本发明涉及中药栽培领域，尤其涉及一种掌叶覆盆子的硬枝扦插栽培方法。
背景技术：
：掌叶覆盆子为蔷薇科多年生落叶亚灌木，喜温，不耐炎热，不耐寒冷，喜阳光，喜湿，不耐干旱，适宜生长在微酸性土壤上。植株高1.5～3m，茎直立，枝条细长，幼枝绿色，有白粉，有少数微弯倒刺。花期4～5月，果期6～7月。掌叶覆盆子的营养价值丰富，是重要的药用植物和保健食品。其繁殖方法包括根蘖繁殖、扦插繁殖、压条繁殖、种子繁殖等，其中扦插繁殖具有简单易行、繁殖速度快、能保持植物母本遗传性状等优点。现有的覆盆子产业种植过程中存在扦插难以生根、规模化种植程度降低以及产量不高等现象。技术实现要素：本发明所要解决的技术问题是提供一种提高了掌叶覆盆子产量的掌叶覆盆子的硬枝扦插栽培方法。本发明是通过以下技术方案解决上述技术问题的：掌叶覆盆子的硬枝扦插栽培方法，包括以下步骤：a、插条采集与处理：11月至12月间选取掌叶覆盆子的一年至两年生枝条，将每根枝条截成15～20cm，在湿沙中贮藏越冬，次年2月至3月间取出沙藏的枝条，将枝条的基部放入浓度为100mg/l的abt1号生根粉溶液中浸泡8h，然后用清水冲净，再用10％～15％的硫酸铵溶液浸泡枝条5～10min；b、育苗床的准备：育苗床的底部设排水口，育苗床内采用珍珠岩、煤渣和腐殖土作为栽培基质，在栽培基质上覆盖地膜，地膜上对应扦插位置开孔，育苗床的上方设遮阳棚，棚内设有喷雾装置，扦插前对育苗床及棚内环境进行消毒；c、枝条扦插：将步骤a所得的枝条从步骤b所得的育苗床中地膜的孔处插到栽培基质中，扦插之后立即浇水，扦插初期将栽培基质的含水量保持在60％～70％，枝条生根后减少浇水，将栽培基质的含水量保持在40％～50％，扦插期间每4～6d喷洒一次50％的复方多菌灵500倍液，每隔15～20d喷洒一次5mg/l的磷酸二氢钾溶液；d、移栽：将种植地的土地深翻，施基肥，进行土壤消毒，在11月至次年3月间将枝条从育苗床中移到种植地中定植，定植后将土踩实，浇透水，7～10d后浇第二次水；e、搭设支架：在种植地中搭设支架，将定植后的掌叶覆盆子的一至两年生枝条绑在支架上；f、修剪整形：春季及时修剪掌叶覆盆子植株上过密的枝条和发生病虫害的枝条，每株掌叶覆盆子保留7～8根健壮的枝条，采果后剪除第二年生枝条；g、田间管理：每年3月至4月间、5月至6月间和10月至11月间各进行一次中耕除草，每年结合中耕除草进行三次追肥，干旱时浇水保持土壤湿润，雨季时及时排除积水。作为优化的技术方案，步骤a中将枝条在湿沙中贮藏的方法为：首先挖出宽1.5～2m、深1～1.5m的沟，然后将枝条每20～40根扎为一捆放入沟中，在枝条与枝条以及捆与捆的空隙间充满湿沙，最后在枝条上方覆盖厚度为20～30cm的湿沙后填土拍实，填土厚度≥50cm，所述湿沙的含水量为50％～60％。作为优化的技术方案，步骤b中栽培基质的体积比为30％～35％的珍珠岩、20％～25％的煤渣和40％～50％的腐殖土。作为优化的技术方案，步骤c中枝条的扦插深度为6～10cm，株距为5～10cm，行距为10～20cm。作为优化的技术方案，步骤c还包括通过调节喷雾装置的喷雾量将扦插初期棚内的空气相对湿度保持在80％～90％，枝条生根后减少喷雾，将棚内的空气相对湿度保持在60％～70％。