撕膜方法及贴附膜与流程

1.本发明涉及撕膜技术领域，特别是涉及一种撕膜方法及贴附膜。


背景技术：

2.智能手机、平板电脑、电子阅读器等电子设备以玻璃盖板表面作为外露面，通过玻璃盖板进行显示或触控。玻璃盖板的表面容易被刮花或磨损，因而玻璃盖板表面多贴附有膜结构以保护玻璃盖板表面。在贴膜时，通常需要将膜结构的表层膜撕除，再将膜结构贴附于玻璃盖板上。然而，目前的撕膜方法，撕除膜结构表层时容易产生气泡，影响膜结构在玻璃盖板上的贴附。


技术实现要素：

3.基于此，有必要针对目前的撕膜方法容易产生气泡的问题，提供一种撕膜方法及贴附膜。
4.一种撕膜方法，用于撕除本体膜上的膜层，所述膜层呈矩形，所述撕膜方法包括如下步骤：
5.夹住所述膜层的其中一个角部，并相对所述本体膜沿第一路径移动；
6.相对所述本体膜沿第二路径移动，其中，所述第二路径与所述第一路径成夹角，所述第二路径与所述第一路径的转换处形成第一拐点，且在所述第一拐点处，所述膜层在垂直于所述第二路径的方向上的尺寸小于所述膜层在垂直于所述第一路径的方向上的尺寸。
7.在其中一个实施例中，所述膜层呈矩形，所述膜层在垂直于所述第二路径方向上的尺寸小于所述膜层在对角线方向上的尺寸。
8.在其中一个实施例中，所述膜层具有对角线方向，所述第一路径与所述膜层的对角线方向平行。
9.在其中一个实施例中，所述膜层具有长度方向，第二路径与长度方向平行。
10.在其中一个实施例中，所述膜层包括第一短边与第一长边，所述第一短边与所述第一长边相互连接形成所述第一角部，所述第一路径以所述第一角部为起点，且在所述第一拐点处，垂直于所述第一路径的直线与所述第一短边远离所述第一角部的四等分点相交，垂直于所述第一路径的直线与所述第一长边的二等分点相交。
11.在其中一个实施例中，所述膜层包括第一短边与第一长边，所述第一短边与所述第一长边相互连接形成第一角部，所述第一路径以所述第一角部为起点，且在所述第一拐点处，垂直于所述第一路径的直线与所述第一长边的二等分点相交，垂直于所述第一路径的直线与所述第一短边远离所述第一角部的端点相交。
12.在其中一个实施例中，所述膜层具有长度方向，所述第二路径与所述长度方向的夹角为30
°‑
60
°
。
13.在其中一个实施例中，在步骤相对所述本体膜沿第二路径移动后，所述撕膜方法还包括：
14.以所述第二路径的末端为起点相对所述本体膜沿第三路径移动，其中，所述第三路径垂直于所述膜层的长度方向。
15.在其中一个实施例中，在步骤以所述第二路径的末端为起点相对所述本体膜沿第三路径撕膜移动中，所述膜层包括第二短边与第二长边，所述第二短边与所述第二长边相连接形成第二角部，所述第二角部与所述第一路径的起点呈对角设置，所述第二路径与所述第三路径的转换处形成第二拐点；
16.在所述第二拐点处，垂直于所述第二路径的直线与所述第二长边靠近所述第二角部的四等分点相交，垂直于所述第二路径的直线与所述第二短边远离所述第二角部的半段相交。
17.在其中一个实施例中，步骤相对所述本体膜沿第二路径撕膜后，所述撕膜方法还包括如下步骤：
18.以所述第二路径的末端为起点相对所述本体膜沿第三路径移动，其中，所述第三路径与所述第二路径呈夹角；
19.将所述膜层抛至抛料位，其中，所述抛料位与所述第三路径的末端位置相对应。
20.在其中一个实施例中，所述撕膜方法采用plc设计程序控制机械手夹住所述膜层移动。
21.一种贴附膜，由膜结构撕除膜层得到，所述膜结构包括依次层叠设置的本体膜、粘连层及膜层，所述贴附膜由所述膜结构采用如上述任一实施例所述撕膜方法将所述膜层撕除得到。
