显示装置和电子装置的制作方法

本公开涉及一种显示装置和一种电子设备。

背景技术

称为有源矩阵系统可驱动的显示装置通常具有一种配置，其中，发光元件和包括用于促使驱动发光元件的驱动电路的像素电路设置在与沿着显示表面的横向(在下文中，有时称为水平方向)延伸并且被放置成设置在直立方向(在下文中，有时称为垂直方向)的多个扫描线和沿着垂直方向延伸并被放置成设置在水平方向的多个数据线(信号线)的每个交叉点对应的位置。一个像素电路对应于一个像素或子像素。在适当的时间改变扫描线和信号线的电势；由此，适当地控制设置在像素电路中的驱动电路中的有源元件(晶体管等)的开/关，并且控制像素电路中的发光元件的发光。作为可由有源矩阵系统驱动的显示装置，例如，开发了有机发光二极管(oled)用作发光元件的显示装置(在下文中，有时称为有机电致发光(el)显示装置)(例如，专利文献1和2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2014/103500号

专利文献2：特开2013-113868号公报

技术实现要素：

本发明要解决的问题

在可由有源矩阵系统驱动的显示装置的显示表面中，多个像素电路以矩阵形式排列。在该配置中，担心将在像素电路中的扩散层的有源区域和相邻的其他像素电路中的扩散层的有源区域之间形成寄生电容，并且将在有源区域之间产生经由寄生电容的耦合。如果发生耦合，则像素电路的操作会影响相邻其他像素电路的操作；因此，不能获得期望的发射亮度，并且可能导致显示质量降低。然而，不能说在专利文献1和2中描述的技术中，已经充分研究了抑制相邻像素电路之间的这种耦合的影响。

在此处，目前，针对有机el显示装置研究了安装在穿戴式装置上。在这种使用中，需要减小有机el显示装置的尺寸和重量，以便减小穿戴式装置的尺寸和重量。然而，在试图因此使有机发光显示装置的尺寸更小的情况下，需要使相邻像素电路之间的距离更短，因此，上述耦合的影响变得更显著。因此，特别是对于小型有机发光显示装置，更强烈地期望抑制相邻像素电路之间耦合的影响的技术。

因此，本公开提出了一种能够进一步提高显示质量的新型改进的显示装置以及新型改进的电子设备。

问题的解决方案

根据本公开，提供了一种显示装置，包括：像素单元，其中，多个像素电路以矩阵形式排列，每个像素电路包括发光元件和被配置为驱动发光元件的驱动电路。在形成有包括在像素电路的驱动电路中的晶体管的扩散层中，在彼此相邻的像素电路之间提供作为用于向阱提供电势的有源区域的供电区域。

另外，根据本公开，提供了一种电子设备，包括：显示装置，其被配置为基于视频信号执行显示。所述显示装置包括像素单元，其中，多个像素电路以矩阵形式排列，每个像素电路包括发光元件和被配置为驱动发光元件的驱动电路，并且在形成有包括在像素电路的驱动电路中的晶体管的扩散层中，在彼此相邻的像素电路之间提供作为用于向阱提供电势的有源区域的供电区域。

根据本公开，在用作显示装置的显示表面的像素单元中，在彼此相邻的像素电路之间提供供电区域。供电区域用于屏蔽，从而抑制相邻像素电路之间的干扰。因此，每个像素电路可以执行期望的操作，并且在每个像素电路中获得期望的亮度。因此，可以进一步提高显示质量。

本发明的效果

如上所述，根据本公开，可以进一步提高显示质量。注意，上述效果不一定是限制性的。利用或代替上述效果，可以实现本说明书中描述的任何一种效果或可以从本说明书中理解的其他效果。

附图说明

[图1]是示出根据本实施例的显示装置的总体配置的示意图；

[图2]是更详细地示出图1所示的像素单元、扫描单元和选择单元的配置的示意图；

[图3]是示出图2所示的像素电路的配置的示意图；

[图4]是用于描述根据本实施例的像素电路的操作的示图；

[图5]是示意性地示出根据本实施例的像素电路的扩散层具有普通布局的情况下的普通布局的示例的俯视图；

[图6]是当像素电路在使用图5所示的普通布局的情况下操作时的时间波形图；

[图7]是示意性地示出根据本实施例的像素电路的扩散层的布局的示例的俯视图；

[图8]是当像素电路在使用图7所示的根据本实施例的布局的情况下操作时的时间波形图；

[图9]是示出根据本实施例的显示装置的具体配置示例的剖视图；

[图10]是示出智能手机的外观的示图，该智能手机是可以使用根据本实施例的显示装置的电子设备的示例；

[图11]是示出数码相机的外观的示图，该数码相机是可以使用根据本实施例的显示装置的电子设备的另一示例；

[图12]是示出数码相机的外观的示图，该数码相机是可以使用根据本实施例的显示装置的电子设备的另一示例；

[图13]是示出头戴式显示器的外观的示图，该头戴式显示器是可以使用根据本实施例的显示装置的电子设备的另一示例。

具体实施方式

在下文中，将参考附图详细描述本公开的优选实施例。注意，在本说明书和附图中，具有基本上相同的功能和结构的结构元件用相同的附图标记表示，并且省略了对这些结构元件的重复解释。

注意，在附图中，为了描述的目的，可能放大表示剖视图中的一些层和显示布局的俯视图中的一些区域的尺寸等。附图中所示的层、区域等的相对尺寸不一定准确地表示层、区域等之间的实际大小关系。

此外，在下文中，将显示装置是有机el显示装置的实施例描述为本公开的示例。然而，本公开不限于该示例，并且作为本公开的目的的显示装置可以是各种显示装置，只要是可由有源矩阵型驱动系统驱动的显示装置。

注意，按以下顺序给出描述。

1、显示装置的总体配置

2、像素电路的配置

3、像素电路的操作

4、像素电路的布局

4-1、普通布局

4-2、根据本实施例的布局

5、显示装置的具体配置示例

6、应用示例

7、补充

(1、显示装置的总体配置)

现在将参照图1和图2，描述根据本公开实施例的显示装置的总体配置。图1是示出根据本实施例的显示装置的总体配置的示意图。图2是更详细地示出图1所示的像素单元、扫描单元和选择单元的配置的示意图。

参照图1，在根据本实施例的显示装置1中，像素单元20、扫描单元30和选择单元40设置在显示面板10上。如图2所示，在像素单元20中，多个像素电路210以矩阵形式排列。注意，尽管为了方便起见，记录为像素电路210，但是图2中所示的“像素电路210”示出了除了像素电路210的互连层之外的部分；实际上，在像素电路210中，互连(稍后描述的从扫描单元30和选择单元40延伸的互连、电源线332等)可以连接到图2所示的“像素电路210”。即，这些互连可以共同提供给多个像素电路210，但是也可以是像素电路210的一部分；因此，在图2中，为了方便起见，除了像素电路210的互连层之外的部分被示出为像素电路210。在本说明书中，在记录为“像素电路210”的情况下，为了方便起见，该部件可以仅指除了像素电路210的互连层之外的部分。

一个像素电路210对应于一个子像素。在此处，显示装置1是能够彩色显示的显示装置，并且用作形成彩色图像的单元的一个像素包括多个子像素。具体地，一个像素包括发射红光的子像素、发射绿光的子像素和发射蓝光的子像素这三个子像素。在图2中，对应于每个子像素的颜色(r、g或b)被模拟地写入每个像素电路210中。适当地控制每个像素电路210(即，每个子像素)中的发光，从而在像素单元20中显示期望的图像。因此，像素单元20对应于显示装置1中的显示表面。

然而，在本实施例中，包括在一个像素中的子像素的组合不限于rgb三原色的子像素的组合。例如，在一个像素中，一种颜色或多种颜色的子像素可以进一步添加到三原色的子像素中。具体地，例如，在一个像素中，可以将发射白光的子像素添加到三原色的子像素中，以提高亮度；或者在一个像素中，可以将发射补色光的至少一个子像素添加到三原色的子像素中，以便扩大颜色再现范围。可替换地，在显示装置1中，子像素可以不存在，并且一个像素电路210可以对应于一个像素。此外，可替换地，显示装置1可以不是能够彩色显示的装置，并且可以是执行单色显示的装置。

