42A中包含多个并列的光传感器(例如后图3A中的光传感器200)，多个光传感器之间的间隔与遮光模块122A之间的间隔设置以具有一预定的偏移量(例如:约0.5微米)。如此一来，在量测时，部分的光传感器的右半部会被遮光模块122遮住而无法接收到光源，部分的光传感器的左半部会被遮光模块122遮住而无法接收到光源，且部分的光传感器会完全被遮光模块122遮住。因此，根据不同的遮光状态，各个光传感器可相应产生不同的感测信号VS1，以计算光传感器模块142A与遮光模块122A之间的偏移量。平行序列转换器142B可设置以平行处理多组光传感器模块142A所输出的感测信号，而产生序列信号VSR，并借此估算光传感器模块142A与遮光模块122A之间的偏移量。换句话说，借由上述设置方式，可进一步地测试基板120的彩色滤光片与基板140的多个TFT之间的位置是否因制程变异产生偏移。如此一来，显示面板100的开口率能够被估算，以便后续调整显示面板100的亮度。
[0016]前述图1A中的光传感器模块142A以及遮光模块122A的数量与设置方式仅为例示。各种数量与设置方式的光传感器模块142A以及遮光模块122A皆应涵盖于本揭示内容的范围内。
[0017]请参照图1B，图1B为根据本揭示内容的一实施例所绘示图1A中的基板140的示意图。举例而言，如图1B所不，基板140包含光传感器模块01与光传感器模块02。光传感器模块01设置于显示区142的上侧，光传感器模块02设置于显示区142的左侧，且光传感器模块01与光传感器模块02旁各自设置有平行序列转换器142B的一级电路。换句话说，于此例中，显示区142在其垂直方向与水平方向上存在至少一组光传感器模块142A(亦即光传感器模块01与02)，且此两组光传感器模块142A可共用同一平行序列转换器142B，以同时判断基板120与基板140两者在垂直方向与水平方向上的偏移量。上述仅为例示，本领域具有通常知识者可视实际需求调整相关设置方式。
[0018]以下段落将提出各个实施例，来说明上述显示面板100的功能与应用，但本揭示内容并不仅以下所列的实施例为限。
[0019]请参照图2A，图2A为根据本揭示内容的一实施例所绘示的一种光传感器的示意图。于各个实施例中，前述的光传感器模块142A可包含一个或多个的光传感器200。于一些实施例中，光传感器模块142A中多个光传感器200为互相平行排列。
[0020]如图2A所示，光传感器200包含薄膜晶体管Tl与薄膜晶体管T2。薄膜晶体管Tl的第一端用以接收系统电压VCC，薄膜晶体管Tl的第二端用以输出感测信号VSl，且薄膜晶体管Tl的控制端耦接至薄膜晶体管Tl的第二端。薄膜晶体管T2的第一端耦接至薄膜晶体管Tl的第二端，薄膜晶体管T2的第二端用以接收系统电压VSS或耦接至地GND，且薄膜晶体管T2的控制端耦接至薄膜晶体管T2的第二端。系统电压VCC高于系统电压VSS。
[0021]如图2A所示，薄膜晶体管Tl与薄膜晶体管T2两者各自的控制端与第二端配置为互相耦接，故薄膜晶体管Tl与薄膜晶体管T2两者各自的控制端与第二端之间的电压差为零。因此，薄膜晶体管Tl与薄膜晶体管T2之间的电位会根据薄膜晶体管Tl与薄膜晶体管T2是否被遮光模块122A遮住而定。
[0022]请参照图2B，图2B为根据本揭示内容的一实施例所绘示如图2A中的薄膜晶体管Tl在照光与未照光的电流变化图。
[0023]于一些实施例中，照光后的薄膜晶体管Tl，其临界电压会降低，故使得薄膜晶体管Tl的阻值等效地降低而成为通路。例如，如图2B所示，其中VGS表示为薄膜晶体管Tl的控制端与第二端之间的电压差，在薄膜晶体管Tl的电压差VGS为零且并未照到光时，薄膜晶体管Tl的电流Il约为0.01纳米安培(nA)。当薄膜晶体管Tl的电压差VGS为零且并照到光时，其中光的强度约为20尼特(nit)，薄膜晶体管Tl的电流12约为0.1纳米安培(nA)。换句话说，薄膜晶体管Tl照到光的电流约为未照到光的电流值的10倍。因此，当薄膜晶体管Tl照到光时，薄膜晶体管Tl的阻值会降低，而使得系统电压VCC传送至薄膜晶体管Tl的第二端。如此一来，光传感器200输出具有较高电位的感测信号VS。或者，当薄膜晶体管T2照到光时，薄膜晶体管T2的阻值会降低，而使得系统电压VSS传送至薄膜晶体管Tl的第二端。如此一来，光传感器200输出具有较低电位的感测信号VS。因此，借由此设置方式，可利用感测信号VS的电位判断遮光模块122A与光传感器200的偏移方向。
