多功能电源电路的制作方法_2

文档序号:10392392阅读:来源:国知局
GATE极引脚,使NMOS管Q2导通;当分压电阻R2、R3所得电压大于1.23V,过压保护芯片Ul关闭GATE极引脚电压,使NMOS管Q2关闭,从而对后端电路起到过压保护作用。
[0018]电压采样及开关控制电路包括NPN三极管Q4、PMOS管Q3、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R4、电阻R8、二极管D1、二极管D2、二极管D3、以及开关按键51,?105管03的源极&、电阻R5和电阻R4并连接于过压保护电路,电阻R5与PMOS管Q3的栅极G3并连接于电阻R6,PM0S管Q3的漏极D2连接后级输出端电源接口,开关按键SI与电阻R4相连接,开关按键S1、二极管D3以及二极管Dl并连于节点PE14,节点PE14连接于单片机电路中单片机的第一 I/O 口,NPN三极管Q4包括连接于电阻R6的集电极c、接地的发射机e以及连接于电阻R7的基极b,电阻R7和二极管D3并连于二极管D2,二极管D2与电阻R8并连接于节点PE15,节点PE15连接于单片机的第二 I/O 口,二极管Dl以及电阻R8接地,开关按键SI被按下时,NPN三极管Q4导通,PMOS管Q3的栅极G3变为低电平使PMOS管Q3导通,从而使后级输出端电源接口有电压,单片机通过使第二 I/O 口保持为高电平来保持PMOS管Q3导通,开关按键SI断开时,单片机通过连接于节点PE14的第一I/O口检测到低电平时,控制第二I/O口变为低电平,使通过电阻R7和二极管D2连接于节点PE15的NPN三极管Q4截止,从而使PMOS管Q3关断。当给前级输入端电源接口 I接电时,由于三极管Q4后面的信号节点PE14、PE15都接有下拉,所以,三极管Q4不导通,PMOS管Q3也关闭,作为直流车载电源输出端的后级输出端电源接口 6并没有立即有电输出。首次按下开关按键SI,过压保护芯片Ul的输出脚OUTFB引脚有电压,电阻R5—电阻R4—开关SI —二极管D3—电阻R7—三极管Q4组成的回路使得三极管Q4导通,从而拉低了 PMOS管Q3栅极G3电压,使得PMOS管Q3打开,可视为开机成功,作为直流车载电源输出端的后级输出端电源接口 6有电输出,同时,信号PE15所连接的单片机把信号PE15设置为高电平,保证了电路输出的连续性。再次按下开关按键SI,信号PE14所连接的单片机会检测到第一I/0 口的电平变化,并通过控制第二I/O口电平来控制信号节点PE15电平为低,当再次放开开关后,节点信号PE15控制三极管Q4截止,间接控制PMOS管Q3关闭,视为完成关机功能。
[0019]本实用新型实施例中,单片机电路52中的单片机可以采用任一具有信号处理能力的单片机MCU。
[0020]本实用新型实施例公开的多功能电源电路,包括前级输入端电源接口、前级反接保护电路、过流保护电路、过压保护电路、一键开关机电路、后级输出端电源接口,采用软硬结合设计控制,电路结构简单可靠,且成本低性能稳定,能及时开机关机、稳定汽车打火等情况下蓄电池大波动电压并有效地保护车载电子设备电源,延长了车载电子设备寿命,大大提升了车载电子设备运行的安全性和可靠性。
[0021]本实用新型结构简单,适应性强,可直接实现电源的防反接、防过压、防过流,主要用于依靠汽车蓄电池供电的车载用电设备的电源应用场所,有效、稳定、安全地保障车载设备。
[0022]本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程,是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成,所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中,该程序在执行时,可包括如上述各方法的实施例的流程。其中,所述的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory,ROM)或随机存储记忆体(Random AccessMemory,RAM)等。
[0023]本实用新型实施例装置中的模块或单元可以根据实际需要进行合并、划分和删减。
[0024]以上所揭露的仅为本实用新型较佳实施例而已,当然不能以此来限定本实用新型之权利范围,本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程,并依本实用新型权利要求所作的等同变化,仍属于实用新型所涵盖的范围。
【主权项】
