有机电致发光装置的制造方法
【专利说明】
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 均于2014年12月2日向日本知识产权局提交的且标题均为"有机电致发光装置"的 第2014-244485号日本专利申请和第2014-244490号日本专利申请通过引用整体并入本文。
技术领域
[0003] 实施方式设及有机电致发光装置。
【背景技术】
[0004] 近来，正积极进行有机电致发光化L)显示器的开发。同时，也正积极进行有机化装 置(其为用在有机化显示器中的自发光型发光装置)的开发。
[0005] 有机化装置可具有例如按次序的阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极的 堆叠结构。
[0006] 在此类有机化装置中，从阳极和阴极注入的空穴和电子在发光层中可复合W产生 激子。可经由所产生的激子跃迁至基态来实现发光。
【发明内容】
[0007] 实施方式设及有机电致发光装置。
[000引实施方式可通过提供有机化装置来实现，所述有机化装置包括阳极，发光层，在所 述阳极与所述发光层之间的阳极侧空穴传输层，所述阳极侧空穴传输层包括阳极侧空穴传 输材料且渗杂有电子接受材料，在所述阳极侧空穴传输层与所述发光层之间的中间空穴传 输层，所述中间空穴传输层包括中间空穴传输材料，W及在所述中间空穴传输层与所述发 光层之间的发光层侧空穴传输层，所述发光层侧空穴传输层与所述发光层相邻，其中所述 发光层侧空穴传输层包括由下列式1表示的发光层侧空穴传输材料：
[0009] 试1]
[0010]
[0011]其中，在式1中，Ari和An各自独立地为取代或未取代的具有6至50个环碳原子的芳 基或者取代或未取代的具有5至50个环碳原子的杂芳基，町至R3各自独立地为取代或未取代 的具有1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至50个环碳原子的芳基、或者取代或 未取代的具有3至50个环碳原子的杂环基团，Ri至R3中相邻基团的两个或多个是分开的或结 合W形成环，m为0至4的整数，P和q各自独立地为0至5的整数，Li为直接键联、取代或未取代 的具有6至18个环碳原子的亚芳基、或者取代或未取代的具有5至15个环碳原子的亚杂芳 基，且碳原子a和b是分开的或经由直接键联结合。
[0012]中间空穴传输材料可W包括由下列式2表示的化合物：
[001引[式2]
[0014]
[001引其中，在式帥，Ar适Ar河各自独立地为取代或未取代的具有6至50个环碳原子的 芳基或者取代或未取代的具有5至50个环碳原子的杂芳基，Ar4可W为氨原子、気原子、面素 原子、取代或未取代的具有6至50个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5至50个环碳原 子的杂芳基、或者取代或未取代的具有1至50个碳原子的烷基，且^可^为直接键联、取代 或未取代的具有6至18个环碳原子的亚芳基、或者取代或未取代的具有5至15个环碳原子的 亚杂芳基。
[0016] 阳极侧空穴传输材料可W包括由下列式2表示的化合物。
[0017] 电子接受材料可具有约-9.0eV至约-4.0eV的最低未占分子轨道(LUM0)水平。
[001引阳极侧空穴传输层可W与阳极相邻。
[0019] 发光层可W包括由下列式3表示的化合物：
[0020] 试3]
[0021]
[0022] 其中，在式3中，每个Ari可独立地为氨原子、気原子、取代或未取代的具有1至50个 碳原子的烷基、取代或未取代的具有3至50个环碳原子的环烷基、取代或未取代的具有1至 50个碳原子的烷氧基、取代或未取代的具有7至50个碳原子的芳烷基、取代或未取代的具有 6至50个环碳原子的芳氧基、取代或未取代的具有6至50个环碳原子的芳硫基、取代或未取 代的具有2至50个碳原子的烷氧基幾基、取代或未取代的具有6至50个环碳原子的芳基、取 代或未取代的具有5至50个环碳原子的杂芳基、取代或未取代的甲娃烷基、簇基、面素原子、 氯基、硝基或径基，且η可W为1至10的整数。
[0023] 实施方式可通过提供有机化装置来实现，所述有机化装置包括阳极，发光层，在所 述阳极与所述发光层之间的阳极侧空穴传输层，所述阳极侧空穴传输层主要包括电子接受 材料，在所述阳极侧空穴传输层与所述发光层之间的中间空穴传输层，所述中间空穴传输 层包括中间空穴传输材料，W及在所述中间空穴传输层与所述发光层之间的发光层侧空穴 传输层，所述发光层侧空穴传输层与所述发光层相邻，其中所述发光层侧空穴传输层包括 由下列式1表示的发光层侧空穴传输材料：
[0024] 试1]
[0025]