[0024]请参照图2C，图2C为根据本揭示内容的一实施例所绘示如图1A中显示面板100的部分剖面图。
[0025]如图2C所示，光传感器200包含金属层Ml、金属层M2、非晶硅层SI以及绝缘层IN。金属层Ml放置于基板140上，以分别形成前述薄膜晶体管Tl与薄膜晶体管T2的控制端。金属层M2用以形成前述薄膜晶体管Tl与薄膜晶体管T2的第一端与第二端。绝缘层IN设置于金属层Ml与非晶硅层SI之间，金属层M2则堆叠设置于绝缘层IN、金属层Ml与非晶硅层SI上。金属层M2形成薄膜晶体管Tl的第二端的部分接触于金属层M1，以使薄膜晶体管Tl的控制端与第二端之间的电压差为零。同样地，金属层M2形成薄膜晶体管T2的第二端的部分接触于金属层M1，以使薄膜晶体管T2的控制端与第二端之间的电压差为零。于此例中，基板120与基板140之间更包含透明电极层201。外部光源可通过基板120与透光层201照射薄膜晶体管Tl与薄膜晶体管T2。当遮光模块122A的位置较偏向薄膜晶体管Tl时，薄膜晶体管T2的结构会照射到较多的光源。而当遮光模块122A的位置较偏向薄膜晶体管T2时，薄膜晶体管Tl的结构会照射到较多的光源。如此一来，光传感器200便可根据光传感器200与遮光模块122A之间的偏移方向而输出高电位或低电位的感测信号VS1。
[0026]前述图2A与图2C中的光传感器200的设置方式与结构仅为例示。各种设置方式与结构的光传感器200皆应涵盖于本揭示内容的范围内。
[0027]请参照图3A，图3A为根据本揭示内容的一实施例所绘示的一种平行序列转换器的示意图。
[0028]于一些实施例中，多个光传感器200之间的间隔与多个遮光模块122A之间的间隔设置为不相同。例如，于此例中，多个光传感器200彼此平行设置，且多个光传感器200中任意两者之间的间隔约为36微米(um)。多个遮光模块122A中任意两者之间的间隔约为36.5微米(um)。换句话说，多个光传感器200中两者的间隔与多个遮光模块122A中两者的间隔设置以相差约0.5微米(um)。如先前所述，借由此设置方式，部分的光传感器200中的薄膜晶体管Tl会被遮光模块122A遮住，部分的光传感器200中的薄膜晶体管T2会被遮光模块122A遮住，且部分的光传感器200中的薄膜晶体管Tl与薄膜晶体管T2会被遮光模块122A遮住。如此一来，多个传感器200将分别输出具有不同电位的感测信号VS1，借此表示多个传感器200与多个遮光模块122A的偏移量。
[0029]如图3A所示，平行序列转换器300包含多个反相器320、多个互斥或闸340、多个切换电路360与多工器电路380。多个反相器320中的每一者对应耦接至光传感器模块142A中的对应的光传感器200，以根据对应的感测信号VSl输出感测信号VS2。多个互斥或闸340用以根据邻近的两个反相器320输出的感测信号VS2产生多个切换信号VOl。多个切换电路360对应于多个互斥闸320设置。于此例中，多个切换电路360耦接四条总线BI?B4，以根据对应的位置编码(亦即图3A中所标示的0000?1101)与对应的切换信号VOl产生多个定位信号VPl?VP4。多工器电路380用以经由此四个总线BI?B4接收多个定位信号VPl?VP4，以根据多个定位信号VPl?VP4与初始触发信号TRl产生序列信号VSR0
[0030]上述图3A中的平行序列转换器300的设置方式仅为例示，本揭示内容并不以此为限。于另一些实施例中，平行序列转换器300可在未具有多个反相器320下产生序列信号VSR0例如，多个互斥或闸340可设置以直接接收邻近的两个光传感器200输出的感测信号VSl，以根据此两个感测信号VSl产生多个切换信号VOl。
[0031]请参照图3B，图3B为根据本揭示内容的一实施例所绘示图3A中的切换电路360的示意图。为了清楚说明切换电路360的设置方式与相关操作，图3B仅示出单一的切换电路360，其他的切换电路360的操作与设置方式可依此类推