专利名称：平面内横向电场切换型液晶显示器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种平面内横向电场切换型液晶显示器。
背景技术：
目前，液晶显示器逐渐取代了用于计算机的传统阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)显示器，而且，由于液晶显示器具轻、薄、小等特点，使其非常适合应用于桌上型计算机、膝上型计算机、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、便携式电话、电视和多种办公自动化与视听设备中。
液晶显示器中的液晶本身不具发光特性，其采用电场控制液晶分子扭转而实现光的通过或不通过，从而达到显示的目的。在传统扭曲向列型(Twist Nematic，TN)液晶显示器中，在二玻璃基板的表面形成电极，以形成垂直于玻璃基板的电场来控制液晶分子的扭转。
众所周知，传统扭曲向列型液晶显示器存在视角不足的缺陷。为改善视角不足的缺陷，业界发展出一种平面内横向电场切换型(In Plane Switching，IPS)液晶显示器，其采用平行于玻璃基板的电场来控制液晶分子的偏转。
一种现有技术揭露的平面内横向电场切换型液晶显示器将公共电极(Common Electrode)和像素电极(Pixel Electrode)设置在同一基板上，加电压时，该公共电极与像素电极间形成平行于基板的电场，从而控制液晶分子在平行于基板的平面内发生偏转。另外，为能保持信号电压，像素电极和公共电极之间形成一存储电容，且为达到一定电容值，当其它参数不变时，像素电极和公共电极必须具备一定面积，从而将降低该平面内横向电场切换型液晶显示器的开口率。
为获得较高开口率，另一种现有技术揭露一种平面内横向电场切换型液晶显示器。请一并参阅图1和图2，图1是该平面内横向电场切换型液晶显示器的一像素单元100的结构示意图，图2是沿图1所示线II-II的剖视图。该平面内横向电场切换型液晶显示器包括一第一基板130、一第二基板140和夹在该第一基板130与该第二基板140之间的液晶层(未标示)，该像素单元100为形成在第一基板130的上的二栅极线101和二数据线102所界定，一薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)106设置在该栅极线101和该数据线102相交的位置。遮蔽金属线104设置在该数据线102的两侧，其作用为防止该像素单元100边缘的漏光，一黑矩阵141设置在第二基板140上，且其覆盖该遮蔽金属线104。
一公共线103穿过该像素单元100，公共电极109的一部分与像素电极108相重叠，以形成一电容C1，公共线103的一部分与像素电极108相重叠，形成一电容C2，公共电极109与公共线103通过一连接孔125保持电连接，使得电容C1和电容C2并联，形成一存储电容。因此，维持该存储电容的电容值一定时，可通过该设计减少公共线的宽度，从而增加了开口率。
但是，此存储电容电极形成在像素单元的透光区域，该平面内横向电场切换型液晶显示器开口率仍然不高。
实用新型内容为了解决上述平面内横向电场切换型液晶显示器开口率不高的问题，有必要提供一种具有较高开口率的平面内横向电场切换型液晶显示器。
一种平面内横向电场切换型液晶显示器，其包括一第一基板、一第二基板和夹在第一基板与第二基板之间的液晶层，一遮蔽金属线设置在该第一基板上，一第一绝缘层设置在该遮蔽金属线上，一漏极线设置在该第一绝缘层上，一第二绝缘层设置在该漏极线上，一公共电极设置在该第二绝缘层上，该漏极线与该遮蔽金属线相重叠，形成一存储电容。
该漏极线和该遮蔽金属线相互耦合形成一存储电容，因该遮蔽金属线原本就不透光，所以，该存储电容的电极形成于此区域将不会降低开口率。因此，本实用新型平面内横向电场切换型液晶显示器可达到较高开口率。
图1是现有技术的平面内横向电场切换型液晶显示器一像素单元的结构示意图。
图2是沿图1所示线II-II的剖视图。
图3是本实用新型的平面内横向电场切换型液晶显示器一像素单元的结构示意图。
图4是沿图3所示线IV-IV的剖视图。
