驱动数个光源的制作方法

本发明的实施方案涉及用于驱动数个光源的装置。光源可以特别是布置成矩阵结构(LED阵列)的LED。

技术实现要素：

各实施方案涉及一种用于驱动数个光源的装置，

-其中该数个光源被布置成矩阵结构；

-其中该矩阵结构的数个光源被连接到半导体器件，其中该半导体器件的一部分与矩阵结构的光源相对应；

-其中半导体器件的所述部分包括激活时被布置用于提供输出诊断信号的诊断功能。

附图说明

参照附图示出并阐述实施方案。附图用于说明基本原理，因此仅阐述了理解基本原理所必要的方面。附图不是按比例绘制的。附图中相同的参考符号表示相同的部件。

图1示出包括布置在半导体器件上方的LED阵列的示例性布置；

图2示出包括LED矩阵的示例性框图和包括LED驱动器矩阵和共同电路的半导体器件；

图3示出高侧电流源，其中每一个高侧电流源被布置在LED驱动器矩阵上，在LED驱动器矩阵的顶部上安装有LED；

图4示出可被布置在用于两个像素单元n和n+1的半导体器件上的示例性像素寻址电路；

图5示出像素单元的示意性框图，该像素单元包括像素寻址块、驱动器和比较器；

图6示出像素单元的示例性框图，其是基于图5所示的像素单元但不包括诊断功能；

图7示出像素寻址块的示例性实现方式；

图8示出驱动器的示例性实现方式；

图9示出了比较器的示例性实现方式。

具体实施方式

光源(例如半导体光源LED(发光二极管))可以被布置在一起作为阵列。光源阵列可以被布置在半导体器件(阵列)上方。该半导体器件被布置为光源的控制电路。光源可以安装到半导体器件上。在半导体器件提供用于每个光源的电流源的情况下，这种电流源可能被单独驱动以允许控制相应的光源。

图1示出LED阵列101的示例性布置，LED阵列101布置在半导体器件102顶部上。半导体器件102可布置在印刷电路板(PCB)104上；它可以通过接合线103电连接。安装在半导体器件102上的LED阵列101也被称为芯片上芯片(chip-on-chip)组件。

半导体器件102可以包括以下各项中的至少一项：

-用于布置在LED阵列101上的单个LED的电流源，特别是用于每个LED的至少一个电流源；

-用于驱动LED和用于管理目的的通信接口；

-至少一个参考电流的生成；和

-诊断和保护功能。

为了这样的目的，半导体器件102可包括硅单元的阵列，其中每一个硅单元(也被称为像素单元)可包括电流源，其可以被直接连接到LED阵列101的LED。此外，半导体器件102可以包括共同电路。

图2示出了包括LED 206的矩阵201(该矩阵的每个像素可以用至少一个LED表示)的示例性框图和半导体器件205，其包括LED驱动器矩阵202(即该半导体器件的一部分与LED阵列101的一个 像素相关联)和共同电路203。半导体器件205可以被连接到串行接口204。矩阵201的相应LED 206可通过串行接口204来控制。矩阵201可以被布置在LED驱动器矩阵202的顶部上。LED驱动器矩阵202可以是如图1所示的半导体器件102的一部分，并且它可包括用于矩阵201的各LED 206的像素单元区域(也被称为“像素单元”)。一个选项是，驱动器矩阵202具有与矩阵201(例如，基本上)相同大小的面积。特别是，LED驱动器矩阵202的像素单元区域可与LED 206具有(基本上)相同的表面区域。矩阵201的LED 206可被直接连接到LED驱动器矩阵202的像素单元。矩阵201可以特别地被布置在LED驱动器矩阵202的顶部上。

共同电路203可以特别地包括用于访问矩阵201的LED的串行接口，例如用于配置目的的寄存器、参考电流发生器、参考电压发生器和温度传感器。

矩阵201可以包括布置成列和行的任意数目的LED(像素)。矩阵201可以包括例如256或1024个LED。在图2所示的示例中，矩阵201包括16行和16列的LED 206，总数为256个LED。

