一种催眠装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电子电路应用技术，特别涉及一种催眠装置。
【背景技术】
[0002]失眠是一个经常困扰人们的难题，使用药物来治疗具有明显的副作用。研究发现，利用单调的节拍声可以有效地催眠。为此，市场上出现了一些催眠装置，其电子节拍发生器存在结构复杂，价格较高的问题，其实用性有所欠缺。此外，现有催眠装置使用电池供电，也导致成本上升。
【实用新型内容】
[0003]有鉴于此，本实用新型的目的在于一种结构简单、价格低廉的催眠装置。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型提供一种催眠装置，包括节拍发生器、电源适配器及耳机，电源适配器将交流输入转换为直流输出，耳机可插入节拍发生器的耳机接口来使得节拍发生器的高低电源端子对应接通电源适配器的高低直流输出端子，所述节拍发生器包括单结N沟道晶体管T1、NPN型三极管T2，单结N沟道晶体管T1的第一个基极通过电阻R1接低电位端子，单结N沟道晶体管T1的第二个基极通过电阻R3接高电位端子，单结N沟道晶体管T1的发射极与低电位端子之间接入电容C1，单结N沟道晶体管T1的发射极与高电位端子之间接入电阻R2，NPN型三极管T2的基极通过电阻R4与单结N沟道晶体管T1的第一个基极连接，NPN型三极管T2的集电极通过电阻R5接于高电位端子，NPN型三极管T2的发射极接于低电位端子。
[0005]其中，单结N沟道晶体管T1的第一个基极与电阻R2之间接入电位器RW，该电位器RW的动触头与电位器RW的一个定接线连接。
[0006]与现有技术相比，本实用新型的催眠装置以单结N沟道晶体管T1、NPN型三极管T2为主体来构建节拍发生器，单结N沟道晶体管T1产生的信号脉冲由NPN型三极管T2放大后经耳机输出，电路可以发出低沉的节拍声，由此可以实现对人的催眠。该催眠装置配置有电源适配器，其通过将市电交流电转换为直流电供电，可以减少更换电池的成本。上述的催眠装置结构简单、成本较低，具有较好的应用前景。
【附图说明】
[0007]图1为本实用新型催眠装置的电路图；
[0008]图2为图1中一种电源适配器的电路图。
【具体实施方式】
[0009]为了使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。
[0010]参见图1，为本实用新型催眠装置的电路图。该催眠装置包括节拍发生器100、电源适配器200及耳机(图未示出)，电源适配器200将交流输入(220V)转换为直流输出(3?5V)，耳机可插入节拍发生器的耳机接口 P来使得节拍发生器100的高低电源端子对应接通电源适配器200的高低直流输出端子，即不接耳机时电路没电不工作，插入耳机时电路自动接通。该节拍发生器100包括单结N沟道晶体管T1 (选型为BT33)、NPN型三极管T2 (选型为3DG6)，单结N沟道晶体管T1的第一个基极通过电阻R1接低电位端子，单结N沟道晶体管T1的第二个基极通过电阻R3接高电位端子，单结N沟道晶体管T1的发射极与低电位端子之间接入电容C1，单结N沟道晶体管T1的发射极与高电位端子之间接入串联的电阻R2及电位器RW，NPN型三极管T2的基极通过电阻R4与单结N沟道晶体管T1的第一个基极连接，NPN型三极管T2的集电极通过电阻R5接于高电位端子，NPN型三极管T2的发射极接于低电位端子。
[0011]该节拍发生器100电路中，单结N沟道晶体管T1产生的信号脉冲由NPN型三极管T2放大后经耳机输出，这样发出低沉的节拍声，由此可以实现对人的催眠。特别地，在单结N沟道晶体管T1的第一个基极与电阻R2之间接入电位器RW，该电位器RW的动触头与电位器RW的一个定接线连接；调节该电位器RW可以改变脉冲频率(两节拍可间隔1?3秒)，以适应不同人的要求。
[0012]本实用新型施例的催眠装置配置有电源适配器200，其通过将市电交流电转换为直流电供电，可以减少更换电池的成本。电源适配器200可以有不同结构形式，以下结合图2对一种较优的电源适配器的电路进行详细说明。
[0013]参见图2，为图1中一种电源适配器的电路图。该包括电源适配器200主要包括整流电路210和滤波电路220，其中:整流电路210用于给输入交流电Ui(220V)进行整流处理，优选地采用全波桥式整流电路BR1，其由四个二极管构成，设计简单实用，可以很好地满足客户的整流需求；滤波电路220用于给整流处理后的电流进行滤波处理，其包括二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、电容C2、电容C3以及电容C4，二极管D3的阳极与整流电路的输出连接，二极管D3的阴极与二极管D6的阴极连接，电容C2的一端与二极管D3的阴极连接，电容C2的另一端分别与二极管D5的阳极和二极管D4的阴极连接，二极管D5的阴极与二极管D6的阳极连接，电容C3的一端与二极管D4的阳极连接，电容C3的另一端与二极管D6的阳极连接，二极管D6的阴极还与直流输出端Uo连接。
