多孔性和/或增加涂覆部分180a的密度。热等静压可以包括使涂覆部分180a经历高温环境和/或加热涂覆部分180a。热等静压可以包括使涂覆部分180a经历高压环境以使涂覆部分180a的表面变得紧凑。
[0087]如图5B中所图示的，在一些配置中，阳极组件138b可以不包括耦合到阳极基座174b的靶标。在这样的配置中，涂覆部分180b可以至少形成在包括对应于靶标182b的定位的部分的阳极基座174a的部分上方。在这样的配置中，靶标182b可以被形成为涂覆部分180b的部分。例如，靶标182b可以在其形成期间通过与涂覆部分180b相同的工艺来沉积。在这样的配置中，阳极组件138b的形成可以不包括将分离的靶标耦合到阳极组件138b。因此，形成靶标182b可以包括电镀、热喷涂、等离子喷涂、CVD、PECVD、PVD、HVOF和/或冷喷涂。
[0088]在一些配置中，形成靶标182b可以包括处理涂覆部分180b的至少部分以使其表面平滑，消除不连续性，和/或减小多孔性。例如，形成靶标182b可以包括机加工对应于靶标182b的涂覆部分180b的表面。形成靶标182b可以包括至少热等静压对应于靶标182b的涂覆部分180b的部分。形成涂覆部分180b可以包括热等静压整个涂覆部分180b。热等静压可以减小涂覆部分180b的多孔性和/或增加涂覆部分180b的密度。热等静压可以包括使涂覆部分180b经历高温环境和/或加热涂覆部分180b。热等静压可以包括使涂覆部分180b经历高压环境以使涂覆部分180b的表面变得紧凑。
[0089]转向图5C，在一些配置中，形成靶标182c可以包括处理涂覆部分180c以使其表面平滑，消除不连续性，和/或减小多孔性。例如，形成靶标182c可以包括机加工靶标182c ο形成靶标182c可以包括热等静压靶标182c。形成涂覆部分180c可以包括热等静压靶标182c。热等静压可以减小靶标182c的多孔性和/或增加靶标182c的密度。热等静压可以包括使整个阳极组件138c经历高温环境和/或加热阳极组件138c。热等静压可以包括使阳极组件138c经历高压环境以使涂覆部分180c和/或靶标182c的表面变得紧凑。
[0090]如图5A-图5C中所图示的，在一些情况下，诸如涂覆部分180a_180c等的涂覆部分的形成可以产生诸如边缘178a_c等的边缘。这样的边缘178a_c通常可以被定位在阳极组件138a-c上在对应于第二界限198的位置处。这样的边缘178a-c可以在阳极组件138a-c的表面中产生不连续性。阳极组件138a_c的表面上的表面不连续性可以产生高电场、高电压应力点、应力梯级和/或阳极组件138a_c的减小的稳定性。因此，在一些配置中，涂覆部分ISOa-c的长度(通常对应于涂覆长度194)和/或边缘178a-c(通常对应于第二界限198)的定位可以被选择为使得涂覆部分180a_c的边缘178a_c没有引起负的电场效应。例如，涂覆部分180a-c的长度和/或边缘178a-c的定位可以被选择为使得涂覆部分180的边缘足够远离靶标182a_c使得负的电场效应能够被减小或消除。在一些配置中，阳极组件138a_c的表面可以被处理(例如机加工、抛光等)以消除和/或减小在涂覆部分180a_c的边缘178a_c和/或阳极组件138a_c的其它部分处的不连续性。在其中涂覆部分180a-c的长度足够长的配置中，消除不连续性的处理可以不是必须的或者理想的。
[0091]涂覆部分180和/或ISOa-c可以是以下中的一项或多项:电镀的贵金属;喷涂的贵金属;喷涂的难熔金属;化学气相沉积的贵金属;化学气相沉积的难熔金属;物理气相沉积的贵金属;和/或物理气相沉积的难熔金属。
[0092]涂覆部分ISOa-c中的一些或全部可以包括涂层厚度。涂层厚度可以包括最小厚度使得电子没有渗透通过涂覆部分180a-c。涂覆部分ISOa-c可以包括最小厚度使得电子没有渗透通过涂覆部分180a_c到达阳极基座174a_c的材料中的相应的材料。在一些情况下，涂覆部分ISOa-c中的一个或多个与阳极基座174a_c材料中的相应的一个或多个之间可以形成有扩散层。扩散层可以形成在涂覆部分ISOa-c之一与阳极基座174a_c材料相应的材料的界面处或附近。扩散层可以包括阳极基座174a_c材料和/或涂覆部分ISOa-c的材料。在这样的配置中，涂覆部分180a_c可以包括最小厚度使得电子没有渗透通过涂覆部分180a_c到达扩散层。
[0093]在一些配置中，涂覆部分ISOa-c与阳极基座174a_c之间可以形成有中间层以防止阳极基座材料和涂覆部分ISOa-c的材料的扩散。在一些配置中，中间层可以先于涂覆部分180a-c的形成而形成在阳极基座174-c上方。
[0094]在本描述中，术语“基本上”意指所叙述的特性、参数或值不需要被精确地实现，但是量方面可以产生偏差或变化，包括例如容差、测量误差、测量精度限制以及本领域技术人员已知的其它因素，其没有排除特性意图提供的效果。
[0095]本描述和权利要求中所使用的术语和词语不限于著录的含义，仅用于实现对本公开内容的清楚和一致的理解。单数形式“一(a)”、“一个(an)”和“该(the)”包括多个指示对象，除非上下文另外清楚地指明。因此，例如，对于“部件表面”的引用包括对于这样的表面中的一个或多个表面的引用。如果结合元件清楚地记载具体的数目，则表示至少所记载的数目，除非上下文另外清楚地指出。例如，在没有其它修饰的情况下的“两个记载内容”的明确记载内容表示至少两个记载内容或者两个或更多个记载内容。
[0096]本公开内容的方面可以在不偏离其精神和基本特性的情况下用其它形式来实施。所描述的方面在所有方面被认为是说明性和非限制性的。要求保护的主题用所附权利要求而非用以上描述来指示。在权利要求的含义及等同方案的范围内的所有变化被包括在其范围内。
