专利名称：掩模、有机el元件的制造方法及有机el打印机的制作方法
技术领域：
本发明涉及掩模、有机EL元件的制造方法及有机EL打印机。特别涉及用于形成高分子有机EL元件的干法蚀刻中使用的掩模。
背景技术：
由于有机EL面板是具有层叠了薄膜的构造的自发光型且制造方法简单，因此作为光源非常引人关注。
尤其，高分子有机EL元件，可将高分子有机EL材料溶解于溶剂中，通过旋涂法或喷墨法在大气中形成，因此容易对应于大型基板。其中，从制造方法的容易度出发，旋涂法作为形成单色光源或照明的方法而被最广泛利用。
但是，由于旋涂法在整个基板涂敷面涂敷有机材料，因此在密封部分或电路等的电连接部分开孔时，必须由溶剂等选择性地除去有机材料。以往，向基板外周部喷射大量的溶剂来溶解除去，但会大量消耗溶剂，而且，伴随于此还会产生大量的废液，因此担心对地球环境的影响。
作为解决该问题的方法之一，提出了以下所示的方法。
具体为，首先，通过旋涂法在基板上成膜有机材料，使对应于图案的区域开口的掩模密接到基板上进行安装。然后，通过使用氧等离子体的干法蚀刻，选择性地除去未由掩模被覆的不要部分，从而在基板上形成规定图案(参照专利文献1)。
该方法中，无需大量的溶剂，而且由于可根据掩模进行准确的图案形成，因此可削减为了溶剂的侵入所需要的多余的面积，从而可实现制品芯片的小型化和伴随于此的由一块基板获得的个数的增加所带来的低成本化。
但是，上述专利文献1所公开的方法中，将成膜于基板上的有机材料图案形成为规定图案时，通过使掩模的与基板的对置面(安装面)与基板上的有机材料接触，从而选择性地蚀刻未由上述掩模被覆的有机材料。因此，由于产生图案的发光层的表面与掩模的对置面接触，因此存在受到由与掩模的接触引起的划痕等损伤的问题。
专利文献1特开2005-166476号公报发明内容本发明鉴于上述课题而实现，目的在于高精度且容易地提供一种在进行掩模蚀刻来形成规定形状的图案时，可不会造成由划痕等引起的损伤而形成图案的掩模，以及使用该掩模的高分子有机EL发光元件。
为了解决上述课题，本发明是用于将成膜于被成膜基板的膜形成为规定图案的蚀刻用掩模，包括保护部，其至少覆盖成为所述图案的图案区域的所述膜；和突起部，其在与所述图案区域的外周部对应的位置的所述保护部的与所述被成膜基板对置的对置面，从所述对置面突出设置。
根据该构成，在进行膜的图案形成时，从掩模的保护部的对置面突出的突起部与成膜于被成膜基板的膜接触。这里，由于突起部设置在与图案区域的外周对应的位置，因此突起部所接触的膜是非图案区域的膜。另一方面，由于保护部被从对置面突出的突起部支撑，因此保护部的对置面与成膜于被成膜基板的膜不接触。换而言之，对应于图案区域的膜与保护部不接触。因此，由于图案区域的膜与掩模不接触，可防止由掩模的接触引起的膜的破损等。
而且，例如通过等离子体蚀刻等进行膜的图案形成时，设置于掩模的保护部的对置面侧的突起部成为隔断，可防止来自掩模的侧方的等离子体气体的侵入。由此，可形成正确的图案。
并且，本发明的掩模，优选所述突起部形成为划分所述保护部的所述对置面的周边部。
根据该构成，由于突起部形成为划分保护部的对置面的周边部，因此，例如进行蚀刻(例如等离子体蚀刻)时，突起部成为隔断，可防止来自掩模的侧方的等离子体气体的侵入。由此，可抑制蚀刻的蔓延，能够形成精度高的图案。另外，与掩模的突起部接触的正下区域的膜是非图案区域的膜，但可通过调制蚀刻等的时间而控制等离子体的蔓延，从而容易地除去突起部的正下区域的膜。由此，可避免图案区域的损伤，并且形成规定形状的图案。而且，由于突起部形成在对应于非图案区域的位置，因此即使让掩模接触到膜上，也不会对图案造成损伤。
进而，本发明的掩模，优选设置多个所述保护部，所述保护部彼此通过横梁架设。
根据该构成，通过多个保护部彼此由横梁架设，构成了多个保护部被一体化的掩模。由此，可同时图案形成多个图案，从而可实现缩短图案的形成时间及低成本化。