应当注意，LED被提及作为光源的示例。一个选项是，使用任何种类的光源，尤其是半导体光源。另一个选项是，每个光源可以是包括至少两个半导体光源的模块。

该共同电路203可以被布置在LED驱动器矩阵202的邻近或远处区域。

在一个示例性应用中，LED阵列101的每个像素可占用总计例如小于150μm²的表面区域。该值仅是面积的示例值。可选择适用于LED阵列101的预定分辨率的任何区域。半导体光源可以被布置在每一个像素单元的中间。相邻的像素单元可以具有位于光源之间的小于150μm的间隙。每个LED可具有连接至LED驱动器矩阵202的一个触点(contact)和被连接到共同触点(例如GND)的一个触点。这是一个示例性情况；其他大小、距离和连接可据此适用。

对于被直接安装在半导体器件的顶部上的每个LED，每个电流 源被布置在由像素单元的表面区域限定的区域中。在上面提供的示例中，面积计为150μm·150μm＝0.022500mm²。

为了增加长距离时光在x和y维度(例如，0.5°)的分辨率和避免用于波束调平调整(leveling adjustment)的额外机械部件，位于像素单元之间的短节距(pitch)是有利的。在上面提到的示例中，像素单元之间的节距可以小于150μm。

由于该紧凑的布置，高量的热源会产生不同的温度，这会影响温度梯度，并因此导致像素之间的失配。

此外，由于LED驱动器矩阵被直接被连接到LED，因此可能不直接访问每个像素单元的每个电流源的输出。

因此，需要一种提供以下各项中至少一项的方案：

-提供电流至单独的LED的电流源，其允许以高精度打开或关闭LED，可选地提供过流保护；

-能够检测负载开路和短路接地的输出通道的诊断功能；

-不同像素之间(即不同电流源之间)的低失配。

图3示出高侧电流源301至303，其中每一个高侧电流源被布置在LED驱动器矩阵上，该LED驱动器矩阵的顶部上安装有LED 304至306。在这种情况下，LED 304被布置在电流源301的顶部上，LED 305被布置在电流源302的顶部上，LED 306被布置在电流源303的顶部上。

每个电流源301至303可以是NMOS功率级，其漏极被连接到电源电压Vcc并且其源极被连接到相应的LED 304至306。每个NMOS功率级的栅极可以经由误差放大器307至309来控制。

相应的误差放大器307至309可被用于控制使用内部参考电流的输出电流。误差放大器307至309可以通过数字或模拟信号被启用。

LED驱动器矩阵由此可以包括位于可用于像素单元的区域上的大量电流源和/或开关(在LED驱动器矩阵位于LED阵列的下方的情形下)。

本文所呈现的示例特别地示出，即使LED驱动器矩阵被布置在硅半导体器件(例如，单芯片)上，如何有效地实现LED阵列和其下的LED驱动器矩阵的方案。提供的示例特别处理大量的热源以及像素单元的电流源之间的热梯度。

本文所呈现的示例允许提供包括特别是以下各项的至少一项的LED驱动器矩阵：

-用于控制各像素单元的驱动器的通信接口；

-用过电流自我保护调节的输出电流；

-负载开路和短路接地的诊断功能；和

-低温敏感性。

这可特别是通过分配共同电路和LED驱动器矩阵之间的控制逻辑来实现，这两者均集成于半导体器件上。共同电路可被布置为与LED驱动器矩阵相邻，LED驱动器矩阵可能与LED阵列占用相同的表面区域，LED阵列可被布置在如上所述的LED驱动器矩阵的顶部上。

一个选项是，共同电路可被布置在与LED驱动器矩阵邻近的或远处的区域。

一个挑战是如何有效地驱动电流源，其中一个电流源被布置(或关联)一个像素单元。如上面所描述的示例所示，两个像素单元之间的距离(例如小于150μm)可能列有限制条件，这使得难以电连接被布置在它们相关联的光源下方的所有电流源，从而使得它们可以被半导体器件的共同电路驱动。

