专利名称：碳化硅衬底的制作方法
技术领域：
本发明涉及碳化硅衬底，特别是具有单晶结构的碳化硅衬底。
背景技术：
与硅相比，碳化硅具有更优异的一些特性，诸如大带隙、大的最大介电击穿电场和大的热导率。因此，已经考虑使用碳化硅衬底来制造半导体装置。例如，非专利文献 1, Hiroshi YANO等人，“在用于功率转换晶体管的SiC MOSFET的反转层中的高通道迁移率，，(”High Channel Mobility in Inversion Layer of SiC MOSFETs for Power Switching Transistors")，日本应用物理快报(Jpn. J. Appl. Phys.)，第 39 卷(2000)， 第2008 2011页，公开了 MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)。此外，该文献公开了，当在碳化硅衬底的(11-20)面上制造MOSFET时，在<1-100>方向上的漏电流变得比在 <0001〉方向上的漏电流大3倍。因此，当使用这种碳化硅衬底制造半导体装置时，必须掌握在碳化硅衬底的面内方向中的取向。为了掌握碳化硅衬底的晶体取向，专利文献1(日本特开2009-08U90)公开了一种形成取向平面的方法。此外，为了有效地制造半导体装置，要求衬底具有某种程度以上的大尺寸。根据专利文献2 (美国专利7314520)，可以制造76mm(3英寸)以上的碳化硅衬底。引用列表专利文献专利文献1 日本特开2009-08U90号公报专利文献2 美国专利7314520非专利文献非专利文献1 =Hiroshi YANO等人，“在用于功率转换晶体管的SiC MOSFET的反转层中的高通道迁移率”(〃 High Channel Mobility in Inversion Layer of SiC MOSFETs for Power Switching Transistors")，日本应用物理快报(Jpn. J. Appl. Phys.)，第 39 卷 (2000)，第 2008 2011 页
发明内容
技术问题作为探讨制造碳化硅衬底的方法的结果，本发明人发现了可以工业制造尺寸为 150mm(6英寸)以上的碳化硅衬底的方法。当在这种大碳化硅衬底中形成取向平面时，所需研削量由于衬底的大尺寸而变大。然而，碳化硅比硅硬。因此，不易进行大量研削。鉴于上述问题而完成了本发明，本发明的目的在于提供使得可掌握晶体取向且易于制造的碳化硅衬底。问题的解决方案本发明的碳化硅衬底具有单晶结构且包含第一圆形表面和第二圆形表面及侧面。 所述第一圆形表面设置有具有第一形状的第一凹口部。所述第二圆形表面与第一圆形表面对向且设置有具有第二形状的第二凹口部。所述侧面将所述第一与第二圆形表面彼此连接。所述第一与第二凹口部彼此对向。所述侧面具有将所述第一与第二凹口部彼此连接的第一凹陷部。优选地，所述碳化硅衬底对于所述碳化硅衬底的给定翻转操作具有不对称性。以这种方式，可以将所述碳化硅衬底的前面与背面彼此区别。优选地，所述第一圆形表面包含具有与所述第一形状不同的第三形状的第三凹口部。此外，所述第二圆形表面包含具有与所述第二形状不同的第四形状的第四凹口部。所述第三凹口部与所述第四凹口部彼此对向。所述侧面具有将第三凹口部与第四凹口部连接的第二凹陷部。优选地，所述第一凹陷部对于翻转操作具有不对称性。优选地，所述第一与第二形状彼此不同。优选地，所述第一与第二形状相同且对于翻转操作具有不对称性。优选地，所述第一圆形表面具有与所述第二圆形表面不同的表面粗糙度。因此，可以将所述碳化硅衬底的前面与背面彼此区别。优选地，所述第一与第二圆形表面中的一个具有小于IOnm的表面粗糙度Ra且另一个具有IOnm以上的表面粗糙度Ra。表面粗糙度Ra通过使用原子力显微镜(AFM)测量具有10 μ m边的正方形区域来确定。优选地，所述第一与第二圆形表面各自具有15cm以上的直径。