专利名称：一种平面电场式液晶显示面板和偏光片的制作方法
技术领域：
一种平面电场式液晶显示面板和偏光片技术领域[0001]本实用新型涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种平面电场式液晶显示面板和偏光片。
背景技术：
[0002]在液晶显示面板中，对于公共电极和像素电极分别位于彩膜基板和阵列基板的液晶显示面板来说，彩膜基板和阵列基板上的静电电荷可以分别从公共电极和像素电极导出。但在平面电场式液晶显示面板中，如基于IPSan-Plane Switching，平面转换)技术和 FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关)技术的宽视角液晶显示面板，驱动液晶分子偏转的像素电极和公共电极都设置在阵列基板上，彩膜基板上没有电极，因而静电电荷易于积累在彩膜基板上，其形成的电场会影响液晶分子的正常偏转从而影响液晶显示面板的画面效果。[0003]为解决上述问题，现有技术中，可以通过在彩膜基板的远离液晶的表面上溅射 ITOdndium tin oxide，氧化铟锡)导电层来将静电电荷导走。然而，溅射ITO不但工艺成本较高，ITO材料还会吸收空气中水分，导致液晶显示器的显示效果不良。另外，溅射ITO的玻璃基板不宜太薄，否则溅射ITO时基板会因受到能量较高的粒子轰击而易于受损。[0004]然而，在移动产品的三维显示和双视显示的液晶显示器中，彩膜基板的厚度较薄， 一般小于0. Imm,因此，难以采用在彩膜基板的远离液晶的表面上溅射ITO导电层的方式去除静电。实用新型内容[0005]本实用新型的主要目的在于，提供一种平面电场式液晶显示面板和偏光片，无需采用在彩膜基板上溅射导电层方式，同样能够使平面电场式液晶显示面板具备防静电性能。[0006]为达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案[0007]—种平面电场式液晶显示面板，包括阵列基板和与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板，所述阵列基板和所述彩膜基板之间设置有液晶，所述彩膜基板远离所述液晶的表面上设置有偏光片，所述偏光片包括偏光层，所述偏光片还包括导电层，所述导电层上设置有接地部，所述导电层通过所述接地部接地。[0008]可选的，所述偏光片还包括第一支撑层和第二支撑层，所述第一支撑层设置于所述偏光层上，所述第二支撑层设置于所述偏光层下；[0009]可选的，所述导电层设置于所述第一支撑层上；[0010]可选的，所述导电层设置于所述第二支撑层下；[0011]可选的，所述导电层设置于所述第一支撑层与所述偏光层之间；[0012]可选的，所述导电层设置于所述第二支撑层与所述偏光层之间。[0013]进一步的，所述液晶显示面板还包括金属边框，所述接地部与所述金属边框相连；[0014]可选的，所述阵列基板上设置有地线，所述接地部与所述地线相连。[0015]具体的，所述导电层为高分子透明导电材料。[0016]可选的，所述导电层的厚度为30微米至200微米。[0017]可选的，所述导电层的透光率大于90%，所述导电层的方块电阻小于1500 Ω。[0018]优选的，所述导电层的透光率为94%，所述导电层的方块电阻为85 Ω。[0019]一种偏光片，所述偏光片包括偏光层，所述偏光片还包括导电层，所述导电层上设置有接地部。[0020]可选的，所述偏光片还包括第一支撑层和第二支撑层，所述第一支撑层设置于所述偏光层上，所述第二支撑层设置于所述偏光层下；[0021]可选的，所述导电层设置于所述第一支撑层上；[0022]可选的，所述导电层设置于所述第二支撑层下；[0023]可选的，所述导电层设置于所述第一支撑层与所述偏光层之间；[0024]可选的，所述导电层设置于所述第二支撑层与所述偏光层之间。