专利名称：激光掩膜及使用该激光掩膜的连续横向固化结晶方法
技术领域：
本发明涉及激光掩膜，更具体地说，涉及用于使非晶硅结晶的激光掩膜，以及使用 该激光掩膜的连续横向固化结晶方法。
背景技术：
近来，有机发光二极管(OLED)显示器作为用于显示图像的装置已受到许多关注。与液晶显示(IXD)装置不同，OLED显示器具有自发射特性，这消除了对光源的需 要，因此可以被制造得更薄且更轻。同样地，OLED显示器具有诸如低功耗、高亮度以及高响 应速度等等的高质量特性。在本背景部分中公开的上述信息仅仅用于增强对本发明背景的理解，因此，上述 信息可以包含不构成本国本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
一方面是一种具有遏制非晶硅结晶差异的优点的激光掩膜，以及使用该激光掩膜 的连续横向固化(SLS)结晶方法。另一方面是一种激光掩膜，包括掩膜基板，具有透光部分和遮光部分，所述遮光 部分由插入所述遮光部分之间的透光部分隔开；以及突出和凹陷区域，位于所述掩膜基板 上从而对应于所述遮光部分，并且具有凹凸形状。所述掩膜基板可以进一步包括具有第一面和面向所述第一面的第二面的底基板， 并且所述遮光部分可以位于所述底基板的第一面和第二面中的至少一个上。所述遮光部分可以包括位于所述底基板的第一面上的第一子遮光部分以及位于 所述底基板的第二面上的第二子遮光部分，并且所述突出和凹陷区域可以包括与所述第一 子遮光部分对应的第一子突出和凹陷区域以及与所述第二子遮光部分对应的第二子突出 和凹陷区域。所述遮光部分可以包括铬(Cr)。所述突出和凹陷区域可以包括铬(Cr)。所述突 出和凹陷区域可以与所述遮光部分整体形成。所述遮光部分可以包括耐热树脂。所述第一子突出和凹陷区域以及所述第二子突出和凹陷区域中的一种可以具有 均勻的凹凸形状，并且另一个可以具有不均勻的凹凸形状。所述第一子突出和凹陷区域以及所述第二子突出和凹陷区域可以具有均勻的凹 凸形状。所述第一子突出和凹陷区域以及所述第二子突出和凹陷区域可以具有不均勻的凹 凸形状。所述底基板可以包括石英。所述激光掩膜可以用于SLS结晶方法。另一方面是一种SLS结晶方法，包括在绝缘基板上形成非晶硅层；在所述非晶硅 层上沉积激光掩膜，所述激光掩膜包括具有透光部分和遮光部分的掩膜基板，其中所述遮 光部分由插入所述遮光部分之间的透光部分隔开，以及位于所述掩膜基板上从而对应于所 述遮光部分并且具有凹凸形状的突出和凹陷区域；通过所述激光掩膜向所述非晶硅层照射 从激光器振荡的激光束；以及通过使用重叠的激光束使所述非晶硅层结晶。
所述激光掩膜的掩膜基板可以进一步包括具有第一面和面向所述第一面的第二 面的底基板，并且所述遮光部分可以位于所述底基板的第一面和第二面中的至少一个上， 并且在通过所述激光掩膜向所述非晶硅层照射激光束的过程中，照射到所述突出和凹陷区 域的激光束被所述突出和凹陷区域漫射。另一方面是一种激光掩膜，包括i)被配置为使 光透射过去的至少一个透光部分，和ii)多个遮光部分，所述遮光部分由插入所述遮光部 分之间的透光部分隔开，其中所述遮光部分被配置为挡光；以及位于所述掩膜基板的遮光 部分上的多个突出和凹陷区域，其中所述突出和凹陷区域包括交替形成的多个凹进部分和 多个凸起部分。上述掩膜基板进一步包括具有彼此相对的第一表面和第二表面的底基板，其中所 述遮光部分位于所述底基板的第一表面和第二表面中的至少一个上。