对馈通进行激光焊接的制作方法

文档序号:12282331阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种将绝缘体联接到可植入医疗装置中的周围套圈的方法,包括:

提供绝缘体,多个传导元件延伸通过所述绝缘体;

将所述绝缘体与所述传导元件一起放置在具有框状形状的套圈内,所述套圈沿着界面围绕所述绝缘体;

用第一激光器将所述绝缘体加热直至使所述绝缘体的温度上升至第一温度水平;以及

一旦所述绝缘体已经达到所述第一温度,则用第二激光器沿着所述界面将所述套圈焊接到所述绝缘体。

2.如权利要求1所述的方法,还包括在所述第二激光器将所述绝缘体焊接到所述套圈的同时用所述第一激光器将所述绝缘体保持在所述第一温度。

3.如权利要求1所述的方法,其中,所述第一激光器被控制成扫描所述绝缘体的整个表面。

4.如权利要求1所述的方法,其中,所述传导元件被设置在所述绝缘体中,使得它们不延伸超过所述绝缘体的表面,使得所述第一激光器能够在没有来自所述传导元件的干扰的情况下扫描所述绝缘体的整个表面。

5.如权利要求1所述的方法,其中,在没有铜焊部的情况下提供所述绝缘体,使得所述第一激光器能够在不使任何铜焊部熔化的情况下扫描所述绝缘体的整个表面。

6.如权利要求1所述的方法,其中,所述第一激光器是构造成扫描所述绝缘体并使其温度上升到1300至1600摄氏度的范围内的CO2激光器。

7.如权利要求1所述的方法,其中,所述第一激光器被控制成使所述绝缘体的温度以每秒100-150摄氏度的速率从室温斜坡上升至1300和1600摄氏度之间。

8.如权利要求1所述的方法,其中,所述第一激光器被控制成使所述绝缘体的温度以每秒100-150摄氏度的速率斜坡下降直至温度达到300摄氏度。

9.如权利要求1所述的方法,其中,套圈设置有锥形的内边缘,其中,所述绝缘体具有也是锥形的外边缘,以与所述套圈的内边缘匹配。

10.一种用于医疗可植入装置的馈通,包括:

套圈,所述套圈包括构造成被焊接到所述可植入装置的罩壳的金属;

绝缘体,所述绝缘体基本上被所述套圈围绕并与之共享界面,所述绝缘体包括玻璃或陶瓷材料;

传导元件,所述传导元件被形成为通过所述绝缘体,从而提供通过所述绝缘体的导电路径;

其特征在于,在所述套圈和所述绝缘体之间的界面处不存在铜焊部或锡焊部,并且在所述传导元件附近不存在铜焊部或锡焊部。

11.如权利要求10所述的馈通,其中,所述套圈包括包含铌、钛、钛合金、钼、钴、锆、铬和铂的组中的一个,所述绝缘体包括氧化铝且所述传导元件包括金属陶瓷。

12.如权利要求10所述的馈通,其中,所述套圈构造有锥形的内边缘,并且所述绝缘体构造有锥形的外边缘,以与所述套圈的内边缘匹配。

13.如权利要求12所述的馈通,其中,所述套圈和所述绝缘体的各自边缘的锥形相对于垂直于所述馈通的顶面行进的线以5至15度的角成锥形。

14.如权利要求10所述的馈通,其中,沿着所述界面的所述套圈和所述绝缘体之间的距离不大于25微米。

15.一种在可植入医疗装置中焊接绝缘体的方法,包括:

提供绝缘体,多个传导元件延伸通过所述绝缘体;

将所述绝缘体与所述传导元件一起放置在金属罩壳内,所述罩壳在界面处围绕所述绝缘体;

用第一激光器将所述绝缘体加热直至使所述绝缘体的温度上升至第一温度水平;以及

一旦所述绝缘体已经达到所述第一温度,则用第二激光器将所述罩壳焊接到所述绝缘体。

16.如权利要求15所述的方法,还包括在所述第二激光器将所述绝缘体焊接到所述罩壳的同时用所述第一激光器将所述绝缘体保持在所述第一温度。

17.如权利要求15所述的方法,其中,所述第一激光器被控制成扫描所述绝缘体的整个表面。

18.如权利要求15所述的方法,其中,所述传导元件被设置在所述绝缘体中,使得它们不延伸超过所述绝缘体的表面,使得所述第一激光器能够在没有来自所述传导元件的干扰的情况下扫描所述绝缘体的整个表面。

19.如权利要求15所述的方法,其中,在没有铜焊部的情况下提供所述绝缘体,使得所述第一激光器能够在不使任何铜焊部熔化的情况下扫描所述绝缘体的整个表面。

20.一种用于医疗可植入装置的馈通,包括:

绝缘体,所述绝缘体基本上被所述可植入装置的罩壳中的开口围绕并与之共享界面,所述绝缘体包括玻璃或陶瓷材料;

传导元件,所述传导元件被形成为通过所述绝缘体,从而提供通过所述绝缘体的导电路径;

其特征在于,在所述绝缘体和所述罩壳之间的界面处不存在金属套圈,并且所述罩壳被直接焊接到所述绝缘体。

21.如权利要求20所述的馈通,其中,所述罩壳的开口构造有锥形的内边缘,并且所述绝缘体构造有锥形的外边缘,以与所述罩壳的内边缘匹配。

22.如权利要求21所述的馈通,其中,所述罩壳和所述绝缘体的各自边缘的锥形相对于垂直于所述馈通的顶面行进的线以5至15度的角成锥形。

23.如权利要求20所述的馈通,其中,沿着所述界面的所述罩壳和所述绝缘体之间的距离不大于25微米。

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