[0025]具体的，所述导电层为高分子透明导电材料。[0026]可选的，所述导电层的厚度为30微米至200微米。[0027]可选的，所述导电层的透光率大于90%，所述导电层的方块电阻小于1500 Ω。[0028]优选的，所述导电层的透光率为94%，所述导电层的方块电阻为85Ω。[0029]本实用新型提供的平面电场式液晶显示面板和偏光片，在偏光片上设置有导电层，不但能够将彩膜基板上的静电电荷及时导出，避免静电电荷形成的电场影响液晶的正常偏转，而且避免了在彩膜基板上溅射ITO的工艺步骤，简化了液晶显示面板的制作工艺。 另外，由于贴附偏光片工艺对基板的厚度没有要求，其应用更加广泛。因此，本实用新型提供的平面电场式液晶显示面板和偏光片无需采用在彩膜基板上溅射导电层方式，同样能够使平面电场式液晶显示面板具备防静电性能。
[0030]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。[0031]图1为本实用新型实施例提供的平面电场式液晶显示面板中偏光片的一种结构示意图；[0032]图2为本实用新型实施例提供的平面电场式液晶显示面板中偏光片的另一种结构示意图；[0033]图3为本实用新型实施例提供的平面电场式液晶显示面板中偏光片的另一种结构示意图；[0034]图4为本实用新型实施例提供的平面电场式液晶显示面板中偏光片的另一种结构示意图。[0035]附图标记5[0036]1-偏光层，2-第一支撑层，3-第二支撑层，4-导电层，41-接地部。
具体实施方式
[0037]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。[0038]本实用新型提供了一种液晶显示面板，包括阵列基板和与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板，所述阵列基板和所述彩膜基板之间设置有液晶，所述彩膜基板的远离所述液晶的表面上设置有偏光片，所述偏光片包括偏光层，所述偏光片还包括导电层，所述导电层上设置有接地部，所述导电层通过所述接地部接地。[0039]本实用新型提供的平面电场式液晶显示面板，在偏光片上设置有导电层，不但能够将彩膜基板上的静电电荷及时导出，避免静电电荷形成的电场影响液晶的正常偏转，而且避免了在彩膜基板上溅射ITO的工艺步骤，简化了液晶显示面板的制作工艺。另外，由于贴附偏光片工艺对基板的厚度没有要求，其应用更加广泛。因此，本实用新型提供的平面电场式液晶显示面板无需采用在彩膜基板上溅射导电层方式，同样能够使平面电场式液晶显示面板具备防静电性能。[0040]下面通过具体实施例来对本实用新型提供的平面电场式液晶显示面板进行详细说明。[0041]图1所示为本实用新型的一个具体实施例，本实用新型提供的平面电场式液晶显示面板的结构与前述实施例中的平面电场式液晶显示面板的结构相同，具体可参见前文说明。由于本实用新型提供的平面电场式液晶显示面板与现有技术的不同之处主要在于偏光片，下面主要对该偏光片进行详细说明。[0042]具体的，如图1所示，本实用新型提供的平面电场式液晶显示面板中的偏光片包括偏光层1，由于偏光层1硬度较小，偏光层1的上表面又设置有第一支撑层2，偏光层1的下表面又设置有第二支撑层3以对偏光层1进行支撑；第一支撑层2的上表面上设置有导电层4，导电层4上设置有接地部41，接地部41通过导电胶与平面电场式液晶显示面板的金属边框相连，从而使导电层4通过接地部41接地。[0043]本实用新型提供的平面电场式液晶显示面板，在偏光片上设置有导电层4，不但能够将彩膜基板上的静电电荷及时导出，避免静电电荷形成的电场影响液晶的正常偏转，而且避免了在彩膜基板上溅射ITO的工艺步骤，简化了液晶显示面板的制作工艺。另外，由于贴附偏光片工艺对基板的厚度没有要求，其应用更加广泛。