减小白色色差的显示装置及其制造方法

专利名称：减小白色色差的显示装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及显示装置，特别是涉;5Lif过减小由于每^M象素的光学特性差 异引起的白色显示的色差而实现高絲颜色再现性的显示装置及其制it^r法。
背景技术：
控制每^M象素点亮的有源方式的平板型显示装置通过组合显示面板和周 边电路及必要的构件而构成。该显示面板^L通it^纟&^^LL按行和列的矩 阵配置多个像素而构成，所述像素具有以薄膜晶体管(TFT)为代耒的开-关 元件(下面用TFT说明)和驱动该TFT的像素电极。
然后，提供在每行选择矩阵配置的多个TFT的扫粉f言号的多个栅布线和 对与选，栅布线连接的TFT提供显示数椐的多个数据布线按照与上述4沐 列对应地交叉配置成矩P械。这些布线称作所谓的薄膜布线。其后，在各薄膜 布线(栅布线和数据布线)的相交部分分别配置像素。另夕卜，才 显示装置， 其它栅布线和数据布线与该显示装置的显示方iC^"应具有必要的薄膜布线。下 面的说明同样能够适用于如上的薄膜布线。
在每^M象素具有像素电极的显示装置的典型例子是液晶显示装置。也已 知有其它的有机EL显示装置等。下面以液晶显示装置为例进^i兌明。图17 是说明现有的液晶显示装置的面板模式的剖面图。另外，有机EL显示装置在 使用透明电核逸一点也是一样的。
液晶显示装置通过在由最好是玻璃的绝缘J^构成的第一1^ SUB1和 第二J41SUB2之间夹持液晶LC而构成。在第一1^1SUB1的内面，形自 信号布线、扫描信号布线、薄膜晶体管TFT等，图中省略了。形成由薄膜晶 体管控制开.关的3色(红、绿、蓝)像素电极PXR、 PXG、 PXB之后，在这 些的上层形成第一取向膜ORIl。该第一基^ SUB1 M作薄膜晶体管g (TFT絲)
另一方面，在第二狄SUB2的内面，分别与第一胁SUB1的像素电极PXR、 PXG、 PXB相对应形成3色(红、缘、蓝)滤色器RF、 GF、 BF。然 后，必然形M盖滤色器RF、 GF、 BF的对置电极AT (共用电极)，并在其 上形成第4向膜ORK。该第二基板SUB2^作滤色器J^ (CFg)。
像素电极PXR、 PXG、 PXB和对置电极AT (共用电极)最好是用ITO 的透明导电膜形成。构成这些像素电极PXR、 PXG、 PXB和对置电极AT的 透明导电膜的折射率、麟与像素无关是一定的。例如，在ITO的情况下， 当折射率为2.0、麟为130nm时，透射率为94.98 %,与CIE1931 xy色餘 标上的标准白色对应的色差为0.00441。在图18中示出了 CIE 1931 xy色M 标。
上述色差定义为"与CBE 1931 xy色餘标的标准M目对应的座标上的距 离，，。标准白色表示与全波长区透射比为100 %的光i普相比得到的色#械xw， yw) = (0.333，0 333)。图18上的点(x，y)的色差由与座标(xw, yw )的距离 AL表示。即，AL-{(X-Xw)2+(y-yw)2}1/2。
作为关于色差的一般，JiA，已知下面的事实。即，能够识别色差在0.004
以上时的颜色差异。但是，对于蓝(G)方向的距离变化的认知迟钝(即使色 差超过0.004的颜色差异"i^争以识别)，黄色(Y)方向的认知敏锐(即使色差
在0.004以下的颜色差^j:易识别)。
另外，专利文献l公开了一种液晶显示装置，其通过控制构成像素的透
明电极的折射率、 ，抑制由于光源峰值波长的千涉光谱差引起的显示^JL 不匀。
