一种鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法
【专利摘要】本发明公开了一种鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法，将鼓槌石斛的种子播种于诱导培养基中诱导发芽，然后将鼓槌石斛小芽转先后移至继代培养基、生根培养基中继续培养，得到鼓槌石斛生根组培苗，即可移栽至大棚中进行炼苗。本发明的组织培养方法简便，步骤简单，操作方便，所得鼓槌石斛生根组培苗植株健壮，生长能力强，适于工厂化生产。
【专利说明】一种鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及植物快速繁殖方法，特别是一种鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方 法。
【背景技术】
[0002] 鼓植石斛（Dendrobium chrysotoxumLindl.)为兰科多年生附生草本。假鱗莖直 立、肉质，纺锤形或鼓槌状，具2-5节和多数圆钝的条棱，干后金黄色；叶顶生，革质，2-5枚， 长圆形，长l〇-19cm，宽2-4cm，先端急尖而钩转。总状花序由近顶端叶腋抽出，长达20cm，疏 生花5-8朵，花金黄色，具清香；唇瓣近肾状圆形，基部两侧多少具红色条纹，中央具深红色 晕斑，边缘波状，密被短绒毛，花期3-5月。鼓槌石斛原产我国云南南部至西南部，生于海拔 500-1600m，阳光充足的常绿阔叶林中树干上或疏林下岩石上。国外分布于印度东北部、缅 甸、泰国、老挺和越南。
[0003] 鼓槌石斛又名金弓石斛，以鲜茎或干茎入药，是我国民间习用药用石斛种类之一。 具有生津益胃、清热养阴等药效。又因观赏性佳，花期长，是著名的观花植物。由于兰科植 物种子在野外很难发芽，自然繁殖主要是靠分株繁殖，繁殖率低下，自然更新困难，随着社 会的发展，人民对美的追求以及长期以来药用的需求，造成野生资源的严重破坏，现野外已 经很少能见到美丽的鼓槌石斛。本发明采用现代生物技术，克隆鼓槌石斛，规模化生产种 苗，解决鼓槌石斛人工种植的种苗问题，为社会的发展以及鼓槌野生植物资源的保护做出 贝献。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的是提供一种鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法，直接取鼓槌石斛 的种子进行组织培养，有效缩短鼓槌石斛的培养周期，减小因多次继代培养造成的变异概 率，采用组织培养所得的鼓槌石斛组培苗，植株健壮，生长能力强，适于工厂化生产，以解决 鼓槌石斛人工种植的种苗问题。
[0005] 本发明提供的技术方案是：
[0006] -种鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法，包括以下步骤：
[0007] 步骤一、将预处理的鼓槌石斛种子播种于诱导培养基中，在温度为23_30°C，光照 强度为2000-25001UX，光照照时间为13-15h/d的条件下培养7-15天，得到鼓槌石斛小芽；
[0008] 步骤二、将鼓槌石斛小芽置于继代培养基中，培养30-60天，其中培养温度为 25-32°C，在光照强度为2000-26001ux照射13-15h/d，培养30-60天，获得鼓槌石斛组培分 化苗；
[0009] 步骤三、将鼓槌石斛组培分化苗移栽至生根培养基中，培养30-50天，然后移到自 然光下培养45-60天，得到鼓槌石斛生根组培苗；
[0010] 步骤四、将鼓槌石斛生根组培苗移栽至苗床上，培养30-40天，鼓槌石斛生根组培 苗生长稳定后即可移栽至大棚中。 toon] 优选的是，所述的鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法中，步骤一中所述鼓槌石 斛种子的预处理是将鼓槌种子置于75-80%的乙醇溶液中浸泡25-40秒，然后取质量分数 为〇. 1 %升汞溶液消毒10-30分钟，并置于无菌水下反复清洗。
