用于制造四边形单元的方法

文档序号:2354414阅读:136来源:国知局
专利名称:用于制造四边形单元的方法
技术领域
本发明涉及一种用于制造四边形单元件的方法,更具体地,涉及一种使用刀具框从具有较大尺寸的四边形基材中切割出一种或多种具有较小尺寸的四边形单元件来制造四边形单元件的方法,该刀具框中安装有多个刀具。
背景技术
在各种领域中,已经采用了用于切割具有较大尺寸的四边形基材来制造具有较小尺寸的多个四边形单元件的技术。例如,可以使用其内安装有多个刀具的刀具框来反复切割具有预定宽度和较长长度的基材片材,以通过一次切割过程同时制造出多个四边形单元件。可以对切割出的四边形单元件执行检查过程,以确认是否有任何四边形单元件存在缺陷。在该检查过程中被发现存在缺陷的四边形单元件被归类为残次品。如果发现有大量的四边形单元件存在缺陷,则材料损失会很严重。所切割出的四边形单元件的缺陷主要源自于四边形基材(也称为基础结构片材)。通常,可以通过对预定材料进行挤出和拉伸加工来制造出基础结构片材。该基础结构片材非常长,因此基础结构片材被缠绕在辊子上,以便在挤出过程中、在拉伸过程中以及随后的切割过程中容易受到操控。在所述拉伸过程中,在基础结构片材的两个相反端固定到预定的拉伸装置的同时,该基础结构片材被拉伸,结果,该基础结构片材的端部区域可能存在缺陷。在所述缠绕过程中,该基础结构片材的与辊子固定的端部区域可能存在缺陷。而且,如果辊子本身具有划痕,则在辊子旋转期间,与该辊子接触的基础结构片材上可能产生周期性缺陷(periodic defects)。在从具有这种缺陷的基础结构片材切割出四边形单元件的情形中,存在缺陷的四边形单元件可能被丢弃,因此,制造成本可能增加。为了解决上述问题,已知存在有与能够减少四边形单元件的缺陷的、用于制造四边形单元件的设备有关的技术。作为这种技术的一个实例,已知存在如下一种技术该技术用于使用检查单元来确认沿纵向方向剖切的四边形单元件是否存在缺陷,当检查到四边形单元件存在缺陷时, 把存在缺陷的四边形单元件转送到切割单元,以切割并去除该四边形单元件的存在缺陷的部分。然而,在该技术中,产生了大量的废料(scrap)。当多个四边形单元件被连续布置时, 过程的连续性严重下降。而且,当从基材同时切割出具有各种尺寸的四边形单元件和/或如下文所述的那样以预定倾角从基材上切割出四边形单元件时,实际的适用性可能相当困难。具体地,基材的尺寸(宽度)是规定好的,然而由于各种因素,例如基材供应商的局限性、制造过程的效率以及四边形单元件的需求变化,四边形单元件的尺寸可能根据需要而不同。在此情形中,当基于该基材的尺寸来切割出多个所期望的四边形单元件时,取决于以何种结构来构造所述刀具框,即,以何种结构来布置用于从基材上切割出四边形单元件的刀具,切割效率大大不同。低的切割效率增加了从基材产生的废料的量,在切割过程之后这种废料将被丢弃,结果,最终提高了四边形单元件的制造成本。当基材的尺寸(宽度和长度)与特定的四边形单元件的尺寸(横向长度和纵向长度)具有整数比例关系时,在具有这种整数比例关系的位置处,能够通过顺序布置四边形单元件使得这些四边形单元件彼此接触来使切割损失率最小。然而,当没有形成这种整数比例关系时,切割损失率可能根据这些四边形单元件的排列结构而变化。此外,当要相对于基材的纵向方向成预定角度地切割出四边形单元件时,不可避免地产生了大量废料。图1示意了将四边形单元件以预定倾角布置在假想框架上的过程的一个实例。具体地,图1示意了在与从基材上切割出四边形单元件的切割框架相对应的假想四边形坐标系中定位具有较小尺寸的四边形单元件以设定刀具在切割框架中的布置结构的过程。参考图1,四边形单元件20在切割框架的假想四边形坐标系10中以45度的角度倾斜。四边形单元件20在假想四边形坐标系10中无交迭地布置的情形的数目可以很大。 