层叠体、层叠体的制造方法和电子设备的制造方法与流程

文档序号:36006852发布日期:2023-11-16 22:20阅读:42来源:国知局
层叠体、层叠体的制造方法和电子设备的制造方法与流程

本发明涉及层叠体、层叠体的制造方法和电子设备的制造方法。


背景技术:

1、太阳能电池(pv)、液晶面板(lcd)、有机el面板(oled)、感知电磁波、x射线、紫外线、可见光、红外线等的接收传感器面板等电子设备的轻薄化、轻型化不断发展。与此相伴,电子设备中使用的聚酰亚胺树脂基板等基板的薄板化也不断发展。如果因薄板化而导致基板的强度不足,则基板的处理性降低,基板上形成电子设备用部件的工序(部件形成工序)等有时出现问题。

2、因此,最近,为了改善基板的处理性,提出了使用依次具有支承基材、规定的有机硅树脂层和基板的层叠体的技术(专利文献1)。这时,首先,在支承基材形成规定的有机硅树脂层,其后,层叠基板得到层叠体。接下来,在层叠体的基板上形成电子设备用部件,然后,将形成有电子设备用部件的基板(带部件的基板)与有机硅树脂层和支承基材分离。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:日本特开2015-104843号公报


技术实现思路

1、专利文献1中的层叠体的支承基材、有机硅树脂层以及基板的各界面的剥离强度未得到控制。

2、本发明人等进行了研究,结果发现在电子设备的制造过程的加热处理后,将基板(带部件的基板)从有机硅树脂层和支承基材剥离时,存在有机硅树脂层的一部分或者全部附着于基板的情况。

3、本发明是鉴于以上情况而进行的,目的在于提供将基板从有机硅树脂层和支承基材剥离时,能够抑制有机硅树脂层附着于基板的层叠体。

4、此外,本发明的目的在于提供制造上述层叠体的方法和使用了上述层叠体的电子设备的制造方法。

5、本发明人等进行了深入研究,结果发现通过以下的构成能够实现上述目的。

6、[1]一种层叠体,依次具备在表面具有羟基的支承基材、具有羟基的有机硅树脂层和基板,上述基板为聚酰亚胺树脂基板或分别具有聚酰亚胺树脂基板和阻气膜至少各1层的层叠基板,上述有机硅树脂层与上述基板之间的剥离强度大于上述支承基材与上述有机硅树脂层之间的剥离强度。

7、[2]根据上述[1]所述的层叠体,其中,上述支承基材为玻璃板或者硅晶圆。

8、[3]根据上述[1]或[2]所述的层叠体,其中,上述基板为上述层叠基板,上述层叠基板的上述阻气膜为由无机材料构成的阻气膜。

9、[4]根据上述[1]~[3]中任一项所述的层叠体,其中,多个上述基板和上述有机硅树脂层配置于1个上述支承基材上。

10、[5]根据上述[1]~[4]中任一项所述的层叠体,其中,上述聚酰亚胺树脂基板与上述支承基材的热膨胀系数之差为0~90×10-6/℃。

11、[6]根据上述[1]~[5]中任一项所述的层叠体,其中,上述有机硅树脂层的厚度大于1μm且为100μm以下。

12、[7]根据上述[1]~[6]中任一项所述的层叠体,其中,上述有机硅树脂层与上述基板之间的剥离强度为0.3n/25mm以下。

13、[8]根据上述[1]~[7]中任一项所述的层叠体,其中,构成上述有机硅树脂层的有机硅树脂至少包含三官能有机甲硅烷氧基单元,上述三官能有机甲硅烷氧基单元的比例相对于全部有机甲硅烷氧基单元为20摩尔%~90摩尔%。

14、[9]根据上述[1]~[8]中任一项所述的层叠体,其中,上述有机硅树脂层的上述基板侧的表面的表面粗糙度ra为0.1~20nm。

15、[10]根据上述[1]~[9]中任一项所述的层叠体,其中,上述分别具有聚酰亚胺树脂基板和阻气膜至少各1层的层叠基板从靠近上述有机硅树脂层的一侧依次层叠有

16、聚酰亚胺树脂基板/阻气膜、

17、阻气膜/聚酰亚胺树脂基板、或者

18、阻气膜/聚酰亚胺树脂基板/阻气膜。

19、[11]一种层叠体的制造方法,是制造上述[1]~[10]中任一项所述的层叠体的方法,具备如下工序:树脂层形成工序,在上述基板上形成上述有机硅树脂层;层叠工序,在上述有机硅树脂层的表面层叠上述支承基材而得到上述层叠体。