扫描单元30被放置在像素单元20的水平方向的一侧。设置成沿垂直方向排列的多个互连在水平方向上从扫描单元30向像素单元20延伸。具体地，如图2所示，扫描单元30包括写入扫描单元301、第一驱动扫描单元311和第二驱动扫描单元321。多个扫描线302从写入扫描单元301朝向像素电路210的相应行延伸，多个第一驱动线312从第一驱动扫描单元311朝向像素电路210的相应行延伸，多个第二驱动线322从第二驱动扫描单元321朝向像素电路210的相应行延伸。这些多个互连(扫描线302、第一驱动线312和第二驱动线322)中的每一个连接到相应像素电路210。写入扫描单元301、第一驱动扫描单元311和第二驱动扫描单元321适当地改变这些多个互连的电势，从而控制每个像素电路210的操作，使得期望的图像可以显示为整个显示表面。下文中参考图3描述扫描线302、第一驱动线312和第二驱动线322与像素电路210之间的连接状态的细节以及写入扫描单元301、第一驱动扫描单元311和第二驱动扫描单元321的功能。

选择单元40被放置在像素单元20的垂直方向的一侧。设置成沿水平方向设置的多个互连在垂直方向上从选择单元40朝向像素单元20延伸。具体地，如图2所示，选择单元40包括信号输出单元401。多个信号线402从信号输出单元401朝向像素电路210的相应列延伸。多个信号线402中的每一条连接到像素单元20中的相应像素电路210。信号输出单元401适当地改变多个信号线402的电势，从而控制每个像素电路210的操作，使得期望的图像可以显示为整个显示表面。下文中参考图3描述信号线402和像素电路210之间的连接状态的细节以及信号输出单元401的功能。

因此，从扫描单元30沿水平方向延伸的互连被设置为对应于以矩阵形式排列的像素电路210的相应行，并且连接到相应像素电路210。此外，从选择单元40沿垂直方向延伸的互连被设置为对应于以矩阵形式排列的像素电路210的相应列，并且连接到相应像素电路210。然后，通过扫描单元30和选择单元40适当地改变这些多个互连的电势，从而控制像素单元20的每个像素电路的操作。

(2、像素电路的配置)

现在将参照图3描述图2所示的像素电路210的配置。图3是示出图2所示的像素电路210的配置的示意图。图3示出了图2所示的多个像素电路210中的一个像素电路210的电路配置，并且示出了与扫描线302、第一驱动线312、第二驱动线322和信号线402的像素电路210的连接状态。

如图3所示，像素电路210包括作为发光元件的有机发光二极管211和通过使电流通过有机发光二极管211来驱动有机发光二极管211的驱动电路。驱动电路包括四个晶体管，这些晶体管是有源元件(驱动晶体管212、采样晶体管213、发光控制晶体管214和开关晶体管217)和电容元件(保持电容215和辅助电容216)。在像素电路210中，互连(上述扫描线302、第一驱动线312、第二驱动线322和信号线402、稍后描述的电源线332等)连接到这些元件。

注意，具有普通结构的有机发光二极管可以用作有机发光二极管211。此外，驱动晶体管212、采样晶体管213、发光控制晶体管214和开关晶体管217中的每一个都是形成在诸如硅等半导体上的p沟道四端子(源极/栅极/漏极/背栅极)晶体管，并且该结构可以类似于普通的p沟道四端子晶体管。因此，在本文中省略对有机发光二极管211、驱动晶体管212、采样晶体管213、发光控制晶体管214和开关晶体管217的结构的详细描述。

有机发光二极管211的阴极电极连接到公用电源线331(电势：vcath)，该公用电源线331设置为由像素单元20的所有像素电路210共有。驱动晶体管212的漏电极连接到有机发光二极管211的阳极。

发光控制晶体管214的漏电极连接到驱动晶体管212的源电极，发光控制晶体管214的源电极连接到电源线332(电势：vcc；vcc是电源电势)。此外，驱动晶体管212的栅电极连接到采样晶体管213的漏电极，采样晶体管213的源电极连接到信号线402。

因此，通过使采样晶体管213进入导通状态，将与信号线402的电势对应的电势施加到驱动晶体管212的栅电极(写入信号线402的电势)，并且使驱动晶体管212进入导通状态。此外，在这种情况下，通过使发光控制晶体管214进入导通状态，将与信号电势vcc对应的电势施加到驱动晶体管212的源极，并且在驱动晶体管212中产生漏极-源极电流ids；因此，驱动有机发光二极管211。在这种情况下，漏极-源极电流ids的大小根据驱动晶体管212的栅极电势vg而变化，因此，根据驱动晶体管212的栅极电势vg控制有机发光二极管211的发光亮度，即，由采样晶体管213写入的信号线402的电势。

因此，驱动晶体管212具有促使驱动晶体管212的漏极-源极电流ids驱动有机发光二极管211的功能。此外，采样晶体管213根据信号线402的电势控制驱动晶体管212的栅极电压，即，控制驱动晶体管212的开/关；因此，采样晶体管213具有将信号线402的电势写入像素电路210上的功能(即，具有采样像素电路210以写入信号线402的电势的功能)。此外，发光控制晶体管214控制驱动晶体管212的源电极的电势，从而控制驱动晶体管212的漏极-源极电流ids；因此，发光控制晶体管214具有控制有机发光二极管211的发光/非发光的功能。

保持电容215连接在驱动晶体管212的栅电极(即，采样晶体管213的漏电极)和驱动晶体管212的源电极之间。即，保持电容215保持驱动晶体管212的栅极-源极电压vgs。辅助电容216连接在驱动晶体管212的源电极和电源线332之间。辅助电容216具有抑制当写入信号线402的电势时驱动晶体管212的源极电势变化的作用。

信号输出单元401适当地控制信号线402的电势(信号线电压data)，从而将信号线402的电势写入像素电路210上(具体地，如上所述，将信号线402的电势写入由采样晶体管213选择的像素电路210上)。在本实施例中，信号输出单元401经由信号线402选择性地输出与视频信号对应的信号电压vsig、第一参考电压vref和第二参考电压vofs。在此处，第一参考电压vref是用于使有机发光二极管211可靠地熄灭的参考电压。此外，第二参考电压vofs是用作与视频信号对应的信号电压vsig的参考的电压(例如，等于视频信号的黑色电平的电压)，并且在执行稍后描述的阈值校正操作时使用。

扫描线302连接到采样晶体管213的栅电极。写入扫描单元301通过改变扫描线302的电势(扫描线电压ws)来控制采样晶体管213的开/关，并且执行将上述信号线402的电势(例如，与视频信号对应的信号电压vsig)写入像素电路210上的处理。实际上，如参考图2所述，多个扫描线302延伸到以矩阵形式排列的多个像素电路210的相应行。当在每个像素电路210上写入信号线402的电势时，写入扫描单元301依次将规定值的扫描线电压ws提供给多个扫描线302，从而逐行扫描像素电路210。

注意，同样对于信号线402，实际上，多个信号线402延伸到以矩阵形式排列的多个像素电路210的相应列，如参考图2所述。从信号输出单元401交替地输出的与视频信号对应的信号电压vsig、第一参考电压vref和第二参考电压vofs以通过写入扫描单元301的扫描而选择的像素行为单位，经由多个信号线402写入像素电路210上。即，信号输出单元401逐行写入信号线402的电势。

第一驱动线312连接到发光控制晶体管214的栅电极。第一驱动扫描单元311通过改变第一驱动线312的电势(第一驱动线电压ds)来控制发光控制晶体管214的开/关，并且执行控制上述有机发光二极管211的发光/非发光的处理。实际上，如参考图2所述，多个第一驱动线312延伸到以矩阵形式排列的多个像素电路210的相应行。与写入扫描单元301的扫描同步，第一驱动扫描单元311依次将规定值的第一驱动线电压ds提供给多个第一驱动线312，从而适当地控制每个像素电路210的发光/非发光。

