专利名称：外延片生产用罩的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种外延片生产用罩。
背景技术：
外延片的生产方法，是在衬底上生长单晶硅薄膜。化学气相法生产外延片时，使气 态的硅单晶沉积在衬底表面。单晶硅的沉积是在石英罩内进行。如图1所示为一种石英罩 的结构示意图，其包括长方体的罩体1，包括上罩板11。罩体1设置有进口 12和出口(图 中未示出)。如图2所示为上罩板的正视图及其缺点分析图。由于罩体1的各罩板均与上 罩板11相同，其侧面13为垂直于气体流向的直面，图中向右的箭头表示气体入射流向。因 此，在气体吹至上罩板11的侧面13时，受侧面13的阻挡，入射气流发生变向，一部分向上， 一部分向下，一部分回弹至与入射方向相反。无论朝哪个方向变向，均对生产带来不利影 响。向上反射的部分，无法进入罩体内，造成浪费；向下及回弹的部分，会扰乱其它气体的流 向，造成气体分布的不均勻，降低了外延片的生产质量。
实用新型内容本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种可减小浪费的外延片
生产用罩。为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案实现外延片生产用罩，包括罩体，罩体设置有反应腔，所述罩体设置有进口，进口与反 应腔相通，其特征在于，所述罩体包括罩板，至少一块罩板在进口处设置有斜面。优选地是，所述的斜面自罩板端部向罩体内部延伸。优选地是，所述罩体包括上罩板和下罩板，所述上罩板和下罩板在罩体进口处均 设置有斜面。优选地是，所述上罩板的斜面自上罩板端部向罩体内部延伸，斜面的延长面与下 罩板相交；所述下罩板的斜面自下罩板端部向罩体内部延伸，斜面的延长面与上罩板相交。优选地是，所述的罩体由上罩板、左罩板、下罩板和右罩板依次连接而成。优选地是，所述罩体设置有出口。本实用新型中的外延片生产用罩，可对射向罩体的气流导向，既能避免浪费，又可 以确保进入罩体的气体均勻，可确保衬底表面沉积的单晶薄膜均勻，提高外延片的生产质量。
图1为现有技术中的外延片生产用罩结构示意图；图2为现有技术中的外延片生产用罩的缺点分析图；图3为本实用新型中的外延片生产用罩结构示意图；图4为图3的A-A剖视3[0016]图5为本实用新型的工作原理分析图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型进行详细的描述如图3、图4所示，外延片生产用罩，包括罩体2，所述的罩体2由上罩板21、左罩 板22、下罩板23和右罩板24依次连接而成为长方体形状。罩体2设置反应腔(图中未示 出)和有进口 25，进口 25与反应腔相通。上罩板21在罩体进口 25处设置有斜面211。上罩板21的斜面211自上罩板端部 向罩体2内部延伸，斜面211的延长面与下罩板23相交。下罩板23在罩体进口 25处设置有斜面231。所述下罩板23的斜面231自下罩板 端部向罩体2内部延伸，斜面231的延长面与上罩板21相交。罩体2设置有出口(图中未示出)。使用时，衬底放置在反应腔内，气态的单晶硅自罩体2的进口 25进入反应腔内。 如图5所示，图中的箭头表示气流方向。气体射向罩体2时，上罩板21的斜面211和下罩 板23的斜面231均可对入射气流导向，使其流向罩体的反应腔内，而不会向其它方向反射 造成浪费。变向的入射气流也不会阻挡入射气流，不会扰乱入射气流的分布，因此可确保沉 积在衬底的单晶薄膜厚度均勻。本实用新型中的实施例仅用于对本实用新型进行说明，并不构成对权利要求范围 的限制，本领域内技术人员可以想到的其他实质上等同的替代，均在本实用新型保护范围 内。
权利要求外延片生产用罩，包括罩体，罩体设置有反应腔，所述罩体设置有进口，进口与反应腔相通，其特征在于，所述罩体包括罩板，至少一块罩板在进口处设置有斜面。
2.根据权利要求1所述的外延片生产用罩，其特征在于，所述的斜面自罩板端部向罩 体内部延伸。
3.根据权利要求1所述的外延片生产用罩，其特征在于，所述罩体包括上罩板和下罩 板，所述上罩板和下罩板在罩体进口处均设置有斜面。
4.根据权利要求1所述的外延片生产用罩，其特征在于，所述上罩板的斜面自上罩板 端部向罩体内部延伸，斜面的延长面与下罩板相交；所述下罩板的斜面自下罩板端部向罩 体内部延伸，斜面的延长面与上罩板相交。
5.根据权利要求4所述的外延片生产用罩，其特征在于，所述的罩体由上罩板、左罩 板、下罩板和右罩板依次连接而成。
6.根据权利要求1所述的外延片生产用罩，其特征在于，所述罩体设置有出口。
专利摘要本实用新型公开了一种外延片生产用罩，包括罩体，罩体设置有反应腔，所述罩体设置有进口，进口与反应腔相通，其特征在于，所述罩体包括罩板，至少一块罩板在进口处设置有斜面。本实用新型中的外延片生产用罩，可对射向罩体的气流导向，既能避免浪费，又可以确保进入罩体的气体均匀，可确保衬底表面沉积的单晶薄膜均匀，提高外延片的生产质量。
文档编号C30B29/06GK201753371SQ20102024654
公开日2011年3月2日 申请日期2010年7月1日 优先权日2010年7月1日
发明者楼琦江 申请人:上海晶盟硅材料有限公司