一种膜转印设备、转印版组件、转印设备吸附力控制装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种膜转印设备、转印版组件、转印设备吸附力控制装置。
【背景技术】
[0002]成膜技术是液晶显示制造领域常用的技术，通过转印版进行转印成膜是常见的成膜工艺。然而，在转印成膜工艺过程中，由于成膜物质溶液从转印版表面网孔向基板表面转印时容易发生残留，而且残留的成膜物质溶液在连续性生产过程中容易形成颗粒物质粘附在后续膜层上，使得后续膜层厚度和膜面颗粒物质一直很难控制。对转印版材料和网孔结构进行优化改善是现有技术中针对上述问题的惯用技术手段，然而改善转印版材料或网孔结构成本较高，灵活性较低，对不同的基板和不同的成膜物质不具有针对性。因此，有必要提出一种改善转印成膜过程中残留、颗粒现象的新方法。
【发明内容】
[0003]有鉴于此，本发明提供一种膜转印设备、转印版组件、转印设备吸附力控制装置。本发明提供的膜转印设备、转印版组件、转印设备吸附力控制装置能够通过简单、成本低的方法减少转印成膜过程中的残留、颗粒现象。
[0004]基于上述目的本发明提供的膜转印设备，包括用于向待转印膜层的基板转印一膜层的转印版、用于承载所述基板的基台；所述膜转印设备还包括:
[0005]吸附力控制单元，在转印过程中作用于所述基板和/或转印版中的至少一个，以增大所述基板对从转印版转移出的成膜物质的第一吸附力与所述转印版对所述成膜物质产生的第二吸附力之差。
[0006]可选的，所述膜层为表面配向膜层。
[0007]可选的，所述吸附力控制单元包括温差控制子单元，用于在转印过程中作用于所述基板和/或转印版中的至少一个，以增大所述转印版的转印区的温度与所述基板的转印区的温度的差值。
[0008]可选的，所述温差控制子单元设置于转印版外部，所述温差控制子单元包括:
[0009]冷却源装置，在转印过程中与所述基板相对运动，用于通过降低所述基板的温度以增大所述转印版的转印区的温度与所述基板的转印区的温度的差值。
[0010]可选的，所述冷却源装置为条状，设置位置与所述转印版的转轴平行，与所述基板的转印界面之间的距离小于第一设定值且所述冷却源装置与所述转印版轴心之间的距离大于第二设定值，在转印过程中，所述冷却源装置用于使得所述基板的转印界面上对应的转印区在所述转印版处进行转印之前预降温，从而转印过程中转印版的转印区的温度与所述基板的转印区的温度的差值增大。
[0011]可选的，所述冷却源装置通过支杆在所述转印版轴心处与所述转印版连接；或者所述冷却源通过支杆与设置于基板或基台下方的导轨连接，所述支杆与导轨的相对位置可调节。
[0012]可选的，所述冷却源接近转印版的一侧设置有温度阻隔版，用于阻挡所述冷却源的冷却源工作区域对转印版产生的冷却效果。
[0013]可选的，所述冷却源装置包括:
[0014]外壳，用于容纳制冷用的盘管；
[0015]盘管，在所述外壳中均匀盘绕设置，用于在所述外壳中产生冷却源；
[0016]循环冷凝液导管，用于向所述盘管输入循环冷凝液，并将所述盘管中的循环冷凝液输出。
[0017]可选的，所述温差控制子单元还包括:
[0018]热源装置:包括一与转印版侧面位置对应的加热工作区域，在转印过程中，所述加热工作区域用于增加所述转印版的温度以增大所述转印版的转印区的温度与所述基板的转印区的温度的差值。
[0019]同时，本发明提供一种转印版组件，包括转印版，还包括本发明任意一项实施例所述的吸附力控制单元。
[0020]进一步，本发明还提供一种转印设备吸附力控制装置，包括本发明任意一项实施例所提供的吸附力控制单元。
[0021]从上面所述可以看出，本发明提供的膜转印设备，具有吸附力控制单元，该吸附力控制单元在转印过程中作用于基板或转印版中的至少一个，不需要对转印版或基板做出复杂的改进，提高基板对成膜物质的吸附力相对于转印版对成膜物质的吸附力的差值，使得成膜物质更容易附着在基板上或者更容易从转印版上脱离，从而改善成膜转印过程中膜层不均匀、容易出现颗粒的状况，进而优化基板的光学性能；还有利于对成膜厚度进行控制。