例如,可以规定第一四边形单元件20的位置,然后可以设定第二四边形单元件21的位置。 可以对包括第三四边形单元件22在内的多个四边形单元件反复执行该同一过程。通常,优选将四边形单元件20、21和22布置成使得四边形单元件20、21和22彼此相邻,以制造具有高切割率(或者低的切割损失率)的切割框架。例如,第一四边形单元件20可以定位成使得第一四边形单元件20的两个顶点接触该假想四边形坐标系10的外周。在此状态下,可以将第二四边形单元件21定位在使得该第二四边形单元件21与第一四边形单元件20的一条边相接触的各种位置。以同样的方式,在定位了第二四边形单元件21 之后,可以将第三四边形单元件22定位在使得该第三四边形单元件22与第一四边形单元件20和/或第二四边形单元件21的一条边相接触的各种位置。对于在四边形单元件20、 21和22包含在假想四边形坐标系10内的条件下的最大数目的四边形单元件20、21和22 反复执行这个过程。虽然通过以上过程获得了具有最大切割率的排列结构,然而,当切割四边形基材以生产实际的产品时,由于四边形基材本身的缺陷,可能会得到多个存在缺陷的四边形单元件。因此,非常需要一种与制造四边形单元件的方法有关的技术,该方法能够有效地计算出可以制造优质产品的情形的数目,以在连续大规模生产过程中降低产品的残次率, 并且,即使在以预定倾角从基材上切割出四边形单元件时,也能够有效降低产品的残次率, 由此防止浪费并降低四边形单元件的制造成本。

发明内容
因此,已经作出了本发明,以解决上述问题和尚未解决的其它技术问题。具体地,本发明的一个目的在于提供一种用于制造四边形单元件的方法,所述方法能够使用检查装置来检查四边形基材的缺陷,能够计算当使用多个切割框架从四边形基材上假想地切割出四边形单元件时的产出率,能够选择提供最大产出率的切割框架之一, 并且能够使用所选择的切割框架从四边形基材上切割出四边形单元件,以制造四边形单元件,由此提高四边形单元件的优质产品率并降低四边形单元件的制造成本。本发明的另一个目的在于提供一种用于制造四边形单元件的方法,所述方法能够甚至仅使用单个切割框架、在考虑到四边形基材的缺陷位置的情况下设定该四边形基材的最佳切割位置,由此进一步增强上述效果。本发明的又一个目的在于提供一种用于制造四边形单元件的设备,该设备能够执行用于制造四边形单元件的上述方法。根据本发明的一个方面,能够通过提供一种用于制造四边形单元件的方法来实现上述及其它目的,所述方法使用包括多个刀具的刀具框架从具有较大尺寸的四边形基材上切割出具有较小尺寸的一种或多种四边形单元件,所述方法包括(a)检查步骤,该检查步骤沿着四边形基材的纵向方向和横向方向扫描四边形基材,以确认该四边形基材上的缺陷的位置;(b)计算步骤,该计算步骤计算当使用两种或更多种切割框架假想地切割该四边形基材时的产出率;(c)选择步骤,该选择步骤选择在计算步骤(b)中计算出的产出率在前 30%范围内的切割框架之一;以及(d)制造步骤,该制造步骤使用在所述选择步骤(c)中选择的切割框架来切割所述四边形基材,以制造四边形单元件。如上文所述,由于各种因素,例如对产品的需求,需要制造具有不同尺寸的四边形单元件,因此设计了各种切割框架。即,可以制备各种切割框架以灵活地应对产品需求。另一方面,四边形基材可能具有不同形式的缺陷。为此,取决于甚至将使用一种特殊切割框架切割的四边形基材,产品效率可能大大不同。根据本发明,考虑到切割框架和四边形基材之间的以上关系,对于具有固有缺陷形式的特定四边形基材,当使用相应的切割框架时,能够设定假想的切割状态,由此能够在不实际切割该四边形基材的情况下选择具有最佳切割效率的切割框架。