[0026] 其中，在式1中，Ari和An各自独立地为取代或未取代的具有6至50个环碳原子的芳 基或者取代或未取代的具有5至50个环碳原子的杂芳基，Ri至R3各自独立地为取代或未取代 的具有1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至50个环碳原子的芳基、或者取代或 未取代的具有3至50个环碳原子的杂环基团，Ri至R3中相邻基团的两个或多个是分开的或结 合W形成环，m为0至4的整数，P和q各自独立地为0至5的整数，Li为直接键联、取代或未取代 的具有6至18个环碳原子的亚芳基、或者取代或未取代的具有5至15个环碳原子的亚杂芳 基，且碳原子a和b是分开的或经由直接键联结合。
[0027] 中间空穴传输材料可W包括由下列式2表示的化合物：
[002引[式 2]
[0029]
[0030] 其中，在式2中，Ari至An可各自独立地为取代或未取代的具有6至50个环碳原子的 芳基或者取代或未取代的具有5至50个环碳原子的杂芳基，Ar4可W为氨原子、気原子、面素 原子、取代或未取代的具有6至50个环碳原子的芳基、取代或未取代的具有5至50个环碳原 子的杂芳基、或者取代或未取代的具有1至50个碳原子的烷基，且^可^为直接键联、取代 或未取代的具有6至18个环碳原子的亚芳基、或者取代或未取代的具有5至15个环碳原子的 亚杂芳基。
[0031] 电子接受材料可具有约-9.0eV至约-4.0eV的最低未占分子轨道(LUMO)水平。
[0032 ]阳极侧空穴传输层可W与阳极相邻。
[0033] 发光层可W包括由下列式3表示的化合物：
[0034] [式 3]
[0035]
[0036] 其中，在式3中，每个Ari可独立地为氨原子、気原子、取代或未取代的具有1至50个 碳原子的烷基、取代或未取代的具有3至50个环碳原子的环烷基、取代或未取代的具有1至 50个碳原子的烷氧基、取代或未取代的具有7至50个碳原子的芳烷基、取代或未取代的具有 6至50个环碳原子的芳氧基、取代或未取代的具有6至50个环碳原子的芳硫基、取代或未取 代的具有2至50个碳原子的烷氧基幾基、取代或未取代的具有6至50个环碳原子的芳基、取 代或未取代的具有5至50个环碳原子的杂芳基、取代或未取代的甲娃烷基、簇基、面素原子、 氯基、硝基或径基，且η可W为1至10的整数。
【附图说明】
[0037] 通过参考附图详细地描述示例性实施方式，特征对于本领域技术人员会是显而易 见的，在附图中：
[0038] 图1举例说明了根据实施方式的有机化装置的图解。
【具体实施方式】
[0039] 现在参考附图将在下文更详细地描述示例实施方式;然而，它们可W不同形式实 现且不应解释为限于本文所提出的实施方式。相反，提供了运些实施方式W便本公开会彻 底且完整，并且会向本领域技术人员充分地传达示例性实现方式。
[0040] 在附图中，为了清楚说明可将层和区的尺寸放大。也应理解，当层或元件被称为在 另一层或元件"之上"时，其可直接在另一个层或元件之上，或也可存在中间元件。此外，也 应理解，当元件被称为在两个元件"之间"时，其可W为两个元件之间的唯一元件，或也可存 在一个或多个中间元件。相同的参考数字通篇是指相同的元件。
[0041 ] <1-1.有机化装置的构型〉
[0042] (1-1-1.总体构型）
[0043] 首先，基于图1，将描述根据实施方式的有机化装置100的总体构型。
[0044] 如图1所示，根据实施方式的有机化装置100可W包括，例如，基板110、在基板110 上的第一电极120、在第一电极120上的空穴传输层130、在空穴传输层130上的发光层140、 在发光层140上的电子传输层150、在电子传输层150上的电子注入层160和在电子注入层 160上的第二电极170。在实现中，可W形成空穴传输层130W具有由多个层131、133和135组 成的的多层结构。
[0045] (1-1-2.基板的构型）
[0046] 基板110可W为适合地用于有机Kig置的基板。例如，基板110可W为玻璃基板、半 导体基板或透明塑料基板。
[0047] (1-1-3.第一电极的构型）
[004引第一电极120可W为例如阳极，并且可通过蒸发法、瓣射法等形成于基板110上。例 如，第一电极120可使用具有高功函的金属、合金、导电化合物等形成为透射型电极。第一电 极120可使用例如具有良好的透明度和导电性的氧化铜锡（Im化-Sn02:ITO)、氧化铜锋 (Im化-ZnO: IZ0)、二氧化锡(Sn02)、氧化锋(ZnO)等形成。在实现中，第一电极120可形成为 通过堆叠儀(Mg)、侣(A1)等形成的反射型电极。
[0049] (1-1-4.空穴传输层的构型）
[0050] 空穴传输层130可W包括空穴传输材料且可具有空穴传输功能。空穴传输层130可 形成于例如第一电极120上到约lOnm至约150nm的层厚度(例如，多层结构的总层厚度）。
