专利名称：清洗晶背的方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造工艺，具体地说，涉及一种清洗晶背的方法。
技术背景在半导体制造工艺中，晶圓可以重复使用，所以晶圆的晶背上很容易沾上 一些污染物，晶背上的污染物可能为制程中的有机化合物(化学制剂残留)，也 可能为金属污染物，如铝，铜等，仅釆用水是不能将污染物清洗掉。然而，如果这些污染物不能被有效清洗干净，当晶圆进入膝光制程的曝光 机中时，晶背上的污染物会被吸附在晶圆托盘上(曝光机晶圆托盘为真空吸附 托盘)从而污染晶圆托盘。这样，在其他晶圆进入曝光机时，晶圆托盘上的污 染物突起会影响晶圆在曝光过程中的表面平整度量测，从而导致晶圆的部分区 域聚焦偏离，影响晶圓质量和良率。发明内容本发明的目的在于提供 一 种清洗晶背的方法，利用该方法可以将晶背表面 的污染物清洗干净。为实现上述目的，本发明提供一种清洗晶背的方法，其中，该方法包括如下步骤a.喷洒强氧化剂至晶背表面，将晶背上的污染物变成可溶于水的化合 物；b.喷洒水至晶背表面以彻底清洗晶背的污染物。所述强氧化剂为硝酸和氢氟酸的混合溶剂。所述晶背上的污染物为有机化合物。所述晶背上的污染物为金属污染物。与现有技术相比，本发明首先采用强氧化剂将晶背上的污染物变成可溶于 水的化合物，再喷洒水将晶背表面的污染物彻底地清洗干净。
具体实施方式
本发明清洗晶背的方法可以在晶圓进入曝光制程前将晶背表面的污染物清 洗干净。晶背上的污染物可能为制程中的有机化合物(化学制剂残留)，也可能 为金属污染物，如铝，铜等。本发明的方法具体包括如下步骤将晶圆放在专用清洗设备的托盘上，晶 背向上，该托盘可以旋转，专用清洗设备上具有一个喷头，喷头将清洗溶液喷 洒在晶背表面。首先喷洒硝酸和氢氟酸的混合溶剂至旋转的晶背表面，晶背上 的有机化合物和金属污染物在强氧化剂的作用下会变成可溶于水的溶剂，然后 再喷洒水至旋转的晶背表面，彻底清洗晶背表面。在本发明实施例中，喷洒强氧化剂清除金属污染物时是强氧化剂中的硝酸 与金属物质(铜，铝)反应生成硝酸铜及硝酸铝，从而再通过喷洒水彻底清洗。
权利要求
1. 一种清洗晶背的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤a.喷洒强氧化剂至晶背表面，将晶背上的污染物变成可溶于水的化合物；b.喷洒水至晶背表面以彻底清洗晶背的污染物。
2、 如权利要求1所述的清洗晶背的方法，其特征在于所述强氧化剂为硝酸和 氢氟酸的混合溶剂。
3、 如权利要求1所述的清洗晶背的方法，其特征在于所述晶背上的污染物为 有机化合物。
4、 如权利要求l所述的清洗晶背的方法，其特征在于所述晶背上的污染物为 金属污染物。
全文摘要
本发明提供一种清洗晶背的方法，其中，该方法包括如下步骤a.喷洒强氧化剂至晶背表面，将晶背上的污染物变成可溶于水的化合物；b.喷洒水至晶背表面以彻底清洗晶背的污染物。所述强氧化剂为硝酸和氢氟酸的混合溶剂。所述晶背上的污染物为有机化合物。所述晶背上的污染物为金属污染物。与现有技术相比，本发明首先采用强氧化剂将晶背上的污染物变成可溶于水的化合物，再通过喷洒水将晶背表面的污染物彻底地清洗干净。
文档编号B08B3/08GK101209449SQ20061014808
公开日2008年7月2日 申请日期2006年12月27日 优先权日2006年12月27日
发明者杨晓松, 田晓丹, 鹏 程 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司