在此处，此外，在像素电路210中，开关晶体管217的源电极连接到有机发光二极管211的阳极电极。开关晶体管217的漏电极连接到接地线333(电势：vss；vss是地电势)。在有机发光二极管211的非发光期间流过驱动晶体管212的电流借助于由开关晶体管217形成的电流路径流过接地线333。

在此处，如下文的所述，当驱动根据本实施例的像素电路210时，执行校正驱动晶体管212的阈值电压vth的阈值校正操作，并且进一步执行阈值校正准备操作，作为用于执行阈值校正操作的前阶段。在阈值校正准备操作中，执行初始化驱动晶体管212的栅极电势vg和源极电势vs的操作，因此，驱动晶体管212的栅极-源极电压vgs变得大于驱动晶体管212的阈值电压vth。这是因为，如果驱动晶体管212的栅极-源极电压vgs没有被设置为大于驱动晶体管212的阈值电压vth，则不能适当地执行阈值校正操作。

因此，如果执行初始化上述驱动晶体管212的栅极电势vg和源极电势vs的操作，则尽管在有机发光二极管211的非发光周期，有可能发生有机发光二极管211的阳极电势vano超过有机发光二极管211的阈值电压vthel的情况。因此，电流从驱动晶体管212流入有机发光二极管211，并且尽管在非发光周期，发生有机发光二极管21发光的现象。

因此，在本实施例中，为了防止这种现象，提供了使用上述开关晶体管217的电流电路。由此，来自上述驱动晶体管212的电流不流入有机发光二极管211，而是流入该电流电路，并且可以防止有机发光二极管211的无意发光。

第二驱动线322连接到开关晶体管217的栅电极。第二驱动扫描单元321通过改变第二驱动线322的电势(第二驱动线电压az)来控制开关晶体管217的开/关。具体地，第二驱动扫描单元321适当地改变第二驱动线电压az，从而通过执行阈值校正准备操作，将开关晶体管217设置为导通状态，并且在发光接收期间，更具体地，至少在驱动晶体管212的栅极-源极电压vgs被设置为大于驱动晶体管212的阈值电压vth期间，打开上述电流电路。实际上，如参考图2所述，多个第二驱动线322延伸到以矩阵形式排列的多个像素电路210的相应行。第二驱动扫描单元321与写入扫描单元301的扫描同步地依次将规定值的第二驱动线电压az提供给多个第二驱动线322，从而适当地控制开关晶体管217的驱动，使得开关晶体管217在上述周期内处于导通状态。

注意，可以通过能够实现上述功能的各种电路(例如，移位寄存器电路)，使用已知技术获得写入扫描单元301、第一驱动扫描单元311、第二驱动扫描单元321和信号输出单元401，因此，在本文中省略对这些单元的详细电路配置的描述。

在上文中，描述了根据本实施例的像素电路210的配置。

(3、像素电路的操作)

现在将描述上文描述的像素电路210的操作。图4是用于描述根据本实施例的像素电路210的操作的示图。图4示出了与像素电路210的操作相关的信号的时间波形图。具体地，图4示出信号线402的电势(信号线电压data)、扫描线302的电势(扫描线电压ws)、第一驱动线312的电势(第一驱动线电压ds)、第二驱动线322的电势(第二驱动线电压az)、驱动晶体管212的源极电势vs和驱动晶体管212的栅极电势vg的一个水平周期(一个h周期)的变化方式。

注意，由于采样晶体管213、发光控制晶体管214和开关晶体管217中的每一个都是p沟道型的，所以当扫描线电压ws、第一驱动线电压ds和第二驱动线电压az分别处于低电势状态时，这些晶体管处于打开状态(onstage)，即，处于导通状态，并且当扫描线电压ws、第一驱动线电压ds和第二驱动线电压az分别处于高电势状态时，这些晶体管处于关闭状态(offstage)，即，非导通状态。同样对于驱动晶体管212，类似地，在栅极电势vg是低电势的情况下，驱动晶体管212处于导通状态，并且在栅极电势vg是高电势的情况下，驱动晶体管212处于非导通状态。此外，如上所述，与视频信号对应的信号电压vsig、第一参考电压vref和第二参考电压vofs中的任何一个被可替代地选择用于信号线电压data。在图4所示的波形图中，作为示例，vref＝vcc(电源电势)。

在有机发光二极管211的发光周期结束时，扫描线电压ws从高电势转变为低电势，并且使采样晶体管213进入导通状态(时间t1)。另一方面，在时间t1，信号线电压data处于被控制为第一参考电压vref的状态。因此，通过扫描线电压ws从高电势转变为低电势，驱动晶体管212的栅极-源极电压vgs变得小于或等于驱动晶体管212的阈值电压vth，从而切断驱动晶体管212。如果切断驱动晶体管212，则切断到有机发光二极管211的电流供应路径，因此，有机发光二极管211的阳极电势vano逐渐降低。随着时间的推移，如果阳极电势vano变得小于或等于有机发光二极管211的阈值电压vthel，则有机发光二极管211完全进入消光状态(时间t1至时间t2的周期；消光期)。

在消光期之后，提供执行稍后描述的阈值校正操作之前的准备操作(阈值校正准备操作)的周期(时间t2至时间t3的周期；阈值校正准备周期)。具体地，在时间t2，即，阈值校正准备周期开始的时间，扫描线电压ws从高电势转变为低电势，从而采样晶体管213进入导通状态。另一方面，在时间t2，信号线电压data处于被控制为第二参考电压vofs的状态。通过采样晶体管213在信号线电压data为第二参考电压vofs的状态下进入导通状态，驱动晶体管212的栅极电势vg变为第二参考电压vofs。

此外，在时间t2，第一驱动线电压ds处于低电势状态，并且发光控制晶体管214被设置为导通状态。因此，驱动晶体管212的源极电势vs是电源电压vcc。在这种情况下，驱动晶体管212的栅极-源极电压vgs是vgs＝vofs-vcc。

在此处，为了执行阈值校正操作，需要将驱动晶体管212的栅极-源极电压vgs设置为大于驱动晶体管212的阈值电压vth。因此，每个电压值都被设置为|vg|＝|vofs-vcc|>|vth|。

因此，将驱动晶体管212的栅极电势vg设置为第二参考电压vofs并将驱动晶体管212的源极电势vs设置为电源电压vcc的初始化操作是阈值校正准备操作。即，第二参考电压vofs和电源电压vcc分别是驱动晶体管212的栅极电势vg和源极电势vs的初始化电压。

如果阈值校正准备周期结束，则接下来，执行校正驱动晶体管212的阈值电压vth的阈值校正操作(时间t3至时间t4的周期；阈值校正周期)。在执行阈值校正操作的周期中，首先，在时间t3，即，阈值校正周期开始的时间，第一驱动线电压ds从低电势转变为高电势，并且发光控制晶体管214进入非导通状态。因此，驱动晶体管212的源极电势vs进入浮动状态。另一方面，在时间t3，扫描线电压ws处于被控制为高电势的状态，并且采样晶体管213处于非导通状态。因此，在时间t3，驱动晶体管212的栅极电势vg也处于浮动状态，并且在彼此浮动的状态下，驱动晶体管212的源电极和栅电极进入经由保持电容215连接在一起的状态。由此，如图所示，驱动晶体管212的源极电势vs和栅极电势vg根据驱动晶体管212的阈值电压vth逐渐变为规定值。

因此，在浮动状态下，将驱动晶体管212的栅极电势vg的初始化电压vofs和驱动晶体管212的初始化电压vcc和源极电势vs用作参考来根据驱动晶体管212的阈值电压vth将驱动晶体管212的源极电势vs和栅极电势vg变为规定值的操作是阈值校正操作。如果阈值校正操作进行，则驱动晶体管212的栅极-源极电压vgs随着时间稳定为驱动晶体管212的阈值电压vth。相当于阈值电压vth的电压保持在保持电容215中。

在此处，当然，存在驱动晶体管212的阈值电压vth的设计值；然而，由于制造变化等，所以实际阈值电压vth并不总是与设计值一致。在这方面，通过执行如上所述的阈值校正操作，可以在使有机发光二极管211发光之前，使等于实际阈值电压vth的电压保持在保持电容215中。因此，此后，当促使驱动该驱动晶体管212，以使有机发光二极管211发光时，可以消除驱动晶体管212的阈值电压vth的变化，如稍后所述。因此，可以更精确地控制驱动晶体管212的驱动，并且可以更有利地获得期望的亮度。