在上述掩膜中，所述遮光部分中的每一个包括位于所述底基板的第一表面上的第 一子遮光部分以及位于所述底基板的第二表面上的第二子遮光部分，其中所述突出和凹陷 区域中的每一个包括形成在所述第一子遮光部分上的第一子突出和凹陷区域以及形成在 所述第二子遮光部分上的第二子突出和凹陷区域，并且其中所述第一子遮光部分以及所述 第二子遮光部分相对于所述底基板基本上彼此直接相对。在上述掩膜中，所述遮光部分中的每一个由铬(Cr)形成。在上述掩膜中，所述突 出和凹陷区域中的每一个由铬(Cr)形成。在上述掩膜中，所述突出和凹陷区域中的每一个 与对应的遮光部分整体形成。在上述掩膜中，所述遮光部分中的每一个由耐热树脂形成。在 上述掩膜中，所述第一子突出和凹陷区域以及所述第二子突出和凹陷区域中的一种包括基 本上均勻形成的凹进部分和凸起部分，并且其中另一种包括不均勻形成的凹进部分和凸起 部分。在上述掩膜中，所述第一子突出和凹陷区域以及所述第二子突出和凹陷区域包括 基本上均勻形成的凹进部分和凸起部分。在上述掩膜中，所述第一子突出和凹陷区域以及 所述第二子突出和凹陷区域包括不均勻形成的凹进部分和凸起部分。在上述掩膜中，所述 底基板由石英形成。在上述掩膜中，所述第一子突出和凹陷区域直接形成在所述第一子遮光部分之 上，并且其中所述第一子突出和凹陷区域以及所述第一子遮光部分具有基本上相同的宽 度。在上述掩膜中，所述第二子突出和凹陷区域直接形成在所述第二子遮光部分之下，并且 其中所述第二子突出和凹陷区域以及所述第二子遮光部分具有基本上相同的宽度。在上述掩膜中，所述掩膜用于连续横向固化(SLQ结晶方法。在上述掩膜中，所述 至少一个透光部分包括多个透光部分，并且其中所述透光部分和所述遮光部分基本上均勻 地间隔开。另一方面是一种连续横向固化(SLQ结晶方法，包括在绝缘基板上形成非晶硅 层；沉积激光掩膜，所述激光掩膜包括1)掩膜基板，包括i)被配置为使光透射过去的至少 一个透光部分，和ii)多个遮光部分，由插入所述遮光部分之间的透光部分隔开，其中所述 遮光部分被配置为挡光；以及2、位于所述掩膜基板的遮光部分上的多个突出和凹陷区域， 其中所述突出和凹陷区域包括交替形成的多个凹进部分和多个凸起部分；以及通过所述激 光掩膜向所述非晶硅层照射从激光器照射的激光束。上述方法进一步包括使用重叠的激光束使所述非晶硅层结晶。在上述方法中，所述激光掩膜的掩膜基板可以进一步包括底基板，所述底基板包括彼此相对的第一表面和第 二表面，并且所述遮光部分位于所述底基板的第一表面和第二表面中的至少一个上，并且 在通过所述激光掩膜向所述非晶硅层照射激光束的过程中，照射到所述突出和凹陷区域的 激光束被所述突出和凹陷区域漫射。另一方面是一种激光掩膜，包括掩膜基板，包括i)被配置为使光透射过去的多 个透光部分，以及ii)被配置为挡光的多个遮光部分，其中所述透光部分和所述遮光部分 间隔开并且交替形成；以及多个凹进部分和多个凸起部分，交替形成在所述遮光部分上并 且被配置为漫射入射光的至少一部分。在上述掩膜中，所述掩膜基板包括两个相对的表面，其中所述遮光部分形成在所 述掩膜基板的两个表面上，其中所述遮光部分中的至少一个具有基本上均勻形成的凹进部 分和凸起部分，并且其中所述遮光部分中的至少另一个具有不均勻形成的凹进部分和凸起 部分。
图1是示出根据本发明第一示例性实施例的激光掩膜的俯视图。图2是沿图1中的线II-II截取的横截面图。图3是图示说明使用根据本发明第一示例性实施例的激光掩膜的连续横向固化 (SLS)结晶方法的过程的流程图。图4至图7是用于解释使用根据本发明第一示例性实施例的激光掩膜的SLS结晶 方法的视图。图8是根据本发明第二示例性实施例的激光掩膜的横截面图。图9是根据本发明第三示例性实施例的激光掩膜的横截面图。图10是根据本发明第四示例性实施例的激光掩膜的横截面图。