[0012] 优选的是，所述的鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法中，步骤一中所述的诱导 培养基为：以MS-H为基本培养基，然后加入0. 5-3mg/L萘乙酸、I. 0-3. Omg/L吲哚乙酸、 0· 2-2. Omg/L噻苯隆、25-35g/L蔗糖及3-5g/L琼脂，并调整诱导培养基pH值为5. 5-6。
[0013] 优选的是，所述的鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法中，步骤二所述的继代培 养基为：以MS为基本培养基，加入0· 5-2mg/L玉米素、l-3mg/L6-苄氨基嘌呤、0· 5-2mg/L萘 乙酸、0. 5-3. Omg/L吲哚丁酸、0. 2-1. Omg/L噻苯隆、25-35g/L蔗糖及4-5g/L琼脂，并调整 继代培养基的pH值5. 7-6。其中，MS培养基是Murashige和Skoog于1962年为烟草细胞 培养设计的，其特点是无机盐和离子浓度较高，是较稳定的离子平衡溶液，它的硝酸盐含量 高，其养分的数量和比例合适，能满足植物细胞的营养和生理需要，因而适用范围比较广， 多数植物组织培养快速繁殖用它作为培养基的基本培养基。基于此，这种培养基就用他们 的名子来命名了。
[0014] 优选的是，所述的鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法中，步骤三中所述生根培 养基为：1/2MS为基本培养基，加入5-20 %香蕉、0. 1-2. Og/L吲哚丙酸、0. 2-3. Omg/L萘乙 酸、2-5%蔗糖及0. 2-0. 5%活性炭，并调整生根培养基的pH值为5. 6-6。
[0015] 优选的是，所述的鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法中，步骤三中所述鼓槌石 斛组培分化苗移栽至生根培养基中的培养条件为：温度25-32°C、光照强度2500-30001UX， 光照时间为13_15h/d。
[0016] 优选的是，所述的鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法中，步骤四所述苗床含有 基质，所述基质由以下重量份的组分组成：20-30树皮、10-20杂木、20-30蛭石及10-15珍 珠岩。
[0017] 优选的是，所述的鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法中，步骤四中所述将鼓槌 石斛生根组培苗移栽至苗床前，先将鼓槌石斛生根苗根部的培养基冲洗干净，晾干水汽后 再移栽至苗床上。
[0018] 本发明的有益效果是：本发明中鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法，种子诱导 的发芽率达96 %，经过继代培养后的成苗率95 %，转移至生根培养基中，鼓槌石斛的生根 率为90%，最后移入大棚炼苗的成活率为94%，大大提高了鼓槌石斛的组织培养效率。
[0019] 嫩芽和种子都可以作为组培的原始材料，石斛嫩芽是从外面的植株上取的部分材 料，由于一株石斛只有一个芽，用茎段也只能获得几个芽，每个芽采下来以后消毒灭菌，最 后获得的无菌材料大概只有40%左右，然后利用无菌材料才能继续增殖、诱导原球茎、扩 繁，要经过非常长的时间，一般需要经过10-20代才能获得足够多的材料，然而组培过程中 继代代数越长，成本升高，玻璃化变异加大，因此此时的材料已经没有很大的价值，随着继 代的增加，材料退化也是很严重的问题。本发明中使用鼓槌石斛的种子进行培养，种子发芽 到最后出苗所需时间远远短于嫩芽继代，几乎是嫩芽的零头，这在很大程度上节约了资金， 节约了能源，提高了竞争力，利用种子所需仅200多天可以出苗，而利用嫩芽做到出苗所需 的时间将是1000多天，因此从市场角度考虑也远远优于嫩芽诱导苗。相对嫩芽而言组织培 养而言，本发明的利用鼓槌石斛的种子作为组培材料成本低，推广容易，经济性好，技术先 进，并且具有很高的市场价值，让利种植，有利于扩大推广，对石斛资源的保护提供了新的 思路。
