本发明涉农业种植
技术领域：
，特别涉及一种大棚苦瓜种植方法。
背景技术：
：苦瓜是一种一年生攀援状柔弱草本植物。苦瓜广泛栽培于世界热带到温带地区。苦瓜果味甘苦，主作蔬菜，也可糖渍；成熟果肉和假种皮也可食用；根、藤及果实入药，有清热解毒的功效但是苦瓜对生长的环境要求非常的严格特别是苦瓜喜湿而怕雨涝，在生长期间要求有70-80%的土壤相对湿度。如遇较长时间的阴雨连绵天气，或暴雨成灾排水不良时，植株生长不良，极易发生沤根死苗和感病烂瓜。技术实现要素：本发明基于现有的苦瓜种植技术中苦瓜对相对湿度的要求，提出了一种大棚苦瓜种植方法，极大节省了劳动力，降低了苦瓜种植成本，提高了苦瓜成活率，增强了种植苦瓜的效益，使苦瓜的抗病性和抗虫害能力增强，达到高产优质的目的。为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：一种大棚苦瓜种植方法，其特征在于：所述的种植方法包括以下步骤：（1）浸种催芽：先将种子倒入35-45℃的恒温水瓶中边倒边搅拌，使种子受热均匀后将降低水温至30℃，恒温浸泡7-8小时，然后用蒸馏水反复淘洗3-5遍，将种子表面的粘液污物洗去，沥干水分，用纱布或毛巾包好，放于恒温箱中，得到萌芽种子；（2）营养钵育苗：首先将装好营养土的营养钵排放在大棚内的苗床上，再浇足底水，待水渗透后，撒上一薄层0.5-1cm风干后的营养土，然后将步骤（1）中萌芽的种子播入钵内，每钵播一粒，播后覆盖营养土2cm，最后用塑料薄膜盖严，提高床温，使其维持在25-30℃；出苗后略通风降温，保持在20-25℃，晴天气温在20℃以上，可揭开薄膜，接受自然光照，夜间再盖上，7天后转移到大棚内定植；（3）加湿：在大棚内放入自动控制的加湿器，使大棚内湿度控制在75%；（4）施基肥和作畦：播前深翻15厘米使土壤疏松，结合翻地铺施土杂肥每亩100—200Kg、过磷酸钙75—80Kg，钾肥10—14Kg。整地后作畦，畦宽1.2—1.3m，每畦移栽两行苦瓜，穴距40cm，每穴移栽1株，每亩3500—4000墩；（5）搭架：苦瓜甩蔓后搭架，将第一穗花以下的杈子全部抹掉，主蔓爬到架顶时摘心，侧枝座荚后摘心。作为优选的，步骤（1）中所述恒温箱温度设定为32℃。作为优选的，步骤（1）中用水加营养液均混合匀喷洒在所述纱布或毛巾表面，湿度控制为50%。作为优选的，步骤（2）中所述在定植前3天，揭开薄膜炼苗，提高幼苗耐寒能力。作为优选的，步骤（5）中所述搭架的架子材料为不锈钢，所述搭架高度为1.3米。综上所述，本发明由于采用了上述方案，本发明具有以下优点：本发明提出的一种大棚苦瓜种植方法，结合苦瓜的生长习性，通过恒温育苗，并在大棚内保持固定的湿度75%，提高了种植苦瓜的效益，使苦瓜的抗病性和抗虫害能力增强，达到高产优质的目的，具有较大的推广价值。具体实施方式下面结合实施例对本发明一种大棚苦瓜种植方法，作进一步说明。实施例1：种植方法包括以下步骤：（1）浸种催芽：先将种子慢慢倒入40℃的恒温水瓶中边倒边搅拌，使种子受热均匀，再降低水温至30℃时，恒温浸泡7小时，充分吸足水分，然后用蒸馏水反复淘洗几遍，将种子表面的粘液污物洗去，沥干水分，用纱布或毛巾包好，用水加营养液均混合匀喷洒在所述纱布或毛巾表面，湿度控制为50%，放于恒温箱中，使种子环境温度保持在32℃，3天后，种子萌发白芽时便可播种；（2）营养钵育苗：首先将装好营养土的营养钵排放在大棚内的苗床上，再浇足底水，待水渗下后，撒上一薄层0.5-1厘米干的营养土，然后将萌芽的种子播入钵内，每钵播一粒，播后覆盖营养土2厘米，最后用塑料薄膜盖严，提高床温，使其能维持在30℃，出苗后略通风降温，保持在25℃，当晴天气温在20℃以上，可揭开薄膜，接受自然光照，夜间再盖上，定植前3天，揭开薄膜炼苗，提高幼苗的耐寒能力，育苗期间若营养土干燥时，在晴天中午适当浇水，以满足幼苗对水分的需要；（3）在大棚内放入自动控制的加湿器，使大棚内湿度控制在75%；（4）在大棚内整地施基肥和作畦：播前深翻15厘米使土壤疏松，结合翻地铺施土杂肥每亩200Kg、过磷酸钙80Kg，钾肥14Kg。整地后作畦，畦宽1.2m，每畦移栽两行苦瓜，穴距40cm，每穴移栽1株，每亩4000墩；（5）搭架：苦瓜甩蔓后插架，搭架的架子材料为不锈钢，所述架子高度为1.3米，将第一穗花以下的杈子全部抹掉，主蔓爬到架顶时摘心，后期的侧枝座荚后也要摘心，主蔓摘心促进侧枝生长，抹杈和侧枝摘心促进苦瓜生长。通过本发明种植方式与现有技术种植方式，存活数量、健康植株、产量相对比，如表1所示。表1种植方法存活数量比例健康植株数量比例产量每亩普通种植60%40%500斤本种植方法95%85%800斤综上对比可看出，本发明一种圣女果的种植方法经过验证，其效果明确显著，可明显改善圣女果成活率，提高了产量和质量。以上所述仅为发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。当前第1页1 2 3