续地照射光的模式的连续照射模式驱动光源 部80。
[0036] 光源部外壳71例如由树脂材料形成。光源部外壳71相对于本体外壳20可以连接和 分离。光源部外壳71具有用以容纳光源部单元70的元件的内部空间。
[0037]配光透镜72例如由聚甲基丙烯酸甲酯树脂形成。配光透镜72例如具有截锥形状。 配光透镜72连接至光源部外壳71的开口部。
[0038] 光源部80配置在光源部外壳71内。光源部80连接至光源部外壳71。此外，光源部80 电气连接至控制部50。光源部80响应于从控制部50接收到的输出执行信号SA而输出光。此 外，光源部80响应于从控制部50接收到的输出停止信号SB而停止光的输出。从光源部80照 射的光是经由配光透镜72从体毛用光照射装置1输出的。使从体毛用光照射装置1输出的光 (以下称为"输出光"）照射至生物体。
[0039]脉冲生成部60配置在本体外壳20内。脉冲生成部60电气连接至控制部50。响应于 从控制部50接收到的输出改变信号SD，脉冲生成部60对输入至光源部80的输出执行信号SA 进行脉冲调制。输出执行信号SA的脉冲调制使光源部80所输出的光的频率改变。
[0040] 控制部50配置在本体外壳20内。控制部50根据操作信号ST、时间设置信号SM和改 变请求信号SC来控制光源部单元70的操作。
[0041] 控制部50在接收到操作信号ST的情况下，将输出执行信号SA或输出停止信号SB输 出至光源部。控制部50进行输出执行信号SA和输出停止信号SB的交替输出。输出执行信号 SA包括用于从光源部80输出光的信息。输出停止信号SB包括用于停止来自光源部80的光的 输出的信息。
[0042] 在开始来自光源部80的光的输出之后，控制部50测量光源部80照射光的时间。在 所测量到的时间达到根据时间设置信号SM所设置的指定时间的情况下，控制部50将输出停 止信号SB输出至光源部80。
[0043]控制部50在接收到改变请求信号SC的情况下，将输出改变信号SD输出至脉冲生成 部。输出改变信号SD包括与改变请求信号SC中所包括的输出频率TL的信息相对应的脉冲调 制信息。该脉冲调制信息对输出执行信号SA进行脉冲调制并且改变从光源部80输出的光的 频率。这样，光源部80根据控制部50的指示信号(输出执行信号SA、输出停止信号SB或输出 改变信号SD)输出光。
[0044]图2是示出光源部单元70的一个示例的截面图。
[0045] 光源部单元70包括光源部外壳71、配光透镜72和光源部80。另外，光源部单元70还 包括印刷电路板73、导电图案74、抗蚀剂75和导电组件76。
[0046]印刷电路板73配置在光源部外壳71内。印刷电路板73连接至光源部外壳71。印刷 电路板73例如通过利用苯酚浸渍纸张的树脂形成。导电图案74形成在印刷电路板73上。抗 蚀剂75形成在导电图案74上。抗蚀剂75使导电图案74的一部分露出。导电组件76具有例如 布线的形式。导电组件76连接至导电图案74。
[0047] 光源部80例如具有LED灯的形式。光源部80包括多个元件。光源部80的元件包括 LED芯片81、反射器82和密封材料83。
[0048] LED芯片81具有表面安装型。LED芯片81安装在印刷电路板73上。LED芯片81经由导 电组件76连接至图案7LLED芯片81被密封材料83覆盖。
[0049]反射器82配置在抗蚀剂75上。反射器82连接至抗蚀剂75。反射器82例如利用金属 材料、树脂材料或具有高反射率的材料形成。具有高反射率的材料的一个示例是陶瓷。反射 器82使从LED芯片81照射的光向配光透镜72反射。
[0050] 密封材料83配置在由反射器82的反射面定义的空间中。密封材料83例如利用硅树 月旨、环氧树脂或具有高透过率的树脂材料形成。具有高透过率的树脂材料利用包含玻璃的 基材或者通过使光分散剂混入玻璃基材料中来形成。
[0051] 现在将参考图3的(a)~(c)来说明体毛用光照射装置1的输出光。控制部50利用光 源部80的输出来控制体毛用光照射装置1的输出光的光谱。