具体实施例方式OLED包括多个薄膜晶体管(TFT)，其中每个TFT的构成元件之一有源层由多晶硅 制成。通常，多晶硅包括从非晶硅结晶的多个硅晶粒。相邻硅晶粒之间的界面充当电流流 动的障碍元素。当构成多晶硅的多个硅晶粒的尺寸较小时，相邻硅晶粒之间的充当电流流 动的障碍元素的界面会增加。基于构成多晶硅的硅晶粒以基本上与液态硅和固态硅之间的界面垂直的方向生 长的事实，已开发出连续横向固化(SLS)结晶技术以增大硅晶粒的尺寸。根据SLS结晶技术，通过适当地调整能量大小、照射范围以及通过激光掩膜向非 晶硅照射的激光束的移动距离，硅晶粒可以横向生长一定的长度，从而使非晶硅结晶为接 近于单晶硅。也就是说，SLS结晶技术涉及通过激光掩膜向非晶硅照射激光束使非晶硅结晶。在 这种情况下，所采用的激光掩膜包括允许激光束透射过去的透光部分以及遮断激光束的遮 光部分。然而，由激光器振荡之后通过激光掩膜辐照到非晶硅的激光束从非晶硅反射。进 一步，反射的激光束从激光掩膜再反射，因此连续再照射到非晶硅的不期望部分，从而在非晶硅的不期望部分导致缺陷结晶。也就是说，由于激光束从激光掩膜和非晶硅反射，因此， 激光束被抵消、发生干涉并且被补偿从而导致非晶硅结晶中的差异。以下将参照示出本发明示例性实施例的附图更充分地描述本发明的实施例。本领 域技术人员会认识到，可以在不背离本发明的精神或范围的情况下以各种不同的方式对所 描述的实施例进行修改。在描述本发明的示例性实施例时，针对具有相同结构的元件使用相同的附图标 记，并且具有相同结构的元件代表性地在本发明的第一示例性实施例中描述，并且在本发 明的其它剩余示例性实施例中，仅描述与第一示例性实施例不同的结构。每个元件的尺寸 和厚度被任意地示出在附图中，并且本发明并不一定受限于此。附图中，为了清楚起见，层、膜、面板以及区域等的厚度被放大。同样在附图中，为 了简洁起见，一些层和区域的厚度被放大。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件 被提到位于另一元件“上”时，它可以直接位于另一元件上，也可以存在中间元件。下文中，连续横向固化(SLS)结晶方法将被描述为典型的非晶硅结晶方法，但并 不限于此，根据本发明示例性实施例的激光掩膜可以用于使用激光束作为结晶手段的任何 结晶方法。现在将参照图1和2描述根据本发明第一示例性实施例的激光掩膜101。图1是 示出根据本发明第一示例性实施例的激光掩膜的俯视图。如图1所示，激光掩膜101用作激光器的激光掩膜。例如，激光掩膜101被用于 SLS结晶方法。激光掩膜101包括透光部分LT和遮光部分Li。透光部分LT沿一个方向延伸，并且当激光掩膜101用作激光器的激光掩膜时，激 光束透射通过透光部分LT。遮光部分LI被布置为使得透光部分插入遮光部分LI之间(即交替形成)。当激 光掩膜101用作激光器的激光掩膜时，激光束被遮光部分LI遮断或者阻挡。遮光部分LI 遮断或阻挡激光束的一部分，使得激光束的宽度被减小为透光部分LT的宽度。图2是沿图1中的线II-II截取的横截面图。激光掩膜101进一步包括底基板 100以及突出和凹陷区域200。底基板100包括第一面(或第一表面)110和面向第一面110的第二面(或第二 表面)120。在一个实施例中，底基板100的第一面110和第二面120具有平面形式，第一子 遮光部分LIl位于第一面110上，并且第二子遮光部分LI2位于第二面120上。