优选地，所述单晶结构具有六方晶体。所述第一凹口部位于从所述第一圆形表面的中心向<11-20>方向和<1-100>方向中的一个方向延伸的轴朝所述第一圆形表面的正投影。优选地，所述碳化硅衬底具有ΙΟ/cm2以下的微管密度。优选地，所述碳化硅衬底具有10000/cm2以下的蚀坑密度。优选地，所述碳化硅衬底具有30 μ m以下的翘曲。优选地，所述单晶结构具有六方晶体。所述第一圆形表面相对于{0001}面具有 50°以上且65°以下的偏角。更优选地，满足以下第一条件和第二条件之一。第一，所述偏角相对于<01-10>方向的偏离取向在士5°以下的范围内。优选地， 所述第一圆形表面在所述<01-10>方向上相对于{03-38}面具有-3°以上且+5°以下的偏角。更优选地，所述第一圆形表面在所述<01-10>方向上相对于(0-33-8)面具有-3°以上且+5°以下的偏角。第二，优选地，所述偏角相对于<11-20>方向的偏离取向在士5°以下的范围内。在此，将六方晶体的单晶碳化硅的(0001)面定义为硅面，而将(000-1)面定义为碳面。此外，“在<01-10>方向上相对于{03-38}面的偏角”是指上述第一圆形表面的法线对于由用作上述偏离取向的基准的<01-10>方向和<0001〉方向限定的平面的正投影与 {03-38}面的法线所形成的角。正值符号对应其中所述正投影与<01-10>方向平行地接近的情况，而负值符号对应于其中所述正投影与<0001〉方向平行地接近的情况。同时，“在 <01-10>方向上相对于{0-33-8}面的偏角”是指第一圆形表面的法线对于由用作偏离取向的基准的<01-10>方向和<0001〉方向限定的平面的正投影与{0-33-8}面的法线所形成的角。正值符号对应其中所述正投影与<01-10>方向平行地接近的情况，而负值符号对应于其中所述正投影与<0001〉方向平行地接近的情况。此外，表述“在<01-10>方向上相对于 (0-33-8)面具有-3°以上且+5°以下的偏角的第一圆形表面”是指第一圆形表面对应于在碳化硅晶体中满足上述条件的碳面侧的面。此外，(0-33-8)面包括由于限定晶面用的轴的设定而以不同方式表示的等价的碳面侧的面，且(0-33-8)面不包括在硅面侧的面。另一方面，{03-38}面包括作为碳面侧的面的(0-33-8)面与作为硅面侧的面的(03-38)面二者。发明效果根据本发明，碳化硅衬底具有将第一与第二凹口部彼此连接的第一凹陷部，S卩，具有用于掌握晶体取向的凹口。在形成凹口时所涉及的加工量可小于在形成取向平面时所涉及的加工量。因此，可以更加容易地制造使得可掌握晶体取向的碳化硅衬底。
图1为示意性显示第一实施方式中的碳化硅衬底的构造的透视图。图2为图1的碳化硅衬底的示意性平面图。图3为图1的碳化硅衬底的示意性底视图。图4为图1的碳化硅衬底的示意性正视图。图5为示意性显示制造第一实施方式中的碳化硅衬底的方法的第一步骤的透视图。图6为示意性显示制造第一实施方式中的碳化硅衬底的方法的第二步骤的透视图。图7为示意性显示制造第一实施方式中的碳化硅衬底的方法的第三步骤的透视图。图8为示意性显示制造第一实施方式中的碳化硅衬底的方法的第四步骤的透视图。图9为示意性显示制造第一实施方式中的碳化硅衬底的方法的第五步骤的透视图。图10为示意性显示第一实施方式的变形例中的碳化硅衬底的构造的正视图。图11为示意性显示第二实施方式中的碳化硅衬底的构造的平面图。图12为图11的碳化硅衬底的示意性底视图。图13示意性显示了绕轴AXm翻转的图11的碳化硅衬底。图14为示意性显示第三实施方式中的碳化硅衬底的构造的平面图。图15为图14的碳化硅衬底的示意性底视图。图16示意性显示了绕轴AXc翻转的图14的碳化硅衬底。图17为示意性显示第四实施方式中的碳化硅衬底的构造的平面图。图18为图17的碳化硅衬底的示意性底视图。图19为沿图17中的线XIX-XIX所取的示意性部分横截面图。
