硅基液晶显示器、硅基液晶显示器反射镜面及制作方法

专利名称：硅基液晶显示器、硅基液晶显示器反射镜面及制作方法
技术领域：
本发明涉及硅基液晶(LCOS， Liquid Crystal On Silicon)显示器的制作 方法，特别涉及在制作硅基液晶显示器的反射镜面过程中，改善硅基液晶显 示器的反射镜面缺陷。
背景技术：
石圭基液晶(LCOS )是一种新型的反射式液晶显示装置，与普通液晶不同的 是，LCOS结合CMOS工艺在硅片上直接实现驱动电路，并采用CMOS技术将 有源像素矩阵制作在硅衬底上，因而具有尺寸小和分辨率高的特性。
理想的LCOS应该平坦、光滑并有很高的反射率，这样才能够保证很好的 液晶排列和液晶层厚度的一致性，并不扭曲光线，这就需要其中的反射镜面 必须相当的平整，才能够精确地控制反射光路，这对于投影电视等高端应用 是一个十分关键的因素。
现有珪基液晶显示器反射镜面的制作方法，如图l所示，在包含驱动电路 等结构的硅基底101上用溅射方法形成金属层102,其中金属层的材料为铝铜 合金(铜含量为0.5%);在金属层102上涂覆抗反射层103,抗反射层103在曝 光时保护金属层102免受光的影响；在抗反射层103表面形成光阻层104,对光 阻层104进行曝光及显影处理，形成开口图形107。
如图2所示，以光阻层104为掩膜，蚀刻抗反射层103和金属层102,形成 沟槽105。
如图3所示，先对光阻层104和抗反射层103进行灰化处理；再用碱性溶液 (NEKC)进一步去除灰化后残留的抗反射层103和光阻层104;用高密度等离子体化学气相沉积法在金属层102上形成绝缘介质层106，用于器件间的隔离， 并且将绝缘介质层106填满沟槽105 。
如图4所示，对绝缘介质层106进行干法蚀刻至露出金属层102，形成反射 镜面108阵列；最后进行热处理工艺，热处理作用是修复在前道蚀刻等工艺对 金属层102造成的损伤。
在如下申请号为200310122960的中国专利申请中，还可以发现更多与上 述技术方案相关的信息，在制作硅基液晶显示器反射镜面过程中，在形成反 射镜面阵列后直接对反射镜面进行热处理工艺。
图5和图6是现有技术制作的硅基液晶显示器反射镜面产生凸起的示意 图。如图5所示，在热处理工艺中，金属层中的铝受热会使结构发生变化，进 而原子迁移加快，造成反射镜面产生凸起IOO。如图6所示，用电子扫描显微 镜(SEM, Scan Electron Microscope )观察反射镜面，能看到白色的小亮点， 就是所述的凸起l 10,这些凸起的大小为0.5pm ~1.5^im。
现有制作硅基液晶显示器的反射镜面，在热处理过程中，金属层中的铝 受热原子发生迁移，造成反射镜面产生凸起，进而降低反射镜面的质量和可 靠性，影响反射镜面的反射效果。

发明内容
本发明解决的问题是提供一种硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，防 止反射镜面产生凸起。
为解决上述问题，本发明提供一种硅基液晶显示器反射镜面的制作方法， 包括下列步骤首先提供带有金属层的硅基底，所述金属层中包含贯穿金属 层的沟槽；在金属层上形成绝缘介质层且绝缘介质层填充满沟槽；蚀刻绝缘 介质层至露出金属层，形成反射镜面阵列；在金属层上形成金属氧化层；对 包含金属层和金属氧化层的硅基底进行热处理。实施例中，形成金属氧化层的方法为等离子体氧气处理金属层表面。等
离子体氧气处理金属层表面的温度为240。C 280。C,压力为1.3Torr 1.7Torr。 氧气流量为2200sccm 2800sccm。所述金属层为铝铜合金，其中铝含量为 99.5%,铜含量为0.5%。所述金属氧化层为氧化铝层。所述氧化铝层的厚度 为30埃~70埃。所述热处理的温度为400°C~420°C,时间为25分钟~35分钟。
本发明提供一种硅基液晶显示器反射镜面，包括，带有金属层的硅基底， 所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽，沟槽内填充满绝缘介质层；金属氧化 层，位于金属层上。
实施例中，所述金属氧化层为氧化铝层。所述氧化铝层的厚度为30埃 70埃。