第一子遮 光部分LIl和第二子遮光部分LI2构成以上提及的遮光部分Li。在一个实施例中，底基板100由透明的石英制成，并且位于相邻遮光部分LI之间 的部分充当透光部分LT。在一个实施例中，如图2所示，突出和凹陷区域200位于底基板100上使其与遮光 部分LI对应，并且具有凹凸形状(或者相对于彼此交替形成的凹进部分和凸起部分)。在 一个实施例中，突出和凹陷区域200与遮光部分LI整体形成，并且由铬(Cr)制成。也就是 说，遮光部分LI也可以由铬(Cr)制成。突出和凹陷区域200包括第一子突出和凹陷区域210以及第二子突出和凹陷区域 220。第一子突出和凹陷区域210对应于第一子遮光部分LIl (或者形成在第一子遮光部分 LIl上)，并且第二子突出和凹陷区域220对应于第二子遮光部分LI2 (或者形成在第二子遮光部分LI2上)。在一个实施例中，如图2所示，第一子突出和凹陷区域210以及第二子 突出和凹陷区域220具有不均勻形成的凹进部分和凸起部分，因此第一子突出和凹陷区域 210或者第二子突出和凹陷区域220用于使用其凹凸形状漫射照射到第一子突出和凹陷区 域210或者第二子突出和凹陷区域220的激光束。突出和凹陷区域200的漫射功能将随后 描述。突出和凹陷区域200可以使用诸如半透射掩膜、狭缝掩膜等等的半色调掩膜通过光 刻技术形成在底基板100上。以这种方式，根据本发明第一示例性实施例的激光掩膜101用于SLS结晶方法。进 一步，激光掩膜101可以具有通过使用其漫射功能来遏制作为激光束之照射对象的非晶硅 的缺陷结晶的功能。现在将参照图3至7描述使用根据本发明第一示例性实施例的激光掩膜101的 SLS结晶方法。在使用根据本发明第一示例性实施例的激光掩膜101的SLS结晶方法中，使 用具有高斯分布的能量密度的准分子激光束。图3是图示说明使用根据本发明第一示例性实施例的激光掩膜的SLS结晶方法的 过程的流程图。图4至7是用于解释使用根据本发明第一示例性实施例的激光掩膜的SLS 结晶方法的视图。首先，如图3和4中所示，在绝缘基板10上形成非晶硅层20(S 110)。非晶硅层 20被沉积在绝缘基板10上。缓冲层可以形成在绝缘基板10和非晶硅层20之间，并且在这 种情况下，氧化硅膜SiOx或者氮化硅膜SiNx可以形成为缓冲层。接下来，在非晶硅层20上布置激光掩膜101 (S120)。一个实施例中，在非晶硅层 20上布置激光掩膜101之后，激光掩膜101与非晶硅层20对准，从而使激光掩膜101的透 光部分LT对应于非晶硅层20的整个面积中计划要结晶的面积。然后，如图5中所示，通过激光掩膜101向非晶硅层20照射激光束(LB) (S130)。 在一个实施例中，从激光器(LA)振荡的激光束LB通过诸如透镜等的光学系统(OP)以及激 光掩膜101照射到非晶硅层20。在这种情况下，具有第一宽度Wl并且最初从激光器(LA) 振荡的激光束(LB)部分地被遮光部分(Li)遮断。进一步，由于激光束(LB)穿过透光部分 (LT)，因此具有第二宽度W2，并且具有第二宽度W2的激光束(LB)照射到非晶硅层20。激 光束(LB)照射到非晶硅层20的计划要结晶的第一面积Al，并且位于相邻第一面积Al之间 的第二面积A2是以后再结晶或者不结晶的区域。这里，当激光束(LB)透射通过激光掩膜101时，激光束(LB)的一部分从激光掩膜 101反射向光学系统(OP)。