图4示出了可布置在用于两个像素单元n和n+1的半导体器件上的示例性电路。这个示例表明，共同电路提供更新信号UPD、数据信号Data_i和时钟信号CLK。在该示例中，像素单元n提供数据信号Data_i+1到像素单元n+1，像素单元n+1提供数据信号Data_i+2到后续的像素单元(未示出)。

数据信号Data_i是二进制信号的序列(例如“0”和“1”)，其被传输到移位寄存器。移位寄存器的每一个单元可以包括D触发 器，即用于像素n的D触发器401和用于像素n+1的D触发器402。数据信号Data_i被连接到D触发器401的D输入，D触发器401的Q输出被连接到D触发器402的D输入。D触发器401、402两者也由时钟信号CLK驱动。

因此，值“0”和“1”的序列可被传输到D触发器401、402，其中对于时钟信号CLK的每个时钟周期(上升沿)，储存在D触发器401中的实际值被移位到后续的D触发器402，并且由数据信号Data_i提供的下一个值被储存在D触发器401中。

根据图4示出的示例，第一个0的比特序列，然后1是——在两个时钟周期后——储存在D触发器401、402中，使得D触发器401具有值“1”，并且D触发器402具有值“0”。

用于像素n的光源(例如LED)是经由寄存器(例如D触发器403)的终端404驱动的，并且用于像素n+1的光源(例如LED)是经由寄存器(例如D触发器405)的终端406驱动的。D触发器403的D输入被连接到D触发器401的Q输出，D触发器405的D输入被连接到D触发器402的Q输出。D触发器403、405两者的启用(或时钟)输入被连接到更新信号UPD。当更新信号UPD变为“1”时，储存在D触发器401的值在D触发器403的Q输出变为可见，并因此被用来驱动该像素n的光源。因此，储存在D触发器402中的值在D触发器405的Q输出变为可见，并因此被用来驱动像素n+1的光源。

因此，图4示例性示出的移位寄存器包括两个单元，其中用于像素n的单元包括D触发器401和寄存器403，用于像素n+1的单元包括D触发器402和寄存器405。寄存器可以被实现为触发器，特别是作为D触发器。

图4仅示出两个像素单元的序列的示例性摘录。然而，这种方法也可以应用到多于两个的像素单元的序列，例如，像素矩阵的一行或一列。此外，数行或数列可通过甚至更长的移位寄存器连接和表示。在这种情况下，移位寄存器可用于提供数据信号到所有像素 的列或行或者甚至矩阵，并立即更新列、行或矩阵。

在更新信号UPD被激活之前并且在那时储存在相应的移位寄存器中的值被用于控制该序列的像素(例如像素矩阵的列或行)之前，时钟信号CLK的频率可以有利地足够高以填充用于这样的像素序列的移位寄存器。因此，每个像素的高刷新率可能导致PWM调光的高分辨率。因此，高的时钟频率可能有利于在触发更新信号之前将信息储存在移位寄存器的触发器中。

有利的是，通过以菊花链的方式(一个像素驱动下一个)提供寄存器(例如，图4的D-触发器)并将那些寄存器与相应的像素单元布置在一起，单行足以传输数据信号Data_i到像素的序列，而另外的每个像素将需要单独的连接来传输用于控制该像素的数据信号。

应当注意，任何类型的寄存器或存储器可被用来实现上述的结果。寄存器可以是触发器、锁存器、寄存器或具有记忆功能的任何其他元件。

图5示出了包括像素寻址块502、驱动器503和比较器504的像素单元501的示意性框图。比较器504可以任选地用于诊断的目的。

像素单元501可以与具有LED阵列的像素的表面区域的半导体器件的一部分相对应。像素单元501可以提供终端Out，其可以被连接到光源，例如LED阵列的LED 505。光源可被直接安装到半导体器件上，例如像素单元501上方。因此，安装在半导体器件上的LED可被看作是像素单元的组成部分。作为一个选项，术语“像素单元”可以指与单个LED相关联的一块半导体器件，该单个LED可被安装到这块半导体器件上。应注意的是，像素单元501可以是半导体器件102的一部分，尤其是LED驱动器矩阵202的一部分。在一个实施方案中，像素单元501可与根据图2的LED驱动器矩阵202相对应。

