用于锝-99m的回旋加速器生产的方法、系统和装置制造方法

用于锝-99m的回旋加速器生产的方法、系统和装置制造方法
【专利摘要】由钼-100金属粉末生产锝-99m的方法，其包括下述步骤：(i)在基本无氧的环境中，用回旋加速器生成的质子照射涂有Mo-100金属的硬化烧结靶板；(ii)用H2O2溶液从所述照射过的靶板中溶解钼原子和锝离子以形成氧化物溶液；(iv)将所述氧化物溶液的pH提高到大约14；(v)使调节过pH的氧化物溶液流过树脂柱，以使K[TcO4]离子固定在其上并从中洗脱K2[MoO4]离子；(vi)从所述树脂柱中洗脱结合的K[TcO4]离子；(vii)使洗脱的K[TcO4]离子流过氧化铝柱，以使K[TcO4]离子固定在其上；(viii)用水洗涤固定的K[TcO4]离子；(ix)用盐水溶液洗脱固定的K[TcO4]离子；和(x)回收洗脱的Na[TcO4]离子。
【专利说明】用于锝-99m的回旋加速器生产的方法、系统和装置

【技术领域】
[0001] 本发明涉及用于生产锝_99m的方法、系统和装置。本发明更特别涉及由钼-100 使用加速器（例如回旋加速器）生产锝_99m。

【背景技术】
[0002] 锝_99m，在下文被称作Tc-99m，是核医学诊断程序中最广泛使用的放射性示踪剂 之一。Tc-99m发射容易被检测到的140keVY射线，并具有仅大约6小时的半衰期，由此限制 了患者在放射下的暴露。根据核医学程序的类型，Tc-99m结合到所选药物上，其将Tc-99m 运送至其所需位置，然后通过放射设备成像。常见的核医学诊断程序包括将Tc-99m标记到 用于肝、脾和骨髓成像的硫胶体、用于肺扫描的大颗粒凝集白蛋白、用于骨扫描的膦酸盐、 用于肝胆系统成像的亚氨基二乙酸、用于肾扫描和脑扫描的葡庚糖酸盐、用于脑扫描和肾 扫描的二亚乙基三胺五乙酸OPTA)、用于肾皮质扫描的二巯基琥珀酸（DMSA)、用于心血池 扫描的红血细胞、用于心肌灌注成像、心脏心室造影术的甲氧基异丁基异腈（MIBI)和用于 受损心脏中的钙沉着的成像的焦磷酸盐上。Tc-99m也非常可用于检测各种形式的癌症，例 如通过首先注入Tc-99m标记的硫胶体、然后注入Tc-99m标记的异硫蓝（isosulfanblue) 染料来识别前哨淋巴结，即淋巴结引流癌变部位，例如乳腺癌或恶性黑素瘤。免疫闪烁照相 法特别可用于检测难发现的癌并基于将Tc-99m标记到对所选癌细胞特异性的单克隆抗体 上、注入标记的单克隆抗体，然后用放射设备扫描对象身体。
[0003] 用于核医学的Tc-99m的全球供应量目前主要在核反应堆中生产。首先，在全世 界的数个核反应堆中通过浓缩铀的裂变产生Tc-99m的母体核素，钼_99(在下文被称作 Mo-99)。Mo-99具有66小时的相对较长半衰期，这使其能在全世界范围内运输到医疗中 心。Mo-99以使用柱色谱法的M〇-99/Tc-99m发生器形式分布以从衰变的Mo-99中提取和 回收Tc-99m。色谱柱载有酸性氧化铝（A1203)，向其中加入钼酸根M〇042_形式的Mo-99。随 着Mo-99衰变，其形成高锝酸根Tc(V，高锝酸根由于其单电荷而较弱结合在发生器内的氧 化铝柱上。生理盐水溶液推过固定的Mo-99柱将可溶的Tc-99m洗脱，以产生含有高锝酸盐 (以钠作为抗衡阳离子）形式的Tc-99m的盐水溶液。然后将该高锝酸钠溶液以适当浓度添 加到待使用的器官特异性的药物"试剂盒"中，或对于只需要[Tc-99m] (V作为主要放射性 药物的特定程序而言，高锝酸钠可以在没有药物标记的情况下直接使用。
[0004] 基于裂变生产Tc-99m的问题在于生产Mo-99全球供应量的几个核反应堆接近它 们的寿命终点。Mo-99全球供应量的几乎2/3目前来自两个反应堆：（i)在加拿大安大略省 的ChalkRiverLaboratories的NationalResearchUniversalReactor，和（ii)在荷 兰的Petten核反应堆。这两个设施在2009-2010年都长时间停工，这导致用于医疗设施的 Mo-99的严重的持续性的全球供应短缺。尽管这两个设施目前再次工作，但仍然非常关心 Mo-99的可靠的长期供应。