【具体实施方式】
[0020] 下面结合对本发明做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能 够据以实施。
[0021] 一种鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法，其特征在于，所述方法包括以下步 骤：
[0022] 步骤一、在鼓槌石斛种子发黄未开裂之前，取鼓槌石斛的硕果在流水下清洗干净， 然后利用75-80%的乙醇溶液浸泡25-45秒，接着0. 1 %的升汞溶液消毒10-30分钟，并置 于无菌水下反复清洗，得到预处理的鼓槌石斛种子；将预处理的鼓槌石斛种子播种于诱导 培养基中，其中所述诱导培养基为：以MS-H为基本培养基，然后加入0.5-3mg/L萘乙酸、 L 0-3. Omg/L吲哚乙酸、0· 2-2. Omg/L噻苯隆、25-35g/L蔗糖及3-5g/L琼脂，并调整诱导培 养基pH值为5. 5-6 ;在温度为23-30°C，光照强度为2000-25001UX，光照时间为10-15h/d的 条件下培养7-15天，得到鼓槌石斛小芽；培养基中萘乙酸为广谱型植物生长调节剂，能有 效促进细胞分裂与扩大，诱导形成不定根，增加座果；喷哚乙酸作为植物生长素，有利于促 进植物生长，噻苯隆是一种新型高效的细胞分裂素，能很好的促进鼓槌石斛的芽组织分化， 蔗糖为能源物质，为植物组织培养提供碳源和能源，还能很好的维持培养基内的低渗环境， 同时在一定程度上还能减少微生物的污染，提高鼓槌石斛的无菌环境质量；采用的诱导培 养基大大提高了鼓槌石斛的愈伤组织分化能力，使得鼓槌石斛小芽的出芽率高达92-98% ;
[0023] 步骤二、将鼓槌石斛小芽置于继代培养基中，所述继代培养基为：以MS为基本培 养基，加入〇· 5-2mg/L玉米素、l-3mg/L 6-苄氨基嘌呤、0· 5-2mg/L萘乙酸、0· 5-3. Omg/L吲 哚丁酸、〇. 2-1. Omg/L噻苯隆、25-35g/L蔗糖及4-5g/L琼脂，并调整继代培养基的pH值 5. 7-6 ;培养30-60天，其中培养温度为25-32°C，在光照强度为2000-26001ux照射10-15h/ d，培养30-60天，获得2-5cm左右高度整齐的鼓槌石斛组培分化苗；其中，培养基中玉米素 为天然的细胞分裂素，能有效促进愈伤组织发芽，促进鼓槌石斛小芽生长，6-苄氨基嘌呤有 效加快植物细胞生长，促进植物生长发育，诱导鼓槌石斛小芽的分化，促进侧芽萌发生长， 几种培养基原料组分发挥协同作用，提高鼓槌石斛小芽的生长速率，所得鼓槌石斛组培分 化苗的成苗率为92-95% ;
[0024] 步骤三、将鼓槌石斛组培分化苗移栽至生根培养基中，所述生根培养基为：1/2MS 为基本培养基，加入5-20 %香蕉、0. 1-2. Og/L吲哚丙酸、0. 2-3. Omg/L萘乙酸、2-5 %蔗 糖及0. 2-0. 5 %活性炭，并调整生根培养基的pH值为5. 6-6 ;在温度25-32 °C，光照强度 2500-30001uX，光照时间为13-15h/d条件下培养30-50天，然后移到自然光下照射培养 45-60天，得到具有3-4条根系的鼓槌石斛生根组培苗；其中，生根培养基中，在MS培养基 中加入打碎的香蕉，促进鼓槌石斛组培分化苗快速生根，为鼓槌石斛组培分化苗提供所需 营养物质，吲哚丙酸为植物生长刺激素，促进组培分化苗快速生根，活性炭的加入有助于吸 附一些有害的代谢物质，同时活性炭的加入使得生根培养基变黑，可模仿黑暗条件，有利于 组培分化苗的生根；鼓槌石斛组培分化苗生根后放在自然光下照射，为组培分化苗提供与 户外环境相似的培养环境，提高了鼓槌石斛组培分化苗在后期炼苗过程中的成活率。