这里,术语“最佳切割效率”是指当综合考虑切割率、优质产品的产出率、基于四边形单元件的尺寸的对该四边形单元件的需求程度、以及相应的切割框架的状态时的最优选的切割效率。因此,对于特定四边形基材,可以选择如下这种切割框架该切割框架在提供预定范围内的产品产出率的情况下能够同时满足应适当考虑的其它条件。具体地,基于这些切割框架的产出率来对切割框架进行等级排序,其产出率相对于最大产出率在前30%范围内的切割框架被列为此类,并且考虑到应适当考虑的各种条件来选择所列入的切割框架之一。即使其它方面是优良的,但其产出率不在前30%范围内的切割框架不是优选的, 这是因为在切割过程之后将被丢弃的、从基材产生的废料的量较大。为了在使产品的缺陷率最小的同时以高的生产率制造四边形单元件,所述选择步骤(C)可以包括选择提供最大产出率的切割框架之可以通过安装有多个刀具以从基材上切割出多个四边形单元件的结构来构造每个切割框架。每个切割框架均可以大致形成为四边形形状。所述刀具的种类不受特别限制,只要这些刀具具有用于从基材上切割出四边形单元件的结构或属性。典型地,所述刀具中的每一个均可以是用于切割的刀子,例如金属刀或射流水刀,或者是用于切割的光源,例如激光器。如上所述,本发明中使用的切割框架可以是两种或更多种切割框架。例如,这些切割框架可以在刀具排列方面彼此不同,切割框架可以在刀具尺寸方面彼此不同,或者,这些切割框架可以在刀具排列和刀具尺寸方面彼此不同。因此,当使用各个切割框架切割特定的四边形基材时,产出率通常可以是变化的。
在本发明的计算步骤(b)中,可以计算当使用各个切割框架假想地切割特定四边形基材时的产出率。这里,产出率例如可以定义为当使用切割框架从四边形基材上切割出四边形单元件时,优质的四边形单元件与整个四边形基材面积的比率。然而,也可根据需要来改变产出率的标准。例如,也可以根据切割率(假想地切割四边形基材时的效率)与优质产品率(无缺陷的四边形单元件的数目与在所述切割率下利用各个切割框架假想地切割出的四边形单元件的数目之比)的乘积来计算产出率。通过所述计算步骤来决定具有高产出率的切割框架,并在切割之前选择该具有高产出率的切割框架。因此,对于同一四边形基材来说,能够使切割该四边形基材之后、从该四边形基材产生的废料的量最小,并且能够降低四边形单元件的制造成本。能够以各种形式从四边形基材上切割出四边形单元件。例如,能够以相对于该四边形基材的预定倾斜角度(Θ)从四边形基材上切割出四边形单元件。可以基于四边形单元件的用途来改变该倾斜角度(θ )。例如,相对于该四边形基材的下端,该倾斜角度(θ )可以是45度或135度。可替代地,相对于该四边形基材的下端, 该倾斜角度(Θ)可以是0度或90度。通常,切割框架的宽度小于四边形基材的宽度。即,该四边形基材的超出切割框架的宽度范围之外的上端区域和下端区域可能作为废料而被丢弃。因此,为了增加产出率,优选将四边形单元件(具体地,优选在切割框架中布置多个刀具)布置成使得四边形基材的宽度被最大程度地利用。另一方面,该四边形基材的缺陷可以导致与上述布置结构相反的结果。虽然这些缺陷可能根据四边形基材的处理水平而随机地发生,但这些缺陷可能主要位于该四边形基材的沿其纵向方向的左侧端和/或该四边形基材的沿其横向方向的两个相反端,该四边形基材在所述左侧端处固定到辊子使得该四边形基材缠绕在辊子上,该四边形基材在所述两个相反端处固定到拉伸装置。然而,这些缺陷并非均勻发生在上述区域处,但上述区域具有较高的缺陷分布。因此,优选地,所述用于制造四边形单元件的方法还可以包括切割步骤,该切割步骤在切割框架沿着四边形基材的纵向方向和/或横向方向假想移动的状态下切割所述四边形基材,该切割步骤在选择步骤(C)之前执行。考虑到该四边形基材的缺陷分布,可以使切割框架与四边形基材的切割起始端隔开一段预定距离,或者可以按照规则的顺序、使切割框架与四边形基材的上端或下端间隔开预定间隔。