因此，本实用新型提供的平面电场式液晶显示面板无需采用在彩膜基板上溅射导电层方式，同样能够使平面电场式液晶显示面板具备防静电性能。[0044]具体的，导电层4可以为高分子透明导电材料或者其它导电材料，该导电材料可以为液体状，通过旋涂或印刷的方式涂布于偏光片上，经过固化形成导电层4。当然，该导电材料也可以为其它性状，如胶体状或粉末状等，通过其它方式设置在偏光片上，本实用新型对此不做限制。[0045]可选的，导电层4的厚度可以为30微米至200微米，导电层4的透光率大于90%，导电层4的方块电阻小于1500 Ω。不同厚度的导电层4具有不同的导电性能。一般的，导电层4的厚度越大，其对应的方块电阻越小，导电性能越好，但相同条件下导电层4的透光率会相应下降；而导电层4的厚度越小，其对应的方块电阻越大，导电性能越差，但相同条件下导电层4的透光率会有所提高。因此，导电层4需要具有合适的厚度以对其方块电阻和透光率进行折衷，使导电层4既有良好的导电性又有较大的透光率。优选的，在本实用新型的一个实施例中，导电层4的透光率为94%，导电层4的方块电阻为85 Ω，达到了较佳的透光性和导电效果。[0046]具体的，本实施例中，接地部41通过导电胶与平面电场式液晶显示面板的金属边框相连从而使导电层4接地，但本实用新型不限于此，在本实用新型的其它实施例中，接地部41还可以通过其他方式接地进而使导电层4接地。[0047]例如，在本实用新型的一个实施例中，接地部41可以通过金属引线与平面电场式液晶显示面板的金属边框相连从而使导电层4接地。又如，在本实用新型的另一个实施例中，平面电场式液晶显示面板的阵列基板上设置有地线，导电层4的接地部41还可以通过引线与该地线相连从而使导电层4接地。当然，接地部41还可以采用其它方式接地，本实用新型对此不做限制。[0048]可选的，接地部41可以为设置在导电层4上的焊盘或焊点等，也可以为导电层4 上的其它供引线或导电胶等导体连接的结构，本实用新型对此不做限制。而且，导电层4所处的区域不限于偏光层1覆盖到的区域，导电层4的边缘可以延伸到偏光层1覆盖范围以外的区域。则，接地部41既可以位于导电层4上偏光层1覆盖到的区域，也可以位于导电层4上偏光层1覆盖到的区域以外的区域，本实用新型对此不做限制。[0049]需要说明的是，上述实施例中，平面电场式液晶显示面板的偏光片包括偏光层1、 第一支撑层2、第二支撑层3和导电层4，但本实用新型不限于此。为了使偏光片的滤光性能更加优越，还可以为偏光片增加其它的层结构，例如，在本实用新型的另一个实施例中， 平面电场式液晶显示面板的偏光片除了偏光层、导电层、第一支撑层和第二支撑层外，还增加了光补偿层以对通过偏光片的光进行补偿。此时导电层所设置的位置可以根据新加入的层而相应调整，只要能实现本实用新型中平面电场式液晶显示面板中偏光片的功能即可， 本实用新型对此不做限制。[0050]另外，还需要说明的是，偏光片一般需要与平面电场式液晶显示面板或其它光学器件相粘附而使用，因此，上述实施例提供的液晶显示面板的偏光片还包括粘着层，粘着层一般被设置为偏光片的表面层，以方便偏光片与其它光学器件相粘附。[0051]上述实施例中，偏光片所包括的各层中，除了粘着层需要设置为偏光片的表面层以方便偏光片与其它光学器件贴附外，其它各层的相互位置关系可以任意交换，只要能实现偏光片功能即可，本实用新型对此不做限制。而且，如果偏光层的硬度足够大，第一支撑层和第二支撑层也可以省去至少一个，本实用新型对此不做限制。[0052]需要说明的是，虽然本实用新型提供的平面电场式液晶显示面板能够解决具有较薄厚度的水平电场式液晶显示面板的防静电问题，但本实用新型的应用不限于具有较薄厚度的水平电场式液晶显示面板。[0053]由于溅射ITO需要在专用的溅射设备中、真空条件下进行，加工成本较高，而加工本实用新型提供的水平电场式液晶显示面板中的偏光片则只需要在一般的加工条件下，进行高分子透明导电材料或其它导电材料的旋涂或印刷等工艺，工艺难度小、加工成本低。