[0025] 步骤四、将鼓槌石斛生根组培苗根部的培养基用清洗干净，晾干水汽，再将鼓槌石 斛生根组培苗移栽至苗床上，其中苗床上设置的基质为：20-30树皮、10-20杂木、20-30蛭 石及10-15珍珠岩，培养30-40天，鼓槌石斛生根组培苗生长稳定后即可移栽至大棚中，大 棚栽培时要适当遮阴，控制遮阴度为75%，间隔浇水，温度为28°C，超过28°C要水帘降温， 防止根腐病发生。
[0026] 实施例1
[0027] 步骤一、鼓槌石斛无菌材料获得方法：在鼓槌石斛种子发黄未开裂之前，取硕果， 在流水下清洗干净，利用75%乙醇浸泡30秒,升萊消毒15分钟,无菌水清洗5遍,在灭菌盘 内利用手术刀切开硕果，取出种子，播种于诱导培养基中，其中诱导培养基为：以MS-H为基 本培养基，然后加入0. 2mg/L萘乙酸、卩引哚乙酸2. Omg/L、噻苯隆0. 5mg/L、35g/L鹿糖及5g/ L琼脂，并调整诱导培养基pH值为5. 8,在培养温度为28°C，光照强度为20001ux，光照时间 为13h/d的条件下培养15天后可见鼓槌石斛小芽发出，获得鼓槌石斛小芽，种子发芽率为 96%。
[0028] 步骤二、将大量的鼓槌石斛小芽置于继代培养基中，所述继代培养基为：以MS为 基本培养基，加入I. 5mg/L玉米素、2mg/L 6-节氨基噪呤、I. 5mg/L萘乙酸、2. 5mg/L卩引哚丁 酸、0. 5mg/L噻苯隆、25g/L蔗糖及4g/L琼脂，并调整继代培养基的pH值5. 9 ;培养温度为 27°C，培养时间为13h/d，光照强度为26001ux，45天左右可获得2cm左右高度的整齐的鼓槌 石斛组培分化苗。分化苗的继代培养成苗率95%。
[0029] 步骤三、将鼓槌石斛组培分化苗移栽到生根培养基，其中生根培养基为：1/2MS为 基本培养基，加入15%香蕉、0. 8g/L吲哚丙酸、3. Omg/L萘乙酸、3%蔗糖及0. 5%活性炭，并 调整生根培养基的pH值为5. 9,在温度25°C，光照强度26001uX，光照时间为13-15h/d条件 下培养40天后，把鼓槌石斛组培分化苗移到自然光下照射培养，约60天后可得到具有3-4 条根的鼓槌石斛生根组培苗。鼓槌石斛生根率为90%。
[0030] 步骤四、将鼓槌石斛生根组培苗的完整植株，打开盖子，清洗掉组培苗根部的培养 基，晾干水汽，移栽到带基质的苗床上，其中苗床上设置的基质为：20g树皮、IOg杂木、25g 蛭石及IOg珍珠岩，待2个月后鼓槌石斛小苗生长稳定，长出新的根和芽就可移栽到种植大 棚中，大棚栽培时要适当遮阴，控制遮阴度为75%，间隔浇水，温度为28°C，超过28°C要水 帘降温，防止根腐病发生。炼苗成活率为94%。
[0031] 实施例2
[0032] 步骤一、在鼓槌石斛种子发黄未开裂之前，取硕果，在流水下清洗干净，利用80% 乙醇浸泡40秒，升汞消毒20分钟，无菌水清洗6遍，在灭菌盘内利用手术刀切开硕果，取出 种子，播种于诱导培养基中，培养温度为30°C，光照强度为23001UX，光照时间为14h/d，培 养15天后可见鼓槌石斛发出小芽，即可获得鼓槌石斛小芽；其中诱导培养基为：以MS-H为 基本培养基，然后加入2. Omg/L萘乙酸、2. Omg/L吲哚乙酸、I. Omg/L噻苯隆、25-35g/L蔗糖 及3-5g/L琼脂，并调整诱导培养基pH值为5. 9。种子发芽率为97%。
[0033] 步骤二、将鼓槌石斛小芽置于继代培养基中，所述继代培养基以MS为基本培养 基，加入I. 5mg/L玉米素、2mg/L 6-节氨基噪呤、I. 5mg/L萘乙酸、2. 0mg/L卩引哚丁酸、0· 5mg/ L噻苯隆、30g/L蔗糖及4. 5g/L琼脂，并调整继代培养基的pH值5. 9,培养温度为30°C，培 养时间为14h/d，光照强度为23001UX，42天左右可获得2cm左右高度的整齐的鼓槌石斛组 培分化苗。分化苗的继代培养成苗率92%。