[0052] 在图3的（a)~（c)中，点划线表示水的吸光光谱。该吸光光谱将11OOnm~1800nm的 波长范围中的吸光度表示为相对于峰吸光度(基准吸光度)的相对值。
[0053]在图3的(a)~(c)中，实线表示体毛用光照射装置1的输出光的光谱（以下称为"输 出光谱"）。该输出光谱将IlOOnm~1800nm的波长范围中的强度表示为相对于峰强度(基准 强度)的相对值。
[0054] 在图3的(a)~3(c)中，吸光光谱中的基准吸光度和输出光谱中的基准强度各自被 设置为"1"，并且这两个光谱是以彼此存在重叠的方式示出的。各图中的输出光谱与使用吸 光光谱作为基准光谱的相对光谱相对应。
[0055] 在图3的(a)~（c)中，吸光光谱和输出光谱被示出为在标准温度环境下所获得的 光谱。标准温度环境例如是大气温度是室温的情形。
[0056]现在将说明水的吸光光谱。
[0057] 吸光光谱表示从约1150nm起具有有意义的大小的吸光度。在1150nm~1370nm的波 长范围中，随着波长变长，吸光光谱的吸光度略微增加。在1370nm~1540nm的范围中，吸光 光谱具有吸光峰区域。也就是说，在IlOOnm~1800nm的波长范围中存在表示最大吸光度的 吸光峰。吸光峰区域的短波长侧的基部部分存在于作为与吸光峰相比更短的波长的约 1370nm处。短波长侧的基部部分具有凸状拐点。吸光峰区域的长波长侧的基部部分存在于 作为与吸光峰相比更长的波长的约1540nm处。长波长侧的基部部分具有凹状拐点。吸光峰 存在于1450nm处。吸光峰区域在1495nm处具有凸状拐点，并且在约1540nm处具有凹状拐点。 吸光光谱在1750nm~1800nm的波长范围中具有另一峰区域。
[0058]现在将说明输出光谱。
[0059] 图3的(a)示出在LED芯片81的温度（以下称为"光源温度"）属于基准温度区域的情 况下的输出光谱（以下称为"基准输出光谱"）。图3的（b)示出在光源温度属于比基准温度区 域高的第一温度区域的情况下的输出光谱。图3的（c)示出在光源温度属于比第一温度区域 高的第二温度区域的情况下的输出光谱。基准温度与在标准温度环境下LED芯片81充分散 热的情况下的光源温度相对应。
[0060] 基准输出光谱在1200nm~1600nm的波长范围中包括有意义的成分。基准输出光谱 在1200nm~1600nm的波长范围以外不包括有意义的成分。有意义的成分是可能会影响毛发 生长作用的促进的成分。
[0061] 基准输出光谱具有在1200nm~1600nm的波长范围中包含示出最大强度的输出光 峰的主要峰区域。基准输出光谱在1200nm~1600nm的波长范围中不包括除主要峰区域以外 的有意义的峰区域。也就是说，基准输出光谱在1200nm~1600nm的波长范围中包括单个峰 区域。有意义的峰区域是可能会影响毛发生长作用的促进的峰区域(光谱）。
[0062] 主要峰区域例如在与吸光峰的波长实质一致的1450nm处具有输出光峰。主要峰区 域的短波长侧的基部部分存在于作为与输出光峰相比更短的波长的约1200nm处。此外，主 要峰区域的长波长侧的基部部分存在于作为与输出光峰相比更长的波长的约1600nm处。主 要峰区域可以在除1450nm以外的波长处具有输出光峰。主要峰区域中的输出光峰的优选范 围例如可以是1350nm~1550nm的波长范围。
[0063]在一个示例中，主要峰区域在1330nm~1360nm的波长范围中具有凸状拐点。主要 峰区域在1370nm~1390nm的波长范围中具有凹状拐点。主要峰区域在1390nm~HlOnm的波 长范围中具有凸状拐点。主要峰区域在HlOnm~1420nm的波长范围中具有凹状拐点。主要 峰区域在1420nm~1430nm的波长范围中具有凸状拐点。主要峰区域在1430nm~1440nm的波 长范围中具有凹状拐点。主要峰区域在1450nm~1600nm的波长范围中无明确的拐点。主要 峰区域的顶点(输出光峰)处