驱动器503是由电压Vcp和电压Vcc供给。此外，参考电流Iref被传输到驱动器503。参考电流Iref可由共同电路203供给，例如经 由布置有此共同电路203的电流源供给。驱动器503被连接到地面(也称为作为Vss)。

此外，该驱动器503接收来自像素寻址块502的信号506并提供其输出信号以通过节点508驱动相应的光源。节点508被连接到终端Out。

像素寻址块502获得更新信号UPD、数据信号Data_i和时钟信号CLK。它提供了用于后续的像素单元的数据信号Data_i+1(或用于共同电路，如果没有后续的像素单元)。

此外，像素寻址块502提供信号506到驱动器503。参考图4和图7阐述像素寻址块502的基本功能。

如果像素单元501配备有诊断功能，诊断信号Diag可以被提供到像素单元501的像素寻址块502。在这种情况下，节点508还被连接到比较器504，并且由比较器504处理的结果作为信号507被传输到像素寻址块502。比较器504也被连接到电压Vcc和地面Vss。

作为一个选项，到/自像素单元501的所有连接可以伴随共同电路，除了终端Out，终端Out被连接到可安装在像素单元501的顶部上的LED 505。

图6示出示例性像素单元601，其基于像素单元501但不包括上述的诊断功能。在这种情况下，像素单元601不具有比较器504，并且没有诊断信号Diag被提供到像素寻址块502。

在下文中，更详细地说明像素寻址块502、驱动器503和比较器504。

图7示出了像素寻址块502的示例性实现方式。也参考上述图4，其中更详细地说明了在数个像素单元之间操作的移位寄存器。

除了图4，图7的像素寻址块还包括诊断功能。来自比较器504的信号507被传输到多路转接器702的入口“1”，而信号Data_i被传输到多路转接器702的入口“0”。通过多路转接器的输入703来选择多路转接器702的入口“0”或“1”。多路转接器702的输出被连接到D触发器401的D输入。根据提供给输入703的数字值， 多路转接器的输入之一被连接到D触发器401的D输入。

如果提供给输入703的值是“0”，则信号Data_i被传输到D触发器401的D输入，如果值是“1”，则信号507被传输到D触发器401的D输入。

诊断信号Diag被传输到AND-栅极701的第一入口，AND-栅极701的第二入口被连接到D触发器403的Q输出。AND-栅极701的输出与多路转接器702的输入703连接。

根据此示例，如果信号Diag(诊断)是“1”且D触发器403的Q输出是“1”，则通过多路转接器703选择的信号507被连接到D触发器401的D输入。否则，在AND-栅极701的至少一个输入为“0”的情况下，通过多路转接器703选择的信号Data_i被连接到D触发器401的D输入。

D触发器403的Q输出将信号506传输到驱动器503。D触发器401的Q输出提供后续的数据信号Data_i+1。

图8示出了驱动器503的示例性实现方式。来自像素寻址块502的信号506被传输到n沟道MOSFET 805的栅极。MOSFET 805的漏极被连接到n沟道MOSFET 806的栅极和n沟道MOSFET 807的栅极。MOSFET 806对应于感测级，MOSFET 807对应于驱动器503的功率级。

MOSFET 805的源极被连接到地面Vss。电压Vcp经由电流源801被传输到电流镜804的终端808。同样，电压Vcp经由电流源803被连接到电流镜804的终端810。终端810被连接到MOSFET 806的栅极。电流镜804的终端809经由电流源802被连接到地面Vss。电流镜804的终端811被连接到节点508，节点508也被连接到终端Out。

电流源801至803每个均反映偏置电流。

电流镜804包括两个npn晶体管812和813。晶体管812的集电极被连接到终端808和晶体管812的基极以及晶体管813的基极。晶体管812的发射极被连接到终端809。晶体管813的集电极被连接 到终端810，晶体管813的发射极被连接到终端811。

