有导声孔。
【IPC分类】H04R1/08
【公开号】CN105407419
【申请号】CN201510914172
【发明人】杨泽
【申请人】杨泽
【公开日】2016年3月16日
【申请日】2015年12月11日