S卩,切割框架可以假想地移动到缺陷分布较低的位置,因此,能够切割出较多数量的优质四边形单元件。优选的是,考虑到四边形基材上的沿其纵向方向的缺陷分布,使切割框架从四边形基材的切割起始端假想移动到沿着该四边形基材的纵向方向的缺陷分布较高的区域以外的位置。四边形基材的切割起始端例如可以是该四边形基材的在缠绕过程中与辊子固定的端部区域。如上所述,当切割框架假想地移动以使这些切割框架按照规则的顺序与该四边形基材的上端或下端隔开预定间隔时,能够以该四边形基材的宽度的0. 至5%的移动间隔、更优选以0. 2cm至5cm的移动间隔来假想地移动这些切割框架。因此,如上所述,通过移动所述切割框架以使这些切割框架按照规则的顺序与四边形基材隔开预定间隔,能够提高产出率,由此提高了制造优质四边形单元件的可能性。同时,四边形基材的沿其横向方向的缺陷分布可能由于各种原因而沿着该四边形基材的纵向方向改变。例如,假设该基材的全长是100,则在该基材最初的30部分处,较大数目的缺陷主要分布在该基材的上端,在该基材的接下来的40部分处,较大数目的缺陷主要分布在该基材的下端,而在该基材最后的30部分处,较大数目的缺陷主要地分布在该基材的上端。因此,优选的是,在制造步骤(d)中,当产出率沿着四边形基材的纵向方向变化时,使切割框架沿着该四边形基材的横向方向移动到产出率最大的位置并切割该四边形基材。此时,可以使切割框架移动到该四边形基材的沿其横向方向缺陷分布较低的位置。优选的是,当产出率之间的偏差为20%或更大时,沿着四边形基材的横向方向移动所述切割框架。然而,考虑到四边形单元件的制造效率,优选基于四边形基材的纵向方向,使切割框架沿着该四边形基材的横向方向移动三次或移动更少次。在根据本发明的用于制造四边形单元件的方法中,所述四边形基材是具有预定宽度和较长长度的连续材料;并且,所述刀具布置成一定的结构,以便以预定长度反复切割该四边形基材。S卩,使用所决定的具有最大产出率的切割框架来切割该四边形基材,因此,能够提高四边形单元件的生产率。在本发明中,可以使用各种四边形基材。例如,所述四边形基材可以是膜,该膜具有沿其纵向方向或沿其横向方向仅仅吸收或透射光或电磁波的指定方向上的波动的层 (“吸收层或透射层”)。根据本发明的另一个方面,提供了一种用于制造四边形单元件的设备。具体地,本发明提供了一种用于制造四边形单元件的设备,所述设备用于从具有较大尺寸的四边形基材上切割出具有较小尺寸的一种或多种四边形单元件,所述设备包括检查装置,该检查装置用于沿着四边形基材的纵向方向和横向方向扫描该四边形基材, 以确认该四边形基材上的缺陷的位置;数据库,该数据库用于存储与两个或更多个切割框架有关的信息;计算装置,该计算装置基于来自检查装置和数据库的信息、计算当使用相应的切割框架假想地切割该四边形基材时的产出率;多个刀具,所述多个刀具用于从四边形基材上切割出多个四边形单元件;切割框架,刀具以与所述四边形单元件相对应的形式安装在该切割框架中;以及位置调节装置,该位置调节装置用于使安装有刀具的所述切割框架在四边形基材上移动。因此,根据本发明的用于制造四边形单元件的设备能够通过用于确认四边形基材的缺陷的检查装置、用于存储与切割框架有关的信息的数据库、以及用于基于来自所述检查装置和数据库的信息计算当使用相应的切割框架假想地切割该四边形基材时的产出率的计算装置,来决定这些切割框架中的具有高产出率范围的一个特定的切割框架。
而且,所述位置调节装置使切割框架移动到该四边形基材的分布有少量缺陷的位置。因此,能够在大规模生产期间基于缺陷位置来快速移动所述切割框架,由此,使四边形单元件的缺陷率最小并且大大提高了制造效率。所述检查装置的种类不受特别限制,只要该检查装置能够扫描四边形基材以确认该四边形基材的缺陷。例如,该检查装置可以是高性能相机。