该电压Vcc被连接到MOSFET 806的漏极和MOSFET 807的漏极。参考电流Iref被传输到MOSFET 806的源极和电流镜804的终端809。MOSFET 807的源极被连接到节点508。

MOSFET 807用作NMOS功率级，MOSFET 806用作NMOS感测单元。基于参考电流Iref和预定的KILIS因数(总计例如50)通过电流镜804来调节MOSFET 807的栅极-源极电压。

该KILIS因数指的是负载电流和感测电流之间的比率。负载电流比感测电流高KILIS倍。

驱动器的拓扑通过跨越处于高电流的整个功率级来提供低压降可有利于降低单元的功耗。

参考电流Iref可通过用于所有像素单元的共同电路来提供。因此，参考电流Iref可在距离像素单元的热源的远处产生。每一像素单元、每行像素单元和/或每列像素单元的电流可被镜像(mirror)。

因此，在驱动器503外产生用于电流镜804的参考电流Iref特别具有这样的优点，即可进一步减小像素单元所需的半导体器件上所需的面积。另一个优点是，所有像素单元的参考电流Iref基本上相同。

因此，像素单元的功耗的任何影响对相邻的像素单元的影响有限，导致每个像素单元的输出电流的高精确度。

一个选项是，功率级被设计成具有总计为4：200的KILIS因数，即NMOS感测级包括4个单元，这些单元的每个被功率级的50个单元镜像。这4个单元可被布置为交叉耦合结构的布局以减少不同温度梯度的影响。

图8所示的驱动器还提供了具有低偏移的高精确度。它仅占用了芯片上的小区域，并且它允许在短路接地Vss的情况下防止过电流。因此，当短路出现在终端Out时，提供参考电流的电流镜804不能工作，MOSFET 807(功率级)被拉低(pull down)。

图9示出了比较器504的示例性实现方式。比较器504还提供 了EXCLUSIVE-OR功能。

节点508也被连接到比较器504，即n沟道MOSFET 905的栅极和p沟道MOSFET 906的栅极(两个栅极相互连接)。信号507经由MOSFET 905的漏极被提供。MOSFET 905的漏极通过电流源901被连接到电压Vcc。MOSFET 906的漏极通过电流源903被连接到电压Vcc。MOSFET 905的源极被连接到n沟道MOSFET 907的漏极。MOSFET 907的源极经由电流源902被连接到地面Vss。MOSFET 906的源极被连接到MOSFET 907的栅极。同样，MOSFET 906的源极通过电流源904被连接到地面Vss。

电流源901至904的每个均反映偏置电流。

根据图7的像素寻址块502示出的诊断功能与图9的比较器的组合允许每个像素单元确定是否存在负载开路或短路接地的情况。

比较器504可被布置为能够检测这两种情况(即负载开路以及短路)的窗口比较器。有利的是，比较器504只需要芯片上的小区域。像素寻址块502被布置为经由多路转接器702来选择比较器504的输出507而不是数据信号Data_i。

因此，输出507的状态(指示像素单元是否在预定参数内工作或显示负载开路或短路状态)被加载到移位寄存器中，并且可以从该移位寄存器读取(在预定数量的时钟周期后)。

例如仅具有必须被检查的像素的256比特的数据帧被送入移位寄存器中，并且启用(即设定为“1”)用于待检查的像素单元的诊断信号Diag。该像素单元的多路转接器702不传输前一像素单元的数据信号Data_i，但传输比较器504的输出507。提供另一256比特的数据帧以将来自移位寄存器401的诊断信息传输到共同电路以及可能处理该诊断信息的微控制器。

因此，可以确定待诊断的像素单元是否在预定的参数内工作(用逻辑“0”表示)或是否遭遇负载开路或短路接地的问题(用逻辑“1”表示)。

可以重复该程序256次以检查所有的像素单元。

比较器504在输出电压过高(负载开路)或过低(短路接地)的情况下提供“高”的数字逻辑信息。所用的参考电压是MOSFET905和MOSFET 906的阈值电压。

一旦在节点508(其与跨越LED 505的电压相对应)的电压低于预定的阈值时，就断开MOSFET 905，并且由电流源901提供的电流拉升(pull up)信号507，导致逻辑“1”被储存在D触发器401中。