[专利文献11特开平4 -166915号公报
在现有的显示装置中，构成像素的像素电极、对置电极的透明电极的折 射率、麟在3色(红、绿、蓝)像素中同样形成。由于3色(红、绿、蓝) ^象素的透明电极的透射比不同，因》b^t射透明电极的各色光中产生色差，在 白色座标上产生移动(着色)。

发明内容
本发明的目的是提供一种显示装置及其制造方法，在构成像素的透明导 电膜(透明电极)透射光时，能够通过减小由3色像素的透射比差引起的色差 而进行具有高M颜色再现性的图像显示。
为了实现上述目的，本发明中构成像素的透明导电膜的光学,在像素
的每个滤色器之间互不相同。光学,由折射率n和膜厚d的乘积nd表示。 透明导电膜通过下述方法形成，即通过喷墨装置的喷嘴涂布(在喷墨的 情况下^M乍滴下)在粘合剂中*了铟锡氧化物(ITO )、铟锌氧化物(IZO )、 铟锡/锌氧化物(ITZO)等的透明导电膜材料的孩狄立的墨7jc，然后烧结。所希 望的麟通过墨水的涂布量(滴下的数量)綠制，折射率通錄形成的透明
在构成彩色像素的多个像素的透明e导电膜(透明电极)分别透射光时， 由该透明导电膜喷墨的,和折射率的不同而导致的3色像素透射比的差异 S1起的色差减小，从而得到具有高^^颜色再现性的图像显示。


图1是说明才 本发明的显示装置用1^的实施例1的液晶面板的示意 剖面图。
图2是说明##本发明的显示装置用基板的实施例5的液晶面板的示意 剖面图。
图3是说明在适用于本发明的制造方法的液晶显示装置中的第一基板的1
^H象素的结构例的示意平面图。
图4是沿图3的箭头x的示意剖面图。
图5是说明才Mt本发明的液晶显示装置的制造工艺的工序图。
图6是接着图5说明##本发明的液晶显示装置的制造工艺的工序图。
图7是接着图6说明才Nt本发明的液晶显示装置的制造工艺的工序图。
图8是才Nt本发明的液晶显示装置的制造工艺的主要郎分的结构图。
图9是才娥本发明的液晶显示装置的制造工艺的主要部分的结构图。
图10是4娘本发明的液晶显示装置的制造工艺的主要部分的结构图。
图11是才緣本发明的液晶显示装置的制造工艺的主要部分的结构图。
图12是#^本发明的液晶显示装置的制造工艺的主要部分的结构图。
图13;^fm本发明的液晶显示装置的制造工艺的主^分的结构图。
图14是说明在本发明的液晶显示装置中像素电极的,在每个颜色变化
的方法的示意图。
图15是说明M^像素电极的,和像素电极用墨水滴的滴下数量的 一个例子的图。
图16是说明通过喷墨方式形成的像素电极折射率的变化方法的示意剖面图。
图17是:说明i见有的液晶显示装置的面板的示意剖面图。
图18是CIE1931 xy色餘标图。
符号说明
SUB 第一 J^L; SUB2 第二J^L ; PXR、 PXG、 PXB像素电极； ORI1第一取向膜；ORI2 第4向膜；RF、 GF、 BF 滤色器；AT 共 用电极(对置电极)；LC 液晶层
务体实施方式
下面参考实施例的附图详细说明本发明的实施方式。 [实施例"
图1是说明4 本发明的显示装置用皿的实施例1的液晶面板的示意 剖面图。虽然图中未示出，但是在该液晶面板的最好是玻璃的第一1^SUB1 的主面(内面)制作了布线和薄膜晶体管等像素开*关控制电路。构成彩色像 素的3色像素在第一mSUBl的主面上具有作为第一透明导电膜的像素电极 PXR、 PXG、 PXB。这些像素电极为ITO。然后，形^JJ/f象素电极PXR、 PXG、 PXB的第一取向膜ORIl。