具体实施例方式下面参考附图描述本发明的实施方式。应注意，在以下提到的图中，对相同或相当的部分提供相同的标号，且不再重复说明。
(第一实施方式)如图1 图4中所示，本实施方式的碳化硅衬底101具有单晶结构，且具有第一圆形表面11、第二圆形表面21和侧面31。第一圆形表面11具有第一中心Cl和第一凹口部 Nla0与第一圆形表面11对向的第二圆形表面21具有第二中心C2和第二凹口部N2a。第一凹口部ma的形状(第一形状)与第二凹口部N2a的形状(第二形状)相同。第一凹口部Nla与第二凹口部Nh在碳化硅衬底101的厚度方向上彼此对向。侧面31将第一圆形表面11与第二圆形表面21彼此连接。此外，侧面31具有将第一凹口部ma与第二凹口部 Nh彼此连接的第一凹陷部Da。第一凹陷部Da由与碳化硅衬底101的厚度方向平行的表面构成。此外，第一圆形表面11和第二圆形表面21分别具有通过在各自具有直径R的圆中形成第一凹口部Nla和第二凹口部Nh而获得的形状。下面描述制造碳化硅衬底101的方法。如图5和图6中所示，准备由具有单晶结构的碳化硅形成的锭111。使锭111成形以获得具有圆柱形状的锭112。如图7中所示，在由此具有圆柱形状的锭112的侧面以特定取向形成临时凹口 Dz。 该特定取向对应于其中要形成第一凹陷部Da的取向且可以使用例如X射线来规定。此外， 临时凹口 Dz可使用诸如研削机的装置形成。如图8和图9中所示，将锭112按图中的虚线所示切开，由此获得具有临时凹口 Dz、第一圆形表面11和第二圆形表面12的碳化硅衬底。接着，对其中形成有临时凹口 Dz的区域进行进一步研削并研磨。因此，形成第一凹陷部Da(图1)。接着，对第一圆形表面11 和第二圆形表面12进行研削。因此，获得碳化硅衬底101(图1)。根据本实施方式，碳化硅衬底101设置有将第一凹口部ma与第二凹口部Nh彼此连接的第一凹陷部Da，即具有用于掌握碳化硅衬底101的晶体取向的凹口。在形成该凹口中所涉及的加工量可小于在形成取向平面中所涉及的加工量。因此，可以更加容易地制造使得可掌握其晶体取向的碳化硅衬底。优选地，直径R为15cm以上。处理各自具有15cm以上直径的硅衬底的大多数制造装置和检验装置适应于具有凹口而不是取向平面的衬底。根据本实施方式，可以使用这种制造装置和检验装置来处理碳化硅衬底。优选地，将第一凹口部Nla和第二凹口部Nh各自形成为具有圆形部分。与其中在第一凹口部Nla和第二凹口部N2a的每一个处形成尖锐边缘的情况相比，这防止了在凹口形成期间产生裂纹。优选地，所述圆形部分具有0. Imm以上的曲率半径，由此防止出现碎片(chipping)。第一凹口部ma和第二凹口部Nh各自的形状为例如半椭圆形状或具有圆形顶点的三角形状。此外，第一凹口部Nla和第二凹口部Nh各自在碳化硅衬底101的径向上的尺寸优选为0. 5mm以上且5mm以下。当该尺寸为0. 5mm以上时，可以将第一凹口部Nla和第二凹口部Nh容易地与纯粹的碎片区别。另一方面，当该尺寸为5mm以下时，可以降低形成将第一凹口部Wa与第二凹口部Nh连接的第一凹陷部Da所需要的研削量。优选碳化硅衬底101具有低晶体缺陷密度。这防止了裂纹的产生。优选地，碳化硅衬底101具有ΙΟ/cm2以下的微管密度且具有10000/cm2以上的蚀坑密度。此外，由于碳化硅衬底101的翘曲较小，所以更加防止了裂纹的产生。优选地，碳化硅衬底101具有30 μ m以下的翘曲。优选地，上述单晶结构具有六方晶体，且第一凹口部Nla位于从所述第一中心Cl 向<11-20>方向和<1-100>方向中的一个方向延伸的轴朝所述第一圆形表面11的正投影AXl上。以这种方式，可以容易地识别在载流子迁移率方面具有特征的<11-20>方向或 <1-100> 方向。优选地，选择碳化硅衬底101的晶体结构和第一圆形表面11的面取向以获得大的载流子迁移率(通道迁移率)。