从以下结合附图进行的详细描述中,将会更清楚地理解本发明的上述及其它目的、特征和其它优点,在附图中图1是示意了以预定倾角在假想框架上布置四边形单元件的过程的一个实例的典型视图;图2是示意了根据本发明一个实施例的、用于制造四边形单元件的设备的构造图;图3是示意了用于切割图2的四边形单元件的方法的典型视图;图4是示意了用于制造图2和图3的四边形单元件的方法的流程图;图5是示意了在图4的计算步骤(S31)中、切割框架沿着纵向方向(L)假想移动的典型视图;图6是示意了在图4的计算步骤(S31)中、切割框架沿着横向方向(W)假想移动的典型视图;并且图7是示意了根据本发明一个实施例的、在对缺陷的位置加以考虑的情况下以最大产出率制造四边形单元件的方法的典型视图。
具体实施例方式现在,将参考附图来详细描述本发明的优选实施例。然而,应当指出,本发明的范围不局限于所示出的实施例。图2是典型地示意了根据本发明一个实施例、用于制造四边形单元件的设备的构造图,而图3是示意了用于切割图2的四边形单元件的方法的一个实例的典型视图。参考这些图,用于制造四边形单元件的设备1000包括多个刀具800,所述多个刀具800用于从四边形基材306上切割出多个四边形单元件302 ;多个切割框架304,刀具800 以与四边形单元件302相对应的形式安装在所述多个切割框架304的每一个中;检查装置 600,所述检查装置600用于沿着四边形基材306的纵向方向(L)和横向方向(W)扫描该四边形基材306,以确认四边形基材306上的缺陷300的位置;数据库700,所述数据库700用于存储与切割框架304有关的信息;计算装置500,所述计算装置500用于基于来自检查装置600和数据库700的信息、计算使用相应的切割框架304假想地切割四边形基材306时的产出率;以及位置调节装置400,所述位置调节装置400用于使每个均安装有刀具800的切割框架304移动到四边形基材306上的分布有少量缺陷的位置。图4是示意了用于制造图2和图3的四边形单元件的方法的流程图。参考图4以及图2和图3,所述用于制造四边形单元件的方法包括检查步骤 (SlO),所述检查步骤(SlO)使用检查装置沿着四边形基材306的纵向方向(L)和横向方向(W)扫描四边形基材306,以确认该四边形基材306上的缺陷300的位置;计算步骤(S20), 所述计算步骤(S20)计算当使用两种或更多种切割框架304假想地切割该四边形基材306 时的产出率;选择步骤(S30),所述选择步骤(S30)选择在计算步骤(S20)中计算出的产出率在前30%范围内的切割框架304之一;以及制造步骤(S40),所述制造步骤(S40)使用在所述选择步骤(S30)中选择的切割框架304来切割四边形基材306,以制造四边形单元件 302。在选择步骤(S30)之前,还可以执行切割步骤(S31),所述切割步骤(S31)在切割框架304沿着四边形基材306的纵向方向(L)和横向方向(W)假想移动的状态下切割四边形基材306。图5是示意了在图4的计算步骤(S31)中、切割框架沿着纵向方向(L)假想移动的典型视图。参考图5,考虑到四边形基材306a上的沿其纵向方向(L)的缺陷分布,使切割框架 30 从四边形基材306a的切割起始端假想移动一段预定距离dl,即,假想移动到沿着四边形基材306a的纵向方向(L)的缺陷分布较高的区域以外的位置。图6是示意了在图4的计算步骤(S31)中、切割框架沿着横向方向(W)假想移动的典型视图。参考图6,切割框架304b按照规则的顺序、从四边形基材306b的上端以大约Icm 的预定间隔dl假想移动。计算出切割框架304b所移动到的各个位置处的产出率,以获得具有最大产出率的位置之一。图7是示意根据本发明一个实施例的、以最大产出率制造四边形单元件的方法的典型视图。