因此，在本实用新型的其它实施例中，即使液晶显示面板具有较大的厚度，也可以采用前述实施例中平面电场式液晶显示面板中的偏光片。这样，一方面可以使平面电场式液晶显示面板具有良好的防静电性能，另一方面也能避免在彩膜基板的远离液晶的表面上溅射ITO的工艺步骤，简化了平面电场式液晶显示面板的加工工艺并降低了平面电场式液晶显示面板的加工成本。[0054]图2所示为本实用新型的另一个实施例中平面电场式液晶显示面板中偏光片的结构示意图，如图2所示，本实施例与前述实施例的不同之处在于，本实施例中，偏光片的导电层4设置于第二支撑层3的下表面上，除此之外，前述实施例的一切特征均适用于本实施例，此处不再赘述。[0055]本实用新型提供的平面电场式液晶显示面板，在偏光片上设置有导电层4，不但能够将彩膜基板上的静电电荷及时导出，避免静电电荷形成的电场影响液晶的正常偏转，而且避免了在彩膜基板上溅射ITO的工艺步骤，简化了液晶显示面板的制作工艺。另外，由于贴附偏光片工艺对基板的厚度没有要求，其应用更加广泛。因此，本实用新型提供的平面电场式液晶显示面板无需采用在彩膜基板上溅射导电层方式，同样能够使平面电场式液晶显示面板具备防静电性能。[0056]前述实施例中，导电层4分别设置于第一支撑层2上或第二支撑层3下，但本实用新型不限于此。在本实用新型的其它实施例中，导电层4还可以设置在偏光层1与第一支撑层2之间或偏光层1与第二支撑层3之间。[0057]图3所示为本实用新型的另一个实施例中平面电场式液晶显示面板的偏光片的结构示意图。所述偏光片具体包括偏光层1、第一支撑层2、第二支撑层3和导电层4。其中，第二支撑层3设置于偏光层1的下表面上，导电层4设置于偏光层1的上表面上，第一支撑层2设置于导电层4的上表面上，即导电层4设置于偏光层1和第一支撑层2之间。导电层4上设置有接地部41，导电层4通过接地部41接地。[0058]本实施与前述实施例的不同之处在于，本实施例中，导电层4设置在偏光层1的上表面上，除此之外，本实施例的其它特征均与前述实施例相同，此处不再赘述。[0059]本实用新型提供的平面电场式液晶显示面板，在偏光片上设置有导电层4，不但能够将彩膜基板上的静电电荷及时导出，避免静电电荷形成的电场影响液晶的正常偏转，而且避免了在彩膜基板上溅射ITO的工艺步骤，简化了液晶显示面板的制作工艺。另外，由于贴附偏光片工艺对基板的厚度没有要求，其应用更加广泛。因此，本实用新型提供的平面电场式液晶显示面板无需采用在彩膜基板上溅射导电层方式，同样能够使平面电场式液晶显示面板具备防静电性能。[0060]图4所示为本实用新型的另一个实施例中平面电场式液晶显示面板的偏光片的结构示意图。本实施例与前述实施例的不同之处在于，导电层4设置于偏光层1的下表面上，第二支撑层3位于导电层4的下表面上，即导电层4设置于偏光层1和第二支撑层3之间，除此之外，前述实施例的一切特征均适用于本实施例，此处不再赘述。[0061]本实用新型提供的平面电场式液晶显示面板，在偏光片上设置有导电层4，不但能够将彩膜基板上的静电电荷及时导出，避免静电电荷形成的电场影响液晶的正常偏转，而且避免了在彩膜基板上溅射ITO的工艺步骤，简化了液晶显示面板的制作工艺。另外，由于贴附偏光片工艺对基板的厚度没有要求，其应用更加广泛。因此，本实用新型提供的平面电场式液晶显示面板无需采用在彩膜基板上溅射导电层方式，同样能够使平面电场式液晶显示面板具备防静电性能。[0062]相应的，本实用新型还提供了一种用于平面电场式液晶显示面板的偏光片，本偏光片为前述平面电场式液晶显示面板的实施例所提供的任一种偏光片，前文已经进行了详细的说明，此处不再赘述。[0063]本实用新型提供的偏光片，在偏光片上设置有导电层，不但能够将彩膜基板上的静电电荷及时导出，避免静电电荷形成的电场影响液晶的正常偏转，而且避免了在彩膜基板上溅射ITO的工艺步骤，简化了液晶显示面板的制作工艺。另外，由于贴附偏光片工艺对基板的厚度没有要求，其应用更加广泛。因此，本实用新型提供的偏光片无需采用在彩膜基板上溅射导电层方式，同样能够使平面电场式液晶显示面板具备防静电性能。[0064]以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式