作为优化的技术方案，步骤c中当栽培基质的温度超过28℃时，揭除地膜，打开遮阳棚的两头进行通风。作为优化的技术方案，步骤d中所述基肥包括重量比为97.5％～98％的腐熟农家肥、0.4％～0.6％的尿素、0.7％～0.9％的过磷酸钙、0.6％～0.8％的硫酸钾和0.3％～0.5％的硫酸镁，施肥量为2000～3000kg/亩。作为优化的技术方案，步骤d中的定植方法为：首先挖宽30～40cm、深30～40cm的种植坑，然后按行距2～3m、株距0.6～0.8m定植。作为优化的技术方案，步骤g中每次追肥所施的肥包括重量比为50％～55％的尿素、30％～35％的硫酸钾、5％～10％的硼砂、5％～10％的硫酸锌，施肥量为20～25kg/亩。作为优化的技术方案，掌叶覆盆子的主要病害为茎腐病，每年春季和冬季各对掌叶覆盆子全株喷洒一次4～5波美度的石硫合剂及15％的三唑酮400倍液，从掌叶覆盆子发芽到初花期每隔10～15d对掌叶覆盆子全株喷洒一次甲基托布津500倍液或福美双500倍液。本发明的优点在于：提高了掌叶覆盆子枝条扦插的生根率，合理施肥和防治病虫害，提高了掌叶覆盆子果实的产量，有利于掌叶覆盆子的规模化种植。具体实施方式掌叶覆盆子的硬枝扦插栽培方法，包括以下步骤：a、插条采集与处理：11月至12月间选取掌叶覆盆子的一年生枝条，将每根枝条截成15～20cm，包含3～4个芽位，枝条下端距芽位1～2cm，上端距芽位3～4cm。挖出宽1.5～2m、深1～1.5m的沟，将枝条每20～40根扎为一捆放入沟中，在枝条与枝条以及捆与捆的空隙间充满湿沙，在枝条上方覆盖厚度为20～30cm的湿沙后填土拍实，填土厚度≥50cm，所述湿沙的含水量为50％～60％，枝条在湿沙中贮藏越冬，防止冬季被冻伤。次年2月至3月间气温回升到15℃左右时，取出沙藏的枝条，将枝条的基部放入浓度为100mg/l的abt1号生根粉溶液中浸泡8h，然后用清水冲净，再用10％～15％的硫酸铵溶液浸泡枝条5～10min进行消毒，防治病虫害。下表1为采用不同试剂、不同浓度及不同处理时间的处理方法对掌叶覆盆子枝条扦插生根率的影响，经试验，在100mg/l的abt1号生根粉溶液中浸泡8h后掌叶覆盆子枝条扦插生根率可达86％。表1采用不同处理方法对掌叶覆盆子枝条扦插生根率的影响b、育苗床的准备：在地势平坦处用砖砌成长15～20m，宽5～8m，高40～60cm的长方形育苗床，育苗床的底部设有均匀分布的排水口，育苗床内采用体积比为30％～35％的珍珠岩、20％～25％的煤渣和40％～50％的腐殖土作为栽培基质，在栽培基质上覆盖地膜用于保温，地膜上对应扦插位置开孔，育苗床的上方设遮阳棚，棚内设有喷雾装置，扦插前喷洒0.1％～0.2％的高锰酸钾溶液对育苗床及棚内环境进行消毒，防治病虫害。下表2为采用不同栽培基质对掌叶覆盆子枝条扦插生根率的影响，经试验，采用珍珠岩、煤渣和腐殖土的混合基质掌叶覆盆子枝条扦插生根率较高，三者体积比为30％～35％的珍珠岩、20％～25％的煤渣和40％～50％的腐殖土时掌叶覆盆子枝条扦插生根率可达75％。表2采用不同栽培基质对掌叶覆盆子枝条扦插生根率的影响c、枝条扦插：将步骤a所得的枝条从步骤b所得的育苗床中地膜的孔处插到栽培基质中，顶芽眼向上，扦插深度为6～10cm，株距为5～10cm，行距为10～20cm。