同样，当激光束(LB)照射到非晶硅层20时，激光束(LB)的一 部分从非晶硅层20反射向激光掩膜101，然后从激光掩膜101再反射，从而再照射到非晶硅 层20。以这种方式，激光掩膜101和非晶硅层20所反射的激光束(LB)由激光掩膜101的 突出和凹陷区域200漫射。这将在下文中详细描述。图6是用于解释通过根据本发明第一示例性实施例的激光掩膜的激光束的路径 的视图。如图6所示，最初从激光器(LA)振荡的第一束Bl (由实线表示)通过光学系统 (OP)和激光掩膜101照射到非晶硅层20。在这种情况下，与激光掩膜101第一面110上 的第一子遮光部分LIl相对应的第一子突出和凹陷区域210所反射的第一束Bl (由实线表 示)，由第一子突出和凹陷区域210漫射，并且转变为第二漫射束B2 (由点线表示)，从而照 射向光学系统(0P)。之后，第二漫射束B2(由点线表示)由光学系统(OP)反射，从而转变为第三漫射束B3 (由长短交替的虚线表示)，并且通过激光掩膜101的透光部分LT照射到 非晶硅层20的第一面积Al。虽然第三漫射束B3(由长短交替的虚线表示)是不期望的激光束(LB)，但因为第 三漫射束B3被第一子突出和凹陷区域210漫射(例如，散布成微弱的多束)，从而基本上均 勻地照射到非晶硅层20的整个第一面积Al。由于该束被漫射显著削弱，因此不会在非晶硅 层20的第一面积Al的不期望部分导致缺陷结晶。另外，在最初从激光器(LA)振荡之后通过激光掩膜101的透光部分LT照射到非 晶硅层20的第一束Bl (由实线表示)，由非晶硅层20反射。反射束转变为第四反射束B4 (由 点线表示)，并且照射向与激光掩膜101第二面120上的第二子遮光部分LI2相对应的第二 子突出和凹陷区域220。之后，第四反射束B4(由点线表示)被第二子突出和凹陷区域220 反射并同时漫射，从而转变为第五漫射束B5(由长短交替的虚线表示)并且照射到非晶硅 层20的第二面积A2。虽然第五漫射束B5(由长短交替的虚线表示)是照射至不期望部分，即非晶硅层 20的第二面积A2的不期望激光束(LB)，但第五漫射束B5不会在非晶硅层20的第二面积 A2导致缺陷结晶。这是因为第五漫射束B5被第二子突出和凹陷区域220漫射，从而基本上 均勻地照射到非晶硅层20的整个第二面积A2。具体而言，在以后对非晶硅层20的第二面 积A2进行结晶的情况下，由于非晶硅层20的分子由第五漫射束B5(由长短交替的虚线表 示)维持在激发态，因此第二面积A2可以在计划结晶时在短时间内结晶。以这种方式，即使在从激光器(LA)振荡的激光束(LB)被光学系统(OP)反射通过 激光掩膜101从而照射到非晶硅层20的第一面积Al时，LB在被第一子突出和凹陷区域210 反射的同时被漫射，因此遏制了非晶硅层20的不期望的缺陷结晶。当激光束(LB)被非晶 硅层20反射，然后被激光掩膜101再反射从而照射到非晶硅层20的第二面积A2时，同样 适用。之后，如图7所示，非晶硅层20通过使用重叠的激光束(LB)结晶。图7图示说明 在使用根据本发明第一示例性实施例的激光掩膜101的SLS结晶方法中激光束的重叠程度。在图7中，为了简洁起见，曲线表示非晶硅层20的第一面积Al中激光束的能量密 度的分布，其中激光束彼此重叠。在一个实施例中，为了将第一激光束(LBl)照射到形成有非晶硅层20的绝缘基板 10上，非晶硅层20、激光束(LB)和激光掩膜101相对移动，因此它们被间隔开。进一步，第 二激光束LB2、第三激光束LB3和第四激光束LB4照射到相邻的第一激光束LBl之间的部 分，使得这些激光束以一定的间隔彼此重叠。