另一方面，在同样最好是玻璃的第二皿SUB2的主面上，形成分别与 像素电极PXR、 PXG、 PXB相对的构成^f象素的滤色器RF、 GF、 BF。形成 覆盖滤色器RF、 GF、 BF的作为第二透明导电膜的共用电极(对置电极)AT。 共用电极AT也为ITO。在共用电极AT上，形成第^向膜ORI2。
在第一取向膜OMl和第二取向膜ORI2之间密封液晶层LC以构成液晶 显示面板。
在实施例1中，3色4象素电极PXR、 PXG、 PXB的M^和折射率不同。 ^#地说，红像素的像素电极PXR的麟为160nm、折射率为1.9，绿像素 的像素电极PXG的麟为130nm、折射率为2.1，蓝像素的像素电极PXR的 膜厚为120nm、折射率为1.9。共用电极AT的,和折射率就3色像素来说
相同。
在实施例1的结构中，透射比为9539%，色差为0.00225。该色差比0.004 小很多，白色座标几手没有位移，无法辨别白色显示的着色。顺便提及，图 17说明的现有的结构，即3色傳_素的像素电 ^相同，且以使色差与实施 例l相同的方式设计的情况下，透射比为93.61%,与》时应，实施例l的透 射比提高了 1.78%。
实施例21
在实施例2中，根椐图1的结构，3色像素电极PXR、 PXG、 PXB的折 射率相同，为2.0，红像素的像素电极的麟为150nm，绿像素的像素电极PXG 的膜厚为140nm，蓝像素的像素电极PXB的膜厚为120nra。
在实施例2的结构中，透射比为95.34%，色差为0.00257。该色差也比 0.004小很多，白色座标几乎没有^^多，无法辨别白色显示的着色。顺便提及， 图17说明的现有的结构，即3色像素中其像素电 #相同，且以使色差与 实施例2相同的方式设计的情况下，透射比为93.82%,与jt时应，实施例2 的透射比提高了 1.52%。
l实施例31
实施例3为在图17所示的现有例结构中3色像素电极PXR、 PXG、 PXB 的膜厚相同、折射率不同的情况。具体地说，各像素的像素电极的膜厚为 130nm，红像素的像素电极PXR的折射率为2.2，绿像素的像素电极PXG的 折射率为1.9，蓝像素的像素电极PXR的折射率为1.8。共用电极AT的, 和折射率在3色像素中相同。
在实施例3的结构中，透射比为9538%，色差为0.00298。该色差也比 0.004小很多，白色座标几乎没有4^多，在白色显示中没有识别出着色。
顺便提及，用图17说明的贿结构且以使色差与实施例3相同的方式设 计时的透射比是94.08 % ，与jH^目应，实施例3的透射比提高了 1.30 % 。
实施例4
实施例4为在图1所示的实施例1的结构中，3色像素电极PXR、 PXG、 PXB的折射率相同，为1.8，红像素的像素电极PXR的麟为170nm，绿像 素的像素电极PXG的蔽導为150nm，蓝像素的像素电极PXB的l^導为 130nm。 在实施例4的结构中，透射比为95 35%，色差为0.00235。该色差也比 0.004小很多，白色座标几乎没有^f多，无法辨别白色显示的着色。顺便提及， 图17说明的Et的结构，即3色像素的像素电 #相同，且以使色差与实 施例4相同的方式设计的情况下，透射比为93.68%，与jt时应，实施例4的 透射比提高了 1.67%。
l实施例51
图2是说明4,本发明的显示装置用基板的实施例5的液晶面板的示意 剖面图。虽然图中未示出，但是在该液晶面板的最好是玻璃的第一基仗SUB1 的主面(内面)也制作了布线和薄膜晶体管等像素开.关控制电路。构成彩色 像素的3色像素在第一MSUB1的主面上具有作为第一透明导电膜的像素电 极PXR、 PXG、 PXB。这些4象素电极为ITO。然后，形^tA像素电极PXR、 PXG、 PXB的第一取向膜ORIl。