如果阈值校正周期结束，则接下来，执行写入与视频信号对应的信号电压vsig的信号写入操作(时间t4到时间t5的周期：信号写入周期)。在信号写入周期内，在时间t4，即，信号写入期间开始的时间，扫描线电压ws从高电势转变为低电势，并且使采样晶体管213进入导通状态。另一方面，在时间t4，信号线电压data处于根据视频信号被控制为信号电压vsig的状态，因此，根据视频信号的信号电压vsig写入保持电容215上。当写入与视频信号对应的信号电压vsig时，连接在驱动晶体管212的源电极和电源线332之间的辅助电容216起到抑制驱动晶体管212的源极电势vs的变化的作用。然后，在写入根据视频信号的信号电压vsig时，即，在根据视频信号的信号电压vsig施加到驱动晶体管212的栅电极并且驱动该驱动晶体管212时，驱动晶体管212的阈值电压vth被等于作为阈值校正操作的结果保持在保持电容215中的阈值电压vth的电压抵消。即，通过执行上述阈值校正操作，消除在像素电路210之间的驱动晶体管212的阈值电压vth的变化。

在时间t5，扫描线电压ws从低电势转变为高电势，并且使采样晶体管213进入非导通状态；由此，信号写入周期结束。如果信号写入周期结束，则接下来，从时间t6开始发光周期。在时间t6，即，发光周期开始的时间，第一驱动线电压ds从高电势转变为低电势，从而使发光控制晶体管214进入导通状态。因此，从具有电源电压vcc的电源线332经由发光控制晶体管214向驱动晶体管212的源电极提供电流。

在这种情况下，由于采样晶体管213处于非导通状态，所以驱动晶体管212的栅电极与信号线402电分离，并且处于浮动状态。当驱动晶体管212的栅电极处于浮动状态时，保持电容215连接在驱动晶体管212的栅极和源极之间，因此，栅极电势vg随着驱动晶体管212的源极电势vs的变化而变化。即，驱动晶体管212的源极电势vs和栅极电势vg上升，同时保持在保持电容215中保持的栅极-源极电压vgs。然后，驱动晶体管212的源极电势vs根据晶体管的饱和电流上升到有机发光二极管211的发光电压voled。

驱动晶体管212的栅极电势vg以这种方式随着源极电势vs的变化而变化的操作被称为自举操作(bootstrapoperation)。换言之，自举操作是驱动晶体管212的栅极电势vg和源极电势vs在保持在保持电容215中保持的栅极-源极电压vgs(即，在保持电容215的两端之间的电压)的同时变化的操作。

然后，驱动晶体管212的漏极-源极电流ids开始流过有机发光二极管211，从而有机发光二极管211的阳极电势vano根据漏极-源极电流ids上升。随着时间的推移，如果有机发光二极管211的阳极电势vano超过有机发光二极管211的阈值电压vthel，则驱动电流开始流过有机发光二极管211，并且有机发光二极管211开始发光。

在一个h周期内在每个像素电路210中执行上述操作。注意，如上所述，开关晶体管217是用于防止由于在非发光周期中从驱动晶体管212流向有机发光二极管211的电流而发生的有机发光二极管211的无意发光的晶体管；因此，适当地控制第二驱动线电压az，使得开关晶体管217在非发光周期中处于导通状态。在所示的示例中，在发光周期结束的时间t1，第二驱动线电压az从高电势转变为低电势；并且紧接在下一个发光周期结束或开始的时间t6之前，第二驱动线电压az从低电势转变为高电势。

注意，关于上述根据本实施例的显示装置1的总体配置、像素电路210的配置以及像素电路210的操作，除了在下面的(4-2、根据本实施例的布局)中下文描述的方面之外，可以参考作为本申请人的在先申请的上述专利文献。换言之，除了在(4-2、根据本实施例的布局)中稍后描述的方面之外，根据本实施例的显示装置1的总体配置、像素电路210的配置和像素电路210的操作可以类似于上述专利文献1中描述的那些。然而，上面描述的仅仅是一个示例，并且本实施例不限于这个示例。在根据本实施例的显示装置1中反映在下面的(4-2、根据本实施例的布局)中稍后描述的方面，并且在普通显示装置中使用的各种已知配置可以用于其他方面，这就足够了。

(4、像素电路的布局)

现在将描述扩散层的布局，该扩散层是在形成上述根据本实施例的像素电路210的晶体管的层。在本文中，首先，描述普通的现有布局，以便使根据本实施例的布局获得的效果更清楚。

(4-1、普通布局)

现在将考虑根据本实施例的像素电路210的扩散层具有普通布局的情况。图5是示意性地示出根据本实施例的像素电路210的扩散层具有普通布局的情况下的普通布局的示例的俯视图。实际上，多个子像素(即，像素电路210)被放置成以矩阵形式设置在显示装置1的像素单元20中；但是为了描述的目的，图5示出了对应于相邻三个子像素(pix_a、pix_b和pix_c)的像素电路210的布局。

在根据本实施例的像素电路210中，像素电路210的每个晶体管形成在硅衬底上(像素电路210形成在所谓的硅背板上)。在图5中，以简化的方式示出了扩散层的布局；在扩散层中，对应于包括在像素电路210中的每个晶体管的源极区域和漏极区域的有源区域以及用作每个晶体管的栅电极的栅极区域由彼此不同类型的虚线表示。在附图中，未在子像素中用点阴影线表示的区域是例如隔离区域，其中，通过各种已知方法中的任何一种形成氧化物，例如，浅沟槽隔离(sti)和硅的局部氧化(locos)。

在每个子像素中，区域221是驱动晶体管212的漏极区域，并且进一步对应于开关晶体管217的源极区域，该区域是有连接机发光二极管211的阳极电极的区域，该阳极电极形成在所示晶体管层的上侧(也参见上述图3)。在下文中，为了方便起见，区域221可以被称为阳极区域221。此外，对应于这些子像素中的pix_b的采样晶体管213的漏极区域的区域222是连接驱动晶体管的栅电极的区域(也参见上述图3)。在下文中，为了方便起见，区域222可以被称为栅极区域222。

此外，在三个子像素中的pix_c中设置了供电区域223，作为用于向阱提供电势的有源区域。这些子像素中的阱的电势是相同的；因此，在普通布局中，供电区域223可以以1比几个子像素的比例设置，如图所示。

现在将考虑pix_a的像素电路210的操作对该布局中相邻pix_b的像素电路210的操作的影响。在图5所示的布局的示例中，pix_a的阳极区域221和pix_b的栅极区域222位于较劲的距离处。因此，如图所示，寄生电容cp可以存在于这两者之间。在存在寄生电容cp的情况下，由于寄生电容cp，人们担心不会正确地执行pix_b的像素电路210的操作。

图6是当像素电路210在使用图5所示的普通布局的情况下操作时的时间波形图。图6主要示出了对应于参照图4描述的信号写入周期到发光周期的时间波形图。为了描述的目的，图6示出了pix_b的驱动晶体管212的扫描线电压ws、第一驱动线电压ds、栅极电势(栅极)和源极电势(源极)以及阳极区域221的电势(阳极)(这是有机发光二极管211的阳极电势，并且等于驱动晶体管212的漏极电势)的波形和pix_a的驱动晶体管212的栅极电势(栅极)和源极电势(源极)以及阳极区域221的电势(阳极)的波形。

参照图6，在信号写入周期中写入与视频信号对应的信号电压vsig，然后，第一驱动线电压ds从高电势转变为低电势，从而状态转移到发光周期。在这种情况下，如上所述，通过自举操作，驱动晶体管212的栅极电势和源极电势都上升到规定值。

在此处，如果上述寄生电容cp存在于pix_a的阳极区域221和pix_b的栅极区域222之间，则pix_a的阳极区域221的电势的变化经由寄生电容cp影响pix_b的栅极区域222。具体地，如果pix_b的栅极区域222的寄生电容由cp_b表示，并且pix_a的阳极区域221的电势变化由δvano表示，则pix_b的栅极区域222的电势变化量δvb由下面的数学公式(1)表示。