【主权项】
1.一种形成X射线组件的方法，包括: 提供由第一材料形成并且包括第一端的阳极基座；以及 在所述阳极基座的第一表面上方沉积不同于所述第一材料的第二材料以形成所述阳极基座的涂覆部分； 其中所述涂覆部分被配置成使得一些后向散射的电子没有行进越过所述涂覆部分。2.根据权利要求1所述的方法，所述阳极基座还包括在具有第一横截面尺寸的第一部分与具有大于所述第一横截面尺寸的第二横截面尺寸的第二部分之间的锥形部，其中所述第一端被定位在所述第一部分处。3.根据权利要求2所述的方法，还包括先于形成所述阳极基座的所述涂覆部分来耦合在所述阳极基座的所述第一端处定义X射线发射面的靶标，所述靶标包括所述第二材料。4.根据权利要求3所述的方法，其中在所述第一表面上方沉积所述第二材料包括在所述靶标上方沉积所述第二材料，并且所述方法还包括去除被定位在所述靶标的所述X射线发射面上方的所沉积的第二材料的至少部分。5.根据权利要求2所述的方法，其中在所述第一表面上方沉积所述第二材料包括在所述第一端上方沉积所述第二材料以形成在所述阳极基座的所述第一端上方定义X射线发射面的靶标。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述涂覆部分从第一界限向第二界限延伸，所述涂覆部分被配置成使得从所述阳极的靶标后向散射的大部分电子没有行进越过所述涂覆部分。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一界限被定义在所述第一端处。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述涂覆部分从第一界限向第二界限延伸，所述涂覆部分被配置成使得从所述阳极的靶标后向散射的反弹少于三次的大部分电子没有行进越过所述涂覆部分。9.根据权利要求2所述的方法，其中所述阳极基座的所述涂覆部分包括所述第一部分、所述锥形部和所述第二部分。10.根据权利要求2所述的方法，其中所述阳极基座的所述涂覆部分包括所述第一部分、所述锥形部、所述第二部分、以及接近所述第二部分的第二锥形部。11.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述第二材料包括在所述阳极基座的所述第一表面上电镀贵金属。12.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述第二材料包括在所述阳极基座的所述第一表面上热喷涂、等离子喷涂、超音速火焰喷涂或者冷喷涂贵金属或难熔金属。13.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述第二材料包括在所述阳极基座的所述第一表面上化学气相沉积或者物理气相沉积贵金属或难熔金属。14.根据权利要求1所述的方法，还包括以下中的一项或多项: 热等静压所沉积的第二材料； 机加工所沉积的第二材料； 精整所沉积的第二材料;和/或 去除所沉积的第二材料的至少部分。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述热等静压、所述机加工、所述精整和/或所述去除所沉积的第二材料的至少部分中的所述一项或多项形成在所述阳极基座的所述第一端上方定义X射线发射面的靶标。16.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料包括铜并且所述第二材料包括以下中的一项或多项:钯、银、铑、铬、钛、钨、钼、铝、铍、和/或金刚石。17.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第一端上形成包括不同于所述第一材料和所述第二材料的第三材料的靶标。18.—种阳极组件，包括: 阳极基座，由第一材料形成并且包括在具有第一横截面尺寸的第一部分与具有大于所述第一横截面尺寸的第二横截面尺寸的第二部分之间的锥形部； 靶标，定义被定位在所述阳极基座的第一端上在所述第一部分处的X射线发射面，所述靶标包括不同于所述第一材料的第二材料;以及 沉积材料，被定位在所述阳极基座的涂覆部分上方，所述沉积材料包括所述第二材料并且所述涂覆部分从所述第一端延伸涂覆长度。19.根据权利要求18所述的阳极组件，其中所述沉积材料是以下中的一项或多项:电镀的贵金属;喷涂的贵金属;喷涂的难熔金属;化学气相沉积的贵金属;化学气相沉积的难熔金属;物理气相沉积的贵金属;和/或物理气相沉积的难熔金属。20.根据权利要求18所述的阳极组件，其中所述沉积材料形成定义X射线发射面的所述靶标。21.—种X射线组件，包括: 根据权利要求18所述的阳极组件； 阴极组件，定义电子发射面并且包括被配置成在被激发时发射电子的电子发射器； 真空封壳，环绕所述阳极组件和所述阴极组件的至少部分；以及 X射线发射窗口，被定位在所述X射线组件的端部； 其中所述X射线发射面在朝向所述X射线发射窗口的第一方向上被取向，并且所述电子发射面在朝向所述X射线发射窗口并且横向于所述第一方向的第二方向上被取向。
【专利摘要】所公开的主题包括涉及阳极组件和/或X射线组件的设备和方法。在一些方面，形成X射线组件的方法可以包括提供由第一材料形成并且包括第一端的阳极基座。该方法可以包括在阳极基座的第一表面上方沉积不同于第一材料的第二材料以形成阳极基座的涂覆部分。该涂覆部分可以被配置成使得一些后向散射的电子没有行进越过涂覆部分。
【IPC分类】H01J35/08, H01J35/24
【公开号】CN105679629
【申请号】
【发明人】K·O·格瑞恩兰德, R·S·米勒
【申请人】瓦里安医疗系统公司
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2015年12月2日