具体实施方式请参阅图3和图4，图3是本实用新型平面内横向电场切换型液晶显示器一像素单元200的结构示意图，图4是沿图3所示线IV-IV的剖视图。该平面内横向电场切换型液晶显示器包括一第一基板230、一第二基板240和夹在该第一基板230与该第二基板240之间的液晶层(未标示)。该像素单元200包括数据线201、栅极线202、公共电极210、像素电极211、遮蔽金属线212和薄膜晶体管205。该数据线201与栅极线202相交设置在第一基板230上，并限定出该像素单元200的范围。该遮蔽金属线212设置在该数据线201的两侧，其作用为防止该像素单元200边缘的漏光。该薄膜晶体管205设置在该栅极线202与该数据线201的相交处，且其包括一与栅极线202电连接的栅极(图未示)、一与数据线201电连接的源极(图未示)和一与该像素电极211电连接的漏极(图未示)。
请再参阅图4，该遮蔽金属线212设置在第一基板230上，一第一绝缘层222设置在该遮蔽金属线212和该第一基板230上，该数据线201设置在该第一绝缘层222上。一与像素电极211电连接的漏极线203设置在该第一绝缘层222上，且其一部分与该遮蔽金属线212相重叠，一第二绝缘层223设置在该漏极线203、该数据线201和该第一绝缘层222上，一公共电极210设置在该第二绝缘层223上，且其覆盖该漏极线203的一部分。一黑矩阵241和一彩色滤光片242设置在该第二基板240上，且该黑矩阵241覆盖该遮蔽金属线212。该黑矩阵241也可只覆盖该遮蔽金属线212的部分。
请再参阅图3，该漏极线203与该像素电极211通过一第一连接孔220电连接，该公共电极210与该遮蔽金属线212通过一贯穿该第一绝缘层222和第二绝缘层223的第二连接孔221电连接。该像素电极211与公共电极210基本平行，用以产生平行于第一基板230的电场，如此设计，可产生二方向的平行于第一基板230的电场，从而可很好地控制液晶分子的扭转。该公共电极210为一弯曲结构，该像素电极211也相应呈一弯曲结构，该像素单元200也相应为弯曲结构，相应的彩色滤光片242的黑矩阵241也为弯曲结构，如此设计，可使各色光在混色时更均匀，起到降低色差的效果。
该遮蔽金属线212、漏极线203和公共电极210相互配合形成一存储电容。该遮蔽金属线212与漏极线203形成第一电容，该漏极线203与公共电极210形成第二电容，该第一电容与第二电容相并联形成一存储电容。因该遮蔽金属线212原本就不透光，且被第二基板240的黑矩阵241所覆盖，所以，该存储电容的电极形成于此区域将不会降低开口率。因此，本实用新型平面内横向电场切换型液晶显示器可达到较高开口率。
如上所述，本实用新型平面内横向电场切换型液晶显示器既可达到较高开口率，也可实现良好的显示品质。
本实用新型并不限于上述实施方式，例如，该漏极线与该遮蔽金属线和该公共电极也可完全重叠。
权利要求1.一种平面内横向电场切换型液晶显示器，其包括一第一基板、一第二基板和夹在第一基板与第二基板之间的液晶层，一遮蔽金属线设置在该第一基板上，一第一绝缘层设置在该遮蔽金属线上，一漏极线设置在该第一绝缘层上，一第二绝缘层设置在该漏极线上，一公共电极设置在该第二绝缘层上，其特征在于该漏极线与该遮蔽金属线相重叠，形成一存储电容。
2.如权利要求1所述的平面内横向电场切换型液晶显示器，其特征在于该漏极线与该遮蔽金属线部分重叠。
3.如权利要求1所述的平面内横向电场切换型液晶显示器，其特征在于该漏极线与该公共电极相重叠。
4.如权利要求3所述的平面内横向电场切换型液晶显示器，其特征在于进一步包括一贯穿该第一绝缘层和第二绝缘层的连接孔，该遮蔽金属线与该公共电极通过该连接孔电连接。
5.如权利要求1所述的平面内横向电场切换型液晶显示器，其特征在于进一步包括一像素电极，该公共电极和该像素电极均为弯曲结构。
6.如权利要求1所述的平面内横向电场切换型液晶显示器，其特征在于进一步包括一黑矩阵，该黑矩阵为弯曲结构。
7.如权利要求6所述的平面内横向电场切换型液晶显示器，其特征在于该黑矩阵与该遮蔽金属线至少一部分重叠。
专利摘要本实用新型涉及一种平面内横向电场切换型液晶显示器，其包括一第一基板、一第二基板和夹在第一基板与第二基板之间的液晶层，一遮蔽金属线设置在该第一基板上，一第一绝缘层设置在该遮蔽金属线上，一漏极线设置在该第一绝缘层上，一第二绝缘层设置在该漏极线上，一公共电极设置在该第二绝缘层上，该漏极线与该遮蔽金属线相重叠，形成一存储电容。本实用新型的平面内横向电场切换型液晶显示器具有开口率高的优点。
文档编号G02F1/13GK2852176SQ200520119370
公开日2006年12月27日 申请日期2005年11月23日 优先权日2005年11月23日
发明者陈弘育, 谢朝桦 申请人:群康科技(深圳)有限公司, 群创光电股份有限公司