具体地，碳化硅衬底101的单晶结构具有六方晶体且第一圆形表面11相对于{0001}面具有50°以上且65°以下的偏角。更优选地，满足下述第一条件或第二条件。第一条件是使得所述偏角相对于<01-10>方向的偏离取向在士5°以下的范围内。优选地，第一圆形表面11在<01-10>方向上相对于{03-38}面具有-3°以上且+5° 以下的偏角。更优选地，第一圆形表面11在<01-10>方向上相对于(0-33-8)面具有-3° 以上且+5°以下的偏角。第二条件是优选使得所述偏角相对于<11-20>方向的偏离取向在士5°以下的范围内。参考图10，将描述本实施方式的变形例。本变形例的碳化硅衬底IOlv具有第二圆形表面21v代替第二圆形表面21 (图4)。第一圆形表面11具有与第二圆形表面21v不同的表面粗糙度。优选地，它们彼此不同至可以通过目测识别出差异的程度。具体地，第一圆形表面11具有小于IOnm的表面粗糙度Ra，而第二圆形表面21v具有IOnm以上的表面粗糙度Ra。例如，第一圆形表面11被研磨为镜面，而第二圆形表面21留有可通过目测识别的刮痕。根据本变形例，可以通过其间的表面粗糙度差异来将碳化硅衬底101的第一圆形表面11和第二圆形表面12v彼此区别。第一圆形表面11和第二圆形表面由于碳化硅晶体结构的特征而具有不同的性质。因此，当衬底由单晶碳化硅制成时，这对于将它们彼此区别特别有用。例如，在其中碳化硅衬底101通过与{0001}面平行地切开而形成的情况下，第一圆形表面11和第二圆形表面21中的一个对应于Si (硅)面且另一个对应于C(碳)面。 因此，第一圆形表面11与第二圆形表面21具有彼此不同的物理性质。因此，将第一圆形表面11与第二圆形表面21彼此区别是重要的。(第二实施方式)如图11和图12中所示，本实施方式的碳化硅衬底102具有单晶结构，且具有第一圆形表面12、第二圆形表面22和侧面32。第一圆形表面12具有通过在第一圆形表面11 (图 2)中进一步设置第三凹口部Nlb而获得的构造。第二圆形表面22具有通过在第二圆形表面21 (图3)中进一步设置第四凹口部N2b而获得的构造。第三凹口部Nlb与第四凹口部 N2b在厚度方向上彼此对向。第三凹口部Wb的形状(第三形状)与第四凹口部N2b的形状(第四形状)相同。第三形状与第一凹口部Wa的形状(第一形状)不同，且第四形状与第二凹口部N2a的形状(第二形状)不同。在本实施方式中，第三形状与第四形状相同。 侧面32具有通过在侧面31 (图1)中进一步设置第二凹陷部Db而获得的构造。第二凹陷部Db将第三凹口部Wb与第四凹口部N2b彼此连接。如图11中所示，第一凹口轴A)Ca为当以平面图观察时贯穿第一中心Cl和第一凹口部Wa的虚轴。第二凹口轴A)(b为当以平面图观察时贯穿第一中心Cl和第三凹口部Wb 的虚轴。第一凹口轴A)Ca和第二凹口轴A)(b在第一中心Cl处彼此交叉。当以平面图观察时轴AXm贯穿第一中心Cl且其具有恰好在第一凹口轴AXa的取向与第二凹口轴AXb的取向中间的取向。当将图11中所示的碳化硅衬底102绕轴AXm翻转时，碳化硅衬底102变为图13 中所示的状态。从图11与图13之间的比较可了解，碳化硅衬底102对于该翻转操作具有不对称性。具体地，当第一凹陷部Da的位置与第二凹陷部Db的位置通过该翻转而互换时， 例如，相对于轴AXm位于顺时针方向上的凹口部的形状从第三形状(图11 第三凹口部mb 的形状)变为第二形状(图13 第二凹口部N2a的形状)。因为如上所述这两种形状彼此不同，所以可以将图11的状态与图13的状态，即其中露出第一圆形表面12的状态与其中露出第二圆形表面22的状态彼此区别。应注意，碳化硅衬底102对于绕除轴AXm以外的轴的翻转操作也具有不对称性。第一圆形表面11和第二圆形表面具有由碳化硅晶体结构的特征引起的不同性质。因此，当衬底由单晶碳化硅制成时，这对于将它们彼此区别特别有用。