22.上述撕膜方法，在第一拐点处转换撕膜路径的方向，能够减小膜层在垂直于撕膜方向上的尺寸，从而减小撕膜作用力。由此，当膜层为膜结构的表层膜时，能够减小撕膜过程中膜层与膜结构中其他层结构之间的作用力，避免膜结构中的粘连层或其他材质随膜层一同被撕除，进而降低撕膜过程中气泡产生的风险，避免气泡影响膜结构在电子设备上的贴附。
附图说明
23.图1为一些实施例中膜结构的剖面示意图；
24.图2为一些实施例中撕膜方法的撕膜路径示意图；
25.图3为另一些实施例中撕膜方法的撕膜路径示意图。
26.其中，100、膜结构；110、贴附膜；111、本体膜；112、粘连层；120、膜层；130、fpc；210、第一路径；220、第一角部；221、第一短边；222、第一长边；230、第二角部；231、第二短边；232、第二长边；240、第二路径；241、第一拐点；250、抛料位；260、第三路径；261、第二拐点。
具体实施方式
27.为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
28.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
29.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
30.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
31.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
32.需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
33.请参见图1，图1示出了一些实施例中膜结构100的剖面示意图。在一些实施例中，膜结构100包括依次层叠设置的本体膜111、粘连层112及膜层120，粘连层112两层分别粘连本体膜111与膜层120。膜层120可以理解为膜结构100的表层膜或离型膜，在膜结构100的使用时，需要将膜层120撕除，即使得膜层120与粘连层112分离，进而将本体膜111与粘连层112整体作为贴附膜110贴附于智能手机、平板电脑等电子设备的表面，粘连层112实现本体膜111与电子设备表面的粘连。本体膜111可以在电子设备表面起到防静电、防指纹、抗摔保护等作用。
34.目前的膜结构100通常呈方形，传统的撕膜方法在撕除膜层120时通常沿膜层120的对角线方向撕膜。当撕除至膜层120中间区域时，膜层120垂直于撕除方向的尺寸最大，且膜层120垂直于撕除方向的尺寸接近或等于膜层120的对角线尺寸。因而需要更大的撕除力度方能撕除膜层120。撕除时容易因撕膜力过大而导致粘连层112中间区域的部分随膜层120一同被撕除，进而导致本体膜111与粘连层112整体通过滚轮移动贴合的方式贴附于电子设备表面时，贴附膜110中间区域产生气泡，影响贴附膜110在电子设备表面上的贴附或影响贴附膜110的作用。
35.为解决上述问题，本技术提供一种撕膜方法，用于将膜层120从膜结构100上撕除，
即将膜层120与粘连层112分离。
36.请参见图1和图2，图2示出了一些实施例中撕膜路径的示意图。其中，带箭头的虚线可以理解为撕膜路径，箭头可理解为相应路径的撕膜方向。在一些实施例中，撕膜方法包括如下步骤：
37.s110、夹住膜层120的其中一个角部，并相对贴附膜110沿第一路径210移动。
38.具体地，膜层120的截面形状可以为正方形、长方形、五边形、六边形等任意适用的具有角部的多边形，本技术中以长方形为例，膜层120具有四个角部。第一路径210可以以膜层120的其中一个角部为起点，例如，在图1所示的实施例中，膜层120具有呈对角设置的第一角部220与第二角部230，膜层120形成第一角部220的两边分别为第一短边221与第一长边222，膜层120形成第二角部230的两边分别为第二短边231与第二长边232。第一路径210以第一角部220的顶点，即第一短边221与第一长边222的交点为起点。