[0005] 医用回旋加速器已知可以由Mo-100生产用于研宄用途的少量Tc-99m。最近 证实，当用于核医学成像时，在回旋加速器中制成的Tc-99m与核Tc-99m相当（Guerin 等人,2010,Cyclotronproductionof"mcTc:Anapproachtothemedicalisotope crisis.J.Nucl.Med. 51 (4) : 13N-16N)。但是，报道了Mo-100 转化成Tc-99m的许多研宄 的分析显示在转化效率、Y射线生成和纯度方面的显著差异（Challan等人，2007,Thin targetyieldsandEmpire-IIpredictionsintheacceleratorproductionof technetium-99m.J.Nucl.Rad.Phys. 2:1-；Takacs等人,2003,Evaluationofproton inducedreactionson100Mo:Newcrosssectionsforproductionof"mTcand"Mo. J.Radioanal.Nucl.Chem.257:195-201;Lebeda等人，2012,Newmeasurementof excitationfunctionsfor(p,x)reactionsonnatMowithspecialregardtothe formationof95mTc，96m+gTc，99mTcand99Mo.Appl.Radiat.Isot. 68 (12) : 2355-2365;Scholten 等人，1999,Excitationfunctionsforthecyclotronproductionof"mTcand"Mo. Appl.Radiat.Isot. 51:69-80) 〇
[0006] 发明概述
[0007] 本发明的示例性实施方案涉及由钼-100 (Mo-100)用加速器（例如回旋加速器） 通过质子辐照生产锝-99m(Tc-99m)的方法。一些示例性实施方案涉及用于实施本发明的 方法的系统。一些示例性实施方案涉及包含本发明的系统的装置。
[0008] 附图描述
[0009] 联系附图描述本发明，其中：
[0010] 图1是概括本发明的一种示例性方法的示意性流程图；
[0011] 图2是根据本发明的一个实施方案的示例性细长靶板的平面图；
[0012] 图3(a)是来自图2的示例性靶板的横截面侧视图，图3(b)是横截面端视图；
[0013] 图4是用于在其内安装图2-3中所示的示例性靶板的示例性靶舱（target capsule)装置的透视图；
[0014] 图5是图4的靶舱装置顶部的局部视图；
[0015] 图6是来自图5的靶舱装置的横截面侧视图；
[0016]图7是示例性靶拾取装置的透视图，其带有与图4-6中的靶舱组合装置接合的推 杆部件；
[0017] 图8是来自图7的与推杆部件接合的靶拾取装置的横截面侧视图；
[0018] 图9是与图12-14中所示的靶站装置接合和协作的示例性接收室装置的透视图；
[0019] 图10是图9中所示的接收室装置的侧视图；
[0020] 图11是图9中所示的接收室装置的顶视图；
[0021] 图12是示例性靶站装置的透视图，所述靶站装置用于接收与图4-6中所示的靶舱 装置接合的图7-8中所示的靶拾取装置；
[0022] 图13是图12中所示的靶站装置的侧视图；
[0023] 图14是图12中所示的靶站装置的顶视图；
[0024] 图15(a)是根据本发明的一个实施方案的示例性圆形靶板的平面图，15(b)是顶 视图，且图15(c)是来自15(a)的示例性圆形靶板的横截面侧视图；
[0025] 图16是用于将圆形靶盘安装在其内的示例性靶舱装置的透视图；
[0026] 图17是图16中所示的靶舱装置的端视图；
[0027] 图18是图16中所示的靶舱装置的横截面侧视图；
[0028]图19是与推杆部件接合的示例性靶拾取装置的透视图；
[0029] 图20是来自图19的靶拾取装置的横截面侧视图；
[0030] 图21是与图24-27中所示的靶站装置接合和协作的示例性接收室装置的透视 图；