[0014]如图2所示，该电源适配器的工作原理及工作工程是:转换时电容C2和电容C3串联进行储能，使得电容C2和电容C3为小电容即可完成原来使用大电容实现的交流-直流的转换，降低了电源适配器的实现成本，同时降低了整个电路的功率因数。当整流处理后的电压大于电容C2和电容C3的电压和时，整流处理后的电流依次经二极管D3、电容C2、二极管D5以及电容C3到地给电容C2和电容C3充电，二极管D4和二极管D6截止。这里电容C2和电容C3使用相等电容值的电容，这两个电容可以充电到(Uo/2) = (Ui峰值/2)。这时整流处理后的电压小于等于电容C2和电容C3的电压和，即Vbrl变化到小于等于(Ui峰值/2)，二极管D3截止，VBR1不再给直流输出端供电，这时二极管D5截止，二极管D4和二极管D6导通。通过电容C2、二极管D4和电容C3、二极管D6给直流输出端放电，也就是通过电容C2和电容C3对负载回路供电。这时直流输出端(即Uo)的电压变化就不会和Ubrl一样具有波峰和波谷，而是平滑变化的波峰，由此起到波形斩波的效果。同时当Ubrl变化到小于等于(Ui峰值/2)，Ubrl不对直流输出端供电，即在电压变化为波谷时，输入电流也减小至0，所以电压和电流变化一致性比一般用大电解电容的电路的一致性要好，所以本实施例电源适配器的电源输入功率因数也会提高。
[0015]在图2中，电源适配器还包括滤波电容C4，滤波电容C4的一端与直流输出端Uo连接，滤波电容C4的另一端接地。通过滤波电解电容C4的滤波使得直流输出端输出的电压更加平滑，更好的满足用户直流供电的需求。此外，该电源适配器还包括用于指示电源适配器的工作状态的发光二极管D1，发光二极管D1的阴极接地，发光二极管D1的阳极通过电阻R7与直流输出端Ui连接。进一步地，该电源适配器还包括用于保护发光二极管D1的稳压二极管D2，稳压二极管D2的阳极接地，稳压二极管D2的阴极通过电阻R6分别与直流输出端和发光二极管D1的阳极连接。当本实施例的电源适配器给直流输出端供电时，发光二极管D1这时会被点亮以指示本电源适配器处于工作状态。而稳压二极管D2则可以保证发光二极管D1两端的工作电压不会过大而将发光二极管D1损坏。
[0016]上述实施例所述催眠装置以单结N沟道晶体管T1、NPN型三极管T2为主体来构建节拍发生器，单结N沟道晶体管T1产生的信号脉冲由NPN型三极管T2放大后经耳机输出，电路可以发出低沉的节拍声，由此可以实现对人的催眠。该催眠装置配置有电源适配器，其通过将市电交流电转换为直流电供电，可以减少更换电池的成本。上述的催眠装置结构简单、成本较低，具有较好的应用前景。
[0017]本实用新型虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本实用新型，任何本领域技术人员在不脱离本实用新型的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本实用新型的保护范围应当以本实用新型权利要求所界定的范围为准。
【主权项】
1.一种催眠装置，其特征在于，包括节拍发生器、电源适配器及耳机，电源适配器将交流输入转换为直流输出，耳机可插入节拍发生器的耳机接口来使得节拍发生器的高低电源端子对应接通电源适配器的高低直流输出端子，所述节拍发生器包括单结N沟道晶体管Tl、NPN型三极管T2，单结N沟道晶体管T1的第一个基极通过电阻R1接低电位端子，单结N沟道晶体管T1的第二个基极通过电阻R3接高电位端子，单结N沟道晶体管T1的发射极与低电位端子之间接入电容C1，单结N沟道晶体管T1的发射极与高电位端子之间接入电阻R2，NPN型三极管T2的基极通过电阻R4与单结N沟道晶体管T1的第一个基极连接，NPN型三极管T2的集电极通过电阻R5接于高电位端子，NPN型三极管T2的发射极接于低电位端子。2.如权利要求1所述的催眠装置，其特征在于，单结N沟道晶体管T1的第一个基极与电阻R2之间接入电位器RW，该电位器RW的动触头与电位器RW的一个定接线连接。
【专利摘要】本实用新型公开一种催眠装置，包括节拍发生器、电源适配器及耳机，电源适配器将交流输入转换为直流输出，耳机可插入节拍发生器的耳机接口来使得节拍发生器的高低电源端子对应接通电源适配器的高低直流输出端子，所述节拍发生器包括单结N沟道晶体管T1、NPN型三极管T2，T1的第一个基极通过电阻R1接低电位端子，T1的第二个基极通过电阻R3接高电位端子，T1的发射极与低电位端子之间接入电容C1，T1的发射极与高电位端子之间接入电阻R2，T2的基极通过电阻R4与T1的第一个基极连接，T2的集电极通过电阻R5接于高电位端子，T2的发射极接于低电位端子。本实用新型节拍发生器可以发出低沉的节拍声，由此可以实现对人的催眠。
【IPC分类】A61M21/02
【公开号】CN204951899
【申请号】CN201520704359
【发明人】周磊
【申请人】衢州市沃思电子技术有限公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年9月11日