在一个实施例中，相邻激光束(LB)在具有比 非晶硅层20熔化的能量密度开始点更高的能量密度的面积处彼此重叠。随着绝缘基板10 在附图中的第一方向上移动，激光束(LB)基于第一激光束(LBl)以一定间隔的重叠由绝缘 基板10的与激光掩膜101的透光部分LT相对应的位置的移动而产生。通过这种SLS结晶 方法，构成非晶硅层20的非晶硅被结晶为在第二方向上接近于单晶硅。也就是说，通过以上叙述的过程，非晶硅层20的非晶硅可以结晶为接近于单晶 硅，另外还可以遏制在不期望位置产生的缺陷结晶。在一个实施例中，虽然从激光器(LA)振荡的激光束(LB)由光学系统(OP)和激光掩膜101反射，从而照射到非晶硅层20的不期望位置，但也可以遏制非晶硅层20的不期望 的缺陷结晶。这是因为由光学系统(OP)或激光掩膜101反射的激光束(LB)被激光掩膜 101的突出和凹陷区域200漫射，从而基本上均勻照射到非晶硅层20。现在将参照图8描述根据本发明第二示例性实施例的激光掩膜102。图8是根据 本发明第二示例性实施例的激光掩膜的横截面图。如图8所示，激光掩膜102的遮光部分LI包括由铬(Cr)制成的第一子遮光部分 LIl和第二子遮光部分LI2。第一子遮光部分LIl和第二子遮光部分LI2用于设置从激光 器(LA)振荡之后透射通过激光掩膜102的激光束(LB)的宽度。突出和凹陷区域202包括耐热树脂，并且包括位于第一子遮光部分LIl上的第一 子突出和凹陷区域212以及位于第二子遮光部分LI2上的第二子突出和凹陷区域222。在一个实施例中，如图8所示，第一子突出和凹陷区域212以及第二子突出和凹陷 区域222具有基本上均一(或均勻)形成的凹进部分和凸起部分，因此第一子突出和凹陷 区域212或者第二子突出和凹陷区域222用于使用其凹凸形状漫射照射到第一子突出和凹 陷区域212或者第二子突出和凹陷区域222上的激光束。使用设置的凹凸形状，第一子突出 和凹陷区域212以及第二子突出和凹陷区域222可以设置在被第一子突出和凹陷区域212 或者第二子突出和凹陷区域222反射的同时被漫射的激光束(LB)的方向。详细地说，因为 第一子突出和凹陷区域212以及第二子突出和凹陷区域222设置被第一子突出和凹陷区域 212以及第二子突出和凹陷区域222反射之后照射到非晶硅层20的激光束(LB)的照射位 置，所以激光束(LB)可以均勻地照射到整个非晶硅层20。根据本发明第二示例性实施例的激光掩膜102的突出和凹陷区域202可以使用由 PDMS (聚二甲硅氧烷)等制成的印模通过印刷技术形成在底基板100上。在一个实施例中，虽然从激光器(LA)振荡的激光束(LB)被光学系统(OP)和激光 掩膜102反射，从而照射至非晶硅层20的不期望位置，但也可以遏制非晶硅层20的不期望 的缺陷结晶。这是因为被光学系统(OP)或激光掩膜102反射的激光束(LB)由激光掩膜 102的突出和凹陷区域202漫射，从而基本上均勻地照射到非晶硅层20。现在将参照图9描述根据本发明第三示例性实施例的激光掩膜103。图9是根据 本发明第三示例性实施例的激光掩膜的横截面图。在一个实施例中，如图9所示，激光掩膜103的遮光部分LI与突出和凹陷区域203 整体形成。在一个实施例中，如图9所示，与遮光部分LI的第一子遮光部分LIl相对应的 第一子突出和凹陷区域213具有基本上均一(或均勻)形成的凹进部分和凸起部分。在一 个实施例中，与遮光部分LI的第二子遮光部分LI2相对应的第二子突出和凹陷区域223具 有不均一(或不均勻)形成的凹进部分和凸起部分。