39.在一些实施例中，沿第一路径210移动，可以理解为以第一角部220为起点朝第二角部230撕膜，换言之，沿第一路径210移动时，对膜层120施加的撕膜作用力方向从第一角部220指向第二角部230。具体地，在一些实施例中，第一路径210与第一角部220及第二角部230形成的第一对角线(图未示出)重叠，换言之，沿第一路径210撕膜，可以理解为沿膜层120的对角线方向撕膜。
40.需要说明的是，即便第一路径210与第一对角线之间成夹角，只要沿第一路径210撕膜的撕膜方向大致由第一角部220指向第二角部230，均可以理解为是以第一角部220为起点朝第二角部230撕膜。例如，在一些实施例中，第一路径210与膜层120长度方向的夹角为30
°‑
60
°
，只要能够以第一角部220为起点沿第一路径210撕起膜层120即可。可以理解的是，当膜层120的截面形状为长方向时，膜层120的长度方向为膜层120长边的延伸方向，当膜层120为其他规则或不规则多边形时，膜层120的长度方向可以理解为膜层120尺寸最大的方向的中心轴延伸方向。
41.在一些实施例中，膜层120的第一角部220处设置有易撕贴(图未示出)，易撕贴伸出膜层120，人工手持易撕贴以第一角部220为起点沿第一路径210进行撕膜。在另一些实施例中，机械手从第一角部220处伸入膜层120与粘连层112之间，夹持膜层120的第一角部220部分进行撕膜。当然，撕膜还可采用其他任意适用方式，此处不再赘述。
42.s120、相对贴附膜110沿第二路径240进行移动。
43.其中，第二路径240与第一路径210之间成夹角，第二路径240与第一路径210的转换出形成第一拐点241。换言之，沿第一路径210撕膜至第一拐点241处时，撕膜方向发生改变，进而沿与第一路径210方向成一夹角的第二路径240进行撕膜。并且，在第一拐点241处，膜层120在垂直于第二路径240的方向上的尺寸小于膜层120在垂直于第一路径210的方向上的尺寸。换言之，在第一拐点241处撕膜方向改变之后，相对于撕膜方向不改变的情况，膜层120在垂直于撕膜方向上的尺寸减小。具体地，在一些实施例中，膜层120在垂直于第二路径240方向上的尺寸小于膜层120在对角线方向上的尺寸。
44.需要说明的是，在本技术中，描述在第一拐点241处，膜层120在垂直于第一路径210的方向上的尺寸，可以理解为膜层120在垂直于第一路径210的末端的方向上的尺寸，例如，在图2所示的实施例中，虚线a经过第一路径210的末端，第一拐点241处膜层120在垂直于第一路径210的方向上的尺寸可以理解为膜层120与虚线a重叠的部分的尺寸。同理，第一
拐点241处膜层120在垂直于第二路径240的方向上的尺寸，可以理解为膜层120在垂直于第二路径240的起点的方向上的尺寸。
45.另外，需要说明的是，第一拐点241并不一定是一个点，在另一些实施例中，第一路径210的末端与第二路径240的起点以一段弧线过度，则该段弧线也可理解为第一拐点241，只要第一拐点241前后的撕膜方向发生变化即可。
46.上述撕膜方法，在第一拐点241处转换撕膜路径的方向，将撕膜路径由第一路径210转换为第二路径240，从而减小膜层120在垂直于撕膜方向上的尺寸，使得膜层120在垂直于第二路径240方向上的尺寸小于膜层120对角线方向尺寸，进而能够减小膜层120位于第二路径240部分的撕膜作用力，防止膜层120位于第二路径240上的部分撕膜作用力过大而将粘连层112一同撕起。由此，能够防止贴附膜110中粘连层112中间部分脱离本体膜111，导致贴附膜110贴附时由于中间部分缺乏粘连层112而凹陷产生气泡的情况，进而能够降低撕膜过程中气泡产生的风险，避免气泡影响贴附膜110在电子设备上的贴附。