[0034] 步骤三、鼓槌石斛组培分化苗移栽到生根培养基，培养温度为28°C，，光照强度 25001UX，光照时间为14h/d的条件下培养40天后，把鼓槌石斛组培分化苗移到自然光下培 养，约60天后可得到具有3-4条根的鼓槌石斛生根组培苗。其中生根培养基为：以1/2MS 为基本培养基，加入10%香蕉、I. 〇g/L吲哚丙酸、I. 5mg/L萘乙酸、5%蔗糖及0. 5%活性炭， 并调整生根培养基的pH值为5. 9。鼓槌石斛生根率为92%。
[0035] 步骤四、将鼓槌石斛生根组培苗的完整植株，打开盖子，清洗掉组培苗根部的培养 基，晾干水汽，移栽到带基质的苗床上，其中苗床上设置的基质为：25g树皮、IOg杂木、20g 蛭石及15g珍珠岩，待2个月后鼓槌石斛小苗生长稳定，长出新的根和芽就可移栽到种植大 棚中，大棚栽培时要适当遮阴，控制遮阴度为75%，间隔浇水，温度为28°C，超过28°C要水 帘降温，防止根腐病发生。炼苗成活率为99%。
[0036] 实施例3
[0037] 步骤一、在鼓槌石斛种子发黄未开裂之前，取硕果，在流水下清洗干净，利用80% 乙醇浸泡40秒，升汞消毒20分钟，无菌水清洗6遍，在灭菌盘内利用手术刀切开硕果，取出 种子，播种于诱导培养基中，培养温度为30°C，光照强度为25001ux，光照时间为14h/d，培 养15天后可见鼓槌石斛发出小芽，即可获得鼓槌石斛小芽；其中诱导培养基为：以MS-H为 基本培养基，然后加入I. 5mg/L萘乙酸、I. Omg/L卩引哚乙酸、I. 5mg/L噻苯隆、35g/L鹿糖及 3-5g/L琼脂，并调整诱导培养基pH值为5. 5-6。种子发芽率为98 %。
[0038] 步骤二、将鼓槌石斛小芽置于继代培养基中，所述继代培养基以MS为基本培养 基，加入2mg/L玉米素、I. 5mg/L 6-节氨基噪呤、I. 5mg/L萘乙酸、2. Omg/L卩引哚丁酸、I. 5mg/ L噻苯隆35g/L蔗糖及4g/L琼脂，并调整继代培养基的pH值6. 0,培养温度为30°C，培养时 间为14h/d，光照强度为26001ux，42天左右可获得2cm左右高度的整齐的鼓槌石斛组培分 化苗。分化苗的继代培养成苗率95%。
[0039] 步骤三、鼓槌石斛组培分化苗移栽到生根培养基，培养温度为28°C，光照强度 25001UX，光照时间为14h/d的条件下培养40天后，把鼓槌石斛组培分化苗移到自然光下培 养，约60天后可得到具有3-4条根的鼓槌石斛生根组培苗。其中生根培养基为：1/2MS为 基本培养基，加入15%香蕉、2. Og/L吲哚丙酸、1.5mg/L萘乙酸，3%蔗糖及0.3%活性炭，并 调整生根培养基的pH值为6. 0。鼓槌石斛生根率为92%。
[0040] 步骤四、将鼓槌石斛生根组培苗的完整植株，打开盖子，清洗掉组培苗根部的培养 基，晾干水汽，移栽到带基质的苗床上，其中苗床上设置的基质为：30g树皮、15g杂木、25g 蛭石及12g珍珠岩，待2个月后鼓槌石斛小苗生长稳定，长出新的根和芽就可移栽到种植大 棚中，大棚栽培时要适当遮阴，控制遮阴度为75%，间隔浇水，温度为28°C，超过28°C要水 帘降温，防止根腐病发生。炼苗成活率为98%。
[0041] 试验比较
[0042] (1)组1为本发明所述鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法，采用鼓槌石斛种子 作为组培材料；培养基分别为 ：
[0043] 诱导培养基以MS-H为基本培养基，加入0· 5-3mg/L萘乙酸、L 0-3. Omg/L吲哚乙 酸、0· 2-2. 0mg/L 噻苯隆、25-35g/L 蔗糖及 3-5g/L 琼脂；