[0051] 根据实施方式的有机化装置100的空穴传输层130可通过(从第一电极120起)逐个 堆叠阳极侧空穴传输层131、中间空穴传输层133和发光层侧空穴传输层135而形成为多层。
[0052] (1-1-4-1.阳极侧空穴传输层的构型）
[0053] 阳极侧空穴传输层131可W为包括阳极侧空穴传输材料的层且可渗杂有电子接受 材料。例如，阳极侧空穴传输层131可形成于第一电极120上(例如，直接形成于其上）。
[0054] 阳极侧空穴传输层131可渗杂有电子接受材料，且从第一电极120的空穴注入性质 可得W改善。在实现中，阳极侧空穴传输层131可提供在第一电极120附近，例如，可与第一 电极120相邻(例如，直接相邻或直接接触)提供。
[0055] 阳极侧空穴传输层131中包括的阳极侧空穴传输材料可W包括适合的空穴传输材 料。阳极侧空穴传输层131中包括的阳极侧空穴传输材料的实例可W包括1，1 -双[(二-4-甲 苯基氨基)苯基]环己烧(TAPC)、巧挫衍生物诸如N-苯基巧挫和聚乙締基巧挫、N，N'-双(3- 甲基苯基)-N，N'-二苯基-[1,1-联苯基]-4,4'-二胺(TPD)、4,4'，4"-Ξ(Ν-巧挫基)Ξ苯基 胺(TCTA)、N，N'-二（1-糞基)-Ν，Ν'-二苯基联苯胺(ΝΡΒ)等。
[0056] 阳极侧空穴传输层131中包括的电子接受材料可W包括适合的电子接受材料。在 实现中，阳极侧空穴传输层131中包括的电子接受材料可具有约-9. OeV至约-4. OeV，例如， 约-6. OeV至约-4. OeV的LUM0水平。
[0057] 具有约-9. OeV至约-4. OeV的LUM0水平的电子接受材料的实例可W包括由下列式 4-1至4-14表示的化合物中的一种。
[0化引
[0059] 在上式4-1至4-14中，每个R可独立地为或包括，例如，氨原子、気原子、面素原子、 具有1至50个碳原子的氣烷基、氯基、具有1至50个碳原子的烷氧基、具有1至50个碳原子的 烷基、具有6至50个环碳原子的芳基、或具有5至50个环碳原子的杂芳基。
[0060] 每个Ar可独立地为或包括例如具有吸电子基团的取代的芳基或未取代的具有6至 50个环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有5至50个环碳原子的杂芳基，每个Y可独立地 为例如次甲基(-CH=)或氮原子(-N=)，每个Z可独立地为例如拟面素原子或硫(S)原子，η 可W为10或low下的整数，且每个X可独立地为由下列XI至Χ7中的一个表示的取代基。
[0061]
[0062] 在上式XI至X7中，每个Ra可独立地为或包括，例如，氨原子、気原子、面素原子、具 有1至50个碳原子的氣烷基、氯基、具有1至50个碳原子的烷氧基、具有1至50个碳原子的烧 基、取代或未取代的具有6至50个环碳原子的芳基、或者取代或未取代的具有5至50个环碳 原子的杂芳基。
[0063] 由R、Ar和Ra表示的取代或未取代的具有6至50个环碳原子的芳基的实例可W包括 苯基、1-糞基、2-糞基、1-蔥基、2-蔥基、9-蔥基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1- 并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、1 -巧基、2-巧基、4-巧基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯 基、对Ξ联苯基-4-基、对Ξ联苯基-3-基、对Ξ联苯基-2-基、间Ξ联苯基-4-基、间Ξ联苯 基-3-基、间Ξ联苯基-2-基、邻甲苯基、间甲苯基、对甲苯基、对叔下基苯基、对（2-苯基丙 基)苯基、3-甲基-2-糞基、4-甲基-1-糞基、4-甲基-1-蔥基、4'-甲基联苯基、4"-叔下基-对 Ξ联苯基-4-基、巧蔥基、巧基等。
[0064] 由R、Ar和Ra表示的取代或未取代的具有5至50个环碳原子的杂芳基的实例可W包 括1-化咯基、2-化咯基、3-化咯基、化晚基、2-化晚基、3-化晚基、4-化晚基、1-吗I噪基、2-吗I 噪基、3-吗I噪基、4-吗I噪基、5-吗I噪基、6-吗I噪基、7-吗I噪基、1-异吗I噪基、2-异吗I噪基、3-异 吗I噪基、4-异吗I噪基、5-异吗I噪基、6-异吗I噪基、7-异吗I噪基、2-巧喃基、3-巧喃基、2-苯并巧 喃基、3-苯并巧喃基、4-苯并巧喃基、5-苯并巧喃基、6-苯并巧喃基、7-苯并巧喃基、1-异苯 并巧喃基、3-异苯并巧喃基、4-异苯并巧喃基、5-异苯并巧喃基、6-异苯并巧喃基、7-异苯并 巧喃基、哇嘟基、3-哇嘟基、4-哇嘟基、5-哇嘟基、6-哇嘟基、7-哇嘟基、8-哇嘟基、1-异哇嘟 基、3-异