47.当然，上述记载仅为撕膜方法一种应用的示例，在另一些实施例中，撕膜方法还可用于将膜层120从底座、电子设备或其他载体上撕除，则撕膜方法能够减小膜层120中间部分的撕膜作用力，防止膜层120撕膜作用力过大而将载体表面上的结构一同撕除，导致载体表面的损坏。再者，参考图2和图3所示，在一些实施例中，撕膜方法还可应用于将触控薄膜表面的膜层撕除，此时，本体膜111可以理解为设置有触控线路的触控薄膜，粘连层112用于将本体膜111与电子设备的保护盖板等结构粘连，膜层120即为触控薄膜表面的离型膜或载体等，为便于理解，在一些实施例中，本体膜111还连接有fpc(柔性电路板)130，fpc130与本体膜111内的触控线路电性连接。撕膜方法用于将膜结构100的膜层120撕除，并减小撕膜作用力，防止撕膜过程中中间区域的粘连层112随膜层撕除，导致后续将本体膜111贴合于电子设备的保护盖板上时，中间区域产生气泡，影响贴合效果。
48.需要说明的是，在图2所示的实施例中，表示第一路径210与第二路径240的带箭头虚线以及虚线a均非实际存在的直线，仅为方便描述第一路径210及第二路径240而引出的虚拟直线。
49.以下依据重复试验数据说明采用上述撕膜方法对避免气泡产生的效果，具体地，采用传统的撕膜方法，即沿对角线方向撕膜的方法进行撕膜。投入30个膜结构采用传统的撕膜方法进行撕膜实验，其中中间区域出现气泡导致不良的膜结构占比为13.0％，投入45个膜结构采用传统的撕膜方法进行撕膜实验，其中靠近长边区域出现气泡导致不良的膜结构占比为9.8％，投入60个膜结构采用传统的撕膜方法进行撕膜实验，其中靠近短边区域出现气泡导致不良的膜结构占比为16.7％。由以上实验可得知采用传统的撕膜方法，撕膜时由于撕除作用力过大，容易产生气泡导致不良现象产生。而投入641个膜结构100采用本技术提供的撕膜方法进行撕膜实验，出现气泡导致不良的膜结构数量为0，可知本技术提供的撕膜方法能够减小撕除作用力，避免气泡的产生。
50.需要说明的是，在以上重复试验中，采用传统的撕膜方法沿对角线撕膜时，由于撕膜产生的气泡不良数量较多，因而撕膜过程中需不断调整撕膜方位或撕膜力度，导致同样的时间内完成的撕膜数量较少。例如，当投入30个膜结构撕膜，其中中间区域出现气泡导致不良的膜结构占比为13.0％,不良率过高，因而需要调整撕膜方位和撕膜力度。调整后，投入45个膜结构，发现中间区域出现气泡的膜结构数量减少，而靠近长边区域出现气泡导致
不良的膜结构占比为9.8％，不良率同样偏高，因而需要再对撕膜方位和撕膜力度进行调整。调整后跳入60个膜结构进行撕膜，靠近短边区域出现气泡导致不良的膜结构占比为16.7％。由此可以得知，采用传统的撕膜方法沿对角线撕膜，撕膜过程中需要根据气泡不良的情况实时调整撕膜方位和撕膜力度，导致生产效率低下，且调整后不良率依然偏高。而采用本技术提供的撕膜方法进行撕膜，由于撕膜作用力较小，同时拐点的设置也有利于避免破损或裂纹等不良直接位于撕膜路径上，因而连续撕除641个膜结构100均未发现气泡导致的不良，且撕膜过程中无需经常性调整撕膜方位和撕膜力度，有利于提升生产量率与生产效率。
51.进一步地，第二路径240的设置也不限，只要膜层120在垂直于第二路径240上的尺寸小于膜层120的对角线方向尺寸，能够起到减小撕膜作用力的效果即可。请再参见图2，在一些实施例中，在步骤s120中，沿膜层120的长度方向撕膜，换言之，沿第一路径210移动至第一拐点241处时，转换撕膜方向，沿膜层120的长度方向继续撕膜。由此，沿第二路径240移动时，膜层120在垂直于第二路径240的方向上的尺寸大致为膜层120的宽度尺寸，撕膜作用力远小于沿对角线方向撕膜时膜层120中间区域的撕膜作用力。
