一种膜转印设备、转印版组件、转印设备吸附力控制装置的制造方法_3

文档序号:8390120阅读:来源:国知局
于基板104在冷却之后,应当在最短的时间内在转印版101处进行转印,所述第一设定值和第二设定值具有合适的范围,这个范围与基板104、转印版101、冷却源装置2032的大小和性质有关,在具体实施例中可以通过实际测试进行确定所述第一设定值和第二设定值。通过调冷却源装置2032的温度,冷却源装置2032对基板104的工作区域大小,以及冷却源装置2032与基板104之间的相对速度,可以调节基板104的局部降温效果,实际参数可以根据环境不同,通过工艺优化进行调整。使基板104相对于转印版101和冷却源装置2032移动:冷却源装置2032对即将与转印版101接触的基板104界面局部进行冷却、短时间降温;转印版101对基板104降温后位置进行转印PI溶液;PI液转印完成后,后续制程与常规LCD制备工艺一致,成膜、摩擦取向、加载液晶、封装等,进一步得到LCD液晶面板。
[0048]在本发明一些实施例中,所述冷却源接近转印版的一侧设置有温度阻隔版,在图2中未画出,用于阻挡所述冷却源的冷却源工作区域对转印版产生的冷却效果。由于冷却源装置的冷却源会对通过其周围的空气进行降温,或多或少转印版都会受到一定的降温影响,但在实际实施例中,需保证所述转印版的温度高于基板的温度,使得转印版对成膜物质的吸附力小于基板对所述成膜物质的吸附力。当所述冷却源装置设置于所述基板下方时,所述基板本身具有一定的温度阻隔作用,因此可以不再设置温度阻隔版。
[0049]对于所述转印版与所述基板之间温度差的控制,可以根据实际工艺,考虑液体成膜物质的特点、液态成膜物质随温度的下降速度、转印过程中的印刷速度等工艺条件来确认;温度差的实现可以通过调节冷却源的温度、冷却源对所述基板局部作用时间长短来调
-K-T。
[0050]所述冷却源装置的类型、形状、功率可以根据实际生产环境状况进行选择,本发明一些实施例中,所述冷却源装置的冷却原理与空调、冰箱的冷却原理类似,结构如图3所示,包括:
[0051]外壳301:用于容纳制冷用的盘管;
[0052]盘管302:在所述外壳中均匀盘绕设置,用于在所述外壳中产生冷却源;
[0053]循环冷凝液导管303:用于向所述盘管输入循环冷凝液,并将所述盘管中的循环冷凝液输出。
[0054]在本发明上述实施例中,冷却源装置为长条状。
[0055]在本发明一些实施例中,所述温差控制子单元还包括:
[0056]热源装置:包括一与转印版侧面位置对应的加热工作区域,在转印过程中,所述加热工作区域用于增加所述转印版的温度以增大所述转印版的转印区的温度与所述基板的转印区的温度的差值。当所述温差控制子单元为热源装置时,可将热源装置设置于转印版内部,并在转印版转印面上不对外暴露,这样,转印版本身对热源装置的加热效应可以起到阻隔作用。
[0057]温度差异的实现可以是降低所述基板的温度,也可以是升高所述转印版的温度,或者同时采取以上两种方式。但在实际生产过程中普遍使用的APR Plate作为树脂板,温度传递慢,升高温度缓慢,局部、短时间升高温度困难;而且作为树脂板,升高温度会造成APRPlate本身收缩率的变化,使得APR Plate容易发生变形,影响印刷精度;此外,温度的升高,有可能会导致PI液提前发生固化,进而有可能影响到成膜工艺和产品性能。因此,虽然提高转印版的温度也可以提高基板对成膜物质的吸附力相对于转印版对成膜物质的吸附力之差,但若是通过改变温度来改变所述转印版和所述基板对成膜物质的吸附力,本发明实施例中优选方案为降低基板温度。
[0058]本发明实施例中的热源装置,在升高转印版温度的同时,必然会对基板温度造成升高效果,在具体实施例中,需在减少热源装置与转印版转印面的距离的同时增加热源装置与基板之间的距离。
[0059]进一步,本发明还提供一种转印版组件,包括转印版,还包括本发明任意一项实施例所提供的吸附力控制单元。
[0060]更进一步,本发明还提供一种转印设备吸附力控制装置,包括本发明任意一项实施例所提供的吸附力控制单元。