[0031] 图22是图21中所示的接收室装置的侧视图；
[0032] 图23是图21中所示的接收室装置的顶视图；
[0033] 图24是示例性靶站装置的透视图，所述靶站装置用于接收与图16-18中所示的靶 舱装置接合的图19中所示的靶拾取装置；
[0034] 图25是图24中所示的靶站装置的顶视图；
[0035]图26是图24中所示的靶站装置的横截面顶视图，示例性的靶室装置在非荷载位 置传送到靶外壳中；
[0036] 图27是图24中所示的靶站装置的横截面顶视图，其中示例性的靶室装置已移至 荷载位置；
[0037] 图28是以分离模式显示的示例性增压站的透视图；且
[0038] 图29是以接合模式显示的来自图28的示例性增压站的透视图。
[0039] 发明详述
[0040] 本发明的一个示例性实施方案涉及通过利用加速器（例如回旋加速器）产生的质 子束低能质子辐射Mo-100来生产Tc-99m的方法。适用于本发明的方法的质子能量为大约lOMeV至大约30MeV入射在靶上。概括一种示例性方法的流程图显示在图1中。该方法通 常遵循下述步骤：
[0041]1)加工浓缩的Mo-100金属粉末的供料，以产生具有小于大约10微米的一致粒度 的Mo-100粉末。
[0042]2)通过电化学和/或电泳沉积在包含过渡金属的靶板上沉积加工过的Mo-100粉 末的涂层。
[0043]3)将涂布的靶板在惰性气氛中在大约1200°C至大约2000°C的温度下烧结大约2 小时至大约10小时。
[0044]4)将烧结靶板牢固地嵌入靶托中。与烧结靶板啮合在一起的靶托在本文中被称作 靶舱组合件。
[0045] 5)将靶舱组合件安装到接收室装置中，其中通过靶拾取装置接合靶舱组合件。靶 拾取与靶传输驱动装置协作将靶舱组合件送入与回旋加速器接合的靶站装置。
[0046] 6)在基本无氧的气氛中，用加速器生成的质子照射烧结靶板。
[0047] 7)借助传输驱动装置，使靶舱组合件离开靶站并将靶舱组合件转入接收室装置以 从质子照射过的靶板中分离和回收钼酸根离子和高锝酸根离子。
[0048] 8)将高锝酸根离子与钼酸根离子分离，提纯并进一步加工高锝酸根离子。这些步 骤在精确受控的环境条件下进行以使高锝酸根离子的损失最小化。
[0049] 9)回收和提纯钼酸根离子以使它们适合再用于涂布靶板。
[0050] 以前使用加速器由Mo-100生产Tc-99m是致力于生产少量产品，它们足够研宄使 用，并足够用于与使用核反应堆由Mo-99制成的标准Tc-99m比较由此制成的Tc-99m在医 学诊断成像中的功能性。市售浓缩Mo-100金属粉末通常包含粒度从小于1微米到大于1 毫米的混合物。因此，使用这样的粉末涂布靶背衬盘或背衬板造成Mo-100在板表面上的不 均匀分布和不等的Mo-100沉积厚度。这样的变化性导致用质子束照射过程中的靶板故障、 降低的钼原子转化成锝原子的转化效率和不可预测的高锝酸根离子产量。相应地，常见做 法是在大约25, 000N至大约100, 000N的压力下将商业级Mo-100粉末压成具有6. 0至9. 5 毫米直径的丸粒。然后在氢气氛中在800°C至900°C的温度下将该Mo-100丸粒还原。通常 通过压制或通过电弧熔化或电子束熔化将Mo-100以商业级Mo-100粉末或烧结Mo-100丸 粒的形式安装到靶背衬盘上。该熔融方法通常使用以各种扫描模式和聚焦模式施加的40mA 至70mA的电流。因此，使用这样的粉末和/或丸粒涂布靶板造成Mo-100在板表面上的不均 匀分布和不等的Mo-100沉积厚度。这样的变化性导致：（i)用质子束照射过程中的靶板故 障，（ii)降低的钼原子转化成锝原子的转化效率和（iii)不可预测的高锝酸根离子产量。 常遇到的其它问题与靶盘本身相关。在回旋加速器中的研宄规模的Tc-99m生产中常用的 靶包含具有通常大约5-6毫米直径的铜或钽的小薄圆盘。这样的圆盘无法负载足够用于 Tc-99m的大规模生产的Mo-100,因为它们在机械上脆弱并在质子辐照下由于相伴生成的 极高水平的热而损坏，即碎裂。必须解决许多挑战和问题才能成功地大规模使用回旋加速 器基系统由Mo-100生产Tc-99m。