而且，本发明的掩模，优选设置沿多个所述保护部的外周支撑所述保护部的框部，所述保护部与所述框部通过横梁架设，所述框部的厚度形成得比所述保护部与所述突起部加在一起的厚度薄，并且所述框部架设于所述保护部的与所述被成膜基板对置的对置面的相反一侧方向的分离的位置。
根据该构成，由于掩模的外侧比内侧形成得更薄、框部架设于与保护部的对置面的分离的位置，因此若使掩模的保护部接触到被成膜基板，则框部成为浮置的状态。该状态下，若按压框部，则由横梁的弹性使得整个掩模变形。由此，通过位于掩模的中央部的保护部作用更强的应力，从而可实现掩模与被成膜基板的密接性的提高。另外，通过对横梁添加刻纹，可进一步提高横梁的弹性力，从而可实现掩模与被成膜基板的密接性的提高。
并且，本发明的掩模，优选所述横梁设置于所述保护部及所述框部的各自的侧面，所述横梁设置于从所述保护部及所述框部的各自的所述对置面分离的位置。
根据该构成，由于架设在保护部及框部侧面的横梁设置于从各自的对置面(被成膜基板)分离的位置，因此使掩模接触到被成膜基板上时，横梁不会接触到被成膜基板。换而言之，在横梁与被成膜基板的面之间形成了间隙部。由此，蚀刻时，等离子体也会蔓延到横梁的下方侧，可图案形成非图案区域的膜。
进而，本发明的掩模，优选所述横梁形成为圆柱状。
根据该构成，与使横梁例如形成为四棱柱状的情况不同，等离子体不会被横梁的边缘截断。因此，促进等离子体蚀刻时的等离子体的蔓延，从而也可有效地图案形成横梁的正下区域的膜。
而且，本发明的掩模，优选所述保护部、所述横梁及所述框部，由玻璃、硅或铝的非磁性不透明材料构成。
根据这些非磁性不透明材料，在进行等离子体蚀刻时，不会对等离子体的轨道产生影响。因此，可按照设计值形成图案。
本发明的有机EL元件的制造方法，一种有机EL元件的制造方法，通过旋涂法在被成膜基板上涂敷高分子有机EL材料并对膜进行成膜，使用所述技术方案1～7的任一项所述的掩模，通过包含氧的干法蚀刻将所述膜图案形成为规定图案来制造有机EL元件。
根据该构成，即使不使用高价的印刷装置或喷墨装置，也可容易地制造高分子有机EL元件。另外，由于在掩模的保护部的对置面设置突起部，因此可使发光层不与掩模接触而将发光层图案形成为规定形状。因此，通过防止发光层由划痕引起的破损，从而可确立成品率高的掩模干法蚀刻工艺。
有机EL打印机包括排列有通过权利要求8所述的有机EL元件的制造方法制造的有机EL元件的基板；对置于所述基板的所述有机EL元件而配置，使从所述有机EL元件射出的发光光以规定的成像倍率通过的微透镜；和将通过了所述微透镜的发光光成像、曝光的感光体圆筒。
根据本发明的有机EL打印机，由于使用上述掩模进行图案形成，因此可形成无损伤的有机EL元件。从而可提供无发光不均匀的高精度的有机EL打印机。
图1是表示掩模的上面侧的概略构成的立体图；图2是表示图1所示的掩模的下面侧的概略构成的立体图；图3是沿图1所示的掩模的A-A’线的剖面图；图4是表示将图1所示的掩模密接于被成膜基板上时的状态的剖面图；
图5是表示有机EL装置的制造工序的剖面图；图6是示意性地表示等离子体装置的剖面图；图7是表示有机EL打印机的概略构成的立体图。
图中10-掩模，12-岛部(保护部)，12a-对置面，14-横梁，16-外周框架，18-突起部，40-腔室，52-有机EL元件，54-发光体基板，60-自聚焦透镜阵列(微透镜)(selfoc lens array)，62-感光体圆筒，100-有机EL装置。
具体实施例方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。另外，在以下的说明中使用的各附图中，为了将各构件设为可辨识的大小，适当变更了各构件的比例尺。
(掩模的构造)首先，对本实施方式的掩模的构造进行说明。
