一种低压直流载波电路的制作方法_2

文档序号:10095297阅读:来源:国知局
收脚;
[0049]V-1N是给受电电路2供电,在实际电路中,这里可能需要稳压,并有一定的电解电容储电支持通信;
[0050]OUT和IN端子是供、受电电路2之间的连线端子;
[0051]电路中BRID1为防反向整流桥,供电电路1和受电电路2之间的连线可以不用考虑正负方向。
[0052]供电原理:
[0053]根据芯片的特性,供电电路1的MCU没有通信的时候,其MCU1-TXD引脚输出高电平,三极管Q1的发射极(E极)、集电极(C极)两端导通,从而三极管Q2的发射极(E极)、集电极(C极)两端导通,电源VDD通过供电电路1的Q2和IC1的原边给受电电路2供电;电流经过受电电路2的整流桥BRID1,通过三极管Q3和IC2给受电电路2供电;
[0054]供电电路1发送信号:
[0055]当供电电路1从MCU1-TXD端口发送高电平信号,三极管Q1的发射极(E极)、集电极(C极)两端导通,三极管Q2的基极(B极)电压拉低,从而三极管Q2的发射极(E极)、集电极(C极)两端导通,光藕IC1原边有电压、电流,故光藕IC1副边导通,MCU1-RXD端口收到高电平信号,而且电流通过光藕IC1的原边,供给受电电路2 ;受电电路2MCU处于接收状态,根据芯片的特性,其MCU2-TXD引脚输出高电平,光藕IC2原边没有电流,故光藕IC2副边截止,三极管Q3发射极(E极)、集电极(C极)两端导通,电流通过三极管Q3及光藕IC3的原边,给受电电路2供电;同时光藕IC3原边有电流,光藕IC3副边导通,MCU2-RXD端口收到高电平信号;
[0056]当供电电路1从MCU1-TXD端口发送低电平信号,三极管Q1的发射极(E极)、集电极(C极)两端截至,三极管Q2的基极(B极)电压被上拉电阻R3拉高,从而三极管Q2的发射极(E极)、集电极(C极)两端截至,光藕IC1原边失去电压、电流,故光藕IC1副边截止,MCU1-RXD端口收到低电平信号,而且此时没有电流流过光藕IC1的原边,供给受电电路2 ;由于没有电流流向受电电路2,所以受电电路2光藕IC3原边没有电流,故光藕IC3副边截止,MCU2-RXD端口收到低电平信号;
[0057]受电电路2发送信号:
[0058]当受电电路2从MCU2-TXD端口发送高电平信号,光藕IC2原边没有电流,故光藕IC2副边截止,三极管Q3发射极(E极)、集电极(C极)两端导通,电流流过三极管Q3及光藕IC3的原边,光藕IC3的原边有电流,故光藕IC3副边导通,MCU2-RXD端口收到高电平信号;同时由于当受电电路2从MCU2-TXD端口发送信号时,供电电路1MCU处于接收状态,根据芯片特性,其MCU1-TXD引脚输出高电平,允许电流经过三极管Q2和光藕IC1流向受电电路2,光藕IC1副边导通,MCU1-RXD端口收到高电平信号,故在受电电路2MCU2-TXD端口发送高电平信号时,供电电路1MCU1-RXD端口收到高电平信号;
[0059]当受电电路2从MCU2-TXD端口发送低电平信号,光藕IC2原边有电流流过,故光藕IC2副边导通,三极管Q3的基极(B极)电压拉高,三极管Q3发射极(E极)、集电极(C极)两端截至,光藕IC3的原边没有电流流过,故光藕IC3副边截止,MCU2-RXD端口收到低电平信号;由于受电电路2从MCU2-TXD端口发送低电平信号时,切断了供电电路1给受电电路2这个电流回路,所以供电电路1光藕IC1原边没有电流流过,光藕IC1副边截止,MCU1-RXD端口收到低电平信号,即在受电电路2MCU2-TXD端口发送低电平信号时,供电电路1MCU1-RXD端口收到低电平信号。