[数学式1]

即，由于pix_a的阳极区域221的电势的变化经由寄生电容cp的影响，栅极区域222的电势，即，pix_b的驱动晶体管212的栅极电势，与最初应该设置的值偏离δvb。在图6中，对于pix_b的驱动晶体管212的栅极电势，模拟地示出了表示期望电势的曲线t和表示偏离δvb的电势的曲线f。如果以这种方式，pix_b的驱动晶体管212的栅极电势偏离δvb，pix_b的驱动晶体管212的栅极-源极电压vgs也偏离δvb。因此，驱动晶体管212的漏极-源极电流ids也偏离原始设计值，并且对于pix_b的有机发光二极管211，没有获得期望的亮度。

如上所述，在普通布局用于扩散层的情况下，寄生电容cp可以出现在相邻像素电路210的有源区域之间。然后，人们担心经由寄生电容cp耦合，像素电路210的操作将影响相邻的其他像素电路210的操作。因此，没有获得期望的亮度，作为像素，并且显示质量可能降低。注意，尽管在在本文中，pix_a和pix_b之间的干扰被描述为一个示例，但是类似的现象也可以发生在pix_b和pix_c之间，当然，还可以发生在未示出的其他相邻子像素之间。

(4-2、根据本实施例的布局)

在本实施例中，可以通过修改布局来解决上述普通布局中可能出现的问题。现在将参照图7描述根据本实施例的像素电路210的扩散层的布局。

图7是示意性地示出根据本实施例的像素电路210的扩散层的布局的示例的俯视图。

类似于图5，图7示出了对应于相邻三个子像素(pix_a、pix_b和pix_c)的像素电路210的布局。此外，在图7中，类似于图5，以简化的方式示出了扩散层的布局，并且与像素电路210中包括的每个晶体管的源极区域和漏极区域对应的有源区域和用作每个晶体管的栅电极的栅极区域由彼此不同类型的虚线表示。在图中，子像素中没有用点阴影线表示的区域是隔离区域。

参照图7，在根据本实施例的扩散层的布局中，晶体管的布局可以类似于图5所示的普通布局。然而，在本实施例中，供电区域223的设置不同于普通布局。

具体地，在本实施例中，如图7所示，供电区域223设置在每个子像素中。然后，在每个子像素中，供电区域223设置在邻近有源区域的相邻子像素之间的部分中，即，可能发生寄生电容cp的部分中。在所示的示例中，供电区域223设置在子像素的阳极区域221和相邻子像素的栅极区域222之间(例如，pix_a的阳极区域221和pix_b的栅极区域222之间等)，其中，寄生电容cp可能出现在普通布局中。在该布局中，供电区域223起到屏蔽的作用；因此，抑制了在相邻像素电路210的有源区域之间出现寄生电容cp，并且可以减少像素电路210的操作对相邻其他像素电路210的操作的影响。因此，可以为每个子像素获得期望的亮度，并且可以提高显示质量。

注意，由于最初提供供电区域223，以便向阱提供电势，因此在本实施例中，不必新提供屏蔽的专用配置。因此，可以在相邻像素电路210之间获得屏蔽的效果，而不增加像素电路210的面积。此外，由于不需要新提供屏蔽的专用配置，所以不需要例如新制造掩模或添加屏蔽效果的工艺，因此不会导致制造成本的增加。因此，根据本实施例，从像素电路210的面积的角度，进一步从成本的角度，可以更有效地获得屏蔽的效果。此外，由于可以如上所述，在不增加像素电路210的面积的情况下提高显示质量，所以显示装置1可以有利地用作需要缩小尺寸的显示装置，例如，用作要安装在穿戴式装置等上的显示装置。

图8是当像素电路210在使用图7所示的根据本实施例的布局的情况下操作时的时间波形图。类似于图6，图8主要示出了从信号写入周期到发光周期的时间波形图。类似于图6，图8示出了pix_b的驱动晶体管212的扫描线电压ws、第一驱动线电压ds、栅极电势(栅极)和源极电势(源极)以及阳极区域221的电势(阳极)的波形和pix_a的驱动晶体管212的栅极电势(栅极)和源极电势(源极)以及阳极区域221的电势(阳极)的波形。

在本实施例中，如图7所示，供电区域223设置在pix_a的阳极区域221和pix_b的栅极区域222之间，从而抑制了这两者之间经由寄生电容cp的干扰。因此，如图8所示，在状态从信号写入周期转移到发光周期并且驱动晶体管212的栅极电势和源极电势都通过自举操作上升到规定值的时间内，pix_b的驱动晶体管212的栅极电势可以控制为期望值，而pix_a的阳极区域221的电势的变化对pix_b的栅极区域222的电势(即，pix_b的驱动晶体管212的栅极电势)的变化影响很小。因此，pix_b的驱动晶体管212的栅极-源极电压vgs和漏极-源极电流ids也可以更精确地控制为期望值，并且可以获得pix_b的有机发光二极管211的期望亮度。

在此处，在图5所示的普通布局中，供电区域223以一比多个子像素的比率设置。在这种布局中，人们担心在像素单元20(即，显示表面)中的阱电势中会出现电势梯度。如果出现这种电势梯度，则子像素之间的阱电势会出现差异，因此，可能导致均匀性故障，例如，亮度不均匀。相反，在本实施例中，如上所述，在每个子像素中设置供电区域223，并且为每个子像素执行对阱的供电。因此，不太可能发生显示表面中的阱电势的电势梯度，并且在子像素中可以获得基本相同的阱电势。因此，可以抑制上述均匀性故障的发生，并且可以实现显示质量的进一步提高。

注意，图7所示的布局仅仅是一个示例，并且本实施例不限于这个示例。只要在相邻子像素之间(即，在像素电路210之间)提供供电区域223，就可以显示供电区域223的屏蔽效果，并且可以抑制子像素之间的干扰。因此，在本实施例中，在相邻子像素之间提供供电区域223就足够了；可以适当地确定供电区域223的数量和设置以及供电区域223的形状、面积等。实际上，晶体管的数量和每个晶体管的尺寸都不同，晶体管扩散层的布局也根据像素电路的配置而不同。因此，可以用这种方式基于像素电路210的配置、根据该配置确定的晶体管的布局等，来确定供电区域223的数量和设置以及供电区域223的形状、面积等，以便更有效地展示作为屏蔽的效果，并且可以适当地有利地抑制相邻像素电路210之间的干扰。可以通过例如重复模拟或试生产，来适当地确定用于有效获得屏蔽效果的供电区域223的合适数量和设置以及供电区域223的合适形状、面积等。

例如，作为除了图7所示的设置之外的供电区域223的设置的示例，供电区域223可以沿着相邻子像素之间的边界设置，作为在边界线方向上具有长长度形状的区域。在这种情况下，供电区域223可以沿着子像素之间的边界线设置在每个子像素中(即，独立于每个子像素)，或者可以设置在子像素之间的边界线上。在设置在子像素之间的边界线上的情况下，供电区域223由相邻的子像素共享。可替换地，供电区域223可以设置在每个子像素的外边缘部分中，以包围子像素，而不是仅设置在每个子像素的一侧。同样在这种情况下，可以沿着子像素之间的边界线独立地为每个子像素设置供电区域223，或者由于供电区域223设置在子像素之间的边界线上，所以供电区域223可以由相邻的子像素共享。

注意，在如上所述的供电区域223沿着相邻子像素之间的边界设置或者供电区域223被设置成包围每个子像素的情况下，担心供电区域223的面积会增加，并且像素电路210的面积也会增加。这种情况在需要减小像素电路210的面积的小型显示装置1中不是优选的，例如，要安装在穿戴式装置等上的显示装置中。因此，在希望避免设置大面积供电区域223的情况下，可以将具有最小面积的供电区域223(通过其获得作为屏蔽的效果)适当地放置在可以有利地抑制相邻子像素之间的干扰的位置，例如，可能发生寄生电容cp的相邻像素之间的部分。

