阵列基板及其制作方法、液晶面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于液晶显示技术领域，具体地讲，涉及一种阵列基板及其制作方法、液晶面板。
【背景技术】
[0002]随着光电与半导体技术的演进，也带动了平板显示器(Flat Panel Display)的蓬勃发展，而在诸多平板显示器中，液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等诸多优越特性，已成为市场的主流。
[0003]随着对液晶显示器的亮度、视角、对比度、响应速度等特性的要求越来越高，更多的液晶显示器由TN型转到IPS(或FFS)型或者VA型。而随着液晶显示器的精细度的提高，其像素的尺寸越来越小，如此，像素的开口率也会越来越小，这样会影响液晶显示器的显示亮度。
[0004]此外，在现有的液晶显示器中，在像素内专设一存储电容，并设置遮光线来遮蔽数据线及像素电极边缘的漏光，这将会进一步地减小像素的开口率。
[0005]因此，现有技术有待改进和发展。
【发明内容】
[0006]为了解决上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种阵列基板，其包括:透明基板;设置在所述透明基板上的栅极线、数据线和存储电极线，所述栅极线和所述数据线彼此绝缘并相互交叉，以限定出像素区域，所述存储电极线位于所述像素区域中；设置在所述栅极线和所述数据线的交叉处的开关元件，所述开关元件包括:控制端、输入端和输出端，所述控制端连接至所述栅极线，所述输入端连接至所述数据线，所述输出端延伸至所述像素区域中，以与所述存储电极线相对且绝缘设置。
[0007]进一步地，所述开关元件为薄膜晶体管，其中，所述开关元件的控制端为薄膜晶体管的栅极，所述开关元件的输入端为薄膜晶体管的源极，所述开关元件的输出端为薄膜晶体管的漏极。
[0008]进一步地，所述阵列基板还包括:设置在所述栅极线、所述数据线及所述开关元件之上的公共电极。
[0009]进一步地，所述阵列基板还包括:设置在所述像素区域中所述的像素电极;其中，所述像素电极位于延伸至所述像素区域中的所述输出端之上，所述像素电极通过过孔与延伸至所述像素区域中的所述输出端连接。
[0010]进一步地，所述阵列基板还包括:设置在所述像素区域中所述的像素电极;其中，所述像素电极通过过孔与延伸至所述像素区域中的所述输出端连接。
[0011]本发明的另一目的还在于提供一种阵列基板的制作方法，其包括步骤:A、提供一透明基板;B、在所述透明基板上形成栅极线、栅极和存储电极线;其中，所述栅极与所述栅极线连接;C、在所述透明基板上形成数据线、源极和漏极;所述栅极线和所述数据线彼此绝缘并相互交叉，以限定出像素区域;所述存储电极线位于所述像素区域中，所述源极与所述数据线连接;所述漏极延伸至所述像素区域中，以与所述存储电极线相对且绝缘设置。
[0012]进一步地，所述制作方法还包括步骤:D、利用透明导电材料在所述栅极线、所述数据线及所述开关元件之上形成公共电极;其中，所述公共电极与所述栅极线、所述数据线及所述开关元件均绝缘。
[0013]进一步地，所述制作方法还包括步骤:E、利用透明导电材料在所述像素区域中形成像素电极;其中，所述像素电极通过过孔与延伸至所述像素区域中的漏极连接。
[0014]进一步地，所述步骤D和所述步骤E同时进行，或者所述步骤E在所述步骤D之前进行。
[0015]本发明的又一目的又在于提供一种液晶面板，其包括上述的阵列基板，或者包括由上述的制作方法制作的阵列基板。
[0016]本发明的有益效果:与现有技术相比，本发明利用延伸至像素区域中的漏极与存储电极线形成存储电容，无需专设一存储电容，并且将数据线两侧的遮光线去除，能够提高像素开口率，从而提升液晶面板的显示亮度。
【附图说明】
[0017]通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中:
[0018]图1是根据本发明的实施例的阵列基板的结构示意图；
[0019]图2是根据本发明的实施例的阵列基板的制作方法的流程图；
[0020]图3是根据本发明的实施例的液晶面板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0021]以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度。
[0022]将理解的是，在一层或元件被称为在或形成在另一层或基板“之上”或“上”时，它可以直接在或形成在该另一层或基板上，或者也可以存在中间层。
[0023]图1是根据本发明的实施例的阵列基板的结构示意图。图2是根据本发明的实施例的阵列基板的制作方法的流程图。
[0024]参照图1和图2，在步骤SI中，提供一透明基板10。在本实施例中，透明基板1可以是透明的玻璃基板或者透明的树脂基板;但本发明并不限制于此。
[0025]在步骤S2中，利用金属材料在透明基板10上形成栅极线20、栅极30和存储电极线40;其中，栅极30与栅极线20连接，以从栅极线20接收栅极信号。这里，应当理解的是，存储电极线40与栅极线20和栅极30均电绝缘。此外，这里的金属材料可例如是铬、钼等;但本发明并不限制于此。
[0026]在步骤S3中，利用金属材料在透明基板10上形成数据线50、源极60a和漏极60b。这样，栅极30、源极60a和漏极60b构成薄膜晶体管。应当说明的是，数据线50、源极60a、漏极60b与栅极线20、栅极30、存储电极线40不在同一层；S卩在数据线50、源极60a、漏极60b与栅极线20、栅极30、存储电极线40之间形成绝缘层(未示出)。此外，这里的金属材料可例如是铬、钼等;但本发明并不限制于此。
[0027]进一步地，以俯视角度观看，栅极线20和数据线50彼此绝缘并相互交叉，以限定出像素区域A。存储电极线40位于像素区域A中，源极60a与数据线50连接;漏极60延伸至像素区域A中，以与存储电极线40相对且绝缘设置。这样，延伸至像素区域A中的漏极60与存储电极线40形成存储电容。
[0028]在步骤S4中，利用透明导电材料在透明基板10上形成公共电极70;其中，公共电极70位于栅极线20、数据线50及薄膜晶体管之上，并且公共电极7