一种封装方法及电子系统产品的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种封装工艺及电子系统产品，封装工艺包括：封装电子系统形成一封装半成品；在封装半成品表面涂覆合成电磁屏蔽材料形成一屏蔽介质层，其中，合成电磁屏蔽材料具有第一电介值和第一磁介值。从而避免了电子系统工作在腔体内的谐振频率的问题，能保护好电子系统。
【专利说明】一种封装方法及电子系统产品
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种封装方法及电子系统产品。
【背景技术】
[0002]随着微电子系统工作频率越来越高，电子系统封装辐射能力也越强，这就严重千 扰了封装系统内部电子系统，会经常导致电子封装系统工作不稳定，甚至电子系统瘫痪，特 别是封装系统包含有模拟集成电路或射频集成电路的电子系统。
[0003]现有技术中通过在封装体表面涂上导电胶，这样就可以对外界的电场进行屏蔽起 到一定的作用。但是封装体表面涂覆一层导电胶后，因为导电胶的介电常数很高，就形成了 一个腔体（表面具有金属高导电特性），而任何腔体的内部都有谐振频率。根据高导电材料 表面的腔体会在腔体内部激发起谐振频率，所激发的谐振频率在封装体内会非常强。如果 封装的电子系统工作在谐振频率上，就会导致系统很不稳定或瘫痪。由此可以看出现有技 术中在封装体表面涂上导电胶的方式仍然存到导致电子系统会不稳定或瘫痪的问题。
【发明内容】
[0004] 本发明实施例通过提供一种封装方法及电子系统产品，解决了现有技术中电子系 统会不稳定或瘫痪的问题。
[0005] 第一方面，本发明实施例提供了一种封装方法，包括：
[0006] 封装电子系统形成一封装半成品；
[0007] 在所述封装半成品表面涂覆合成电磁屏蔽材料形成一屏蔽介质层，其中，所述合 成电磁屏蔽材料具有第一电介值和第一磁介值。
[0008] 优选的，所述屏蔽介质层的厚度与所述合成电磁屏蔽材料的内穿透深度值满足第 一比例。
[0009] 优选的，所述屏蔽介质层的厚度为所述内穿深度值的1. 16倍。
[0010] 第二方面，本发明实施例还提供了一种电子系统产品，包括：
[0011] 封装半成品，封装一电子系统形成；
[0012] 屏蔽介质层，通过在所述封装半成品表面涂覆合成电磁屏蔽材料形成，其中，所述 合成电磁屏蔽材料具有第一电介值和第一磁介值。
[0013] 优选的，所述屏蔽介质层的厚度与所述合成屏蔽材料的内穿透深度值、满足第-比 例。
[0014] 优选的，所述屏蔽介质层的厚度为所述内穿深度值的1· 16倍。
[0015] 本发明实施例中的技术方案，至少具有如下技术效果：
[0016] 由于采用了合成电磁屏蔽材料涂覆在对电子系统进行封装之后的封装半成品上， 而近年来合成电磁屏蔽材料能够在电介质常数和磁介质常数连续变化，因此可以根据本发 明需要，合成所需要的特定电介值和特定磁介值的电磁屏蔽材料，合成后的合成电磁屏蔽 材料具有闻电导率和尚磁导率，这样既可以屏蔽外界的电磁波，同时能抑制电子系统的腔 体内电磁波的谐振，从而避免了电子系统工作在腔体内的谐振频率的问题，能保护好电子 系统。
【专利附图】
【附图说明】
[0017] 图1为本发明实施例中的封装方法的流程图；
[0018] 图2为本发明实施例中的电子系统产品的结构示意图。
【具体实施方式】
[0019]为了解决现有技术中电子系统会不稳定或瘫痪的技术问题，本发明实施例提供了 一种封装方法及电子系统产品。 x
[0020]为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上 述技术方案进行详细的说明。
[0021] 参考图1所示，本发明实施例中的封装方法，包括如下流程：
[0022] 步骤110、封装电子系统形成一封装半成品。
[0023]具体的，形成的封装半成品具有一特定封装结构，封装结构内为一腔体，从而封装 半成品的腔体内具有第一谐振频率和第二谐振频率。
[0024]步骤120、在封装半成品表面涂覆合成电磁屏蔽材料形成一屏蔽介质层，其中，合 成电磁屏蔽材料具有第一电介值和第一磁介值。
[0025]具体的，近年来人工合成电磁屏蔽材料能够在电介质常数和磁介质常数连续变 化，而自然界材料不能满足上述条件（比如现有使用的导电胶就没有本发明实施例所需要 的高电导率和高磁导率）。人工合成电磁屏蔽材料的合成工艺已经为本领域技术人员所知 晓，为了说明书的简洁，在此不再赘述。 '
[0026]在具体实施过程中，涂覆封装半成品的合成电磁屏蔽材料需要根据所需要的第一 电介值和第一磁介值来合成对应的合成电磁屏蔽材料，从而获得对应申子罕绩产品所需要 的高电导率和高磁导率的合成电磁屏蔽材料。 Μ