参考图7,在图4的制造步骤(S50)中,当在图4的计算步骤(S30)中产出率沿着四边形基材306c的纵向方向(L)改变时,使切割框架3(Mc沿着四边形基材306c的横向方向(W)移动到产出率最大的位置并切割该四边形基材306c。具体地,当产出率之间的偏差为20%或更大时,位于四边形基材306c下端的切割框架3(Mc移动到四边形基材306c的上端(见304c,),以制造四边形单元件。优选的是,基于四边形基材306c的纵向方向(L),使切割框架3(Mc沿着四边形基材306c的横向方向(W)移动三次或移动更少次。因此,其内安装有多个刀具的切割框架3(Mc移动到四边形基材306c上的、使用检查装置确认的缺陷分布得较少的位置并切割四边形单元件302,由此制造大量的优质四边形单元件。工业实用性从以上描述中清楚可见,根据本发明的用于制造四边形单元件的方法具有以下效果考虑到切割框架和四边形基材之间的关系,对于具有固有缺陷形式的特定四边形基材, 当使用相应的切割框架时,能够设定假想的切割状态,由此能够在不实际切割该四边形基材的情况下选择具有最佳切割效率的切割框架。而且,根据本发明的用于制造四边形单元件的方法还具有如下效果能够使用所选择的切割框架来切割出四边形单元件,由此,在使缺陷率最小的同时提供了高的生产率。虽然已出于示意性目的公开了本发明的优选实施例,但本领域技术人员将会理解,在不偏离如所附权利要求限定的本发明的范围和精神的情况下,可以进行各种变型、添加和替换。
权利要求
1.一种用于制造四边形单元件的方法,所述方法使用包括多个刀具的刀具框架从具有较大尺寸的四边形基材上切割出具有较小尺寸的一种或多种四边形单元件,所述方法包括(a)检查步骤,所述检查步骤沿着四边形基材的纵向方向和横向方向扫描所述四边形基材,以确认所述四边形基材上的缺陷的位置;(b)计算步骤,所述计算步骤计算当使用两种或更多种切割框架假想地切割所述四边形基材时的产出率;(c)选择步骤,所述选择步骤选择在所述计算步骤(b)中计算出的产出率在前30%范围内的切割框架之一;以及(d)制造步骤,所述制造步骤使用在所述选择步骤(c)中选择的切割框架来切割所述四边形基材,以制造四边形单元件。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述选择步骤(c)包括选择提供最大产出率的切割框架之一。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述刀具中的每一个均是用于切割的刀子或用于切割的光源。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述用于切割的刀子是金属刀或射流水刀,而所述用于切割的光源是激光器。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述计算步骤(b)中,各个切割框架在刀具布置结构和/或刀具尺寸方面彼此不同。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,以相对于所述四边形基材的预定倾斜角度(θ) 从所述四边形基材上切割出所述四边形单元件。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,相对于所述四边形基材的下端,所述倾斜角度 (Θ)是45度或135度。
8.根据权利要求6所述的方法,其中,相对于所述四边形基材的下端,所述倾斜角度 (Θ)是0度或90度。