注意，如果注意力仅集中在获得抑制相邻子像素之间的干扰的效果上，则供电区域223可以不必一对一地设置在每个子像素中。通过不一对一地在每个子像素中提供供电区域223，获得了使子像素的面积更小的效果。然而，考虑到向阱提供电势的原始作用，优选的是，如上所述，在每个子像素中至少一对一地设置供电区域223，以便提高显示质量。

可替换地，可以在一个子像素中提供多个供电区域223。例如，在如上所述，为了使像素电路210的面积更小，用作屏蔽的供电区域223形成有较小面积的情况下，由于供电区域223的面积不够大，所以人们担心不能稳定地向阱提供电势。在这种情况下，与用作屏蔽的供电区域223分开，可以在子像素中的剩余区域中进一步设置起到向阱提供电势的原始作用的供电区域223。因此，优选的是，在综合考虑实现屏蔽功能和实现稳定地向阱提供电势的功能的同时，适当地确定供电区域223的数量和设置以及供电区域223的形状、面积等，使得像素电路210的面积更小。

(5、显示装置的具体配置示例)

现在将描述上述根据本实施例的显示装置1的更具体配置示例。图9是示出根据本实施例的显示装置1的具体配置示例的剖视图。图9示出了显示装置1的局部剖视图。

参照图9，根据本实施例的显示装置1在第一衬底11上包括多个有机发光二极管211和cf层33，每个有机发光二极管211是发射白光的发光元件，cf层33设置在有机发光二极管211上，并且其中，某些颜色的滤色器(cfs)形成为对应于有机发光二极管211。此外，包含对来自有机发光二极管211的光透明的材料的第二衬底34放置在cf层33上。此外，在第一衬底11上，设置用于驱动有机发光二极管211的薄膜晶体管(tfts)15，以对应于每个有机发光二极管211。tft15对应于包括在上述像素电路中的每个晶体管(驱动晶体管212、采样晶体管213、发光控制晶体管214和开关晶体管217)。由tft15选择性地驱动任意有机发光二极管211；来自被驱动的有机发光二极管211的光穿过相应的cf，并且适当地转换光的颜色；并且经由第二衬底34从上侧发射光；因此，显示期望的图像、期望的字符等。

注意，在下文的描述中，显示装置1中的层的堆叠方向也称为上下方向。在这种情况下，放置第一衬底11的一侧被定义为下侧，放置第二衬底34的一侧被定义为上侧。此外，垂直于上下方向的平面也称为水平面。

因此，图9所示的显示装置1是能够由有源矩阵系统驱动的彩色显示的顶部发射显示装置。然而，本实施例不限于该示例，根据本实施例的显示装置1可以是经由第一衬底11发射光的底部发射显示装置。

(第一衬底和第二衬底)

在图示的配置示例中，第一衬底11包括硅衬底。此外，第二衬底34包含石英玻璃。然而，本实施例不限于该示例，各种已知材料可用作第一衬底11和第二衬底34。例如，第一衬底11和第二衬底34中的每一个可以包括高应变点玻璃衬底、钠钙玻璃(na2o、cao和sio2的混合物)衬底、硼硅酸盐玻璃(na2o、b2o3和sio2的混合物)衬底、镁橄榄石(mg2sio4)衬底、铅玻璃(na2o、pbo和sio2的混合物)衬底、在表面上形成绝缘膜的各种玻璃衬底、石英衬底、在表面上形成绝缘膜的石英衬底、在表面上形成绝缘膜的硅衬底、或者有机聚合物衬底(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、聚乙烯醇(pva)、聚乙烯基苯酚(pvp)、聚醚砜(pes)、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)等)。包含在第一衬底11和第二衬底34中的材料可以相同，也可以不同。然而，由于显示装置1是如上所述的顶部发射类型，所以第二衬底34优选地包含可以有利地透射来自有机发光二极管211的光的具有高透射率的材料。

(发光元件和第二元件)

有机发光二极管211包括第一电极21、设置在第一电极21上的有机层23和形成在有机层23上的第二电极22。更具体地，第二元件52堆叠在第一电极21上，在第二元件中设置开口25，以暴露第一电极21的至少一部分，并且有机层23设置在第一电极21的暴露在开口25底部的部分上。即，有机发光二极管211具有第一电极21、有机层23和第二电极22依次堆叠在第二元件52的开口25中的配置。该堆叠结构用作每个像素的发光部分24。即，有机发光二极管211的位于第二元件52的开口25下方的部分用作发光表面。此外，第二元件52用作设置在像素之间并划分像素区域的像素限定膜。

有机层23包括含有有机发光材料的发光层，并且可以发射白光。有机层23的具体配置不受限制，并且可以是各种公知的配置。例如，有机层23可以具有空穴传输层、发光层和电子传输层的堆叠结构、空穴传输层和发光层(也用作电子传输层)的堆叠结构、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的堆叠结构等。此外，在这些堆叠结构等中的每一个用作“串联单元(tandemunit)”的情况下，有机层23可以具有两级的串联结构，其中，堆叠第一串联单元、连接层和第二串联单元。可替换地，有机层23可以具有三级或更多级的串联结构，其中，堆叠三个或更多串联单元。在有机层23包括多个串联单元的情况下，通过将红色、绿色和蓝色分配给串联单元的发光层的发光颜色，可以获得整体上发射白光的有机层23。

在图示的配置示例中，通过真空气相沉积来沉积有机材料，来形成有机层23。然而，本实施例不限于该示例，可以通过各种公知的方法形成有机层23。例如，作为形成有机层23的方法，可以使用物理气相沉积方法(pvd方法)(例如，真空气相沉积方法)、印刷方法(例如，丝网印刷方法和喷墨印刷方法)、激光转移方法、各种应用方法等，在激光转移方法中，用激光照射激光吸收层和为了转移而形成在衬底上的有机层的堆叠结构，以分离激光吸收层上的有机层并且转移有机层。

第一电极21用作阳极。由于显示装置1是如上所述的顶部发射类型，所以第一电极21包含能够反射来自有机层23的光的材料。在图示的配置示例中，第一电极21包含铝和钕的合金(al-nd合金)。此外，第一电极21的膜厚例如约为0.1μm至1μm。然而，本实施例不限于该示例，并且第一电极21可以包含各种公知的材料，这些材料用作在光反射侧上的电极的材料，该电极在公共有机el显示装置中用作阳极。此外，第一电极21的膜厚也不限于上述示例，并且第一电极21可以适当地形成在有机el显示装置中常用的膜厚范围内。

例如，第一电极21可以包含具有高功函数的金属，例如，铂(pt)、金(au)、银(ag)、铬(cr)、钨(w)、镍(ni)、铜(cu)、铁(fe)、钴(co)或钽(ta)，或者具有高功函数的合金(例如，包含银作为主要成分并且包含0.3质量％至1质量％的钯(pd)和0.3质量％至1质量％的铜的ag-pd-cu合金、al-nd合金等)。可替换地，第一电极21可以包含具有小功函数值和高光反射率的导电材料，例如，铝或含铝的合金。在这种情况下，优选的是，通过在第一电极21上提供适当的空穴注入层等来改善空穴注入特性。可替换地，第一电极21可以具有一种结构，其中，在诸如电介质多层膜或铝等具有高光反射率的反射膜上堆叠具有优异的空穴注入特性的透明导电材料，例如，铟和锡的氧化物(ito)或铟和锌的氧化物(izo)。

第二电极22用作阴极。由于显示装置1是如上所述的顶部发射类型，所以第二电极22包含能够透射来自有机层23的光的材料。在图示的配置示例中，第二电极22包含镁和银的合金(mg-ag合金)。此外，第二电极22的膜厚例如约为10nm。然而，本实施例不限于该示例，并且第二电极22可以包含各种公知的材料，这些材料用作在光透射侧上的电极的材料，该电极在公共有机el显示装置中用作阳极。此外，第二电极22的膜厚也不限于上述示例，并且第二电极22可以适当地形成在有机el显示装置中常用的膜厚范围内。