一旦在节点508的电压高于电压Vcc-Vth(Vth是阈值电压，在MOSFET的该示例中)时，就断开MOSFET 906，并且由电流源904提供的电流拉低MOSFET 907的栅极(由此其被断开)，因此电流源901的电流拉升信号507，导致逻辑“1”被储存在D触发器401中。

在正常操作(即在节点508的电压不为零或过高)时，接通MOSFET 905，并且接通MOSFET 906，这导致MOSFET 907也被接通。由电流源902提供的电流高于由电流源901提供的电流，以将信号507拉低到逻辑“0”。同样，由电流源903提供的电流高于由电流源904提供的电流，使得MOSFET 907接通并且允许左支(branch)被启用(拉低信号507)。因此，信号逻辑“0”被储存在D触发器401中。

因此，只有少数MOSFET时，在节点508的电压低于预定的阈值(其允许检测短路接地)或在节点508的电压高于电压Vcc-Vth(其允许检测负载开路)的情况下，比较器504能够生成总计为逻辑“1”的信号507。

因此，可以快速有效的方式来检查LED矩阵的每个像素(见图2)。

本文所提出的示例可尤其基于以下方案中的至少一个。为达到期望的结果，特别是可以利用以下特征的组合。该方法的特征可与装置、设备或系统的任何特征相结合，反之亦然。

提出用于驱动数个光源的装置，

-其中数个光源被布置成矩阵结构；

-其中该矩阵结构的数个光源被连接到半导体器件，其中该半导体器件的一部分与矩阵结构的光源相对应，

-其中半导体器件的所述部分包括激活时被布置为用于提供输出诊断信号的诊断功能。

在一个实施方案中，通过应用于半导体器件的所述部分的诊断信号来激活诊断功能。

在一个实施方案中，将诊断信号应用于多路转接器以在操作的诊断功能和正常功能之间切换。

在一个实施方案中，该装置包括比较器，该比较器被布置为用于确定以下各项的输出诊断信号：

-在用于驱动光源的电压低于预定的第一阈值或高于预定的第二阈值的情况下，输出诊断信号具有第一值；

-在用于驱动光源的电压不低于预定的第一阈值或不高于预定的第二阈值的情况下，输出诊断信号具有第二值。

在一个实施方案中，在用于驱动光源的半导体器件的所述部分的输出处提供输出诊断信号。

在一个实施方案中，半导体器件的每个部分包括诊断功能。

在一个实施方案中，该装置还包括：

-移位寄存器，包括至少两个单元，其中每个单元的输出控制数个光源中的一个光源；

-其中至少两个单元串联连接并且由时钟信号驱动；

-其中移位寄存器的每个单元包括触发器和寄存器；

-其中触发器的输出与寄存器的输入连接；

-其中寄存器被布置为基于更新信号来储存寄存器的输出，并且其中寄存器的输出控制数个光源中的一个光源；

-其中至少两个单元的触发器填充有基于时钟信号的数据信号；

-其中在预定数量的时钟周期后，根据储存在单元的触发器中的值来更新信号被传输到驱动光源的寄存器；和

-其中在诊断功能被激活的情况下，输出诊断信号被储存在移位寄存器的单元中。

触发器(也称为锁存器)是具有两个稳定状态且可用于储存状态信息的电路。该电路可被布置为通过应用到一个或多个控制输入端的信号来改变状态，并且其可具有至少一个输出端。触发器是可用于顺序逻辑中的基本存储元件。

应当注意，寄存器可以被实现为触发器。寄存器可以是用于储存信息的任何装置；储存的信息可特别(仅仅)用于控制光源，其中该光源可以被直接或间接地连接到寄存器的输出。为了这样的目的，寄存器可以包括可以应用更新信号的输入活动的更新信号然后可能会导致寄存器的输入被传输到其输出，该输出用于控制被相应地连接到该寄存器的输出的光源。同时应用更新信号到数个寄存器会导致控制数个光源，每一个光源通过单独的寄存器的输出在这样的时间提供；驱动各个光源的输出从经由数个时钟信号周期被传输数据信号的触发器开始。