图1是表示本实施方式的掩模10的概略构成的立体图。图2是表示图1所示的掩模10的背面侧的概略构成的剖面图。图3是沿图1所示的掩模的A-A’线的剖面图。另外，图1中，坐标系使用X-Y-Z右手系直角坐标系，设X-Y平面平行于纸面，设Z平面垂直于X-Y平面。而且，剖面线部分切断·除去，使得基板的密接面侧的一部分的构造可见。并且，图1、2中，掩模10的下方侧的面(箭头所示的面)对置于其它基板而配置，因此称作对置面。
如图1所示，本实施方式的掩模10包括多个岛部12(保护部)，其用于在蚀刻等时被覆作为图案而剩余的部分(图案区域)的膜；外周框架16(框部)，其构成掩模10的外形；和横梁14，其用于互相固定岛部12彼此、岛部12与外周框架16。
如图1所示，多个岛部12形成为细长的长方体状，以多个岛部12的较长方向成为互相平行的方式在Y轴方向空出规定间隔而配置。而且，在多个岛部12的外周，外周框架16以包围多个岛部12整体的方式设置成矩形环状。
在相邻的岛部12、12的互相对置的侧面12b、12b之间，架设有沿Y轴方向延伸的横梁14。由此，岛部12、12彼此被互相固定，构成由多个岛部构成的一体化的岛部。该横梁14例如形成为圆柱状，多个横梁14沿相互的岛部12的侧面12b的较长方向等间隔地安装。同样，在外周框架16的侧面16b与对置于外周框架16的多个岛部12的外侧的侧面12b间架设有横梁，从而外周框架16与岛部12互相固定。
此处，架设于岛部12的侧面12b及外周框架16的侧面16b的横梁14，如后面所述，为了使等离子体蔓延到横梁14的图中下方侧(接触面侧)，因此架设于不与密接的基板(详细为，形成于基板上的膜)接触的位置。换而言之，如图3所示，横梁14安装于岛部12的侧面12b及外周框架16的侧面16b的上方的位置。另外，作为横梁14的形状，除圆柱状以外还可采用其它的四棱柱状等各种形状。
如图3所示，在岛部12的对置面12a上，以划分对置面12a的周边部的方式形成有突起部18。该突起部18是通过使除去岛部12的对置面12a的周边部的区域，比对置面12a的周边部更凹下而突出的，从而岛部12的对置面12a侧形成为上面开放的箱状。而且，岛部12与突起部18成为连接的构成。
进而，结合图3所示的剖面图，对掩模10(突起部18)进行详细的说明。
如图3所示，在岛部12的对置面12a的两端部(图2中，对应于对置面12a的周边部)，形成有比对置面12a仅突出高度h1的突起部18。该突起部18的接触面18a形成为与岛部12的对置面12a近似平行。换而言之，在后述的蒸镀阶段，突起部18的接触面18a成为与密接掩模的基板的面方向近似平行。由此，能够使突起部18可靠地密接于基板上的膜，从而可避免等离子体的侵入。另外，若与被成膜基板接触，则突起部18的接触面18a的形状可相对于岛部12的对置面12a以规定角度倾斜，还可弯曲。
而且，在本实施方式中，岛部12的厚度h2与外周框架16的厚度h3近似相等。因此，突起部18的高度h1与岛部12的厚度h2加在一起的长度h4比外周框架16的厚度h3长。
并且，岛部12的对置面12a的宽度w1形成为与如后述的构成有机EL元件的一部分的发光层(图案)的短边的长度相等。换而言之，岛部12的宽度w1的对置面12a，对应于成为图案的部分的图案区域，突起部18的接触面18a对应于未成为图案的非图案区域。
本实施方式的掩模10通过加工同一构件(材料)，由岛部12、外周框架16、与架设这些的横梁14构成，形成如图1～图3所示的形状。作为掩模10的材料，优选使用铝、硅、氧化铝等陶瓷等对干法蚀刻具有耐性的、且非磁性的材料。选择非磁性的材料的理由在于，架设若为强磁性材料，由于会打乱在干法蚀刻时产生的等离子体的密度分布，因此不能进行均匀的等离子体干法蚀刻。另外，由铝形成掩模10时，适合形成对应于大型基板的大型的掩模。
进而，作为上述的掩模10的制造方法，由铝形成掩模10时，通过机械加工中心进行切削而形成为上述掩模形状。而且，由硅形成掩模10时，通过使用MEMS技术的蚀刻加工形成为上述掩模形状。进一步，由陶瓷形成掩模10时，通过等离子体加工形成为上述掩模形状。