[0027]优选的，屏蔽介质层的厚度与合成电磁屏蔽材料的内穿透深度值满足第一比例。 具体的，腔体内谐振频率包括第一谐振频率和第二谐振频率。但是腔体内谐振频率能量主 要集中在第一谐振频率，因此，针对第一谐振频率计算第一谐振频率在合成电磁屏蔽材料 的内穿透深度值δ。内穿透深度值s根据计算公式：δ: = 计算得到。公式中，s 表示第一谐振频率在屏蔽介质层内的内穿透深，D表示屏蔽介质层的厚度，f表示腔体内的 第一谐振频率，μ。表不真空中磁介质常数，σ表不电磁屏蔽材料的电解质常数，π为圆周 率常数。
[0028]发明人运用遗传优化计算算法确定屏蔽介质层的厚度与内穿深度值的第一比例 为1. 1?1. 2倍之间时，能够保证对第一谐振频率的抑制效果相同的前提下，屏蔽介质层的 厚度最小。
[0029] 基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种电子系统产品，如图2所示，所示 电子系统产品包括：
[0030] 封装半成品201，封装一电子系统形成；
[0031]屏蔽介质层2〇2,通过在封装半成品2〇1表面涂覆合成电磁屏蔽材料形成，其中， 合成电磁屏蔽材料具有第一电介值和第一磁介值。
[0032]优选的，包括：屏蔽介质层2〇2的厚度与合成屏蔽材料的内穿透深度值满足第- 比例。
[0033]优选的，屏蔽介质层202的厚度为内穿深度值的1. 16倍。
[0034]由于本实施例所介绍的电子系统产品为实施本发明实施例中的封装方法形成的 电子系统产品，故而基于本发明实施例中所介绍的封装方法，本领域所属技术人员能够了 解本实施例的电子系统产品的【具体实施方式】以及其各种变化形式，所以在此对于该电子系 统产品如何实现本申请实施例中的方法不再详细介绍。只要本领域所属技术人员实施本申~ 请实施例中信息处理的方法所采用的电子系统产品，都属于本发明所欲保护的范围。
[0035]本发明实施例提供的一个或多个技术方案至少具有图如下技术效果：
[0036]由于采用了合成电磁屏蔽材料涂覆在对电子系统进行封装之后的封装半成品上， 而近年来合成电磁屏蔽材料能够在电介质常数和磁介质常数连续变化，因此，可以根据本 发明需要，合成所需要的特定电介值和磁介值的电磁屏蔽材料，合成后的合成电磁屏蔽材 料具有高电导率和高磁导率，这样既可以屏蔽外界的电磁波，同时能抑制电子系统的腔体 内电磁波的谐振，从而避免了电子系统工作在腔体内的谐振频率的问题，能保护好电子系 统。
[0037] 尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造 性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优 选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
[0038] 显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精 神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围 之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1. 一种封装方法，其特征在于，包括： 封装电子系统形成一封装半成品； 在所述封装半成品表面涂覆合成电磁屏蔽材料形成一屏蔽介质层，其中，所述合成电 磁屏蔽材料具有第一电介值和第一磁介值。
2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述屏蔽介质层的厚度与所述合成电磁屏 蔽材料的内穿透深度值满足第一比例。
3. 如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述屏蔽介质层的厚度为所述内穿深度值 的1. 16倍。
4. 一种电子系统产品，其特征在于，包括： 封装半成品，封装一电子系统形成； 屏蔽介质层，通过在所述封装半成品表面涂覆合成电磁屏蔽材料形成，其中，所述合成 电磁屏蔽材料具有第一电介值和第一磁介值。
5. 如权利要求4所述的电子系统产品，其特征在于，包括：所述屏蔽介质层的厚度与所 述合成屏蔽材料的内穿透深度值满足第一比例。
6. 如权利要求5所述的电子系统产品，其特征在于，所述屏蔽介质层的厚度为所述内 穿深度值的1. 16倍。
【文档编号】H05K9/00GK104244686SQ201410452814
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年9月5日 优先权日:2014年9月5日
【发明者】汪柳平, 上官东凯, 曹立强, 于中尧, 陆原 申请人:中国科学院微电子研究所, 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司