[0061]应当理解,本说明书所描述的多个实施例仅用于说明和解释本发明,并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0062]显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种膜转印设备,包括用于向待转印膜层的基板转印一膜层的转印版、用于承载所述基板的基台;其特征在于,所述膜转印设备还包括: 吸附力控制单元,在转印过程中作用于所述基板和/或转印版中的至少一个,以增大所述基板对从转印版转移出的成膜物质的第一吸附力与所述转印版对所述成膜物质产生的第二吸附力之差。
2.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述膜层为表面配向膜层。
3.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述吸附力控制单元包括温差控制子单元,用于在转印过程中作用于所述基板和/或转印版中的至少一个,以增大所述转印版的转印区的温度与所述基板的转印区的温度的差值。
4.根据权利要求3所述的设备,其特征在于,所述温差控制子单元设置于转印版外部,所述温差控制子单元包括: 冷却源装置,在转印过程中与所述基板相对运动,用于通过降低所述基板的温度以增大所述转印版的转印区的温度与所述基板的转印区的温度的差值。
5.根据权利要求4所述的设备,其特征在于,所述冷却源装置为条状,设置位置与所述转印版的转轴平行,与所述基板的转印界面之间的距离小于第一设定值且所述冷却源装置与所述转印版轴心之间的距离大于第二设定值,在转印过程中,所述冷却源装置用于使得所述基板的转印界面上对应的转印区在所述转印版处进行转印之前预降温,从而转印过程中转印版的转印区的温度与所述基板的转印区的温度的差值增大。
6.根据权利要求5所述的设备,其特征在于,所述冷却源装置通过支杆在所述转印版轴心处与所述转印版连接;或者所述冷却源通过支杆与设置于基板或基台下方的导轨连接,所述支杆与导轨的相对位置可调节。
7.根据权利要求5所述的设备,其特征在于,所述冷却源接近转印版的一侧设置有温度阻隔版,用于阻挡所述冷却源的冷却源工作区域对转印版产生的冷却效果。
8.根据权利要求4-8中任意一项所述的设备,其特征在于,所述冷却源装置包括: 外壳,用于容纳制冷用的盘管; 盘管,在所述外壳中均匀盘绕设置,用于在所述外壳中产生冷却源; 循环冷凝液导管,用于向所述盘管输入循环冷凝液,并将所述盘管中的循环冷凝液输出。
9.根据权利要求3所述的设备,其特征在于,所述温差控制子单元还包括: 热源装置:包括一与转印版侧面位置对应的加热工作区域,在转印过程中,所述加热工作区域用于增加所述转印版的温度以增大所述转印版的转印区的温度与所述基板的转印区的温度的差值。
10.一种转印版组件,包括转印版,其特征在于,还包括如权利要求1-10中任意一项所述的吸附力控制单元。
11.一种转印设备吸附力控制装置,其特征在于,包括如权利要求1-10中任意一项所述的吸附力控制单元。
【专利摘要】本发明提供一种膜转印设备、转印版组件、转印设备吸附力控制装置,所述膜转印设备包括用于向待转印膜层的基板转印一膜层的转印版、用于承载所述基板的基台;所述膜转印设备还包括:吸附力控制单元,在转印过程中作用于所述基板和/或转印版中的至少一个,以增大所述基板对从转印版转移出的成膜物质的第一吸附力与所述转印版对所述成膜物质产生的第二吸附力之差。发明提供的膜转印设备、转印版组件、转印设备吸附力控制装置能够通过简单、成本低的方法减少转印成膜过程中的残留、颗粒现象。
【IPC分类】B41F16-00
【公开号】CN104708897
【申请号】CN201510117796
【发明人】吕奎, 陈娜, 范文金
【申请人】合肥鑫晟光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2015年3月17日
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