需要解决的与钼有关的问题包括克服下述问题：（i)无法 通过由水溶液电镀在靶板上沉积Mo-100的厚层，（ii)同位素富集钼以利于生产特定的锝 同位素，和（iii)需要浓酸溶液和延长的时间溶解照射过的钼板。为利于使用回旋加速器 基系统由Mo-100以商业规模生产Tc-99m而需要解决的挑战包括选择和构造合适的靶背衬 板材料：（i)M〇-100在质子辐照之前和之中牢固附着在其上，（ii)不可被质子渗透，（iii) 足够机械坚固以承受质子辐照过程中的加热，（iv)足够薄以使Mo-100能在辐照过程中散 热和/或冷却，和（iv)化学惰性，即不会化学污染或以其它方式干扰被照射的Mo-100的溶 解。
[0051] 相应地，本发明的一些示例性实施方案涉及将商业Mo-100粉末精制成小于10微 米的均匀粒子的方法、用于在其上安装精制的Mo-100粒子的机械坚固的靶板、和用于将精 制的Mo-100粒子安装到靶板上电泳法。
[0052] 根据一个方面，首先在包含大约3%至大约40%过氧化氢（H202)的溶液中氧化商 业级Mo-100金属粉末。H202的特别合适的浓度为约30%。然后将Mo-100和H202的混合物 加热到大约40°C至大约50°C，以使残留H202变性，然后干燥以回收固体氧化钼。使用三阶段 加热法将固体氧化钼转化回Mo-100金属。在第一阶段中，将干燥的氧化钼在包含约2%氢 的氩气混合物环境中在约400°C下加热大约30分钟以便形成M〇03。在400°C下30分钟后， 然后在该方法的第二阶段中将温度升至大约700°C大约30分钟以促进M〇03还原成MoO2。 然后在该方法的第三阶段中将温度进一步升至大约1KKTC大约30分钟以将M〇02还原成 Mo-100金属。由于此02在1500°C下升华，重要的是在第三阶段过程中使温度保持在大约 1100°C至大约1455°C、大约1100°C至大约1400°C、大约1100°C至大约1350°C、大约1100°C 至大约1300°C、大约1100°C至大约1250°C、大约1100°C至大约1200°C的范围内。重要的是 将该方法的第一阶段过程中的大气氢含量限制在小于大约5%、大约4%、大约3%和优选 大约2%或更小，以控制M〇03还原成M〇02的速率。由于M〇02还原成Mo-100是吸热反应，在 该方法的第三阶段中使用高氢气氛或纯氢气氛是合适的。通过这种三阶段法制成的加工过 的Mo-100粉末以小于10微米的一致粒度为特征。
[0053] 本发明的这一实施方案的另一方面涉及用具有小于10微米的均匀粒度的精制 Mo-100粉末涂布靶背衬板的电泳法。将精制的Mo-100粉末悬浮在合适的极性有机溶剂（例 如无水硝基甲烷、硝基烷、异丙醇等）和合适的粘合剂（例如玉米蛋白）中，然后在选自大 约15°C至大约30°C的环境温度下剧烈搅拌。
[0054] 然后将包含过渡金属的阴极和包含导电金属（例如铜）的阳极浸到该悬浮液中。 横跨阳极和阴极施加大约150V至大约5000V、大约200V至大约4000V、大约250V至大约 3000V、大约300V至大约2500V、大约400V至大约2000V、大约500V至大约1500V的电势大 约2分钟至大约30分钟的持续时间，以使Mo-100和粘合剂沉积到阴极上。横跨阳极和阴 极施加的特别合适的电势是大约1200V。然后从该混合物中取出涂布的阴极并通过在由以 氩气为例的惰性气体提供的无氧的气氛中在大约1500°C至大约2000°C、大约1300°C至约 1900°C、约1400°C至大约1800°C、大约1400°C至大约1700°C的温度下加热2-7小时、2-6小 时、4-5小时而烧结。我们已经发现，这种方法能在靶背衬板（在本文中也称作"靶板"）上 沉积密度为可能理论密度的大约85%的钼金属层。