1.一种多功能电源电路,其特征在于,包括:前级输入端电源接口、前级反接保护电路、过流保护电路、过压保护电路、一键开关机电路以及后级输出端电源接口,所述前级输入端电源接口包括用于接入蓄电池的前级输入端电源接口输入端、以及用于连接所述前级反接保护电路的前级输入端电源接口输出端,所述过流保护电路连接于所述前级反接保护电路和所述过压保护电路之间,所述过压保护电路包括用于连接所述过流保护电路的过压保护电路输入端、以及用于连接所述一键开关机电路的过压保护电路输出端,所述一键开关机电路由电压采样及开关控制电路和单片机电路组成,所述电压采样及开关控制电路连接于所述过压保护电路和所述单片机电路之间,所述电压采样及开关控制电路连接于所述单片机电路中单片机的I/o 口,所述一键开关机电路包括用于连接所述后级输出端电源接口的一键开关机电路输出端,所述后级输出端电源接口是一种用于连接车载用电设备的电输出接口。2.如权利要求1所述的多功能电源电路,其特征在于,所述前级输入端电源接口包括用于连接所述蓄电池的正极的正极接线端、用于连接所述蓄电池的负极的负极接线端。3.如权利要求2所述的多功能电源电路,其特征在于,所述前级反接保护电路由NMOS管Ql和电阻Rl构成,所述匪OS管Ql包括与电阻Rl相连接的栅极G1、与所述负极接线端相连接的漏极D1以及接地的源极31,当所述NMOS管Ql中栅极G1与源极S1之间的电压Vcs大于开启电压Vcsth、且所述Vcsth大于O时,所述NMOS管Ql导通;当所述前级输入端电源接口反相输入电压时,所述NMOS管Ql不导通。4.如权利要求1所述的多功能电源电路,其特征在于,所述过流保护电路包括保险丝座以及安装在所述保险丝座上的保险丝Fl,当输入电流大于限额电流时,所述保险丝Fl熔断。5.如权利要求1所述的多功能电源电路,其特征在于,所述过压保护电路包括过压保护芯片Ul、NMOS管Q2、用于分压的电阻R2、用于分压的电阻R3、滤波电容Cl、电容C2和滤波电容C3,所述电容Cl、所述电阻R2、所述过压保护芯片Ul的IN引脚、所述过压保护芯片Ul的SHDN引脚、以及所述匪OS管Q2的漏极D2并连接于所述限流保护电路,所述电阻R2以及所述电阻R3并连于所述过压保护芯片Ul的OVSET引脚,所述NMOS管Q2的栅极G2、以及所述电容C2并连于所述过压保护芯片Ul的GATE引脚,所述NMOS管Q2的源极S2、所述滤波电容C3、以及所述过压保护芯片Ul的OUTFB引脚并连接于所述一键开关机电路,所述电阻R3、所述电容C2、所述过压保护芯片Ul的GND引脚、以及所述滤波电容C3接地,所述过压保护芯片Ul内部电荷栗电压加到所述过压保护芯片Ul的GATE极时,所述WOS管Q2导通,所述分压电阻R2以及所述分压电阻R3大于限额电压时,所述过压保护芯片Ul的GATE极电压关闭,从而所述NMOS管Q2关闭。6.如权利要求1所述的多功能电源电路,其特征在于,所述电压采样及开关控制电路包括NPN三极管Q4、PMOS管Q3、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R4、电阻R8、二极管D1、二极管D2、二极管D3、以及开关按键SI,所述PMOS管Q3的源极&、所述电阻R5和所述电阻R4并连接于所述过压保护电路,所述电阻R5与所述PMOS管Q3的栅极G3并连接于所述电阻R6,所述PMOS管Q3的漏极D2连接所述后级输出端电源接口,所述开关按键SI与所述电阻R4相连接,所述开关按键S1、所述二极管D3以及所述二极管Dl并连于节点PE14,所述节点PE14连接于所述单片机电路中所述单片机的第一I/O口,所述NPN三极管Q4包括连接于所述电阻R6的集电极C、接地的发射机e以及连接于电阻R7的基极b,所述电阻R7和所述二极管D3并连于所述二极管D2,所述二极管D2与所述电阻R8并连接于节点PE15,所述节点PE15连接于所述单片机的第二I/O口,所述二极管Dl以及所述电阻R8接地,所述开关按键SI被按下后放开时,所述NPN三极管Q4导通,所述PMOS管Q3的栅极G3变为低电平使所述PMOS管Q3导通,从而使所述后级输出端电源接口有电压,所述单片机通过使第二 I/O 口保持为高电平来保持所述PMOS管Q3导通,所述开关按键SI再次被按下时,所述单片机通过连接于所述节点PE14的所述第一 I/O 口检测到低电平,控制所述第二I/O口变为低电平,所述开关按键SI再次被放开时,通过所述电阻R7和所述二极管D2连接于所述节点PE15的所述NPN三极管Q4截止,从而使所述PMOS管Q3关断。
【专利摘要】一种多功能电源电路,其可包括:前级输入端电源接口、前级反接保护电路、过流保护电路、过压保护电路、一键开关机电路以及后级输出端电源接口,前级输入端电源接口包括用于接入蓄电池的前级输入端电源接口输入端、以及用于连接前级反接保护电路的前级输入端电源接口输出端,过流保护电路连接于前级反接保护电路和过压保护电路之间,过压保护电路包括用于连接过流保护电路的过压保护电路输入端、以及用于连接一键开关机电路的过压保护电路输出端,一键开关机电路由电压采样及开关控制电路和单片机电路组成,一键开关机电路包括用于连接后级输出端电源接口的一键开关机电路输出端。
【IPC分类】H02J7/00, H02H3/20, H02H3/087, H02M3/156, H02H11/00
【公开号】CN205304310
【申请号】
【发明人】陈华, 邓林, 王泉, 谢明亮, 何启明
【申请人】银川奥特信息技术股份公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2015年12月29日
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