另一方面，在同样最好是玻璃的第二基板SUB2的主面上，形成分别与 4象素电极PXR、 PXG、 PXB相对的构成各像素的滤色器RF、 GF、 BF。形成 M滤色器RF、 GF、 BF的作为第二透明导电膜的岛状的共用电极(对置电 极)AT。该共用电极AT也为ITO,红、绿、蓝各色的岛状共用电极ATR、 ATG、 ATB对应于相应的像素电极PXR、 PXG、 PXB。另外，该共用电极 ATR、 ATG、 ATB与显示面板的适当部分电连接。然后，覆盖共用电极ATR、 ATG、 ATB形成第^l向膜ORI2。
在第一取向膜ORIl和第4向膜ORI2之间密封液晶层LC，以构成液 晶显示面板。
在实施例5中，3色像素电极PXR、 PXG、 PXB的麟和对应的共用电 极ATR、 ATG、 ATB的麟在^h颜色之间不同。在图2中，像素电极PXR、 PXG、 PXB和共用电才及ATR、 ATG、 ATB的各,对于^h颜色来说同样通 麟度的变^4示，但不P艮于此，M颜色的电极的合计麟(像素电极的膜 厚+共用电极的腠導)不同即可。这里，红4象素的合计电 ^为n0nm， ^:4象素的^^十电 >享为150nm，蓝像素的合计电 >享为130nm。 3色像素 电极PXR、 PXG、 PXB和共用电极ATR、 ATG、 ATB的折射率相同，为1.8。
在实施例5的结构中，透射比为95.73%,色差为0.00036。该色差小于 0.004，白色座标几乎没有^(^多，无法辨别白色显示的着色。顺便提及，按照
图17i兌明的现有的结构，即3色像素的像素电^4相同时，不能够i殳计出 与实施例5相同的色差，色差最小为(0.00069)，此时，透射比为92.36%, 与jlbf目应，实施例5的透射比提高了 3.37%。
通常，ITO的折射率n具有在可见区内I^波长的增加i^减小的波长 *。在上述各实施例中，为了说明简单化，是假定不具有这样的波长分敉而 算出的。但是，作为可见光，大体Ji^r，在上述各实施例的说明中没有4 。
下面说明本发明的制造方法。图3是说明适用本发明制造方法的液晶显 示装置中第一 的1个像素的结构例的示意平面图。另外，图4是沿着图3 的箭头x的示意剖面图。在图3中，在2条扫描布线(栅线)GL和2条图像 信号布线(数据线)DL包围的区域(像素区域)中形成l个像素。
在像素区的角部配置控制像素开*关的薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT 由从MGL延伸的栅电极GT、 M半^^层SI、数据线DL延伸的源电极 SD1和漏电极SD2构成。另外，源电极SD1和漏电极SD2在显示动作中虽然 相互脊氏，但在此为了防止混乱，《象上^lM羊用固定才科己来i兌明。
在漏电极SD2中，通过接触孔CH连4^f象素电极PX。另夕卜，在该结构中， 以横穿像素区的方式形成用于形成液晶保持电容的电容线CL。
本发明的液晶显示装置通过使用喷墨装置的涂布印刷方式(称作喷墨方 式)形成其布线和电极的一^分或者全部。图4说明了该制造工艺的概况。首 先,在第一_^ SUB1的主面上形成具有，和栅电极的图形沟的栅堤(bank) BNK-G，然后通过喷墨方式形iW线GL和栅电极GT。其上由皿,GI
^A硅半^g度，通过布图(图案形成)形成作为薄膜晶体管的有源层 的;^半^f^L层SI。此时，在硅半^H^层的上层形成n +层，除去作为薄膜晶 体管沟道的部分。在源电极和漏电极的图形沟中形成源*漏堤(下面称作源堤) BNK-SD，通过喷墨方式形成源电极SD1、漏电极SD2。
