一种消除按压伪影的平板探测器及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及医疗器械领域，特别是涉及一种平板探测器及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 在X射线平板探测器行业，普遍存在这样一种不良现象：当平板探测器上面放置 待测物品时，如图1，整个探测器包括探测器电路部分5'，位于该探测器电路部分5'上的 金属支撑件6'，放置于所述金属支撑件6'上的TFT玻璃基板4'，位于所述TFT玻璃基板 4'上的闪烁体层3'以及位于所述闪烁体层3'上的碳板2'。当放置待测物体1'于碳 板上时，由于受到外力的压迫（如在探测器上放置被测物体或者患者与探测器有接触时）； 探测器图采集offset暗场图像时，就出现了与未放置待测物体不一样的假影像，如图2b所 示，俗称按压伪影。从图像上上选取了 1000X1000像素点的灰度值进行了评估，数据如表 1所示
[0003]
【主权项】
1. 一种消除按压伪影的平板探测器，其特征在于，所述平板探测器至少包括： 位于金属支撑件上具有上表面和下表面的TFT玻璃基板； 形成于该TFT玻璃基板上表面的闪烁体层； 形成于所述闪烁体层上用于放置待测物体的碳板； 以及形成于所述TFT玻璃基板下表面的导电屏蔽层。
2. 根据权利要求1所述的消除按压伪影的平板探测器，其特征在于，所述导电屏蔽层 的厚度为几纳米到几十微米。
3. 根据权利要求1所述的消除按压伪影的平板探测器，其特征在于，所述导电屏蔽层 为位于所述TFT玻璃基板下表面的通过粘结层与TFT玻璃基板粘紧的金属支撑件。
4. 一种权利要求1至3任意一项所述的平板探测器制备方法，其特征在于：该方法至 少包括以下步骤： 提供一位于金属支撑件上具有上表面和下表面的TFT玻璃基板； 在所述TFT玻璃基板上表面形成闪烁体层； 在所述闪烁体层上设置用于放置待测物体的碳板； 在所述TFT玻璃基板的下表面形成导电屏蔽层。
5. 根据权利要求4所述的平板探测器制备方法，其特征在于：所述导电屏蔽层的形成 方法如下：使用真空镀膜的方式在所述玻璃基板下表面直接镀上厚度为几纳米到几十微米 的导电膜层。
6. 根据权利要求5所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述导电膜层的材料 包括A1、(：11、48、411、不锈钢或者11'0导电膜。
7. 根据权利要求5所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述真空镀膜方式包 括热蒸发、磁控溅射、电子枪或PECVD。
8. 根据权利要求4所述的平板探测器制备方法，其特征在于：所述导电屏蔽层的形成 方法如下：在厚度为几纳米到几十微米的金属箔上面涂布粘结剂，然后把金属箔粘结到所 述TFT玻璃基板的下表面。
9. 根据权利要求8所述的平板探测器制备方法，其特征在于：所述粘结剂为压敏胶或 者光敏胶。
10. 根据权利要求4所述的平板探测器制备方法，其特征在于：所述导电屏蔽层的形成 方法如下：在所述TFT玻璃基板下表面涂覆金属浆料，然后经过干燥、凝固、成膜工序，形成 厚度为几纳米到几十微米的金属膜层。
11. 根据权利要求4所述的平板探测器制备方法，其特征在于：所述导电屏蔽层的形成 方法如下：把金属支撑件上涂布一层粘合剂，直接把TFT玻璃基板下表面粘合到金属支撑 件上，此时金属支撑件即作为导电屏蔽层。
【专利摘要】本发明提供一种消除按压伪影的平板探测器及其制备方法，该平板探测器包括：位于金属支撑件上具有上表面和下表面的TFT玻璃基板；形成于该TFT玻璃基板上表面的闪烁体层；形成于所述闪烁体层上用于放置待测物体的碳板；以及形成于所述TFT玻璃基板下表面的导电屏蔽层。本发明通过在X射线平板探测器的关键部件TFT玻璃基板的背面增加一层导电屏蔽层，有效的减缓了探测器在使用时应受外力引起的按压伪影，探测器在结构没有较大变化的情况下得出较高的图像质量。
【IPC分类】A61B6-00
【公开号】CN104873215
【申请号】CN201510274031
【发明人】程丙勋, 周作兴, 王杰杰
【申请人】上海奕瑞光电子科技有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年5月26日