下面，对将本实施方式的掩模实际地安装到玻璃基板(被成膜基板)时的掩模及玻璃基板的剖面构造进行说明。
图4是表示将本实施方式的掩模10安装到后述的蒸镀图案的玻璃基板20的状态的剖面图。
如图4所示，使外周框架16的接触面16a及突起部18的接触面18a接触于玻璃基板20。于是，如上所述，由于突起部18比外周框架16的接触面16a及岛部12的对置面12a突出，因此架设外周框架16与排列于外侧的岛部12的横梁14a挠曲。通过该横梁14的挠曲，施加到外周框架16的推力传到横梁14a，并从排列于外侧的岛部12传到排列于中央部的岛部12，从而对位于掩模10的中央部的岛部12作用更强的推力。由此，可实现掩模10与玻璃基板20的密接性的提高。因此，例如，如后面所述，对掩模10照射氧等离子体时，可防止氧原子团(radical)等从掩模10与玻璃基板20的间隙侵入到内部。另外，通过对横梁14进行划刻，可进一步提高横梁14的弹性力。
根据本实施方式，进行膜的图案形成时，由于突起部18成为支撑构件，图案区域的膜不会接触到掩模10，因此可防止掩模10接触而引起的膜的破损等。
而且，根据本实施方式，由于突起部18以划分岛部12的对置面12a的周边部的方式形成，因此例如进行蚀刻(例如等离子体蚀刻)时，突起部成为隔断，防止等离子体从掩模10的侧方侵入。因此，可抑制蚀刻的蔓延，从而可形成精度高的图案。另外，与掩模10的突起部18接触的正下区域的膜是非图案区域的膜，但通过调整蚀刻等的时间可控制等离子体的蔓延，从而可容易地除去突起部18的正下区域的膜。由此，可避免图案区域的损伤，并可形成规定形状的图案。
并且，根据本实施方式，通过多个岛部12、12彼此由横梁14架设，而构成多个岛部12被一体化的掩模10。由此，可同时图案形成多个图案，从而可实现缩短图案的形成时间及低成本化。
另外，根据本实施方式，由于掩模10由上述的非磁性不透明材料构成，因此在进行等离子体蚀刻时，不会对等离子体的轨道产生影响。因此，可按照设计值形成图案。
(有机EL装置的制造方法)下面，对使用上述的掩模制造有机EL装置的工序进行说明。
图5(a)～(f)是表示本实施方式的有机EL装置的制造工序的剖面图。
如图5(a)所示，首先，准备由透明材料构成的玻璃基板20，在玻璃基板20上形成阳极22。阳极22通过使用ITO(铟锡氧化物)或IZO(铟锌氧化物)进行掩模蒸镀而形成。在玻璃基板20上形成阳极22之后，对包含阳极22的玻璃基板20表面通过氧等离子体实施除尘(ashing)进行基板表面的清洗。
然后，如图5(b)所示，成膜阳极22之后，在玻璃基板20上的整个面成膜空穴输送层24。具体为，例如在纯水中以1.0重量％溶解注入了高分子材料即苯乙烯-磺酸的聚3、4-亚乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)[商品名；Bytron-p(バイトロン-p)Bayer(バイアル)公司制]，并通过旋涂法在玻璃基板20上成膜空穴输送层24。然后，将成膜于玻璃基板20上的空穴输送层24在由氮净化的炉(oven)中以120℃干燥10分钟。另外作为空穴输送层24的材料，除上述材料以外，还可使用例如聚亚乙二氧基噻吩等聚噻吩衍生物与聚苯乙烯磺酸等的混合物。接着，如图5(c)所示，在空穴输送层24上的整个面形成发光层26。具体为，通过旋涂法，将PR212(Covion(コビオン)公司制)以1重量％溶解于甲苯后的液状体涂敷到玻璃基板20上成膜发光层26。然后，将成膜于玻璃基板20上的发光层26，在由氮净化的炉中以120℃干燥10分钟。另外，作为发光层26的材料，除上述材料以外，适宜使用(聚)芴衍生物(PF)、(聚)对亚苯基亚乙烯基衍生物(PPV)、(聚)亚苯基衍生物(PP)、聚对亚苯基衍生物(PPP)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚噻吩衍生物、聚甲基苯基硅烷(PMPS)等聚硅烷系等。