其后，形成保护膜PAS，在该保护膜PAS形^^达漏电极SD2的接触孔 CH。在像素电极区形成具有开口的像素堤BNK-P，通过喷墨方式形成像素电 极PX。絲，涂布图(图案形成)中未示出的第一取向膜，完成第一ijti侧 的制造。另夕卜，上述各i;liiit过^^j感光性抗蚀剂的^'j形成，^J J工艺完成 之后仍然维持透明性的树脂材料。
然后，参考图5 ~图7的工序图和图8 ~图13的主辆分的结构图说明 上述液晶显示装置的制造工艺。另外，图8示出了图5的工艺(P-7)完成之 后的(a)像素部分的平面图；(b)沿着(a)的箭头x的剖面图。图9示出了 图5的工艺(P-ll)完成之后的(a)像素部分的平面图；(b)沿着(a)的箭 头x的剖面图。图10示出了图6的工艺(P-14)完成之后的(aH象素部分的 平面图；(b)沿着(a)的箭头x的剖面图。图11示出了图6的工艺(P-20) 完成之后的(a)像素部分的平面图；(b)沿着(a)的箭头x的剖面图。图 12示出了图7的工艺(P-24)完成之后的(a)像素部分的平面图；(b)沿着 (a)的箭头x的剖面图。图13示出了图7的工艺(P-30)完成之后的(a) 像素部分的平面图；(b)沿着(a)的箭头x的剖面图。
在图5中，对搬入的玻璃^jtlii行初期的清洗(P-l)，涂布^:BNK-G 的感光性抗蚀剂(P-2)。通过与栅线和栅电极(和电容线)对应的图形的膝光 掩才^^光、显影^，除去栅线和栅电极(和电M)图形的沟部的感光性抗 蚀剂(P-3)。通舰结残留的感光性総剂形^t是BNK"G (P4)。
亲、^t理^t是BNK-G的沟时，同时疏'M理其它部分(P-5),在沟内从 喷墨方式的喷嘴喷射(滴下)涂布栅金属(在粘合剂中*的栅线、栅电极用 金属粒子墨水(P~6)。通过烧结形^i"线GL和栅电极GT (和电容线CT) (P-7 )。图8示出了 jtb^态下的像素部分的结构。
然后，通过减射等形成氮^> ，从而形^i^^j:GI，在其JlW形 雌半导体(例如a-Si和n+Si)膜(P-8)。涂布感光性抗蚀剂，通过光刻工 艺布图(图案形成)作为薄膜晶体管有源层的部分的岛状硅半"^^层(P-8)。 蚀刻a-Si和n+Si (P-10 )，剥离除去感光性抗蚀剂(P-ll )。图9示出了此状态 下的4象素部分的结构。
涂布感光性抗蚀剂，通ititt'J工艺蚀刻(P-12)成使n+Si中央部分露出 成为沟道的a-Si。 (P-13)。此后，剥离除去感光性抗蚀剂(P-14)。在图10中 示出了在该状态下的4象素部分的结构。
涂布成为源堤BNK-SD的感光性抗蚀剂(P-15 )，通过光刻工艺膝光成为 源线、源电极、漏电极的部分，显影后除去(P-16)，麟^形脉源线、 源电极、漏电极的部分具有沟的源堤BNK-SD (P-17)。
亲M理源堤BNK-SD的沟，疏:^Jt理其它部刺P-18 )。在源堤BNK-SD
的沟中通过喷墨方式喷射涂布作为成为源线、源电极、漏电极的导电性墨水的
源金属(P-19)。舰^形成源电极SD1、漏电极SD2等(P-20)。图11示 出了此状态下的像素部分的结构。
然后，通过濺射等在基板的前面形成氮化皿，从而形成保护膜PAS (P-21 )。涂布光敏性的感光性抗蚀剂，通过iU^繊光、显影，在保护膜PAS 中形成到达漏电极SD2的接触孔CH(P-22)、 (P-23)。图12示出了剥离除去 残留的感光性抗蚀剂的状态(P-24 )。
