一种整条埋干快速繁殖皇竹草的方法与流程

文档序号:11784002阅读:1591来源:国知局

本发明涉及植物扩繁技术领域,特别涉及一种整条埋干快速繁殖皇竹草的方法。



背景技术:

皇竹草(Ponnisetum hydridum)是一种多年生禾本科植物,由象草和非洲狼尾草杂交育成,属四碳植物,原产于哥伦比亚,因其叶长,茎似斑竹,又称竹草、甘蔗草、巨象草等,由于其产量高、品质优、消化率高而名列各种饲料用牧草之首,有牧草王之称,是草食畜禽的优质饲料。

皇竹草属无性繁殖植物,在南方亚热带地区不能开花结果,无法进行有性繁殖,并且皇竹草用草籽育苗的出苗率很低,生长速度缓慢,不能在南方亚热带地区进行快速繁殖。



技术实现要素:

为了解决现有技术的问题,本发明实施例提供了一种整条埋干快速繁殖皇竹草的方法。所述技术方案如下:

一种整条埋干快速繁殖皇竹草的方法,包括:

选择成熟的皇竹草植株作为种茎;

选择疏松的壤土为育苗地,并在所述育苗地布置苗床;

将所述种茎预处理后整条直接铺到所述苗床;

所述苗床设置拱棚并覆盖塑料薄膜,进行保温育苗;

幼苗长出后,将所述种茎挖出并分株截断,进行大田移栽。

可选地,该种茎为7-8月龄的成熟皇竹草植株。

可选地,该种茎要求粗细均匀,于打霜前砍下并打捆保存。

可选地,该育苗地要求光照条件良好,壤土疏松,每亩育苗地施发酵彻底的农家肥4-5t,复合肥10-15kg。

可选地,该苗床的宽度1.4-1.6m。

可选地,种茎预处理为,将该种茎上包裹腋芽的叶片撕掉,然后进行消毒处理,再用80-120ppm的艾比蒂生根粉浸条1-2h。

可选地,保温育苗的温度为18-30℃。

可选地,幼苗的长出日期为20-30天。

可选地,该幼苗高30cm。

可选地,该幼苗粗2-3cm。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:

1)具有出苗率高,移栽简便,成活率高和操作简便等优点,显著提高了皇竹草种苗的生根率和成活率。

2)省去了砍节等操作环节,可有效保留种茎的养分和水分流失,极大地降低了工人的劳动强度,可显著提高种茎的利用率。

3)可实现皇竹草在南方亚热带地区的快速繁殖,对南方草场的建设和养殖业的发展具有良好的现实意义。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的整条埋干快速繁殖皇竹草的方法流程图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

本发明实施例提供了一种整条埋干快速繁殖皇竹草的方法,参见图1,方法流程包括:

S100:选择成熟的皇竹草植株作为种茎。

具体地,所选择的种茎为7-8月龄的茎秆粗壮、无病虫害的成熟皇竹草植株,种茎要求粗细均匀,于打霜前砍下,打捆保存。

S200:选择疏松的壤土为育苗地,并在所述育苗地布置苗床。

具体地,所选择的育苗地要求光照条件良好,壤土疏松,每亩育苗地施发酵彻底的农家肥4-5t,复合肥10-15kg。布置苗床前,应将育苗地深耕25-30cm,使地表土细而疏松,土面平整。每个苗床的宽度为1.4-1.6m,长度不限,苗床之间开挖排水沟,排水沟要求宽40cm,深30cm,长度不限,确保苗床排水通畅。

S300:将所述种茎预处理后整条直接铺到所述苗床。

具体地,先将种茎上包裹腋芽的叶片撕掉,然后进行消毒处理,再用80-120ppm的艾比蒂(ABT)生根粉浸条1-2h,促进皇竹草生根,发芽。种茎预处理后整条直接铺到苗床,每根种茎距离间隔4-6cm,并在种茎上覆盖细土,细土厚度2-4cm。平时要及时浇足清水保墒。

S400:所述苗床设置拱棚并覆盖塑料薄膜,进行保温育苗。

具体地,苗床设置拱棚并覆盖塑料薄膜,塑料薄膜用竹片加紧支撑,进行保温育苗,棚内温度为18-30℃。平时3-5天洒水一次,保持土壤湿度,并打药防虫,适时除草、追肥,7-8天后开始出苗。

S500:幼苗长出后,将所述种茎挖出并分株截断,进行大田移栽。

具体地,经过20-30天的培育,选取高30cm且粗2-3cm的幼苗下的种茎,将种茎挖出并分株一节一芽地截断,进行大田移栽(60×60cm),种茎的发芽率在95%以上。

综上所述,本发明实施例提供的一种整条埋干快速繁殖皇竹草的方法,具有出苗率高,移栽简便,成活率高和操作简便等优点,显著提高了皇竹草种苗的生根率和成活率;可实现皇竹草在南方亚热带地区的快速繁殖,对南方草场的建设和养殖业的发展具有良好的现实意义。

以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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