52.在一些实施例中，在第一拐点241处，垂直于第一路径210的直线，即虚线a与第一长边222的二等分点相交，且虚线a与第一短边221远离第一角部220的四等分点相交。以此确定第一路径210与第二路径240的第一拐点241位置，使得撕膜过程中，膜层120在垂直于撕膜路径方向上的最大尺寸等于膜层120与虚线a重叠部分的尺寸，膜层120与虚线a重叠部分的尺寸远小于膜层120的对角线方向尺寸，因而能够起到减小撕膜作用力的效果。当然，第一拐点241的位置还可有其他设置，只要能够减小撕膜作用力即可，例如，在一些实施例中，虚线a与第一短边221的交点位于第一短边221远离第一角部220的四等分点以及第一角部220之间，虚线a与第一长边222的交点位于第一长边222的二等分点与第一角部220之间。
53.可以理解的是，在本技术中，描述膜层120的其中一边远离某一角部的四等分点，均可以理解为将该边进行四等分形成三个等分点，最远离该角部的等分点为该边远离该角部的四等分点。
54.在一些实施例中，步骤s120后，撕膜方法还包括：
55.将膜层120抛至抛料位250，抛料位250与第二路径240的末端位置相对应。
56.具体地，当沿第二路径240撕膜至第二路径240的末端位置，膜层120的撕除完成，继续向第二路径240方向移动膜层120。将膜层120移动至位于第二路径240末端位置的抛料位250，将膜层120放入抛料位250中进行废料处理或回收。抛料位250可以由废料桶或者废料回收槽形成。
57.可以理解的是，在撕膜时，可以根据膜层120撕膜路径调整抛料位250的位置，以与撕膜路径末端位置相对应。而在另一些实施例中，抛料位250固定，撕膜时根据抛料位250的位置调整膜层120的方位，使得撕膜路径末端的位置与抛料位250相对应，既避免了撕膜机台移动抛料位250的复杂工序，撕膜完成后也可直接将膜层120抛至抛料位250而无需进行膜层120的转移，能够提升撕膜工作效率。
58.请参见图2和图3，图3示出了另一些实施例中撕膜路径的示意图。在图2所示的实施例中，抛料位250与膜层120第二短边231的位置相对应。而在图3所示的实施例中，抛料位250与第二长边232的位置相对应，第二路径240的末端位置难以与抛料位250的位置相对
应。为避免撕膜机台调整抛料位250的位置或调整膜层120的方位工序过于繁杂，可通过调整撕膜路径使得抛料位250与撕膜路径末端的位置相对应。
59.具体地，在一些实施例中，步骤s120后，撕膜方法还包括：
60.以第二路径240的末端为起点相对贴附膜110沿第三路径260移动；
61.将膜层120抛至抛料位250。
62.其中，第三路径260与第二路径240呈夹角，第三路径260与第二路径240之间的转换处形成第二拐角。在一些实施例中，第三路径260垂直于膜层120的长度方向，即垂直于第二长边232。抛料位250与第三路径260的末端位置相对应，撕膜完成后可直接将膜层120抛至抛料位250，提升撕膜作业的工作效率。
63.进一步地，为使得第二路径240与第三路径260之间的转换更加平缓，避免大角度转向导致膜层120损坏。在一些实施例中，第二路径240相对膜层120的长度方向朝向抛料位250偏移。例如，第二路径240与长度方向的夹角为30
°‑
60
°
，只要膜层120在垂直于第二路径240方向上的尺寸小于膜层120对角线方向尺寸即可。