[0044] 继代培养基为：以MS为基本培养基，加入0· 5-2mg/L玉米素、l-3mg/L 6-苄氨基 嘌呤、0· 5-2mg/L 萘乙酸、0· 5-3. Omg/L 吲哚丁酸、0· 2-1. Omg/L 噻苯隆、25-35g/L 蔗糖及 4-5g/L 琼脂；
[0045] 生根培养基为：1/21^为基本培养基，加入5-20%香蕉、0.1-2.(^/1吲哚丙酸、 0· 2-3. Omg/L萘乙酸、2-5%蔗糖及0· 2-0. 5%活性炭。
[0046] (2)组2为采用鼓槌石斛嫩芽作为组培材料，采用的培养基与组1相同；
[0047] (3)组3为采用鼓槌石斛种子作为组培材料，采用的培养基分别为：
[0048] 诱导培养基以MS-H为基本培养基，加入0· 5-3mg/L萘乙酸、L 0-3. Omg/L吲哚乙 酸、25-35g/L蔗糖及3-5g/L琼脂；
[0049] 继代培养基为：以MS为基本培养基，加入0. 5-2mg/L玉米素、l-3mg/L 6-苄氨基 嘌呤、0· 5-2mg/L萘乙酸、0· 5-3. Omg/L吲哚丁酸、25-35g/L蔗糖及4-5g/L琼脂；
[0050] 生根培养基为：1/21^为基本培养基，加入5-20%香蕉、0.1-2.(^/1吲哚丙酸、 0· 2-3. Omg/L萘乙酸、2-5%蔗糖及0· 2-0. 5%活性炭。
[0051] (4)组4为采用鼓槌石斛种子作为组培材料，采用的培养基分别为：
[0052] 诱导培养基以MS-H为基本培养基，加入0· 5-3mg/L萘乙酸、0· 2-2. Omg/L噻苯隆、 25-35g/L蔗糖及3-5g/L琼脂；
[0053] 继代培养基为：以MS为基本培养基，加入0· 5-2mg/L玉米素、l-3mg/L 6-苄氨基 嘌呤、0· 5-2mg/L萘乙酸、0· 2-1. Omg/L噻苯隆、25-35g/L蔗糖及4-5g/L琼脂；
[0054] 生根培养基为：1/2MS为基本培养基，加入5-20 %香蕉、0· 2-3. Omg/L萘乙酸、 2-5 %蔗糖及0. 2-0. 5 %活性炭。
[0055] (5)组5为采用鼓槌石斛种子作为组培材料，采用的培养基相较于组1分别为：
[0056] 诱导培养基以MS-H为基本培养基，加入L 0-3. Omg/L吲哚乙酸、0· 2-2. Omg/L噻苯 隆、25-35g/L蔗糖及3-5g/L琼脂；
[0057] 继代培养基为：以MS为基本培养基，加入0. 5-2mg/L玉米素、l-3mg/L 6-苄氨基 嘌呤、0· 5-3. Omg/L 吲哚丁酸、0· 2-1. Omg/L 噻苯隆、25-35g/L 蔗糖及 4-5g/L 琼脂；
[0058] 生根培养基为：1/21^为基本培养基，加入5-20%香蕉、0.1-2.(^/1吲哚丙酸、 2-5 %蔗糖及0. 2-0. 5 %活性炭。
[0059] (6)组6为采用鼓槌石斛种子作为组培材料，采用的培养基分别为：
[0060] 诱导培养基以MS-H为基本培养基，加入0. 5-3mg/L萘乙酸、I. 0-3. Omg/L吲哚乙 酸、0. 2-2. Omg/L噻苯隆、25-35g/L蔗糖及3-5g/L琼脂，并调整诱导培养基pH值为5. 5-6 ;
[0061] 继代培养基为：以MS为基本培养基，加入0.5-2mg/L萘乙酸、0.5-3. Omg/L吲哚丁 酸、0· 2-1. Omg/L噻苯隆、25-35g/L蔗糖及4-5g/L琼脂，并调整继代培养基的pH值5. 7-6 ;
[0062] 生根培养基为：1/2MS为基本培养基，加入0· 1-2. Og/L吲哚丙酸、0· 2-3. Omg/L萘 乙酸、2-5%蔗糖，并调整生根培养基的pH值为5. 6-6。
[0063] (7)组7为采用鼓槌石斛种子作为组培材料，采用的培养基分别为：
[0064] 诱导培养基以MS-H为基本培养基，加入25-35g/L蔗糖及3-5g/L琼脂；
[0065] 继代培养基为：以MS为基本培养基25-35g/L蔗糖及4-5g/L琼脂；
[0066] 生根培养基为：1/2MS为基本培养基，加入2-5%蔗糖及0. 2-0. 5%活性炭。