9.根据权利要求1所述的方法,还包括切割步骤,所述切割步骤在所述切割框架沿着所述四边形基材的纵向方向和/或横向方向假想移动的状态下切割所述四边形基材,所述切割步骤在所述选择步骤(c)之前执行。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述切割框架的假想移动包括使所述切割框架与所述四边形基材的切割起始端隔开一段预定距离。
11.根据权利要求9所述的方法,其中,所述切割框架的假想移动包括按照规则的顺序、使所述切割框架与所述四边形基材的上端或下端隔开预定间隔。
12.根据权利要求10所述的方法,还包括考虑到所述四边形基材上的沿其纵向方向的缺陷分布,使所述切割框架从所述四边形基材的切割起始端假想移动到沿着所述四边形基材的纵向方向的缺陷分布较高的区域以外的位置。
13.根据权利要求11所述的方法,还包括以所述四边形基材的宽度的0.至5%的移动间隔来假想地移动所述切割框架。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述移动间隔在0.2cm至5cm之间。
15.根据权利要求1所述的方法,还包括在所述制造步骤(d)中,当产出率沿着所述四边形基材的纵向方向变化时,使所述切割框架沿着所述四边形基材的横向方向移动到产出率最大的位置并切割所述四边形基材。
16.根据权利要求15所述的方法,还包括当产出率之间的偏差为20%或更大时,沿着所述四边形基材的横向方向移动所述切割框架。
17.根据权利要求15所述的方法,其中,基于所述四边形基材的纵向方向,使所述切割框架沿着所述四边形基材的横向方向移动三次或移动更少次。
18.根据权利要求1所述的方法,其中,所述四边形基材是具有预定宽度和较长长度的连续材料;并且,所述刀具布置成一定的结构,以便以预定长度反复切割所述四边形基材。
19.根据权利要求1所述的方法,其中,所述四边形基材是膜,所述膜具有沿其纵向方向或沿其横向方向仅仅吸收或透射光或电磁波的指定方向上的波动的层(“吸收层或透射层”)。
20.一种用于制造四边形单元件的设备,所述设备用于从具有较大尺寸的四边形基材上切割出具有较小尺寸的一种或多种四边形单元件,所述设备包括检查装置,所述检查装置用于沿着所述四边形基材的纵向方向和横向方向扫描所述四边形基材,以确认所述四边形基材上的缺陷的位置;数据库,所述数据库用于存储与两个或更多个切割框架有关的信息;计算装置,所述计算装置用于基于来自所述检查装置和所述数据库的信息、计算当使用相应的切割框架假想地切割所述四边形基材时的产出率;多个刀具,所述多个刀具用于从所述四边形基材上切割出多个四边形单元件;切割框架,所述多个刀具以与所述多个四边形单元件相对应的形式安装在所述切割框架中;以及位置调节装置,所述位置调节装置用于使安装有所述多个刀具的所述切割框架在所述四边形基材上移动。
全文摘要
本发明涉及一用于种制造四边形单元的方法,所述方法包括使用带有刀具的切割框架从较大的四边形基材上切割出与该基材相比具有较小尺寸的两种或更多种四边形单元。所述方法包括(a)检查步骤,该检查步骤沿着四边形基材的纵向方向和横向方向扫描该四边形基材,以确认该四边形基材上的缺陷的位置;(b)计算步骤,该计算步骤利用对该四边形基材的虚拟切割、为两种或更多种切割框架中的每一种计算出产出率;(c)选择步骤,该选择步骤基于在步骤(b)中计算出的数值、从产出率落入前30%范围内的切割框架中选择一个切割框架;以及(d)制造步骤,该制造步骤使用在步骤(c)中选择的切割框架来切割所述四边形基材,以制造四边形单元。
文档编号B26D7/00GK102348545SQ201080011581
公开日2012年2月8日 申请日期2010年3月10日 优先权日2009年3月10日
发明者张应镇, 李圭滉, 李裕敏, 李镐敬, 金勋烈 申请人:株式会社Lg化学
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