64.在图3所示的实施例中，第一拐点241与第二拐点261的位置设置也不限。在一些实施例中，在第一拐点241处，垂直于第一路径210的直线，即图3所示的虚线b与第一长边222的二等分点相交，虚线b与第一短边221远离第一角部220的端点相交。由此，能够将膜层120在垂直于第一路径210方向上的尺寸限制在合理范围内，减小膜层120在垂直于第一路径210方向上的尺寸。当然，虚线b与第一长边222的交点可以在第一长边222的二等分点以及第一角部220之间，虚线b可以与第一短边221的其他位置相交。
65.在一些实施例中，在第二拐点261处，垂直于第二路径240的直线，即图3所示的虚线c与第二长边232靠近第二角部230的四等分点相交，虚线c与第二短边231远离第二角部230的半段相交，换言之，虚线c与第二短边231的交点位于第二短边231的二等分点与第二短边231远离第二角部230的端点之间。以此限制膜层120在垂直于第二路径240及垂直于第三路径260方向上的尺寸，减小撕膜作用力。当然，在另一些实施例中，虚线c与第二长边232的交点可以在第二长边232靠近第二角部230的四等分点以及第二角部230之间，只要膜层120在垂直于第二路径240方向上的尺寸小于膜层120的对角线方向尺寸即可。
66.可以理解的是，在图3所示的实施例中，步骤s110及步骤s120将膜层120位于虚线c靠近第一角部220一侧的部分撕除，因而沿第三路径260撕膜时，仅需撕除膜层120位于虚线c靠近第二角部230一侧的部分。由此，在沿第三路径260撕膜时，膜层120在垂直于第三路径260方向上与粘连层112的贴附面积远小于膜层120的长度尺寸，能够避免撕除作用力过大的情况。
67.另外，在第一拐点241与第二拐点261处，即在撕膜方向发生转换时，会先撕除撕膜路径一侧的膜层120。例如，在图2所示的实施例中，在第一拐点241处，第一路径210开始向第二路径240转换时，先撕除位于第二路径240左侧的膜层120，且撕膜尺寸逐渐增大，直至在垂直于第二路径240的方向上，膜层120未撕除部分相齐平时，沿第二路径240撕膜。
68.可以理解的是，在图2所示的实施例中，第一拐点241的形成是为了减小撕膜作用力，且在图2所示的实施例中，抛料位250与第二路径240末端的位置相对应，因而无需设置第三路径进行抛料。而在图3所述的实施例中，第一拐点241的形成同样是为了减小撕膜作用力，并且，在图3所示的实施例中，第二路径240并非与抛料位250的位置相对应，因而设置
第三路径260，以便于在撕膜后快速抛料，提升工作效率。换言之，第三路径260的形成，是为了使得撕膜终点与抛料位250的位置相对应。
69.在一些实施例中，上述撕膜方法采用plc设计程序配合撕膜机台实现，通过plc设计程序预设第一路径210以及第二路径240，在第一拐点241处控制撕膜机械手换向以将撕膜路径从第一路径210转换至第二路径240。采用plc设计程序控制，可根据机台及膜层120的方位实时编辑程序调整撕膜路径。例如，当抛料位250与膜层120的相对关系呈图3所示的状态时，重新编辑pcl设计程序，使得第二路径240相对膜层120的长度方向朝抛料位250偏移，并在第二拐点261处转换为第三路径260以便撕膜路径的末端位置与抛料位250的位置相对应。由此，采用pcl设计程序控制，控制更灵活，可实时根据膜层120的尺寸、方位以及抛料位250的位置调整撕膜路径，在减小撕膜作用力的同时提升撕膜工作效率，且无需对撕膜机台硬件进行复杂的改动。
70.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
71.以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。