[0060]本实用新型实施例提供的一种低压直流载波电路,包括:供电电路和受电电路;供电电路包括:MCU1、三极管Q1、三极管Q2和光耦合器件IC1 ;受电电路包括:MCU2、整流桥BRID1、三极管Q3和光耦合器件IC2 ;MCU1与三极管Q1的基极端连接,三极管Q1发射极端接地,三极管Q1集电极端与三极管Q2的基极端连接,三极管Q2的集电极端与光耦合器件IC1原边连接,三极管Q2的集电极端还与供电电路一输出端连接,光耦合器件IC1副边与供电电路另一输出端连接;供电电路的输出端与受电电路两输入端连接,受电电路的输入端与整流桥BRID1连接,整流桥BRID1还与三极管Q3的发射极端连接,三极管Q3的基极端和发射极端均与光耦合器件IC2副边连接,光耦合器件IC2原边与MCU2连接。本实施例中,通过MCU1输出高电平,三极管Q1的发射极(E极)、集电极(C极)两端导通,从而三极管Q2的发射极(E极)、集电极(C极)两端截至,通过供电电路的三极管Q2和光耦合器件IC1的原边给受电电路供电,电流经过整流桥BRID1,通过三极管Q3和光耦合器件IC2给受电电路2供电,解决了目前对电源要求高,电压需要相对稳定,而导致的电压波动的时候误差很大的技术问题,通过简易的低压直流载波电路,即利用低压直流供电的电线既实现供电功能,又实现通信功能。
[0061]以上所述,以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。
【主权项】
1.一种低压直流载波电路,其特征在于,包括: 供电电路和受电电路; 所述供电电路包括:MCU1、三极管Q1、三极管Q2和光耦合器件IC1 ; 所述受电电路包括:MCU2、整流桥BRID1、三极管Q3和光耦合器件IC2 ; 所述MCU1与所述三极管Q1的基极端连接,所述三极管Q1发射极端接地,所述三极管Q1集电极端与所述三极管Q2的基极端连接,所述三极管Q2的集电极端与所述光耦合器件IC1原边连接,所述三极管Q2的集电极端还与所述供电电路一输出端连接,所述光耦合器件IC1副边与所述供电电路另一输出端连接; 所述供电电路的所述输出端与所述受电电路两输入端连接,所述受电电路的所述输入端与所述整流桥BRID1连接,所述整流桥BRID1还与所述三极管Q3的发射极端连接,所述三极管Q3的基极端和发射极端均与所述光耦合器件IC2副边连接,所述光耦合器件IC2原边与所述MCU2连接。2.根据权利要求1所述的低压直流载波电路,其特征在于,所述三极管Q3的集电极端还与光耦合器件IC3原边连接,所述光耦合器件IC3副边与所述MCU连接。3.根据权利要求2所述的低压直流载波电路,其特征在于,所述光耦合器件IC3副边还通过相互串联的电阻R9和电阻R7,与所述光耦合器件IC2原边连接。4.根据权利要求3所述的低压直流载波电路,其特征在于,所述光耦合器件IC3副边和所述光耦合器件IC2原边均与所述MCU2的TXD端连接。5.根据权利要求4所述的低压直流载波电路,其特征在于,所述光耦合器件IC3原边与V-1N端连接。6.根据权利要求5所述的低压直流载波电路,其特征在于,所述三极管Q1的基极端通过电阻R1与所述MCU1的TXD端。7.根据权利要求6所述的低压直流载波电路,其特征在于,所述光耦合器件IC1副边与所述MCU1的RXD端连接。8.根据权利要求7所述的低压直流载波电路,其特征在于,所述三极管Q1的集电极端还与相互串联的电阻R2和电阻R3与所述供电电路电源端VDD连接。9.根据权利要求8所述的低压直流载波电路,其特征在于,所述光耦合器件IC1副边还与所述供电电路用于给所述MCU1供电的VCC-1端连接; 所述光耦合器件IC2主边还与所述供电电路用于给所述MCU2供电的VCC-2端连接; 所述光耦合器件IC3副边还与所述供电电路用于给所述MCU2供电的VCC-2端连接。10.根据权利要求1至9中任意一项所述的低压直流载波电路,其特征在于,所述整流桥BRID1为防反向整流桥。
【专利摘要】本实用新型实施例公开了一种低压直流载波电路,解决了目前对电源要求高,电压需要相对稳定,而导致的电压波动的时候误差很大的技术问题,通过简易的低压直流载波电路,即利用低压直流供电的电线既实现供电功能,又实现通信功能。本实用新型实施例包括:供电电路和受电电路;所述供电电路包括:MCU1、三极管Q1、三极管Q2和光耦合器件IC1;受电电路包括:MCU2、整流桥BRID1、三极管Q3和光耦合器件IC2。
【IPC分类】H04B3/54, H04B3/56, H02M7/02
【公开号】CN205005048
【申请号】CN201520833370
【发明人】陈勇
【申请人】从兴技术有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年10月22日
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