本实用新型涉及一种防水卷材，具体涉及一种耐根穿刺金属高分子防水卷材。
背景技术：
防水卷材是目前各类建筑施工中普遍使用的建筑材料，在道路桥梁、屋顶以及其它需要防水的建筑物的施工中，需要预先铺制防水材料，防止渗漏。传统的防水材料是以沥青或是改性沥青作为基层而制造的。而沥青自身具有的毒性、耐腐蚀性不良等问题难以改变，目前正逐渐被高分子防水材料所取代。而传统的高分子防水卷材的耐根穿刺能力差，不能适应有植被种植情况下防水、防渗漏、耐根穿刺的特殊要求，防水卷材利用防穿刺技术后原本主要纵向生长的植物根系受到阻隔后会横向生长，这时植物的根系就会大量在防水卷材层与层之间生长，防水卷材层与层之间被植物根系穿透，甚至导致层与层之间分离，严重影响防水卷材的防水效果。
技术实现要素：
本实用新型提供一种耐根穿刺金属高分子防水卷材，解决了背景技术中的问题。
为了解决上述技术问题，本实用新型提供了如下的技术方案：
本实用新型一种耐根穿刺金属高分子防水卷材，包括一号金属箔层和二号金属箔层，所述一号金属箔层的上下侧均固定有防水膜层，所述二号金属箔层设置在一号金属箔层顶端的防水膜层的上方，所述二号金属箔层的上方固定有防水膜层和高分子防水材料层，且该高分子防水材料层设置在防水膜层的上方，所述高分子防水材料层的上方还固定有石英砂层；所述一号金属箔层的下方的防水膜层的下方固定有聚酯纤维无纺布层。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述一号金属箔层和二号金属箔层均为铜胎基金属。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述一号金属箔层的厚度大于二号金属箔层的厚度。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述高分子防水材料层为PVC防水层。
本实用新型所达到的有益效果是：通过设置一号金属箔层和二号金属箔层，能够增加该卷材的硬度，避免该卷材被植物根刺穿，能够使该卷材的使用寿命得到增加；在顶层设置石英砂层，石英砂具有坚硬、耐磨、化学性能稳定的优点，能够保护下方的高分子防水材料层，避免高分子防水材料层被损坏；然后再在二号金属箔层的上方设置高分子防水材料层和防水膜层，通过两层防水层保护下方的二号金属箔层，能够增加防水效果，避免二号金属箔层暴露后，容易被腐蚀损坏，同时，两层防水层也能够增加该卷材的防水层硬度，避免防水层被植物根刺穿。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。
在附图中：
图1是本实用新型一种耐根穿刺金属高分子防水卷材的截面图；
图中：1、一号金属箔层；2、防水膜层；3、二号金属箔层；4、高分子防水材料层；5、石英砂层；6、聚酯纤维无纺布层。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
实施例：如图1所示，本实用新型一种耐根穿刺金属高分子防水卷材，包括一号金属箔层1和二号金属箔层3，通过设置一号金属箔层1和二号金属箔层3，能够增加该卷材的硬度，避免该卷材被植物根刺穿，能够使该卷材的使用寿命得到增加；一号金属箔层1的上下侧均固定有防水膜层2，能够起到防水的作用，避免一号金属箔层1沾水后容易被腐蚀损坏；二号金属箔层3设置在一号金属箔层1顶端的防水膜层2的上方，二号金属箔层3的上方固定有防水膜层2和高分子防水材料层4，通过两层防水层保护下方的二号金属箔层3，能够增加防水效果，避免二号金属箔层3暴露后，容易被腐蚀损坏，同时，两层防水层也能够增加该卷材的防水层硬度，避免防水层被植物根刺穿；且该高分子防水材料层4设置在防水膜层2的上方，高分子防水材料层4的上方还固定有石英砂层5，石英砂具有坚硬、耐磨、化学性能稳定的优点，能够保护下方的高分子防水材料层4，避免高分子防水材料层4被损坏；一号金属箔层1的下方的防水膜层2的下方固定有聚酯纤维无纺布层6，作为基布层，且能够防水。
一号金属箔层1和二号金属箔层3均为铜胎基金属。
一号金属箔层1的厚度大于二号金属箔层3的厚度。
高分子防水材料层4为PVC防水层。
该种耐根穿刺金属高分子防水卷材，通过设置一号金属箔层1和二号金属箔层3，能够增加该卷材的硬度，避免该卷材被植物根刺穿，能够使该卷材的使用寿命得到增加；在顶层设置石英砂层5，石英砂具有坚硬、耐磨、化学性能稳定的优点，能够保护下方的高分子防水材料层4，避免高分子防水材料层4被损坏；然后再在二号金属箔层3的上方设置高分子防水材料层4和防水膜层2，通过两层防水层保护下方的二号金属箔层3，能够增加防水效果，避免二号金属箔层3暴露后，容易被腐蚀损坏，同时，两层防水层也能够增加该卷材的防水层硬度，避免防水层被植物根刺穿。
最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。