扦插之后立即浇水，扦插初期将栽培基质的含水量保持在60％～70％，枝条生根后减少浇水，将栽培基质的含水量保持在40％～50％，栽培基质适当干燥促进根系老化。下表3为扦插初期栽培基质中不同含水量对掌叶覆盆子枝条扦插生根率的影响，经试验，栽培基质的含水量保持在65％时，掌叶覆盆子枝条扦插生根率可达79％。表3扦插初期不同含水量的栽培基质对掌叶覆盆子枝条扦插生根率的影响栽培基质含水量生根率45％62％60％77％65％79％70％78％85％65％通过调节喷雾装置的喷雾量将扦插初期棚内的空气相对湿度保持在80％～90％，枝条生根后减少喷雾，将棚内的空气相对湿度保持在60％～70％，保持适当的空气相对湿度有利于掌叶覆盆子扦插苗的生长。扦插期间栽培基质的温度以15～20℃为宜，当栽培基质的温度超过28℃时，揭除地膜，打开遮阳棚的两头进行通风，防止温度过高使扦插苗受伤。扦插期间每4～6d喷洒一次50％的复方多菌灵500倍液，进行消毒，防治病虫害；每隔15～20d喷洒一次5mg/l的磷酸二氢钾溶液，进行叶面施肥，以促进新根生长。d、移栽：选取ph值在5～7，土壤疏松肥沃，排水良好的10°～20°缓坡作为种植地。将种植地的土地深翻30～40cm，施基肥，所述基肥包括占重量比为97.5％～98％的有机肥、0.4％～0.6％的尿素、0.7％～0.9％的过磷酸钙、0.6％～0.8％的硫酸钾和0.3％～0.5％的硫酸镁，施肥量为2000～3000kg/亩，采用0.4％～0.6％的高锰酸钾溶液或50％的复方多菌灵500倍液对土壤进行消毒。在扦插当年的11月至次年3月间将根系健壮的枝条从育苗床中移到种植地中，挖宽30～40cm、深30～40cm的种植坑，按行距2～3m、株距0.6～0.8m定植，定植后将土踩实，浇透水，7～10d后浇第二次水。e、搭设支架：在种植地中搭设支架，将定植后的掌叶覆盆子的一至两年生枝条绑在支架上，掌叶覆盆子枝条柔软，容易下垂或倒伏，影响果实的产量和质量，采用支架支撑枝条，可以保持良好的通风透光性。f、修剪整形：春季及时修剪掌叶覆盆子植株上过密的枝条和发生病虫害的枝条，每株掌叶覆盆子保留7～8根健壮的枝条，采果后剪除第二年生枝条，保持枝条的合理密度，有利于高产和稳产。g、田间管理：每年3月至4月间、5月至6月间和10月至11月间各进行一次中耕除草。每年结合中耕除草进行三次追肥，每次追肥所施的肥包括占重量比为50％～55％的尿素、30％～35％的硫酸钾、5％～10％的硼砂、5％～10％的硫酸锌，施肥量为20～25kg/亩，以提高果实产量以及促成果实膨大。干旱时浇水保持土壤湿润，雨季时及时排除积水，防止落花落果。h、病虫害防治：掌叶覆盆子的主要病害为茎腐病，每年春季掌叶覆盆子发芽前和冬季埋土防寒前各对掌叶覆盆子全株喷洒一次4～5波美度的石硫合剂及15％的三唑酮400倍液，从发芽到初花期每隔10～15d对掌叶覆盆子全株喷洒一次甲基托布津500倍液或福美双500倍液，以防治茎腐病。以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。当前第1页12