虽然从激光器(LA)振荡的激光束(LB)被光学系统(OP)和激光掩膜103反射，从 而照射到非晶硅层20的不期望位置，但也可以遏制非晶硅层20的不期望的缺陷结晶。这 是因为被光学系统(OP)或激光掩膜103反射的激光束(LB)由激光掩膜103的突出和凹陷 区域203漫射，从而基本上均勻地照射到非晶硅层20。现在将参照图10描述根据本发明第四示例性实施例的激光掩膜104。图10是根 据本发明第四示例性实施例的激光掩膜的横截面图。在一个实施例中，如图10所示，激光掩膜104的遮光部分LI与突出和凹陷区域204整体形成。在一个实施例中，如图10所示，与遮光部分LI的第一子遮光部分LIl相对 应的第一子突出和凹陷区域214具有不均一(或不均勻)形成的凹进部分和凸起部分。在 一个实施例中，如图10所示，与遮光部分LI的第二子遮光部分LI2相对应的第二子突出和 凹陷区域2M具有基本上均一(或均勻)形成的凹进部分和凸起部分。第二子突出和凹陷区域2M包括形成在其平面上的凹槽(G)。凹槽(G)可以通过 图案化第二子突出和凹陷区域224的具有平面的抗反射层形成。如上所述，使用根据本发明第四示例性实施例的激光掩膜104，虽然从激光器 (LA)振荡的激光束(LB)被光学系统(OP)和激光掩膜104反射，从而照射到非晶硅层20的 不期望位置，但因为被光学系统(OP)或激光掩膜104反射的激光束(LB)由激光掩膜104 的突出和凹陷区域204漫射，从而基本上均勻地照射到非晶硅层20，因此可以遏制非晶硅 层20的不期望的缺陷结晶。根据本发明的示例性实施例，可以提供能够遏制非晶硅结晶中的差异的激光掩膜 以及使用该激光掩膜的连续横向固化(SLQ结晶方法。尽管已结合当前认为实际的示例性实施例对本发明进行了描述，但应当理解，本 发明并不限于所公开的实施例，相反本发明旨在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内 的各种修改和等同布置。
权利要求
1.一种激光掩膜，包括掩膜基板，包括i)被配置为使光透射过去的至少一个透光部分，和ii)多个遮光部 分，由插入所述遮光部分之间的透光部分隔开，其中所述遮光部分被配置为挡光；以及位于所述掩膜基板的遮光部分上的多个突出和凹陷区域，其中所述多个突出和凹陷区 域中的每一个包括交替形成的多个凹进部分和多个凸起部分。
2.根据权利要求1所述的激光掩膜，其中所述掩膜基板进一步包括具有彼此相对的第一表面和第二表面的底基板，其中所述遮光部分位于所述底基板的 第一表面和第二表面中的至少一个上。
3.根据权利要求2所述的激光掩膜，其中所述多个遮光部分中的每一个包括位于所述 底基板的第一表面上的第一子遮光部分以及位于所述底基板的第二表面上的第二子遮光 部分，其中所述多个突出和凹陷区域中的每一个包括形成在所述第一子遮光部分上的第一 子突出和凹陷区域以及形成在所述第二子遮光部分上的第二子突出和凹陷区域，并且其中 所述第一子遮光部分和所述第二子遮光部分相对于所述底基板彼此直接相对。
4.根据权利要求3所述的激光掩膜，其中所述多个遮光部分中的每一个由铬形成。
5.根据权利要求4所述的激光掩膜，其中所述多个突出和凹陷区域中的每一个由铬形成。
6.根据权利要求4所述的激光掩膜，其中所述多个突出和凹陷区域中的每一个与对应 的遮光部分整体形成。
7.根据权利要求6所述的激光掩膜，其中所述多个遮光部分中的每一个由耐热树脂形成。
8.根据权利要求3所述的激光掩膜，其中所述第一子突出和凹陷区域以及所述第二子 突出和凹陷区域中的一种包括均勻形成的凹进部分和凸起部分，并且其中另一种包括不均 勻形成的凹进部分和凸起部分。
