专利名称：一种检测热垫板倾斜状态的方法
技术领域：
本发明涉及一种热垫板倾斜状态的检测方法，尤其涉及一种利用光阻剂的临界能来测量热垫板倾斜状态的方法。
背景技术：
热垫板，因为其设计简单，可与其它光刻步骤的设备置于一条生产线，所以在批量生产上，广泛应用于光阻剂的软烤(soft back)、曝光后的烘烤(post exposure bake)及硬烤(hard bake)等工艺。
上述工艺是利用热传导的方式将热施加于热垫板，再经由热垫版将热传递至放置于其上的硅片(wafer)，使位于硅片上的光阻剂的溶剂受热往表面移动而离开光阻剂，或者是促使经曝光程序后的光阻结构进行重新排列，减轻使用光来作为曝光源而产生的驻波(standing wave)现象，因此在操作中，时间与温度是重要的控制条件，但这些条件均需要建立在厚度均匀的情况下，关系该条件的重要因素为热垫片是否倾斜。
现有用来检测热垫片的是否倾斜的方法，是利用膜厚的测量来检验热垫片是否倾斜，但是此过程往往需要花费较长的时间，效率很低。本发明针对上述问题，提出一种检测热垫板的是否倾斜的方法，其不仅可以缩短检测热垫板的是否倾斜的时间，而且可以简化其测量程序。
发明内容
本发明的主要目的，在于提供一种检测热垫板倾斜状态的方法，能够简化现有检测热垫板是否倾斜的步骤。
本发明的另一目的，在于提供一种检测热垫板倾斜状态的方法，能够快速的判断检测热垫板是否倾斜。
本发明的再一目的，在于提供一种检测热垫板倾斜状态的方法，能够在一个自动化程序内，完成所有测量热垫板是否倾斜的步骤。
本发明的又一目的，在于提供一种检测热垫板倾斜状态的方法，可不需将晶片运送至厚度测量设备。
为达上述目的，本发明的技术方案是提供一种检测热垫板倾斜状态的方法，包括有下列步骤提供一个第一硅片，然后在其表面涂一光阻层，将第一硅片放在一待测定热垫板进行烘烤，然后对光阻层以其厚度的曝光临界能进行曝光，最后以该光阻层是否均匀曝光来判断该热垫板是否倾斜。
下面结合实施例对本发明作进一步描述。
图1为对第二硅片进行光阻层曝光临界能测量时的光阻层曝光状态示意图。
图2为待测热垫板倾斜时，使用第一硅片，用光阻层曝光临界能量进行曝光，产生部分光阻层未均匀曝光时的示意图。
图标说明10第二硅片12光阻层14第一硅片
具体实施例方式
本发明为一种检测热垫板倾斜状态的方法，其使用半导体工艺中常使用的光阻剂的特性，来进行热垫板倾斜状态的检测，现以一较佳实施例来说明本发明。
首先提供一个经去水烘烤与涂底处理后的第二硅片(wafer)10，其中该去水烘烤与涂底处理是为了能够在第二硅片10表面覆上一层厚度均匀、附着性强，且无任何缺陷(defect)的光阻层12，且该第二硅片10为一个控片(monitor wafer)，使用旋转式涂抹方式在第二硅片10表面覆上一特定厚度的高敏感性光阻层12，然后将该第二硅片10置于一标准热垫片上进行烘烤，然后对该光阻层12进行步进式的曝光，且随着该步进式的曝光对光源强度进行改变，例如选定以行为基准，当曝光机以一较弱的光照强度完成第一行的曝光后，将光源的照明强度增加来进行下一行的曝光，反复以上步骤，以获得将该光阻层12曝光所需要的临界能，如图1所示，其中该箭头所指方向表示光源强度逐渐增强的方向，而光阻层12的曝光状态以斜线有无与方向来表示该区域的光阻层12的曝光状态，如无斜线的部分指该区域的光阻层12因其曝光能量不足尚未曝光，而斜线由左下角至右上角之区域的光阻层12，表示其光阻层12开始产生曝光，也就是其曝光能量为其光阻层12于该厚度下的临界曝光能，斜线由右下角至左上角的区域指此处的光阻层12已完全曝光。