[0022]当所述转印版为APR Plate、所述成膜物质为PI时，现有技术中对APR Plate性能改善是当前优化PI转印成膜工艺的主流方案，但是该方式应用起来相对困难:改善APRPlate来解决PI液残留本身存在技术瓶颈，APR Plate价格昂贵，验证或更换都容易造成成本上升；现有技术中，通过APR网孔的结构改进来改善PI液残留，对APR Plate精细度会提出更高的要求，限制APR Plate的使用寿命，导致生产过程成本上升。本申请在转印成膜过程中，提高基板对成膜物质的吸附力与转印版对成膜物质的吸附力之差，由于这种改善行为是在转印成膜的过程中执行，无需对转印版本身或者基板本身的表面结构进行改变，在所述转印版为任意材料的转印版、所述成膜物质为任意液体成膜物质时，均可以提高成膜物质的成膜效果；尤其是在转印版为APR Plate、成膜物质为PI时，更具有降低成本、不影响APR Plate使用寿命的有益效果。
【附图说明】
[0023]图1为本发明实施例的膜转印设备结构示意图；
[0024]图2为本发明另一实施例的膜转印设备结构示意图；
[0025]图3为本发明实施例的冷却源装置结构示意图。
【具体实施方式】
[0026]为了给出有效的实现方案，本发明提供了下述实施例，以下结合说明书附图对本发明实施例进行说明。
[0027]本发明首先提供一种膜转印设备，如图1所示，包括用于向待转印膜层的基板104转印一膜层的转印版101、用于承载所述基板104的基台102 ;所述膜转印设备还包括:
[0028]吸附力控制单元，在转印过程中作用于所述基板104和/或转印版101中的至少一个，以增大所述基板104对从转印版101转移出的成膜物质的第一吸附力与所述转印版101对所述成膜物质产生的第二吸附力之差。
[0029]从上面所述可以看出，本发明提供的膜转印设备，具有吸附力控制单元，该吸附力控制单元在转印过程中作用于基板或转印版中的至少一个，提高基板对成膜物质的吸附力相对于转印版对成膜物质的吸附力的差值，使得成膜物质更容易附着在基板上或者更容易从转印版上脱离，在现有技术中，若先前应当转印在基板上的膜层没有完全转印，那么残留的成膜物质会停留在转印版上，随着转印版转动下一圈，残留的成膜物质会随着下一层成膜物质转印到基板，在基板上形成突出的颗粒或者膜层不均匀。本发明能够使得成膜物质更容易地从转印版上转印到基板上，从而改善成膜转印过程中膜层不均匀、容易出现颗粒的状况，进而优化基板的光学性能；还有利于对成膜厚度进行控制。
[0030]在本发明具体实施例中，所述吸附力控制单元用于改变所述基板104或所述转印版101对所述成膜物质的吸附力，使得所述基板104对所述成膜物质的吸附力增加，所述转印版101对所述成膜物质的吸附力减少，从而进一步使得在转印过程中，成膜物质更容易从转印版101上转印到基板104上。
[0031]在本发明具体实施例中，所述吸附力控制单元可以通过任何形式改变基板和转印版对成膜物质的吸附力。例如，所述吸附力控制单元可以为静电发生装置，通过向所述基板输表面输送静电，使得所述基板界面携带静电，基板对成膜物质的吸附力相对于转印版对成膜物质的吸附力增大。再如，所述吸附力控制单元可以通过改变基板或转印版的温度，使得所述基板对成膜物质的吸附力相对于转印版对成膜物质的吸附力增大。
[0032]在本发明具体实施例中，所述膜层为表面配向膜层。在一般情况下，转印版为 APR Plate (Asahikasei photosensitive resin Plate，感光树脂板)。更进一步的，PI (Polyimide，聚酰亚胺)膜是当前IXD使用最为广泛的表面配向膜，而通过APR Plate转印方式成膜则是当前最常见的成膜工艺。在LCD制造业中，液晶在液晶盒内的初始取向排列主要由上下基板内表面的配向膜决定，该取向膜