9.根据权利要求3所述的激光掩膜，其中所述第一子突出和凹陷区域以及所述第二子 突出和凹陷区域包括均勻形成的凹进部分和凸起部分。
10.根据权利要求3所述的激光掩膜，其中所述第一子突出和凹陷区域以及所述第二 子突出和凹陷区域包括不均勻形成的凹进部分和凸起部分。
11.根据权利要求3所述的激光掩膜，其中所述底基板由石英形成。
12.根据权利要求3所述的激光掩膜，其中所述第一子突出和凹陷区域直接形成在所 述第一子遮光部分之上，并且其中所述第一子突出和凹陷区域以及所述第一子遮光部分具 有相同的宽度。
13.根据权利要求12所述的激光掩膜，其中所述第二子突出和凹陷区域直接形成在所 述第二子遮光部分之下，并且其中所述第二子突出和凹陷区域以及所述第二子遮光部分具 有相同的宽度。
14.根据权利要求1所述的激光掩膜，其中所述激光掩膜用于连续横向固化结晶方法。
15.根据权利要求1所述的激光掩膜，其中所述至少一个透光部分包括多个透光部分， 并且其中所述多个透光部分和所述多个遮光部分均勻地间隔开。
16.一种连续横向固化结晶方法，包括 在绝缘基板上形成非晶硅层；沉积激光掩膜，所述激光掩膜包括1)掩膜基板，包括i)被配置为使光透射过去的至 少一个透光部分，和ii)多个遮光部分，由插入所述遮光部分之间的透光部分隔开，其中所 述遮光部分被配置为挡光；以及幻位于所述掩膜基板的遮光部分上的多个突出和凹陷区 域，其中所述多个突出和凹陷区域中的每一个包括交替形成的多个凹进部分和多个凸起部 分；以及通过所述激光掩膜向所述非晶硅层照射从激光器照射的激光束。
17.根据权利要求16所述的连续横向固化结晶方法，进一步包括使用重叠的激光束使 所述非晶硅层结晶。
18.根据权利要求16所述的连续横向固化结晶方法，其中所述激光掩膜的掩膜基板进 一步包括包括彼此相对的第一表面和第二表面的底基板，并且所述遮光部分位于所述底 基板的第一表面和第二表面中的至少一个上，并且在通过所述激光掩膜向所述非晶硅层照射激光束的过程中，照射到所述突出和凹陷区 域的激光束被所述突出和凹陷区域漫射。
19.一种激光掩膜，包括掩膜基板，包括i)被配置为使光透射过去的多个透光部分，以及ii)被配置为挡光的 多个遮光部分，其中所述多个透光部分和所述多个遮光部分间隔开并且交替形成；以及多个凹进部分和多个凸起部分，交替形成在所述多个遮光部分中的每一个上，并且被 配置为漫射入射光的至少一部分。
20.根据权利要求19所述的激光掩膜，其中所述掩膜基板包括两个相对的表面，其中 所述多个遮光部分形成在所述掩膜基板的两个表面上，其中所述多个遮光部分中的至少一 个具有均勻形成的凹进部分和凸起部分，并且其中所述多个遮光部分中的至少另一个具有 不均勻形成的凹进部分和凸起部分。
全文摘要
公开了一种激光掩膜及使用该激光掩膜的连续横向固化结晶方法。在一个实施例中，所述激光掩膜包括掩膜基板，包括i)被配置为使光透射过去的至少一个透光部分，以及ii)多个遮光部分，由插入所述遮光部分之间的透光部分隔开。所述遮光部分被配置为挡光；并且多个突出和凹陷区域位于所述掩膜基板的遮光部分上。所述突出和凹陷区域包括交替形成的多个凹进部分和多个凸起部分。
文档编号C30B28/02GK102063011SQ20101050696
公开日2011年5月18日 申请日期2010年10月11日 优先权日2009年11月16日
发明者姜镇熙, 朴钟贤, 朴鲜, 李律圭, 柳春基 申请人:三星移动显示器株式会社