取一个第一硅片14，且其状态与处理方式，如去水烘烤与涂底处理，参照第二硅片10控制其变量条件，涂抹与第二硅片10厚度相同的光阻层12，然后将第一硅片14置于待测热垫板上以与第二硅片10相同温度与时间进行烘烤，然后，以该厚度下光阻层12曝光所需的临界能对该第一硅片14进行曝光，此时的曝光方式可以选用接触式或接近式，以节省使用步进式曝光法所需较长的曝光时间，然后，可以针对第一硅片14上的光阻层12是否均匀曝光来断定热垫板是否倾斜，因为当热垫板为倾斜状态时，在进行曝光前烘烤(pre-exposure bake)时，将导致处于易流动状态的光阻产生厚度不均的情况，或是导致光阻层12受热不均等情况，这些情况都会导致在使用临界曝光能量来进行曝光时，产生部分光阻未均匀曝光的现象，如图2所示，由此可以快速的完成热垫板是否倾斜的判断。
综上所述，本发明为一种利用光阻层的临界能来检测热垫片是否倾斜的方法，与现有以测量光阻膜厚来进行判断的方式相比，本发明能够在一个结合曝光、涂抹、烘烤与显影等工艺的轨径机(track)自动化系统中完成，较现有技术更加高效与简便。
以上所述的实施例仅用于说明本发明的技术思想及特点，其目的在使本领域内的技术人员能够了解本发明的内容并据以实施，因此不能仅以本实施例来限定本发明的专利范围，即凡依本发明所揭示的精神所作的同等变化或修饰，仍落在本发明的专利范围内。
权利要求
1.一种检测热垫板倾斜状态的方法，其特征在于，包括提供一个第一硅片；在该第一硅片表面涂一光阻层；将该第一硅片放在一待测热垫板上进行烘烤；以该光阻层的厚度的曝光临界能对该光阻层进行曝光，利用该光阻层是否均匀曝光来判断该预测定的热垫板是否倾斜。
2.根据权利要求1所述的一种检测热垫板倾斜状态的方法，其特征在于，在提供一第一硅片步骤前可先测量该光阻层的厚度的曝光临界能，其量测方式包括下列步骤提供一个第二硅片；在该第二硅片表面涂一层与该第一硅片相同的光阻层，并且其厚度也相同；将该第二硅片放在一无倾斜的标准热垫板进行烘烤，且烘烤的条件与该第一硅片所进行烘烤的条件相同；对该光阻层进行逐渐改变光源强度的步进式曝光方式，以获得在该厚度下该光阻层的曝光临界能。
3.根据权利要求1所述的一种检测热垫板倾斜状态的方法，其特征在于，该光阻层材质为高敏感性光阻。
4.根据权利要求2所述的一种检测热垫板倾斜状态的方法，其特征在于，该第二硅片为一个控片，且为检测精确，该第一硅片与第二硅片同样为一个控片。
5.根据权利要求2所述的一种检测热垫板倾斜状态的方法，其特征在于，在该第二硅片进行光阻层涂抹前先进行去水烘烤处理，该第一硅片也同样处理。
6.根据权利要求2所述的一种检测热垫板倾斜状态的方法，其特征在于，在该第二硅片进行光阻涂抹前先进行涂底处理，该第一硅片也同样处理。
7.根据权利要求2所述的一种检测热垫板倾斜状态的方法，其特征在于，该光阻层以旋转涂抹的方式涂抹到该第二硅片表面，该第一硅片以相同方式进行光阻涂抹。
8.根据权利要求1所述的一种检测热垫板倾斜状态的方法，其特征在于，该曝光方式可以为接触式、接近式或步进式曝光法。
全文摘要
本发明提供一种检测热垫板倾斜状态的方法，先选定一种较敏感的光阻剂，将其涂抹在一个硅片上，将硅片放在一标准热垫板上进行烘烤，再利用逐渐改变光源强度的步进式曝光法，来获得在同一光阻层厚度下，能将该光阻层曝光的最低曝光能量值，然后在另一硅片表面涂抹相同厚度的同样光阻层后，置于一待测热垫板上进行烘烤，使用所得的最低曝光光源对该晶片的光阻层进行曝光，借助晶片上的光阻层是否均匀曝光来判断热垫板是否倾斜。
文档编号G03F7/20GK1629602SQ20031010959
公开日2005年6月22日 申请日期2003年12月18日 优先权日2003年12月18日
发明者郑铭仁 申请人:上海宏力半导体制造有限公司