识别sim卡的装置制造方法

文档序号:8091305阅读:375来源:国知局
识别sim卡的装置制造方法
【专利摘要】本发明适用于通信领域,提供了一种识别SIM卡的装置,所述装置包括电源、受控开关、温度检测模块和发热体,所述受控开关分别与电源、温度检测模块和发热体连接,所述发热体设置于放置SIM卡的容置空间的周围或下方。本发明的装置可使终端在极端温度环境下仍然可以识别SIM卡。
【专利说明】识别SIM卡的装置
【技术领域】
[0001]本发明属于通信领域,尤其涉及一种识别SM卡的装置。
【背景技术】
[0002]目前,随着智能电表、警务通、车载等终端在国家电网的广泛应用,在某些极端气候的区域如在-40°环境下,出现由于温度较低,终端无法正常识别SIM卡或SIM卡不能正常工作的情况,给终端用户造成了不便。

【发明内容】

[0003]本发明实施例的目的在于提供一种识别SIM卡的装置,旨在解决现有的终端在极端环境下无法使用的问题。
[0004]本发明实施例是这样实现的,一种识别SIM卡的装置,所述装置包括电源、受控开关、温度检测模块和发热体,所述受控开关分别与电源、温度检测模块和发热体连接,所述发热体设置于放置SIM卡的容置空间的周围或下方。
[0005]进一步地,所述温度检测模块为温度传感器。
[0006]进一步地,所述温度检测模块为第一热敏电阻。
[0007]进一步地,所述受控开关包括相互连接的分压电路和开关电路。
[0008]进一步地,所述分压电路包括由第一电阻、第三电阻、第五电阻并联而成的第一电阻模块和由第一热敏电阻、第四电阻、第七电阻并联而成的第二电阻模块,所述第一电阻模块和第二电阻模块串联,所述第二电阻模块的输出端与所述开关电路连接。
[0009]进一步地,所述开关电路包括可控精密稳压源、第二电阻和P沟道MOS场效应管,所述可控精密稳压源的正极接地,控制端与所述分压电路的输出端连接,负极与所述第二电阻和P沟道MOS场效应管的并联电路连接。
[0010]进一步地,所述发热体包括由多个发热电阻并联而成的发热模块和接地电阻,所述接地电阻一端接发热模块,一端接地。
[0011]进一步地,所述接地电阻的阻值为0Ω。
[0012]进一步地,所述发热电阻的走线呈孤岛状布置。
[0013]进一步地,所述发热体位于一密闭腔体内。
[0014]本发明实施例的识别SM卡的装置可以检测环境温度,根据环境温度决定是否对SIM卡加热,使终端在极端温度环境下仍然可以识别SIM卡,给用户提供了方便。
【专利附图】

【附图说明】
[0015]图1是本发明实施例提供的识别SM卡的装置的结构图;
[0016]图2是本发明实施例提供的识别SIM卡的装置的电路图;
[0017]图3是本发明实施例提出的识别SIM卡的装置的走路示意图。【具体实施方式】
[0018]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
[0019]本发明实施例提出一种识别SM卡的装置。如图1所示,本发明实施例的装置包括电源10、受控开关20、温度检测模块30和发热体40,受控开关20分别与电源10、温度检测模块30和发热体40连接,发热体40设置于放置SM卡的容置空间的周围或下方。
[0020]本发明实施例中,电源10为发热体40提供电压源,温度检测模块30检测外围环境的温度,并将外界的温度转化为电压值发送至受控开关20,受控开关20预先设置门限值,当检测到温度检测模块30输出的电压值超过该门限值时,受控开关20打开,将电源10与发热体40接通,发热体40发热,为SM卡提供热源,使SM卡可以正常工作。
[0021]上述温度检测模块30为温度传感器,通常为第一热敏电阻VR1。
[0022]受控开关20包括分压电路和开关电路,第一热敏电阻VR1、第一电阻R1、第三电阻R3、第四电阻R4、第七电阻R17、第五电阻R20组成分压电路,第五电阻R1、第三电阻R3、第五电阻R20并联构成第一电阻模块,第一热敏电阻VR1、第四电阻R4、第七电阻R17并联构成第二电阻模块,第一电阻模块和第二电阻模块串联,第二电阻模块的输出端与开关电路连接。
[0023]开关电路包括可控精密稳压源Q2、第二电阻R2和P沟道MOS场效应管Q6,可控精密稳压源Q2的正极接地,控制端与分压电路的输出端连接,负极与第二电阻R2和P沟道MOS场效应管Q6的并联电路连接。
[0024]通过调试第三电阻R3、第四电阻R4、第七电阻R17、第五电阻R20可以设定需要自动加热的温度即电源10与发热体40接通的电压值,第一热敏电阻VRl的阻值发生变化可以使开关电路开启或者关闭。
[0025]发热体40包括由多个发热电阻并联而成的发热模块41和接地电阻R16,接地电阻R16 一端接发热模块41,一端接地。本发明实施例优选8-10个发热电阻,分别设置于SIM的容置空间的两侧、四周或下方。上述接地电阻R16的阻值为O Ω,发热模块通过接地电阻R16接地形成回路。
[0026]实际应用中,上述电路的布局,发热体40可根据SM卡的容置空间及SM卡的形状进行设置,并且要尽量靠近SM卡的容置空间。如图3所示,走线时要将发热模块41的发热电阻走成呈孤岛的形状,接地电阻R16接地一端用细线42连接。
[0027]与主板相配合的结构设计:主板放置SM卡的位置设计成密闭腔体,在不影响SM卡插拔的情况下,腔体空间设计尽可能小,可降低热量的散失。
[0028]本发明实施例的识别SM卡的装置可以检测环境温度,根据环境温度决定是否对SIM卡加热,使终端在极端温度环境下仍然可以识别SIM卡,给用户提供了方便。
[0029]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种识别SIM卡的装置,其特征在于,所述装置包括电源、受控开关、温度检测模块和发热体,所述受控开关分别与电源、温度检测模块和发热体连接,所述发热体设置于放置SIM卡的容置空间的周围或下方。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述温度检测模块为温度传感器。
3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述温度检测模块为第一热敏电阻。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述受控开关包括相互连接的分压电路和开关电路。
5.如权利要求4所述的装置,其特征在于,所述分压电路包括由第一电阻、第三电阻、第五电阻并联而成的第一电阻模块和由第一热敏电阻、第四电阻、第七电阻并联而成的第二电阻模块,所述第一电阻模块和第二电阻模块串联,所述第二电阻模块的输出端与所述开关电路连接。
6.如权利要求4所述的装置,其特征在于,所述开关电路包括可控精密稳压源、第二电阻和P沟道MOS场效应管,所述可控精密稳压源的正极接地,控制端与所述分压电路的输出端连接,负极与所述第二电阻和P沟道MOS场效应管的并联电路连接。
7.如权利要求1至6中任一项所述的装置,其特征在于,所述发热体包括由多个发热电阻并联而成的发热模块和接地电阻,所述接地电阻一端接发热模块,一端接地。
8.如权利要求7所述的装置,其特征在于,所述接地电阻的阻值为OΩ。
9.如权利要求7所述的装置,其特征在于,所述发热电阻的走线呈孤岛状布置。
10.如权利要求7所述的装置,其特征在于,所述发热体位于一密闭腔体内。
【文档编号】H05B3/00GK103853211SQ201410054237
【公开日】2014年6月11日 申请日期:2014年2月18日 优先权日:2014年2月18日
【发明者】曹爱菊, 蔡棕飞 申请人:深圳市中兴物联科技有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1