0与栅极线20、数据线50及薄膜晶体管之间形成绝缘层(未示出)，即公共电极70与栅极线20、数据线50及薄膜晶体管都绝缘。此处，透明导电材料可采用氧化铟锡ΙΤ0;但本发明并不限制于此。这里，由于公共电极70与数据线50之间的绝缘层的厚度可达2um?3um，因此公共电极70与数据线50之间的寄生电容较小，对信号延迟的影响较为有限。
[0029]在步骤S5中，利用透明导电材料在像素区域A中形成像素电极80;其中，像素电极80通过过孔90与延伸至像素区域A中的漏极60连接。此处，透明导电材料可采用氧化铟锡ΙΤ0;但本发明并不限制于此。
[0030]需要说明的是，作为本发明的其他实施例，步骤S5和步骤S4可以同时进行，或者步骤S5在步骤S4之前进行。
[0031]进一步地，本实施例以薄膜晶体管作为三端开关元件的一个示例进行说明，其中，开关元件的控制端为薄膜晶体管的栅极，开关元件的输入端为薄膜晶体管的源极，开关元件的输出端为薄膜晶体管的漏极;但本发明并不限制于此。
[0032]图3是根据本发明的实施例的液晶面板的结构示意图。
[0033]参照图3，根据本发明的实施例的液晶面板根据本发明的实施例的液晶面板包括:彩色滤光片基板(即CF基板)100、阵列基板200、液晶层300。其中，阵列基板200为图1所示的阵列基板或者为由图2所示的制作方法制作出的阵列基板。
[0034]彩色滤光片基板100与阵列基板200对盒设置。在本实施例中，彩色滤光片基板100包括:RGB三色色阻、黑色矩阵等必要的部件，而阵列基板200包括:薄膜晶体管、像素电极等必要的部件；由于本发明并不是针对这两个基本具体的结构，因此这里不再赘述。
[0035]液晶层300夹设于彩色滤光片基板10与阵列基板200之间。液晶层300中具有多个液晶分子，其中，液晶分子根据通电电压进行偏转。
[0036]综上所述，根据本发明的实施例的阵列基板及其制作方法，与现有技术相比，其延伸至像素区域中的漏极与存储电极线形成存储电容，从而无需专设一存储电容，并且将数据线两侧的遮光线去除，能够提高像素开口率，从而提升液晶面板的显示亮度。
[0037]虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解:在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在此进行形式和细节上的各种变化。
【主权项】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括: 透明基板(10); 设置在所述透明基板(10)上的栅极线(20)、数据线(50)和存储电极线(40)，所述栅极线(20)和所述数据线(50)彼此绝缘并相互交叉，以限定出像素区域，所述存储电极线(40)位于所述像素区域中； 设置在所述栅极线(20)和所述数据线(50)的交叉处的开关元件，所述开关元件包括:控制端、输入端和输出端，所述控制端连接至所述栅极线(20)，所述输入端连接至所述数据线(50)，所述输出端延伸至所述像素区域中，以与所述存储电极线(40)相对且绝缘设置。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述开关元件为薄膜晶体管，其中，所述开关元件的控制端为薄膜晶体管的栅极(30)，所述开关元件的输入端为薄膜晶体管的源极(60a)，所述开关元件的输出端为薄膜晶体管的漏极(60b)。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括:设置在所述栅极线(20)、所述数据线(50)及所述开关元件之上的公共电极(70)。4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括:设置在所述像素区域中所述的像素电极(80);其中，所述像素电极(80)位于延伸至所述像素区域中的所述输出端之上，所述像素电极(80)通过过孔(90)与延伸至所述像素区域中的所述输出端连接。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括:设置在所述像素区域中所述的像素电极(80);其中，所述像素电极(80)通过过孔(90)与延伸至所述像素区域中的所述输出端连接。6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括步骤: A、提供一透明基板(10); B、在所述透明基板(10)上形成栅极线(20)、栅极(30)和存储电极线(40);其中，所述栅极(30)与所述栅极线(20)连接； C、在所述透明基板(10)上形成数据线(50)、源极(60a)和漏极(60b);所述栅极线(20)和所述数据线(50)彼此绝缘并相互交叉，以限定出像素区域;所述存储电极线(40)位于所述像素区域中，所述源极(60a)与所述数据线(50)连接;所述漏极(60b)延伸至所述像素区域中，以与所述存储电极线(40)相对且绝缘设置。7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括步骤: D、利用透明导电材料在所述栅极线(20)、所述数据线(50)及所述开关元件之上形成公共电极(70);其中，所述公共电极(70)与所述栅极线(20)、所述数据线(50)及所述开关元件均绝缘。8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括步骤: E、利用透明导电材料在所述像素区域中形成像素电极(80);其中，所述像素电极(80)通过过孔(90)与延伸至所述像素区域中的漏极(60b)连接。9.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤D和所述步骤E同时进行，或者所述步骤E在所述步骤D之前进行。10.—种液晶面板，其特征在于，包括权利要求1至5任一项所述的阵列基板，或者包括由权利要求6至9任一项所述的制作方法制作的阵列基板。
【专利摘要】本发明提供了一种阵列基板，其包括：透明基板(10)；设置在透明基板(10)上的栅极线(20)、数据线(50)和存储电极线(40)，栅极线(20)和数据线(50)彼此绝缘交叉以限定出像素区域，存储电极线(40)位于像素区域中；设置在栅极线(20)和数据线(50)的交叉处的开关元件，开关元件的控制端、输入端分别连接至栅极线(20)和数据线(50)，其输出端延伸至像素区域中以与存储电极线(40)相对且绝缘设置。本发明还公开了一种阵列基板的制作方法和液晶面板。与现有技术相比，本发明利用延伸至像素区域中的漏极与存储电极线形成存储电容，无需专设一存储电容，且将数据线两侧的遮光线去除，能够提高像素开口率，从而提升液晶面板的亮度。
【IPC分类】G02F1/1368, G02F1/1362
【公开号】CN105607370
【申请号】CN201610079239
【发明人】姜祥卫
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2016年2月4日