例如，在其中碳化硅衬底101通过与{0001}面平行地切开而形成的情况下，第一圆形表面11和第二圆形表面21中的一个对应于Si面且另一个对应于C面。因此，第一圆形表面11和第二圆形表面21具有不同的物理性质。换句话说，根据本实施方式，可以将由此具有不同物理性质的第一圆形表面11和第二圆形表面21彼此区别。(第三实施方式)如图14和图15中所示，本实施方式的碳化硅衬底103具有单晶结构，且具有第一圆形表面13、第二圆形表面23和侧面33。第一圆形表面13具有第一中心Cl和第一凹口部mc。与第一圆形表面13对向的第二圆形表面21具有第二中心C2和第二凹口部N2c。 第一凹口部mc与第二凹口部N2c在厚度方向上彼此对向。侧面33将第一圆形表面13与第二圆形表面23彼此连接。此外，侧面33具有将第一凹口部Nlc与第二凹口部N2c彼此连接的第一凹陷部Dc。第一凹陷部Dc由与碳化硅衬底103的厚度方向平行的表面构成。 此外，第一圆形表面13和第二圆形表面23各自具有直径R。轴AXc (图14)为当以平面图观察时贯穿第一中心Cl和第一凹口部mc的虚轴。 更具体地，当以平面图观察时，轴AXc延伸成使得由对应于侧面33的圆的圆周中形成第一凹口部Nlc的圆弧限定的扇形的中心角被等分成两个角TH。第一凹口部Nlc的形状(第一形状)与第二凹口部N2c的形状(第二形状)相同。当以平面图(图14)观察时，第一凹口部mc的形状相对于轴A)(C非线对称。因此，当以平面图(图15)观察时，第二凹口部 N2c的形状相对于轴A)(C非线对称。换句话说，第一凹口部mc的形状与第二凹口部N2c的形状各自对于其翻转操作具有不对称性。当将碳化硅衬底103绕轴AXc翻转时，碳化硅衬底103变为图16中所示的状态。 从图14与图16之间的比较可了解，碳化硅衬底103对于该翻转操作具有不对称性。具体地，当以平面图观察时，该翻转引起凹口部的形状改变。这使得可以将图14中所示的状态与图16中所示的状态彼此区别，即，可以将其中露出第一圆形表面13的状态与其中露出第二圆形表面23的状态彼此区别。应注意，碳化硅衬底103对于绕除轴AXc以外的轴的翻转操作也具有不对称性。
根据本实施方式，仅使用一个凹口(第一凹陷部Dc)，可以与第二实施方式一样将第一圆形表面13与第二圆形表面23彼此区别。(第四实施方式)如图17和图18中所示，本实施方式的碳化硅衬底104具有单晶结构，且具有第一圆形表面14、第二圆形表面M和侧面34。第一圆形表面14具有第一中心Cl和第一凹口部md。与第一圆形表面14对向的第二圆形表面M具有第二中心C2和第二凹口部N2d。 第一凹口部Nld与第二凹口部N2d在厚度方向上彼此对向。侧面34将第一圆形表面14与第二圆形表面M彼此连接。此外，侧面34具有将第一凹口部md与第二凹口部N2d连接的第一凹陷部Dd。此外，第一圆形表面14和第二圆形表面M各自具有直径R。第一凹口部md的形状(第一形状)与第二凹口部N2d的形状(第二形状)彼此不同。因此，第一凹陷部Dd具有相对于碳化硅衬底104的厚度方向倾斜的部分。轴AXd(图17)为当以平面图观察时贯穿第一中心Cl和第一凹口部md的虚轴。 因为如上所述第一凹口部md的形状与第二凹口部N2d的形状彼此不同，所以第一凹陷部 Dd对于绕轴AXd的翻转操作具有不对称性。具体地，图19中所示的横截面形状通过该翻转而变得颠倒。因此，碳化硅衬底104具有不对称性。换句话说，因为第一凹口部md的形状与第二凹口部N2d的形状彼此不同，所以碳化硅衬底104对于所述翻转操作具有不对称性。本实施方式还通过上述不对称性提供了与第三实施方式类似的作用和效果。与第三实施方式不同，第一凹口部Wd的形状可以对于轴AXd线对称。本文公开的实施方式在任何方面都为例示性和非限制性的。本发明的范围由权利要求书的项限定，而不是由上述实施方式限定，且旨在包括在与权利要求书的项等价的范围和含义内的任何修改。附图标记101 104、101v 碳化硅衬底；11 14 第一圆形表面；21 24、21v 第二圆形表面；31 34 侧面。