本发明提供一种硅基液晶显示器的制作方法，包括下列步骤首先提供 包含晶体管和电容器的硅基底，在硅基底上依次形成有像素开关电路层、导 电层、绝缘层及金属层，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽；在金属层上 形成绝缘介质层且绝缘介质层填充满沟槽；蚀刻绝缘介质层至露出金属层， 形成反射镜面阵列；在金属层上形成金属氧化层；对包含金属层和金属氧化 层的硅基底进行热处理。
实施例中，形成金属氧化层的方法为等离子体氧气处理金属层表面。等 离子体氧气处理金属层表面的温度为240。C 280。C，压力为1.3Torr 1.7Torr。 氧气流量为2200sccm 2800sccm。所述金属层为铝铜合金，其中铝含量为 99.5%，铜含量为0.5%。所述金属氧化层为氧化铝层。所述氧化铝层的厚度 为30埃 70埃。所述热处理的温度为400°C 420°C,时间为25分4中 35分钟。
本发明提供一种硅基液晶显示器，包括，包含晶体管和电容器的硅基底； 位于硅基底上的像素开关电路层；位于像素开关电路层上的导电层；位于导 电层上的绝缘层及位于绝缘层上的金属层，所述金属层中包含贯穿金属层的 沟槽，沟槽内填充满绝缘介质层；金属氧化层，位于金属层上。实施例中，所述金属氧化层为氧化铝层。所述氧化铝层的厚度为30埃~70埃。与现有技术相比，上述方案具有以下优点在热处理工艺前，在金属层 上形成金属氧化层用以保护金属层，使金属层在热处理过程中由于金属氧化 层的压制，使金属层中的原子迁移减慢，使反射镜面不会产生凸起，进而提 高反射镜面的质量和可靠性，提高反射镜面的反射效果。


图1至图4是现有制作硅基液晶显示器反射镜面的示意图；图5和图6为现有技术制作的硅基液晶显示器反射镜面产生凸起的示意图；图7为本发明制作石圭基液晶显示器反射镜面的实施例流程图； 图8是本发明制作硅基液晶显示器的实施例流程图； 图9至图13为本发明制作硅基液晶显示器反射镜面的实施例示意图； 图14至图21是本发明制作硅基液晶显示器的实施例示意图； 图22是本发明制作的硅基液晶显示器反射镜面的示意图。
具体实施方式
本发明在热处理工艺前，在金属层上形成金属氧化层用以保护金属层， 使金属层在热处理过程中由于金属氧化层的压制，使金属层中的原子迁移减 慢，使反射镜面不会产生凸起，进而提高反射镜面的质量和可靠性，提高反 射镜面的反射效果。为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图 对本发明的具体实施方式
^:详细的说明。本发明提供一种硅基液晶显示器反射镜面，包括带有金属层的硅基底， 所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽，沟槽内填充满绝缘介质层；金属氧化 层，位于金属层上。本发明提供一种硅基液晶显示器，包括包含晶体管和电容器的硅基底; 位于硅基底上的像素开关电路层；位于像素开关电路层上的导电层；位于导 电层上的绝缘层及位于绝缘层上的金属层，所述金属层中包含贯穿金属层的 沟槽，沟槽内填充满绝缘介质层；金属氧化层，位于金属层上。图7为本发明制作硅基液晶显示器反射镜面的实施例流程图。如图7所 示，执行步骤S201,首先提供带有金属层的硅基底，所述金属层中包含贯穿 金属层的沟槽；执行步骤S202,在金属层上形成绝缘介质层且绝缘介质层填 充满沟槽；执行步骤S203,蚀刻绝缘介质层至露出金属层，形成反射镜面阵 列；执行步骤S204，在金属层上形成金属氧化层；执行步骤S205,对包含金 属层和金属氧化层的硅基底进行热处理。图8是本发明制作硅基液晶显示器的实施例流程图。执行步骤S301,首 先提供包含晶体管和电容器的硅基底，在硅基底上依次形成有像素开关电路 层、导电层、绝缘层及金属层，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽；执行 步骤S302,在金属层上形成绝缘介质层且绝缘介质层填充满沟槽；执行步骤 S303,蚀刻绝缘介质层至露出金属层，形成反射镜面阵列；执行步骤S304， 在金属层上形成金属氧化层；执行步骤S305，对包含金属层和金属氧化层的 硅基底进行热处理。图9至图13为本发明制作硅基液晶显示器反射镜面的实施例示意图。如 图9所示，在包含驱动电路等结构的硅基底201上用賊射方法形成厚度为2900 埃至3100埃，反射率在90%以上的金属层202，其中金属层202的材料为铜 铝合金(铜含量为0.5%);在金属层202上用旋涂法形成厚度为800埃至1000 埃的抗反射层203,抗反射层203在曝光时保护金属层202免受光的影响；在抗反射层203表面形成光阻层204,对光阻层204进行曝光及显影处理，形成 开口图形205,在用以定义后续沟槽。