1.一种具有多层结构的磁性材料的片材，所述多层结构包括：
多个堆叠的磁性部件层，所述多个堆叠的磁性部件层由第一电绝缘层隔开，
其中所述多个磁性部件层中的每个包括多个隔离的磁性子层，其中所述隔离的磁性子层中的每个具有小于一微米的磁性层厚度，并且
其中所述磁性材料片材具有介于约5％和约80％之间的磁分率；大于或等于5微米的总磁厚度；以及大于约20的相对复合材料磁导率。
2.根据权利要求1所述的片材，其中所述隔离的磁性子层中的每个包括单个磁性金属元素、磁性合金或磁性纳米颗粒膜中的至少一者。
3.根据权利要求1所述的片材，其中所述隔离的磁性子层中的每个包括元素铁、元素镍、元素钴、镍钴合金、镍铁合金、铁钴合金、铁钴镍合金、铁钴硼合金以及钴铌合金中的至少一者。
4.根据权利要求2所述的片材，其中所述磁性颗粒膜层包括分散在绝缘基质中的磁性材料岛状物。
5.根据权利要求1所述的片材，其中所述磁性材料具有介于10％和80％之间的磁含量。
6.根据权利要求1所述的片材，其中所述磁性材料具有小于50奥斯特的矫顽磁力。
7.根据权利要求1所述的片材，其中所述磁性部件层中的每个的厚度介于约0.5微米和约5微米之间。
8.根据权利要求1所述的片材，其中所述隔离的磁性子层中的每个具有介于约15nm和约1000nm之间的磁性层厚度。
9.根据权利要求1所述的片材，其中所述磁性材料包括多个层级，其中每个层级包括所述磁性部件层中的一个和所述第一电绝缘层中的一个。
10.根据权利要求9所述的片材，其中所述磁性材料包括至少5个层级。
11.根据权利要求1所述的片材，其中所述磁性材料在20MHz下在20mT的最大激励下具有小于约40000kW/m3的芯损耗密度。
12.根据权利要求1所述的片材，其中所述磁性材料在40MHz下在20mT的最大激励下具有小于约100000kW/m3的芯损耗密度。
13.根据权利要求1所述的片材，其中所述第一电绝缘层包括聚合物绝缘层。
14.根据权利要求13所述的片材，其中所述聚合物绝缘层由聚酯、聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯和聚乙烯中的一者形成。
15.根据权利要求1所述的片材，其中所述第一电绝缘层中的每个具有小于约25微米的第一绝缘层厚度。
16.根据权利要求1所述的片材，其中所述第一电绝缘层中的每个具有介于约0.5微米和约20微米之间的第一绝缘层厚度。
17.根据权利要求1所述的片材，还包括设置在所述隔离的磁性子层中的每个之间的无机绝缘层。
18.根据权利要求17所述的片材，其中所述无机绝缘层包括无机氧化物层、无机氟化物层和无机氮化物层中的一者。
19.根据权利要求17所述的片材，其中所述无机氧化物层包含氧化铝、一氧化硅、二氧化硅、氧化锆、氧化铪和氧化铬(III)中的至少一者。
20.根据权利要求17所述的片材，其中所述无机氮化物层包含氮化硅。
21.根据权利要求17所述的片材，其中所述无机氟化物层包含氟化镁。
22.根据权利要求17所述的片材，其中所述无机绝缘层具有小于约200nm的绝缘子层厚度。
23.根据前述权利要求中任一项所述的片材，还包括设置在所述多个堆叠的磁性部件层之间的粘合剂层。