继而，如图5(d)所示，将上述的掩模10安装到等离子体处理装置中，通过使用O2等离子体的干法蚀刻，将空穴输送层24及发光层26图案形成为规定形状。
此处，简单地对上述等离子体处理装置(Samco Inc(サムコインタ一ナシヨナル)公司制；RIE-10NR)进行说明。
图6是示意性地表示等离子体处理装置70的剖面图。
如图6所示，在腔室40的容器64的上部设置有用于向腔室40内部供给气体的气体导入口44，在容器64下部设置有用于从腔室40向外部排出气体的气体排气口48。在腔室40内部的上方，安装形成有与气体导入口44连接的多个开口部的喷淋头46，从气体导入口44供给的氧气照射到腔室40内部。而且，在腔室40内部的下方设置兼备电极的试料台42，在试料台42上装载上述玻璃基板20，在玻璃基板20上安装掩模10。而且，试料台42与设置于腔室40外部的施加偏压用RF电源连接。这样，供给到腔室40内部的氧气被等离子化，从而进行掩模蚀刻。
在本实施方式中，作为具体的等离子体处理装置的设定条件，在输出功率为200W、压力为0.2Torr、气体流量为30sccm的条件下，蚀刻速度为0.4μm/min。
返回图5(d)，在设定为上述条件的等离子体处理装置70中安装本实施方式的掩模10，对形成于玻璃基板20上的空穴输送层24及发光层26进行干法蚀刻并图案形成为规定形状。另外，本实施方式中，同时蚀刻空穴输送层24及发光层26，但也可分别蚀刻空穴输送层24及发光层26。具体为，成膜空穴输送层24之后，对其进行蚀刻，然后，在成膜发光层26之后蚀刻该发光层26。
接着，掩模蚀刻之后，如图5(e)所示，使用掩模10在发光层26上形成阴极28。具体为，将成为阴极28的金属钙(calcium metal)蒸镀1nm之后，蒸镀150nm左右的铝。另外，图5(e)中，成为阴极28与阳极22被连接的构成，但实际上是在平面性地不重叠的位置形成引线并与规定的端子连接。
继而，如图5(f)所示，为了保护发光层26不受湿气、氧的侵害，由密封玻璃30(密封基板)密封发光层26等。该密封工序中，在密封玻璃30的内侧插入干燥剂，并且通过粘接材密封该密封玻璃30与玻璃基板20。另外，该密封工序优选在氮、氩、氦等惰性气体气氛中进行。这是由于若在空气中进行，则水或氧等侵入到阴极28，存在阴极28被氧化的危险。
在粘接材的涂敷工序中，在前一阶段除去了空穴输送层24及发光层26后的区域，以平面性地包围发光层26的方式形成为矩形框状。作为粘接材可使用光固性或热固性的树脂材料，例如可使用印刷法等形成。
经过如以上的各工序，可获得单色发光型的有机EL装置100。
根据本实施方式，通过旋涂法可容易地形成背景色(area color)(单色发光型)的高分子有机EL元件，并且由于不必使用高价的喷墨装置，因此可实现低成本化。而且，与通过喷墨装置成膜发光层等的情况相比，成膜的膜厚的平坦性优异。而且，由于在掩模10的岛部12的对置面12a设置突起部18，因此可不使发光层与掩模接触而将发光层图案形成为规定形状。因此，通过防止发光层由划痕引起的破损，从而可确立成品率高的掩模干法蚀刻工艺。
(有机EL打印机)下面，对包括使用上述的掩模制造的有机EL元件的有机EL打印机进行说明。
图7是示意性地表示有机EL打印机的概略构成的图。
如图7所示，在发光体基板54上，有机EL元件52排列成线状。如上所述，有机EL元件52具有阳极、空穴输送层、发光层及阴极，成为单色发光光源。在发光体基板54的两长边的下方侧，以不与有机EL元件52重叠的方式配置IC安装基板50。在IC安装基板50上，与形成在发光体基板54上的有机EL元件52的像素数相对应，安装有多个驱动器IC56。而且，有机EL元件52与驱动器IC56通过引线接合法，经由布线58而电连接。并且，若对驱动器IC56供给规定的数据，则将经由布线58向阳极供给电流。由此，将有机EL元件52的发光光照射到发光体基板54的背面侧(下方)。在发光体基板54的背面侧(下方)，配置有Selfoc(セルフオツク)(注册商标)透镜阵列60(微透镜)及感光体圆筒(drum)62。来自有机EL元件52的发光光，通过由自聚焦透镜阵列60等等倍成像透镜阵列构成的光学成像系统，在感光体圆筒62上成像、曝光。