涂布像素堤用感光性抗蚀剂(P-25)，通it^刻工艺曝光、显影(P-26)、 烧结(P-27)，在像素电极PX的区域形成具有开口的像素堤BNK-P。亲舰 理像素电极PX区的开口，疏液处理其它部分(P-28)。在像素电极PX区的开 口中通过喷墨方式涂布在津給剂中^:了最好是ITO的透明导电材料銜险的 像素电极用墨水(P-29 )。烧结^形成像素电极PX (P-30 )。图13示出了此 状态下的像素结构。
图14是说明在本发明的液晶显示装置中对每个颜色改变像素电 >莩的 方法的示意图。图14 (a)示出了通过喷墨方式喷射涂布像素电极用墨水的状 态，图14 (b)示出了;^^像素电极的结构。在图14 (a)中，在第一基 板SUB1的主面上形威^fi是BNK-G、#^^ GI、数据线DL、源堤BNK-SD、 保护膜PAS、像素堤BNK-P。
在本发明中，如图14 (a)所示，喷墨装置的喷嘴头JHD—边在S方向 扫描， 一錄红像素R、绿像素G、蓝像素B的^f象素区中滴下涂布像素 电极用墨水滴DLP。涂布的墨水PXRI、 PXGI、 PXBI在像素堤BNK-P中相 互划分賭留。通it^结，如图14(b)所示，形成每个颜色的騰導不同的像素 电极PXR、 PXG、 PXB。该膜厚差通过^f象素墨7K滴的喷射量(涂布量、即 滴下翁:量)控制皿^像素电极所需要的蔽導。
图15是说明,^像素电极的,和像素电极用墨水滴的滴下数量的 一个例子的图。在该例子中，作为像素电极用墨水使用在粘合剂中分敉了 ITO 的墨水。红像素R、绿像素G、蓝像素B的^H象素电极PXR、 PXG、 PXB 的,为160nm、 130nm、 120nm的情况下，像素电极用墨水的滴下数量分 别为16滴、13滴、12滴。此外，在该例子中，4象素电极区域的面积约为 0麓mm2。图16是说明通过喷墨方式形成的像素电极的折射率的变更方法的示意剖 面图。作为导电性微粒，使用ITO。构成像素电极的透明导电膜的折射率成为 在其中包舍的导电性模W立PC和粘M'I BDR的VN斤射率的体积比。例如， 含有折射率2.0的导电性微粒50 %和折射率1.5的粘合剂50 %的透明导电膜的 折射率为1.75。 jtl^卜，含有折射率2.2的导电性孩纣立80%和折射率1.5的粘合 剂20%的透明导电膜的折射率为2.06。
作为导电性孩M立，可以使用除了 ITO^卜的含有锑的氧化锡(ATO)、含 有铝的氧化锌、含有锑的氧化铟(AIO)等金属氧化物、从金(Au )、银(Ag )、 辆(Pt)、钌(Ru)、铑(Rh)、把(Pd)、锇(Os)、铱(Ir)等金属中选择的l 种或者2种以上的4r^^l立。
此外，作为上^^給剂，可以是^f^T以使用的有机类、无才;^l津給剂， 可以使用紫外线硬化型树脂、电子射^^更化型树脂、阳离子重合类树脂、热硬 化型树脂、热可塑'對才脂等有机类。其中，由于紫外线硬化型树脂便宜且容易 得到，#透明狄、特别是透明塑料狄的密着性优良，因jtbit用于本发明 的津磁'j。
紫外线硬化型树脂由于下述理由是适用的，可以是在湿涂覆中使用的感 光'hi^t脂，例如丙烯酸类、丙烯W^烷类、硅类、环氧类等感光'^^脂不会损 害导电性孩炫立的^:性。
异常情况下，虽然说明了在第一J^具有第一透明电极(像素电极) 的实施例，但是在第二J^Ji形成的第二透明电极(对置电极)的膜厚、折射 率的控制也是一样。
本发明不限于液晶显示装置，也可以适用于有机EL显示装置等、具有显 示光透射透明导电膜的结构的显示装置、其它电子装置的色差的调整。
权利要求