[0055] 这一实施方案的另一方面涉及可在其上安装Mo-100的靶板。靶板构造适合被 送达的质子照射：（i)具有或没有从延伸出的束线，或（ii)在不使用束线的自屏蔽回旋加 速器室中。靶板的宽度足以接收用回旋加速器产生的质子能量的整个束点，即使相对于 入射束以大约7°至大约90°的所选角度传送至靶板。通常在回旋加速器束线中生成的 束点校直为大约15毫米直径。通常与蛋白质束线呈一定角度放置Mo-100涂布的靶板， 在这种情况下，靶板上被照射的表面积是大约10毫米至大约15毫米X大约20毫米至 大约80毫米的细长点。在不使用束线的自屏蔽回旋加速器中，用于安装靶板的空间通常 为大约30cmX30cmX30cm至大约30cmX30cmX80cm。相应地，为了大规模生产Tc-99m， 希望提供可用在（i)使用束线的回旋加速器，例如八(^^11〇6(1〇5^1〇1：1'〇1135^七61118 111(3. (ACSI,Richmond,BC,CA)、BestCyclotronSystemsInc. (Springfield,VA,USA)、IBAIndu strial(Louvain-la-Neuve,Belgium)制造的TRPET回旋加速器，和（ii)不使用束线的自 屏蔽回旋加速器中的靶板，例如GE?，sPETtraee?画旋加速器系统（GE和PETtrace是GeneralElectricCompany,Schenectady,NY,USA的注册商标）。示例性的革E1板可以是被 质子束相对于靶盘以90°照射的圆盘，或被与靶板呈小于90°角传送的质子束照射的细 长板。
[0056] 但是，在Mo-100的质子辐照过程中出现的一个重要问题是生成过多的热。因此， 必须将Mo-100涂布到作为良好导热体并容易散热的靶背衬板上。大多数合适的导热金属 的问题在于它们具有相对较低的熔点。因此，已被Mo-100电泳涂布的包含导热金属的靶背 衬板在本文中公开的用于提高涂布的Mo-100粉末的密度并使其粘附的烧结过程中存在熔 化的危险。钽已知具有非常高的熔点，即大约3000°C和更高。因此，钽看起来可能是用于靶 背衬板构造的优选金属衬底。但是，钽的问题在于，这种过渡金属不是非常导热。因此，钽 用于靶背衬板要求使靶背衬板保持尽可能薄以通过朝向和围绕靶背衬板背面流动的冷却 剂提供一定的冷却，同时要提供足够的厚度以在不破裂或崩解的情况下吸收热并挡住可能 已离开Mo-100层的残留质子。因此，我们研宄了用于在其上涂布Mo-100的钽靶背衬板的 各种设计和构造。一种途径是如图2和3中所例示在钽靶背衬板的背面用机械制造一系列 的互连通道。在质子辐照过程中使冷却剂流过这些通道，因此耗散一些生成的热。但是，我 们发现，围绕钽靶背衬板的背面提供冷却剂流道损害了背衬板的结构强度，即它们相当挠 性并在冷却剂流和质子辐照的应力下会破裂。我们已经令人惊讶地发现，用于使涂布到此 类钽靶背衬板上的Mo-100致密化并使其粘附的烧结过程也明显使钽衬底硬化，由此使靶 背衬板机械坚固并在质子辐照和冷却剂经由为此提供的通道围绕靶背衬板的背面同时加 压循环的过程中极其耐用。我们已经确定，在借助围绕靶背衬板背面的加压冷却剂流使温 度保持在等于或低于大约500°C的同时，烧结的Mo-100涂布的含钽靶板在被超过130微安 的16. 5MeV质子照射时和在被超过300微安的18. 5MeV质子照射时坚固且结构稳定。
[0057] 制造合适的靶所需的Mo-100质量取决于质子束点的尺寸。该靶应至少匹配或 超过质子束点尺寸。Mo-100的密度为大约10. 2克/立方厘米。相应地，涂布靶板所需的 Mo-100质量大致为"Mo-100的密度X靶面积X所需厚度"并针对所用束线的类型（即针 对垂直照射或被与靶板呈小于90°角传送的质子束照射）计算。需要指出，质子与靶呈一 定角度传送不影响所需的Mo-100质量，因为既然在改变靶与质子束的角度时只延伸出一 个束投影轴，涂层的所需厚度以与表面积提高速率相同的速率降低。
[0058] 表1提供了在回旋加速器常用的三种照射能量下，在用质子束垂直照射下（即与 板呈大约90°)，沉积到圆形靶板上的钼的靶厚度的列表。
[0059]表1

【权利要求】