还应当注意，该移位寄存器的触发器填充有基于时钟信号的如下数据信号：数据信号包括值“0”和“1”的流，其顺序地传输到移位寄存器：第一时钟信号允许数据信号的第一值输入移位寄存器的第一触发器。对于第二时钟信号，数据信号的第一值从移位寄存器的第一触发器传输到第二触发器，数据信号的第二值储存在第一触发器中。因此，值“0”或“1”的流随后通过移位寄存器的至少两个触发器被传输，其中每个时钟周期(例如时钟信号的上升沿)会触发移位操作。

因此，该方法允许堆叠矩阵装置包括用于单独访问矩阵的像素的(移位)-寄存器功能，每个像素包括光源。此移位寄存器允许在基于时钟信号寻址像素时的串行-并行转换。

在一个实施方案中，触发器是D触发器，寄存器是另外的D触发器，其中更新信号被传输到另外的D触发器的时钟终端。

在一个实施方案中，矩阵包含至少两行和至少两列。

在一个实施方案中，移位寄存器的一个单元与矩阵的每个光源相关联。

在一个实施方案中，移位寄存器的各单元是半导体器件的一部分，在半导体器件的顶部上布置有包含数个光源的矩阵结构。

在一个实施方案中，半导体器件包括用于矩阵结构的每个光源的驱动器。

在一个实施方案中，用于矩阵结构的每个光源的驱动器包括提供有至少一个参考电流的电流镜。

在一个实施方案中，在半导体器件的共用区域处生成至少一个参考电流，并将其提供给用于矩阵结构的光源的所有的驱动器。

在一个实施方案中，移位寄存器的单元和与矩阵的单个光源相关联的驱动器被布置在具有大小相当于矩阵的单个光源的表面区域的大小的表面区域上。

因此，处于适当位置的用于各个光源的驱动器和移位寄存器的单元可以被布置在位于光源下方的半导体器件上，但并不要求比半导体器件上与该光源的表面区域相对应的表面区域更大。这允许提供安装在半导体器件顶部上的光源的矩阵(例如LED矩阵)以及将该矩阵结构的光源连接到其各自的单元。

因而本文所提出的方案允许有效节省面积来实现操作矩阵结构的单个光源所需的半导体器件上的部件。

驱动器可以包括用于驱动单独的光源的电流源和/或电流镜。

移位寄存器的单元可以是本文所述的像素寻址块的一部分。

在一个实施方案中，半导体器件包括用于矩阵结构的光源的共同电路。

在一个实施方案中，共同电路被布置在邻近移位寄存器的区域。

在一个实施方案中，每个光源包括至少一个半导体光源，特别是至少一个LED。

在一个实施方案中，该装置是集成电路，特别是实现为单个 芯片。

提供了包括本文所述的装置的系统，其中这种装置是半导体器件，其包括：

-在第一区域上的像素单元电路，在第一区域的顶部上连接有包括光源矩阵的矩阵结构；和

-在第二区域的共同电路，第二区域被布置为邻近第一区域，其中共同电路被布置用于操作和/或提供像素单元电路。

虽然已经公开了本发明的各种示意性示例，但对于本领域技术人员来说清楚的是，在不背离本发明的精神和范围的情况下可以进行能够实现本发明的一些优点的各种变化和修改。对于本领域技术人员来说清楚的是，执行相同功能的其它部件可以被适当地取代。应当注意，参照特定附图阐述的特征可以与其它附图的特征相组合，甚至在并没有明确提及的情况下也可以组合。此外，本发明的方法可以以使用适当的处理器指令的任意的所有软件实现方式来实现，或以利用硬件逻辑与软件逻辑的组合来实现相同结果的混合实现方式来实现。对本发明的构思的这些修改意图被随附权利要求所涵盖。