1、一种显示装置，具有构成彩色像素的多种颜色的像素，其特征在于，上述像素分别具有第一透明导电膜、第二透明导电膜、滤色器以及夹持在上述第一透明导电膜和上述第二透明导电膜之间的液晶层，构成上述像素的上述第一导电膜和上述第二透明导电膜中的至少一个的由折射率和膜厚的乘积表示的光学膜厚在上述每个滤色器之间互不相同。
2、 才 权利要求1的显示装置，^f争絲于，上述第一透明导电膜和上 述第二透明导电膜通过利用喷墨的涂布和烧结而形成。
3、 才娥权利要求l的显示装置，^#絲于，具有形成了上述第一透明导电膜的第一纟g^i^形成了上述第二透明导电膜的第二绝缘基板，在上述第一绝缘^UL,针对每^H象素具有控制该像素的开'关的薄膜晶 体管，在上述第二绝缘^上，针对每^H象素具有使对应于该像素的颜色的波 长的^t射的上述滤色器，上述第一透明导电膜和上述第二透明导电膜中的至少一个在每^H象素中 形成岛状。
4、 才緣权利要求3的显示装置，*#4^于， 上述l象素具有红色、绿色、蓝色的3种颜色，上述形成岛状的透明导电膜为分别构成上述3色像素的上述第一透明导 电膜，上迷第一透明导电膜的各个,和折射率不同。
5、 ^^权利要求3的显示装置，其特征在于， 上ii^象素具有红色、绿色、蓝色的3种颜色，上述形成岛状的透明导电膜为分别构成上述3色像素的上述第一透明导 电膜，上迷第一透明导电膜的补,不同，折射率相同。
6、 ^4t权利要求3的显示装置，^#4^于， 上述像素具有红色、绿色、蓝色的3种颜色，上述形成岛状的透明导电自分别构成上述3色像素的上述第一透明导 电膜，上述第一透明导电膜的^^M;f相同，折射率不同。
7、 4 权利要求4的显示装置，^#4^于， 上述像素的滤色器分别为RF、 GF、 BF，与上述滤色器RF、 GF、 BF对应的上述岛状的第一透明电极膜为PXR、 PXG、 PXB卩上述第一透明导电膜PXR、 PXG、 PXB的麟为dR、 dG、 dB， 上述滤色器RF、 GF、 PXB的透射波段中心值为m、 kG、 JuB，其中， )J^XO^B， PXR的对于波长XR的折射率为nR、 PXG的对于波长XG的折 射率为nG、 PXB的对于波长5iB的折射率为nB时，作为折射率和膜厚满足 以下关系，nRdR〉nGdG〉nBdB。
8、 才M居权利要求5的显示装置，^##于， 上述像素的滤色M别为RF、 GF、 BF，与上述滤色器RF、 GF、 BF对应的上述岛状的第"-^明电皿为PXR、 PXG、 PXB，上述第一透明导电膜PXR、 PXG、 PXB的膜厚为dR、 dG、 dB， 上述滤色器RF、 GF、 PXB的透射波段中心值为m、 IG、 XB其中， XRAG^B时，作为蔽導满足以下关系， dR>dG>dB。
9、 ##权利要求6的显示装置，其特征在于， 上述像素的滤色M别为RF、 GF、 BF，与上述滤色器RF、 GF、 BF对应的上述岛状的第一透明电^feM为PXR、 PXG、 PXB5上述第一透明导电膜PXR、 PXG、 PXB的M^相同， 上述滤色器RF、 GF、 PXB的透射波段中心值为JJR、 1G、 XB，其中， XR〉XjG〉XB时，PXR的对于波长m的折射率为nR、 PXG的对于波长kG的折射率为 nG、PXB的对于波长W的折射率为nB时，作为折射率和麟满足以下关系， nR〉nG〉nB。
10、 才緣权利要求3的显示装置，其特征在于， 上述〗象素为红色、纟录色、蓝色的3种颜色，上述形成島状的透明导电膜为分别构成上迷3色像素的上述第二透明导 电膜，上述第二透明导电膜的,和折射率对于上述^M象素来说不同。
11、 ##权利要求3的显示装置，^##于， 上述像素为红色、绿色、蓝色的3种颜色，上述形成岛状的透明导电膜为分别构成上述3色像素的上述第一透明导 电膜和第二透明导电膜，上述第一透明导电膜和第二透明导电膜的合计,和折射率对于上述各^H象素来说不同。