，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
权利要求1.一种平面电场式液晶显示面板，包括阵列基板和与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板，所述阵列基板和所述彩膜基板之间设置有液晶，所述彩膜基板远离所述液晶的表面上设置有偏光片，所述偏光片包括偏光层，其特征在于，所述偏光片还包括导电层，所述导电层上设置有接地部，所述导电层通过所述接地部接地。
2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述偏光片还包括第一支撑层和第二支撑层，所述第一支撑层设置于所述偏光层上， 所述第二支撑层设置于所述偏光层下；所述导电层设置于所述第一支撑层上；或所述导电层设置于所述第二支撑层下；或所述导电层设置于所述第一支撑层与所述偏光层之间；或所述导电层设置于所述第二支撑层与所述偏光层之间。
3.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板还包括金属边框，所述接地部与所述金属边框相连； 或者所述阵列基板上设置有地线，所述接地部与所述地线相连。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的液晶显示面板，其特征在于，所述导电层为高分子透明导电材料。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的液晶显示面板，其特征在于，所述导电层的厚度为30微米至200微米。
6.根据权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，所述导电层的透光率大于90%， 所述导电层的方块电阻小于1500 Ω。
7.根据权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，所述导电层的透光率为94%，所述导电层的方块电阻为85 Ω。
8.一种偏光片，所述偏光片包括偏光层，其特征在于，所述偏光片还包括导电层，所述导电层上设置有接地部。
9.根据权利要求8所述的偏光片，其特征在于，所述偏光片还包括第一支撑层和第二支撑层，所述第一支撑层设置于所述偏光层上，所述第二支撑层设置于所述偏光层下；所述导电层设置于所述第一支撑层上；或所述导电层设置于所述第二支撑层下；或所述导电层设置于所述第一支撑层与所述偏光层之间；或所述导电层设置于所述第二支撑层与所述偏光层之间。
10.根据权利要求8或9所述的偏光片，其特征在于，所述导电层为高分子透明导电材料。
11.根据权利要求8或9所述的偏光片，其特征在于，所述导电层的厚度为30微米至 200微米。
12.根据权利要求11所述的偏光片，其特征在于，所述导电层的透光率大于90%，所述导电层的方块电阻小于1500 Ω。
13.根据权利要求12所述的偏光片，其特征在于，所述导电层的透光率为94%，所述导电层的方块电阻为85 Ω。
专利摘要本实用新型提供了一种平面电场式液晶显示面板和偏光片，涉及液晶显示技术领域，为使平面电场式液晶显示面板具备防静电性能而设计。所述偏光片包括偏光层及导电层，所述导电层上设置有接地部。
文档编号G02F1/133GK202281885SQ20112041404
公开日2012年6月20日 申请日期2011年10月26日 优先权日2011年10月26日
发明者柳在健, 谷新 申请人:京东方科技集团股份有限公司