1.一种陡脉冲电场肿瘤治疗装置，所述陡脉冲电场肿瘤治疗装置包括壳体和安装在所述壳体内的脉冲发生电路，其特征在于，所述脉冲发生电路包括：
用于输出控制信号的控制模块；
与所述控制模块连接，用于与所述控制信号匹配的输入模块；
与所述输入模块连接，用于输出驱动电压信号的驱动模块；
用于输出直流高压电源的直流高压电源模块；
信号输入端与所述驱动模块连接，电源输入端与所述直流高压电源连接，用于在收到所述驱动电压信号后输出高频脉冲电流的脉冲形成模块。
2.根据权利要求1所述的陡脉冲电场肿瘤治疗装置，其特征在于，所述输入模块包括第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3，所述第二电阻R2的一端与所述第一电阻R1的一端共接所述输入模块的信号输入端，所述第一电阻R1的另一端与所述第三电阻R3的一端共接所述输入模块的信号输出端，所述第三电阻R3的另一端与所述输入模块的信号输入端共接地。
3.根据权利要求1所述的陡脉冲电场肿瘤治疗装置，其特征在于，所述脉冲形成模块包括MOSFET管Q1、第四电阻R4、第五电阻R5和第一电容C1，所述第四电阻R4的一端与所述直流高压电源模块的输出端连接，所述第四电阻R4的另一端与所述MOSFET管Q1的漏极共接所述第一电容C1的一端，所述第一电容C1的另一端与所述第五电阻R5的一端共接所述脉冲形成模块的输出端，所述第五电阻R5的另一端与所述MOSFET管Q1的源极共接地，所述MOSFET管Q1的栅极为所述脉冲形成模块的信号输入端。
4.根据权利要求3所述的陡脉冲电场肿瘤治疗装置，其特征在于，所述MOSFET管Q1的耐压值为2500V，所述MOSFET管Q1 的漏极电流ID最大值为5A。
5.根据权利要求4所述的陡脉冲电场肿瘤治疗装置，其特征在于，所述直流高压电源模块的型号为PS350。
6.根据权利要求5所述的陡脉冲电场肿瘤治疗装置，其特征在于，所述第一电容C1的电容为1-10μF。
7.根据权利要求1所述的陡脉冲电场肿瘤治疗装置，其特征在于，所述控制模块为单片机。