[0067] 得到结果如表1所示：
[0068]
【权利要求】
1. 一种鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 步骤一、将预处理的鼓槌石斛种子播种于诱导培养基中，在温度为23-30°C，光照强度 为2000-25001ux，光照时间为13-15h/d的条件下培养7-15天，得到鼓槌石斛小芽； 步骤二、将鼓槌石斛小芽置于继代培养基中，培养30-60天，其中培养温度为25-32°C， 在光照强度为2000-26001ux照射13-15h/d，培养30-60天，获得鼓槌石斛组培分化苗； 步骤三、将鼓槌石斛组培分化苗移栽至生根培养基中，培养30-50天，然后移到自然光 下培养45-60天，得到鼓槌石斛生根组培苗； 步骤四、将鼓槌石斛生根组培苗移栽至苗床上，培养30-40天，鼓槌石斛生根组培苗生 长稳定后即可移栽至大棚中。
2. 如权利要求1所述的鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法，其特征在于，所述步骤 一中鼓槌石斛种子的预处理是将鼓槌种子置于75-80%的乙醇溶液中浸泡25-40秒，然后 取质量分数为〇. 1 %升汞溶液消毒10-30分钟，并置于无菌水下反复清洗。
3. 如权利要求1所述的鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法，其特征在于，步骤一中 所述的诱导培养基为：以MS-H为基本培养基，然后加入0. 5-3mg/L萘乙酸、1. 0-3. Omg/L 吲哚乙酸、0. 2-2. Omg/L噻苯隆、25-35g/L蔗糖及3-5g/L琼脂，并调整诱导培养基pH值为 5. 5-6〇
4. 如权利要求1所述的鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法，其特征在于，步骤二所 述的继代培养基为：以MS为基本培养基，加入0. 5-2mg/L玉米素、l-3mg/L 6-苄氨基嘌呤、 0? 5-2mg/L 萘乙酸、0? 5-3. Omg/L 卩引哚丁酸、0? 2-1. Omg/L 噻苯隆、25-35g/L 鹿糖及 4-5g/L 琼脂，并调整继代培养基的pH值5. 7-6。
5. 如权利要求1所述的鼓槌石斛组织培养方法，其特征在于，步骤三中所述生根培养 基为：1/2MS为基本培养基，加入5-20%香蕉、0. 1-2. Og/L吲哚丙酸、0. 2-3. Omg/L萘乙酸、 2-5%蔗糖及0. 2-0. 5%活性炭，并调整生根培养基的pH值为5. 6-6。
6. 如权利要求1所述的鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法，其特征在于，步骤三 中所述鼓槌石斛组培分化苗移栽至生根培养基中的培养条件为：温度25-32°C、光照强度 2500-30001ux，光照时间为 13-15h/d。
7. 如权利要求1所述的鼓槌石斛组织培养方法，其特征在于，步骤四所述苗床含有基 质，所述基质由以下重量份的组分组成：20_30树皮、10-20杂木、20-30蛭石及10-15珍珠 山 ^ O
8. 如权利要求1所述的鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法，其特征在于，步骤四中 所述将鼓槌石斛生根组培苗移栽至苗床前，先将鼓槌石斛生根苗根部的培养基冲洗干净， 晾干水汽后再移栽至苗床上。
【文档编号】A01H4/00GK104322375SQ201410674752
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2014年11月21日 优先权日:2014年11月21日
【发明者】霍丽妮, 苏钛, 陈睿, 李培源, 苏炜, 吕金燕 申请人:广西中医药大学