20、[12]根据上述[11]所述的层叠体的制造方法,其中,上述树脂层形成工序包含如下工序:在基板的第1主面涂布包含成为有机硅树脂的固化性有机硅的固化性组合物,根据需要除去溶剂,形成涂膜,使涂膜中的固化性有机硅固化,制成有机硅树脂层。

21、[13]根据上述[12]所述的层叠体的制造方法,其中,上述固化性有机硅为有机烯基聚硅氧烷和有机氢聚硅氧烷的混合物。

22、[14]根据上述[12]所述的层叠体的制造方法,其中,上述固化性有机硅为水解性有机硅烷化合物或使水解性有机硅烷化合物进行水解缩合反应而得到的部分水解缩合物。

23、[15]一种电子设备的制造方法,具备如下工序:部件形成工序,在上述[1]~[10]中任一项所述的层叠体的上述基板的表面上形成电子设备用部件,得到带电子设备用部件的层叠体;分离工序,将包含上述支承基材和上述有机硅树脂层的带有机硅树脂层的支承基材从上述带电子设备用部件的层叠体除去,得到具有上述基板和上述电子设备用部件的电子设备。

24、[16]根据上述[9]所述的电子设备的制造方法,其中,上述部件形成工序为包含加热处理的工序。

25、[17]根据上述[15]或者[16]所述的电子设备的制造方法,其中,上述加热处理在50℃~600℃进行1~120分钟。

26、根据本发明,能够提供将基板从有机硅树脂层和支承基材剥离时可抑制有机硅树脂层附着于基板的层叠体。

27、此外,根据本发明,还能够提供制造上述层叠体的方法和使用了上述层叠体的电子设备的制造方法。



技术特征:

1.一种层叠体,依次具备在表面具有羟基的支承基材、具有羟基的有机硅树脂层和基板,

2.根据权利要求1所述的层叠体,其中,所述支承基材为玻璃板或者硅晶圆。

3.根根据权利要求1或2所述的层叠体,其中,所述基板为所述层叠基板,

4.根据权利要求1~3中任一项所述的层叠体,其中,多个所述基板和所述有机硅树脂层配置于1个所述支承基材上。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的层叠体,其中,所述有机硅树脂层的厚度大于1μm且为100μm以下。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的层叠体,其中,在对所述层叠体实施加热处理之前,所述有机硅树脂层与所述基板之间的剥离强度为0.3n/25mm以下。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的层叠体,其中,构成所述有机硅树脂层的有机硅树脂至少包含三官能有机甲硅烷氧基单元,所述三官能有机甲硅烷氧基单元的比例相对于全部有机甲硅烷氧基单元为20摩尔%~90摩尔%。

8.根据权利要求1~7中任一项所述的层叠体,其中,所述分别具有树脂基板和阻气膜至少各1层的层叠基板从靠近所述有机硅树脂层一侧起依次层叠有:

9.一种层叠体的制造方法,是制造权利要求1~8中任一项所述的层叠体的方法,具备如下工序:

10.根据权利要求9所述的层叠体的制造方法,其中,所述树脂层形成工序包含如下工序:在基板的第1主面涂布含有成为有机硅树脂的固化性有机硅和溶剂的固化性组合物,除去所述溶剂,形成涂膜,使涂膜中的固化性有机硅固化,制成有机硅树脂层。

11.根据权利要求10所述的层叠体的制造方法,其中,所述固化性有机硅为有机烯基聚硅氧烷和有机氢聚硅氧烷的混合物。

12.根据权利要求10所述的层叠体的制造方法,其中,所述固化性有机硅为水解性有机硅烷化合物或者使水解性有机硅烷化合物进行水解缩合反应而得到的部分水解缩合物。

13.一种电子设备的制造方法,具备如下工序:

14.根据权利要求13所述的电子设备的制造方法,其中,所述加热处理在50℃~600℃进行1~120分钟。


技术总结
本发明提供一种层叠体,其依次具备在表面具有羟基的支承基材、具有羟基的有机硅树脂层和基板,上述基板是聚酰亚胺树脂基板或者分别具有聚酰亚胺树脂基板和阻气膜至少各1层的层叠基板,上述有机硅树脂层与上述基板之间的剥离强度大于上述支承基材与上述有机硅树脂层之间的剥离强度,该层叠体中将基板从有机硅树脂层和支承基材剥离时,能够抑制有机硅树脂层附着于基板。

技术研发人员:山田和夫,照井弘敏,山内优
受保护的技术使用者:AGC株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/1/16
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