权利要求
1.一种具有单晶结构的碳化硅衬底(101)，其包含 第一圆形表面(11)，其具有第一凹口部(Nla)；第二圆形表面(21)，其与所述第一圆形表面对向且具有第二凹口部(N2a)；和侧面(31)，其将所述第一与第二圆形表面彼此连接，所述第一与第二凹口部彼此对向， 所述侧面具有将所述第一与第二凹口部彼此连接的第一凹陷部(Da)。
2.根据权利要求1所述的碳化硅衬底(102)，其中所述碳化硅衬底对于所述碳化硅衬底的给定翻转操作具有不对称性。
3.根据权利要求2所述的碳化硅衬底(102)，其中所述第一圆形表面包含形状与所述第一凹口部不同的第三凹口部(Nlb)， 所述第二圆形表面包含形状与所述第二凹口部不同的第四凹口部(N2b)，所述第三与第四凹口部彼此对向，且所述侧面具有将所述第三与第四凹口部彼此连接的第二凹陷部(Db)。
4.根据权利要求2所述的碳化硅衬底(103)，其中所述第一凹陷部(Dc)对于所述翻转操作具有不对称性。
5.根据权利要求2所述的碳化硅衬底(104)，其中所述第一与第二凹口部(md、N2d) 的形状彼此不同。
6.根据权利要求2所述的碳化硅衬底(103)，其中所述第一与第二凹口部(mc、N2c) 的形状相同且对于所述翻转操作具有不对称性。
7.根据权利要求1所述的碳化硅衬底(IOlv)，其中所述第一圆形表面具有与所述第二圆形表面不同的表面粗糙度。
8.根据权利要求7所述的碳化硅衬底，其中所述第一与第二圆形表面中的一个具有小于IOnm的表面粗糙度Ra且另一个具有IOnm以上的表面粗糙度Ra。
9.根据权利要求1所述的碳化硅衬底，其中所述第一与第二圆形表面各自具有15cm以上的直径。
10.根据权利要求1所述的碳化硅衬底，其中 所述单晶结构具有六方晶体，且所述第一凹口部位于从所述第一圆形表面的中心向<11-20>方向和<1-100>方向中的一个方向延伸的轴朝所述第一圆形表面的正投影(AXl)上。
11.根据权利要求1所述的碳化硅衬底，其中所述碳化硅衬底具有ΙΟ/cm2以下的微管也/又。
12.根据权利要求1所述的碳化硅衬底，其中所述碳化硅衬底具有10000/cm2以下的蚀坑密度。
13.根据权利要求1所述的碳化硅衬底，其中所述碳化硅衬底具有30μπι以下的翘曲。
14.根据权利要求1所述的碳化硅衬底，其中 所述单晶结构具有六方晶体，且所述第一圆形表面相对于{0001}面具有50°以上且65°以下的偏角。
15.根据权利要求14所述的碳化硅衬底，其中所述偏角相对于<01-10>方向的偏离取向在士5°以下的范围内。
16.根据权利要求15所述的碳化硅衬底，其中所述第一圆形表面在所述<01-10>方向相对于{03-38}面具有-3°以上且+5°以下的偏角。
17.根据权利要求16所述的碳化硅衬底，其中所述第一圆形表面在所述<01-10>方向相对于{0-33-8}面具有-3°以上且+5°以下的偏角。
18.根据权利要求14所述的碳化硅衬底，其中所述偏角相对于<11-20>方向的偏离取向在士5°以下的范围内。
全文摘要
第一圆形表面(11)包含具有第一形状的第一凹口部(N1a)。第二圆形表面(21)与所述第一圆形表面对向且包含具有第二形状的第二凹口部(N2a)。侧面(31)将所述第一圆形表面(11)与所述第二圆形表面(21)彼此连接。所述第一凹口部(N1a)与所述第二凹口部(N2a)彼此对向。所述侧面(31)具有将所述第一凹口部(N1a)与所述第二凹口部(N2a)彼此连接的第一凹陷部(Da)。
文档编号C30B33/00GK102471929SQ201180002884
公开日2012年5月23日 申请日期2011年2月23日 优先权日2010年4月12日
发明者佐佐木信, 冲田恭子, 原田真, 宫崎富仁 申请人:住友电气工业株式会社