1. 精制钼-100金属粉末的方法，其包括： 在包含大约3 %至大约40 %过氧化氢（H202)的溶液中氧化商业级Mo-100金属粉末以 产生氧化钼； 加热包含氧化钼和H202的溶液以使过量H 202变性； 将氧化钼干燥； 在第一阶段中，在包含少于大约5%氢的气氛中，在大约300°C至大约500°C的温度下 加热所述干燥的氧化钼大约15分钟至大约3小时以形成M〇03; 在第二阶段中，在包含少于大约5%氢的气氛中，将温度提高到大约600°C至大约 850°C达大约15分钟至大约3小时的时间以形成M〇02; 在第三阶段中，在包含至少大约75%氢的气氛中，将温度提高到大约1，000°C至大约 1，300°C达大约15分钟至大约3小时的时间以形成精制的Mo-100金属；和 回收精制的Mo-100金属。
2. 制造涂有钼-100金属的硬化靶板的方法，其包括： 在极性有机溶剂中悬浮并混合具有小于大约10微米的粒度的精制钼-100金属粉末和 粘合剂； 在所述钼酸盐-100混合物中插入包含过渡金属的阴极板和包含导电金属的阳极板； 对阳极板和阴极板施加大约300V至大约1，300V的电势； 从钼酸盐-100混合物中回收阴极板；和 将所述阴极板在大约1，200°C至大约1，900°C的温度下烧结大约3小时至大约8小时。
3. 权利要求2的方法，其中所述过渡金属是钽。
4. 由钼-100金属粉末生产锝-99m的方法，其包括： 在基本无氧的环境中，在大约16MeV至大约30MeV和大约80 y A至大约300 y A下用质 子照射涂有Mo-100的硬化靶板大约30分钟至大约8小时； 回收照射过的靶板并将所述照射过的靶板输送至锝-99m回收模块； 用H202溶液从所述照射过的靶板中溶解钼原子和锝离子以形成氧化物溶液； 将所述氧化物溶液的pH提高到大约13至大约15以在其中形成K2[M〇04]离子和 K[Tc04]尚子，或 Na2[Mo04]尚子和 Na[Tc04]尚子； 使调节过pH的氧化物溶液流过树脂柱，以使K[Tc04]离子、或者Na2[M〇0 4]离子和 Na[Tc04]离子固定在其上，并从中洗脱K2[M〇04]离子或Na 2[Mo04]离子； 从所述树脂柱中洗脱结合的K[Tc04]离子或Na[Tc04]离子； 使洗脱的K[TcOJ离子或Na[TcOJ离子流过氧化铝柱，以使K[TcOJ离子或Na[Tc04] 离子固定在其上； 用水洗涤固定的K[Tc04]离子或Na[Tc04]离子；和 用盐水溶液洗脱固定的K[Tc04]离子或Na[Tc04]离子；和 回收洗脱的Na[Tc04]或Na[Tc04]离子。
5. 权利要求4的方法，其中产生一种或多种氧化的钼物类，例如Mo 2(OH) (OOH)、 H2M〇203 (02) 4、H2M〇02 (02)等。
6. 用于由钼酸盐-100生产锝-99m的系统，其包括： 革巴舱装置，用于在其内安放Mo-100涂布的祀板； 靶舱拾取装置，用于接合靶舱装置并将靶室装置送入靶站装置； 靶站装置，用于接收并在其内安装靶舱装置，所述靶站装置与回旋加速器接合并可与 所述回旋加速器通讯以用质子照射Mo-100涂布的靶板； 接收室装置，用于接收并在其内安装照射过的靶舱装置； 将接收室装置和靶站装置互连的传送管； 溶解/提纯模块，用于在其内接收质子照射过的Mo-100涂布的靶板； 输送导管基础结构，其将（i)靶舱拾取装置与靶站装置互连，（ii)靶站装置与接收室 装置互连；和（iii)接收室装置与溶解/提纯模块互连；和 向靶站装置供应无氧的气氛的装置。
7. 权利要求6的系统，其另外包含与所述传送管接合的增压站装置。
8. 根据权利要求6的靶舱装置。
9. 根据权利要求6的靶舱拾取装置。
10. 根据权利要求6的靶站装置。
11. 根据权利要求6的靶站接收室装置。
12. 根据权利要求6的溶解/提纯模块。
13. 根据权利要求7的增压站装置。
【文档编号】H05H6/00GK104508158SQ201380034224
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2013年4月25日 优先权日:2012年4月27日
【发明者】P·谢弗, F·贝纳尔德, K·R·巴克利, V·哈内马亚尔, C·H·曼努埃拉, J·A·克鲁格, N·S·科瓦克斯, T·J·莫利, T·J·鲁斯, J·瓦里安特, S·K·蔡斯勒, M·G·多德 申请人:加拿大国家粒子物理与核物理物理实验室