本实施例中，溅射法形成金属层202所需的溅射温度为25。C至270°C, 具体温度例如25。C、 30°C、 40°C、 50°C、 60°C、 70°C、 80°C、 90°C、 100°C、 110°C、 120°C、 130°C、 140°C、 150°C、 160°C、 170°C、 180°C、 190°C、 200°C、 210°C、 220°C、 230°C、 240°C、 250°C、 260°C、或270。C等，本实施例优选 270 °C。本实施例中，金属层202的具体厚度例如2900埃、2920埃、2950埃、 2980埃、3000埃、3020埃、3050埃、3080埃或3100埃等，其中优选为3000 埃。金属层202的反射率最佳可达92%。本实施例中，抗反射层203的具体厚度例如800埃、850埃、900埃、950 埃或1000埃等。如图10所示，以光阻层204为掩膜，蚀刻抗反射层203和金属层202, 直至将金属层202穿透露出硅基底201,形成沟槽207。所述蚀刻抗反射层203和金属层202的方法为干法蚀刻法。 如图11所示，用等离子体氧气在温度为240。C至280。C时对光阻层204 和抗反射层203进行灰化处理；接着，再用碱性溶液清洗灰化后残留的光阻 层204和抗反射层203;然后，用高密度等离子体化学气相沉积法在沟槽207 内及金属层202上形成绝缘介质层208 ，用以器件间的隔离，所述绝缘介质层 208的材料优选氧化硅。本实施例中，用等离子体氧气对光阻层204和抗反射层203进行灰化的 具体温度例如240°C、 250°C、 260°C、 270。C或280。C等。但是用等离子体氧 气不能完全清除光阻层204和抗反射层203,因此需要用碱性溶液去除残留的 光阻层204和抗反射层203 ，实施例中用的碱性溶液为PH值等于10至11的NEKC。
如图12所示，对绝缘介质层208进行蚀刻，直至露出金属层202，形成 反射镜面210阵列。
本实施例中，蚀刻绝缘介质层208的方法为干法蚀刻法。
如图13所示，用等离子体氧气处理金属层202表面，形成金属氧化层206, 金属氧化层206的作为在后续热处理过程中保护金属层202;然后，对带有各 膜层的硅基底201进行热处理，热处理作用是修复在前道蚀刻等工艺对金属层 202造成的损伤。
本实施例中，所述等离子体氧气处理金属层202表面，使金属层202中 的铝与等离子态的氧反应形成氧化铝；等离子体氧气处理金属层202表面的 温度为240。C 280。C,具体温度例如240。C、 250°C、 260°C、 270。C或280。C等， 本实施例优选270°C;等离子体氧气处理金属层202表面的压力为 1.3Torr 1.7Torr( lTorr=133.32Pa)，具体例如1.3Torr、 1.4Torr、 1.5Torr、 1.6Torr 或1.7Torr等，本实施例优选1.5Torr;等离子体氧气处理金属层202表面所需 氧气的流量为2200sccm 2800sccm,具体流量例如2200sccm、 2300 sccm、 2400sccm、 2500 sccm、 2600sccm、 2700 sccm或2800sccm等，本实施例优选 2500sccm。
本实施例中，所述金属氧化层206的材料为氧化铝，氧化铝层的厚度为 30埃至70埃，具体例如30埃、40埃、50埃、60埃或70埃等，本实施例优 选50埃。
本实施例中，热处理的温度为400。C 420。C,具体例如400°C、 410。C或 42(TC等，本实施例优选410。C;热处理所需时间为25分钟~35分钟，具体时 间例如25分钟、26分钟、27分钟、28分钟、29分钟、30分钟、31分钟、 32分钟、33分钟、34分钟或35分钟等。本实施例中，在金属层202形成一层金属氧化层206,使金属层202在热 处理过程中由于金属氧化层206的压制，使金属层202中的原子迁移减慢， 使后续形成的反射镜面不会产生凸起，进而提高反射镜面的质量和可靠性， 提高反射镜面的反射效果。