例如，第二电极22可以包含铝、银、镁、钙(ca)、钠(na)、锶(sr)、碱金属和银的合金、碱土金属和银的合金(例如，镁和银的合金(mg-ag合金))、镁和钙的合金(mg-ca合金)、铝和锂的合金(al-li合金)等。例如，在这些材料中的每一种用于单层的情况下，第二电极22的膜厚约为4nm至50nm。可替换地，第二电极22可以具有一种结构，其中，从有机层23侧堆叠上述任何材料的层和包含例如ito或izo的透明电极(具有例如约30nm至1μm的厚度)。例如，在使用这种堆叠结构的情况下，上述任何材料的层的厚度可以薄至大约1nm至4nm。可替换地，第二电极22可以仅包括透明电极。可替换地，第二电极22可以设置有总线电极(辅助电极)，该总线电极包含低电阻材料，例如，铝、铝合金、银、银合金、铜、铜合金、金或金合金，以整体上降低第二电极22的电阻。

在图示的配置示例中，通过真空气相沉积法形成具有预定厚度的膜的材料，然后通过蚀刻法图案化该薄膜，来形成第一电极21和第二电极22中的每一个。然而，本实施例不限于该示例，第一电极21和第二电极22可以通过各种公知的方法形成。形成第一电极21和第二电极22的方法的示例包括气相沉积方法(包括电子束气相沉积法、热丝气相沉积法和真空气相沉积法)、溅射法、化学气相沉积法(cvd法)、金属有机化学气相沉积法(mocvd法)、离子镀法和蚀刻法的组合、各种印刷方法(例如，丝网印刷法、喷墨印刷法、金属掩模印刷法等)、电镀方法(电镀方法、化学镀方法等)、剥离法、激光烧蚀法、溶胶-凝胶法等。

通过cvd法将sio2形成为具有规定膜厚的薄膜，然后使用光刻技术和蚀刻技术图案化sio2，来形成第二元件52。然而，第二元件52的材料不限于该示例，并且具有绝缘性能的各种材料可以用作第二元件52的材料。包含在第二元件52中的材料的示例包括sio2、mgf、lif、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、氟树脂、硅树脂、氟基聚合物、硅树脂基聚合物等。然而，如下文的描述，第二元件52包含具有比第一元件51的材料低的折射率的材料。

(发光元件下方部件的配置)

在第一衬底11上，包括在有机发光二极管211中的第一电极21设置在包含sion的层间绝缘层16上。然后，层间绝缘层16覆盖形成在第一衬底11上的发光元件驱动部分。

发光元件驱动部分包括多个薄膜晶体管15。换言之，发光元件驱动部分对应于像素电路210的驱动电路。tft15包括形成在第一衬底11上的栅电极12、形成在第一衬底11和栅电极12上的栅绝缘膜13以及形成在栅绝缘膜13上的半导体层14。位于栅电极12正上方的半导体层14的区域用作沟道区域14a，并且位于夹着沟道区域14a的区域用作源极/漏极区域14b。注意，尽管在图示的示例中，tft15是底部栅极类型，但是本实施例不限于该示例，并且tft15可以是顶部栅极类型。

通过cvd法将包括两层的层间绝缘层16(下层层间绝缘层16a和上层层间绝缘层16b)堆叠在半导体层14上。在这种情况下，在堆叠下层层间绝缘层16a之后，通过使用例如光刻技术和蚀刻技术，在与源极/漏极区域14b对应的下层层间绝缘层16a的部分中设置接触孔17，以露出源极/漏极区域14b，并且形成包含铝的互连18，以填充接触孔17。例如，通过组合真空气相沉积法和蚀刻法来形成互连18。之后，堆叠上层层间绝缘层16b。

在上层层间绝缘层16b的设置有互连18的部分中，例如，通过使用光刻技术和蚀刻技术，设置接触孔19，以露出互连18。然后，当形成有机发光二极管211的第一电极21时，第一电极21形成为经由接触孔19与互连18接触。因此，有机发光二极管211的第一电极21经由互连18电连接到tft15的源极/漏极区域14b(在图3所示的像素电路的示例中，对应于驱动晶体管212的漏极区域)。

注意，尽管在上述示例中，层间绝缘层16包含sion，但是本实施例不限于该示例。层间绝缘层16可以包含各种公知的材料，这些材料可以用作公共有机el显示装置中的层间绝缘层。例如，作为包含在层间绝缘层16中的材料，sio2基材料(例如，sio2、bpsg、psg、bsg、assg、pbsg、sion、旋涂玻璃(sog)、低熔点玻璃、玻璃糊等)、sin基材料和绝缘树脂(例如，聚酰亚胺树脂、酚醛清漆基树脂、丙烯酸基树脂、聚苯并恶唑等)可以酌情单独使用或组合使用。此外，用于形成层间绝缘层16的方法也不限于上述示例，并且可以使用公知的方法，例如，cvd法、涂覆方法、溅射方法和各种印刷方法，来形成层间绝缘层16。此外，尽管在上述示例中，通过将铝形成为薄膜并通过真空气相沉积法和蚀刻法图案化该薄膜，来形成互连18，但是本实施例不限于该示例。可以通过将在公共有机el显示装置中用作互连的各种材料中的任何一种形成为薄膜并通过各种方法图案化该薄膜，来形成互连18。

(发光元件上方部件的配置)

设置在有机发光二极管211的第二元件52中的开口25形成为具有锥形形状，其中，开口25的侧壁倾斜，使得开口面积随着接近底部而增大。然后，将第一元件51放入开口25中。即，第一元件51是设置在有机发光二极管211的发光表面正上方并向上传播来自发光元件的发射光的层。此外，通过以上述方式形成第二元件52的开口25，在第一元件51的堆叠方向上的横截面形状(即，图示的横截面形状)具有大致梯形形状，因此第一元件51具有底面朝上的截头圆锥形或金字塔形。

通过真空气相沉积法将si1-xnx形成为薄膜，以填充开口25，然后，通过化学机械抛光法(cmp法)等将si1-xnx薄膜的表面平坦化，来形成第一元件51。然而，第一元件51的材料不限于该示例，并且具有绝缘性能的各种材料可以用作第一元件51的材料。包含在第一元件51中的材料的示例包括si1-xnx、ito、izo、tio2、nb2o5、含溴聚合物、含硫聚合物、含钛聚合物、含锆聚合物等。形成第一元件51的方法也不限于该示例，并且各种公知的方法可以用作形成第一元件51的方法。

然而，在本实施例中，选择第一元件51和第二元件52的材料，使得第一元件51的折射率n1和第二元件52的折射率n2满足n1>n2的关系。通过选择第一元件51和第二元件52的材料，使得折射率满足上述关系，在第二元件52的面向第一元件51的表面上反射通过第一元件51传播的至少一部分光。更具体地，有机发光二极管211的有机层23和第二电极22形成在第一元件51和第二元件52之间，因此，在第二元件52和有机层23之间的界面处反射通过第一元件51传播的至少一部分光。即，第二元件52的面向第一元件51的表面用作光反射部分(反射器)53。

在本实施例中，如上所述，第一元件51设置在有机发光二极管211的发光表面正上方。然后，第一元件51具有底面朝上的截头圆锥形或金字塔形，因此，在第一元件51和第二元件52(即，反射器53)之间的界面向上(即，光发射方向)反射从有机发光二极管211的发光表面发射的光。因此，根据本实施例，通过设置反射器53，可以提高从有机发光二极管211提取发射光的效率，并且可以提高整个显示装置1的亮度。

注意，本发明人的研究表明，为了更有利地提高从有机发光二极管211提取发射光的效率，优选的是，第一元件51和第二元件52的折射率满足n1-n2≥0.20的关系。更优选的是，第一元件51和第二元件52的折射率满足n1-n2≥0.30的关系。此外，为了进一步提高从有机发光二极管211提取发射光的效率，优选的是，第一元件51的形状满足0.5≤r1/r2≤0.8和0.5≤h/r1≤0.8的关系。在此处，r1表示第一元件51的光入射表面的直径(即，在堆叠方向上朝下并且面向有机发光二极管211的发光表面的表面)，r2表示第一元件51的发光表面的直径(即，在堆叠方向上朝上的表面)，并且h表示在第一元件51被视为截头圆锥或金字塔的情况下底面和上表面之间的距离(堆叠方向上的高度)。