根据本实施方式，与LED打印机相比，由于不必按每个像素进行光源的安装，因此光源的不均匀较少。进而，由于可将像素密度提高到1200dpi，从而可容易地制造非常高速·高精细的打印机。
本愿发明并非限定于上述的例子，在不脱离本愿发明的宗旨的范围内当然可施加各种变更。而且，也可在不脱离本愿发明的宗旨的范围内将上述的各例进行组合。
例如，在上述实施方式中，使岛部12与突起部18加在一起的厚度h4和外周框架的厚度h3不同，但也可使岛部12与突起部18加在一起的厚度h4和外周框架的厚度h3近似相等。
而且，在上述实施方式中，通过加工岛部12的对置面12a的一部分，作为岛部12的一部分形成了突起部18，但并非限定于此。换而言之，可在岛部12的对置面12a的周边部，将另外由与岛部12相同材料或不同材料构成的突起部，例如通过粘接材贴附到岛部12的对置面12a上，由此形成突起部18。
权利要求
1.一种掩模，是用于将成膜于被成膜基板的膜形成为规定图案的蚀刻用掩模，包括保护部，其至少覆盖成为所述图案的图案区域的所述膜；和突起部，其在与所述图案区域的外周部对应的位置的所述保护部的与所述被成膜基板对置的对置面，从所述对置面突出设置。
2.根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，所述突起部，形成为划分所述保护部的所述对置面的周边部。
3.根据权利要求1或2所述的掩模，其特征在于，设置多个所述保护部，所述保护部彼此通过横梁架设。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的掩模，其特征在于，设置沿多个所述保护部的外周支撑所述保护部的框部，所述保护部与所述框部通过横梁架设，所述框部的厚度形成得比所述保护部与所述突起部加在一起的厚度薄，并且所述框部架设于所述保护部的与所述被成膜基板对置的对置面的相反一侧方向的分离的位置。
5.根据权利要求3或4所述的掩模，其特征在于，所述横梁设置于所述保护部及所述框部的各自的侧面，所述横梁设置于从所述保护部及所述框部的各自的所述对置面分离的位置。
6.根据权利要求3～5的任一项所述的掩模，其特征在于，所述横梁形成为圆柱状。
7.根据权利要求1～6的任一项所述的掩模，其特征在于，所述保护部、所述横梁及所述框部，由玻璃、硅或铝的非磁性不透明材料构成。
8.一种有机EL元件的制造方法，通过旋涂法在被成膜基板上涂敷高分子有机EL材料并对膜进行成膜，使用所述权利要求1～7的任一项所述的掩模，通过包含氧的干法蚀刻将所述膜图案形成为规定图案来制造有机EL元件。
9.一种有机EL打印机，包括排列有通过权利要求8所述的有机EL元件的制造方法制造的有机EL元件的基板；对置于所述基板的所述有机EL元件而配置，使从所述有机EL元件射出的发光光以规定的成像倍率通过的微透镜；和将通过了所述微透镜的发光光成像、曝光的感光体圆筒。
全文摘要
本发明提供一种掩模，是用于将成膜于被成膜基板的膜形成为规定图案的蚀刻用掩模(10)，包括保护部(12)，其至少覆盖成为图案的图案区域的膜；和突起部(18)，其在与图案区域的外周部对应的位置的保护部(12)的与被成膜基板对置的对置面，从对置面突出而设置。由此，本发明高精度且容易地提供一种在进行掩模蚀刻形成规定形状的图案时，可不会造成由划痕等引起的损伤而形成图案的掩模，以及使用该掩模的高分子有机EL发光元件。
文档编号H05B33/10GK1905243SQ20061010860
公开日2007年1月31日 申请日期2006年7月25日 优先权日2005年7月27日
发明者四谷真一 申请人:精工爱普生株式会社