12、 ##权利要求3的显示装置，*##于，上述第一透明导电膜和上^二透明导电膜以ITO、 IZO、 ITZO中的任 意一种为主^"成分。
13、 一种显示装置，至少具有在绝缘Jj^Lh形成大致相同的岛状的多个 透明导电膜，上述多个透明导电膜的至少3个作为彩色1像素，在上述彩色1像素内的岛和t明导电^ji层叠分别具有不同的波段的m彩色l像素内的上ii^it^为R、 G、 B，对应于R、 G、 B;libir的岛 城明电誠为ITOR、 ITOG、 ITOB, rrOR、 nOG、 ITOB的麟为dR、 dG、 dB， R、 G、 B狄层的it^波敬中心值为W、 kG、 W， ITOR的对于 波长XR的折射率为nR、 ITOG的对于波长XG的折射率为nG、 ITOB的对 于波长XB的折射率为nB的情况下，以使由折射率和麟的乘积败的透明 导电膜的光学膜厚满足nRdR>nGdG〉nBdB的方式，形，定的折射率、膜厚。
14、 ^^权矛jJMU3的显示状态，^#4￡^于， 上錢明导电膜通过利用喷墨的涂布和麟而形成。
15、 一种显示装置的制造方法，具有被独立地控制开.关的笫一透明导电膜、作为^M象素共用的对置电 '极而起作用的第二透明导电膜、在多个上述第一透明导电膜和上述第二透明导电膜之间密封的液晶层、在与上述第二透明导电膜的液晶层相反的面配置的透射不同颜色的光的滤色器，由至少3个像素构成1个彩色像素，显示彩色图像， 其特樣于使形成了用于控制像素开'关的电 电路的第一纟^^^的主面上的粘 M'j^t导电膜材料墨7]c在上紅少3 W象素之间互不相同，以使由上迷第一 透明导电膜的折射率和膜厚的乘积束示光学,在上述至少3个像素之间互 不相同，由此，在不降^it射比的情况下进行减小白色色差的显示。
16、 才 才又利要求15的显示装置的制造方法，其特征在于，包含在上述第一绝缘M的主面上通过喷墨方式涂布津^^^Ht导电膜材料 墨水的工序；通过烧结所涂布的^^^t导电膜材料墨水，形成上迷第一透明导电 膜的工序；利用上述喷墨涂布方式的上述沣給剂^:导电膜材料墨水及其涂覆量， 使由上述第一透明导电膜的折射率和膜厚的乘积束示的光学膜厚在上述至少 3个像素之间互不相同，从而在不制^it射比的情况下进行减小了白色色差的 显示。
17、 才MI权利要求15的显示装置的制造方法，其特征在于，在上*缘 Ij^上形成的用于控制像素开*关的电极和电路通过喷墨涂布方式涂布和烧结 导电'Ii^料墨水而形成。
18、 4Mt权利要求15的显示装置的制ii^法，^4寺絲于，形成上述第一透明导电膜和上述第二透明导电膜使用以iTO、 izo、 rrzo中的任意一种为主要成分的^^'j^t导电膜材料墨水。
全文摘要
减小当构成像素的透明导电膜透射光时由透射比的差异引起的色差。构成像素的透明导电膜PXR、PXG、PXB的光学膜厚(折射率n和膜厚d的乘积nd)对于每个像素的滤色器RF、GF、BF来说不同。透明导电膜通过喷墨装置的喷嘴涂布在粘合剂中分散了ITO等透明导电膜材料微粒的墨水、然后烧结而形成。膜厚通过喷嘴的涂布量来控制，折射率通过在形成的透明导电膜中含有的导电性材料的微粒子和粘合剂的各折射率的体积比来控制。
文档编号G02F1/1335GK101097363SQ200610163548
公开日2008年1月2日 申请日期2006年10月20日 优先权日2006年6月30日
发明者田中勉, 阿部诚 申请人:株式会社未来视野