保护膜31和平坦化膜32依次堆叠在平坦化的第一元件51上。例如，通过真空气相沉积法堆叠具有规定膜厚(约3.0μm)的si1-yny，来形成保护膜31。此外，例如，通过cvd法堆叠具有规定膜厚(约2.0μm)的sio2并通过cmp法等平坦化表面，来形成平坦化膜32。

然而，保护膜31和平坦化膜32的材料和膜厚不限于这些示例，保护膜31和平坦化膜32可以适当地包含用作公共有机el显示装置的保护膜和平坦化膜的各种公知材料，以便具有在有机el显示装置中通常采用的膜厚。

然而，在本实施例中，优选的是，选择保护膜31的材料使得保护膜31的折射率n3等于第一元件51的折射率n1或小于第一元件51的折射率n1。此外，选择保护膜31和平坦化膜32的材料，使得保护膜31的折射率n3和平坦化膜32的折射率n4之间的差值的绝对值优选地小于或等于0.30，更优选地小于或等于0.20。通过这样选择保护膜31和平坦化膜32的材料，可以抑制来自有机发光二极管211的发射光在第一元件51和保护膜31之间的界面以及保护膜31和平坦化膜32之间的界面处的反射或散射，并且可以进一步提高光提取效率。

cf层33形成在平坦化膜32上。因此，显示装置1是所谓的片上滤色器(occf)系统的显示装置，其中，cf层33形成在其上形成有有机发光二极管211的第一衬底11上。例如，经由环氧树脂等的密封树脂膜35，将第二衬底34粘贴到cf层33的上侧，从而制造显示装置1。注意，密封树脂膜35的材料不限于该示例，并且可以考虑到对来自有机发光二极管211的发射光的高透射率、对位于下侧的cf层33和位于上侧的第二衬底34的优异粘附性、与位于下侧的cf层33的界面以及与位于上侧的第二衬底34的界面处的低光反射率等，来适当地选择密封树脂膜35的材料。然而，本实施例不限于该示例。显示装置1可以是所谓的面向cf系统的显示装置，通过在第二衬底34上形成cf层33，并且第一衬底11和第二衬底34粘合在一起，使得cf层33面向有机发光二极管211，来制造该系统。

cf层33形成为使得为每个有机发光二极管211设置具有规定面积的每种颜色的cf。例如，可以通过在抗蚀剂材料上曝光成规定的配置并通过光刻技术进行显影，来形成cf层33。此外，cf层33的膜厚例如约为2μm。然而，cf层33的材料、形成方法和膜厚不限于这些示例，并且可以通过使用用作公共有机el显示装置的cf层的各种公知材料和各种公知方法，来适当地形成cf层33，以便具有在有机el显示装置中通常采用的膜厚。

在图示的示例中，设置cf层33，使得均具有规定面积的红色cf33r、绿色cf33g和蓝色cf33b连续分布在水平面中。注意，在以下描述中，在不需要特别区分cf33r、cf33g和cf33b的情况下，这些中的一个或多个可以简单地记录为cf33a。一个子像素包括一个有机发光二极管211和一个cf33a的组合。

在上文中，描述了显示装置1的具体配置示例。注意，关于上述显示装置1的配置，特别是反射器53的配置，例如，可以参考本申请人的在先申请特开2013-191533号公报。然而，根据本实施例的显示装置1的配置不限于该示例。如上所述，在根据本实施例的显示装置1中反映在上面的(4-2.根据本实施例的布局)中描述的方面，并且在普通显示装置中使用的各种已知配置可以用于其他方面，这就足够了。

(6、应用示例)

现在将描述上述根据本实施例的显示装置1的应用示例。在本文中，描述了可以使用上述根据本实施例的显示装置1的电子设备的一些示例。

图10是示出智能手机的外观的示图，该智能手机是可以使用根据本实施例的显示装置1的电子设备的示例。如图10所示，智能手机501包括操作部分503和显示部分505，该操作部分503包括按钮并接受用户的操作输入，该显示部分505显示各种信息。显示装置1可以应用于显示部分505。

图11和图12是示出数码相机的外观的示图，该数码相机是可以使用根据本实施例的显示装置1的电子设备的另一示例。图11示出了从正面(主体侧)看到的数码相机511的外观，图12示出了从背面看到的数码相机511的外观。如图11和图12所示，数码相机511包括主体部分(相机主体)513、可更换镜头单元515、用户在拍摄期间抓握的抓握部分517、显示各种信息的监视器519和显示用户在拍摄期间观察到的直通图像的电子取景器(evf)521。显示装置1可以应用于监视器519和evf521。

图13是示出头戴式显示器(hmd)的外观的示图，该头戴式显示器是可以使用根据本实施例的显示装置1的电子设备的另一示例。如图13所示，hmd531包括显示各种信息的眼镜型显示部分533和在佩戴期间固定到用户耳朵的耳朵固定部分535。显示装置1可以应用于显示部分533。

在上文中，描述了可以使用根据本实施例的显示装置1的电子设备的一些示例。注意，可以使用显示装置1的电子设备不限于以上作为示例描述的电子设备，并且显示装置1可以用于安装在基于从外部输入的图像信号或在内部生成的图像信号执行显示的所有领域中的电子设备上的显示装置，例如，电视设备、电子书、智能电话、个人数字助理(pda)、笔记本个人计算机(pc)、摄像机和游戏设备。

(7、补充)

上面已经参考附图描述了本公开的优选实施例，而本公开不限于上述示例。本领域的技术人员可以在所附权利要求的范围内找到各种变更和修改，并且应当理解，这些变更和修改将自然地落入本公开的技术范围内。

例如，尽管在上述实施例中，在像素电路210的驱动电路中包括的每个晶体管(驱动晶体管212、采样晶体管213、发光控制晶体管214和开关晶体管217)是p沟道类型，但是根据本公开的技术不限于该示例。例如，这些晶体管中的每一个可以是n沟道类型。

此外，本说明书中描述的效果仅仅是说明性的或示例性的效果，而不是限制性的。即，具有或代替上述效果，根据本公开的技术可以实现本领域技术人员从本说明书的描述中清楚的其他效果。

另外，也可以如下配置本技术。

(1)一种显示装置，包括：

像素单元，其中，多个像素电路以矩阵形式排列，多个像素电路的每个包括发光元件和被配置为驱动发光元件的驱动电路，

其中，在形成有包括在像素电路的驱动电路中的晶体管的扩散层中，在彼此相邻的像素电路之间设置作为用于向阱提供电势的有源区域的供电区域。

(2)根据(1)所述的显示装置，

其中，所述供电区域至少设置在导致彼此相邻的像素电路之间发生寄生电容的有源区域之间的部分中。

(3)根据(1)或(2)所述的显示装置，

其中，所述供电区域至少一对一地设置在像素电路的每个中。

(4)根据(1)至(3)中任一项所述的显示装置，

其中，所述供电区域沿着彼此相邻的像素电路之间的边界设置。

(5)根据(1)至(3)中任一项所述的显示装置，

其中，所述供电区域被设置成围绕像素电路的每个。

(6)根据(1)至(5)中任一项所述的显示装置，

其中，在像素电路的每个中设置有多个供电区域。

(7)根据(1)至(6)中任一项所述的显示装置，

其中，所述发光元件是有机发光二极管。

(8)一种电子设备，包括：

显示装置，其被配置为基于视频信号执行显示，

其中，所述显示装置包括

像素单元，其中，多个像素电路以矩阵形式排列，像素电路的每个包括发光元件和被配置为驱动发光元件的驱动电路，并且

在形成有包括在像素电路的驱动电路中的晶体管的扩散层中，在彼此相邻的像素电路之间设置作为用于向阱提供电势的有源区域的供电区域。

附图标记列表

1显示装置

10显示面板

20像素单元

30扫描单元

40选择单元

210像素电路

211有机发光二极管

212驱动晶体管

213采样晶体管

214发光控制晶体管

215保持电容

216辅助电容

217开关晶体管

221阳极区域

222栅极区域

223供电区域

301写入扫描单元

302扫描线

311第一驱动扫描单元

312第一驱动线

321第二驱动扫描单元

322第二驱动线

331公用电源线

332电源线

333接地线

401信号输出单元

402信号线

501智能手机(电子设备)

511数码相机(电子设备)

531hmd(电子设备)。