继续参考图9至图13,硅基液晶显示器反射镜面，包括包含驱动电路 等结构的硅基底201;金属层202，位于硅基底201上；沟槽207,贯穿金属 层202露出硅基底201 ，且沟槽207内填充满绝缘介质层208;金属氧化层206, 位于金属层202上。
本实施例中，所述金属氧化层206的材料为氧化铝，氧化铝层的厚度为 30埃至70埃，具体例如30埃、40埃、50埃、60埃或70埃等，本实施例优 选50埃。
图14至图21是本发明制作硅基液晶显示器的实施例示意图。如图14所 示，首先在石圭基底301上形成^^素开关电路层302,所述内部驱动电3各为MOS 晶体管304和电容器305相串联组成的动态随机存储器，形成像素开关电路 层302，像素开关电路层302包括层间绝缘层306和镶嵌在层间绝缘层306内 的接地垫层308、信号垫层309和连接垫层310以及连接上、下导电层的通孔， 所述接地垫层308 "f妄地信号，信号垫层309是为驱动电路的MOS晶体管304 施加电压，信号垫层309通过通孔和下层驱动电路的MOS晶体管304的漏端 电连接，则MOS晶体管304的源端和电容器305的一端通过连接垫层310和 通孔相电连接(即为上电极)，第一电容器的另一端通过通孔和接地垫层308 电连接(即为下电极)。
然后在层间绝缘层306上形成导电层312，所述导电层312为一层或者多 层导电材料构成，比较优化的导电层312依次采用金属钬、氮化钛、铝铜合 金、金属钛和氮化钛组成的多层结构，比较优化的厚度范围为1000埃至6000 埃。
12如图15所示，在导电层312上采用现有的光刻技术形成图案化第一光阻 层(图未示)；以第一光阻层为掩膜，釆用现有蚀刻技术在导电层312中形成 岛状的连接镜面垫层313和光屏蔽层312a,形成所述光屏蔽层312a的目的是 防止漏光进入硅基片中的电路器件，则影响电路性能以及寿命，因此需要专 门用一层金属来遮光。所述连接镜面垫层313和光屏蔽层312a之间的间隙 313a使得连接镜面垫层313和光屏蔽层312a相互绝缘隔离，所述连接镜面垫 层313通过连接垫层310和通孔与像素开关电路层的MOS晶体管304的源端 相电连接。
参照图16，去除第一光阻层；在光屏蔽层312a、连接镜面垫层313上以 及间隙313a内采用高密度等离子体化学气相沉积技术形成介电层314，由于 要填充满间隙313a，在所述介电层314表面对着间隙313a处产生凹槽，所述 形成的介电层314的厚度范围为200 nm至1000nm,介电层314的材料为氧 化硅、氮化硅、氮氧化硅以及他们的组合，也可以是由比如氧化铪、氧化铝、 氧化锆等高k介质组成的介电层314。
参照图17,用化学机械抛光法研磨介电层314直至将介电层314表面的 凹槽去除，使介电层314平坦化，进而使后续沉积的膜层表面平整。
参照图18，采用现有光刻技术在介电层314上形成图案化第二光阻层(未 图示)；然后以第二光阻层为掩膜，蚀刻介电层314至露出连接镜面垫层313, 形成开口 320,所述开口 320暴露出部分连接镜面垫层313;用化学气相沉积 法在介电层314上形成金属鴒层319,且将金属鴒层319填充满开口 320，形 成鵠插塞与连接镜面垫层313连通。
如图19所示，用化学机械抛光法研磨金属鴒层319至露出介电层314; 用、賊射方法在介电层314上形成厚度为2900埃至3100埃，反射率在90%以 上的金属层322，其中金属层322的材料为铜铝合金(铜含量为0.5%);在金 属层322上用旋涂法形成厚度为800埃至1000埃的抗反射层324,抗反射层324在曝光时保护金属层322免受光的影响；在抗反射层324表面形成光阻层 325,对光阻层325进行曝光及显影处理，形成开口图形326,在用以定义后 续沟槽。
本实施例中，'賊射法形成金属层322所需的溅射温度为25。C至270°C, 具体温度例如25。C、 30°C、 40°C、 50°C、 60°C、 70°C、 80°C、 90°C、 100°C、 110°C、 120°C、 130°C、 140°C、 150°C、 160°C、 170°C、 180°C、 190°C、 200°C、 210°C、 220°C、 230°C、 240°C、 250°C、 260°C、或270。C等，本实施例优选 270 °C。
本实施例中，金属层322的具体厚度例如2900埃、2920埃、2950埃、 2980埃、3000埃、3020埃、3050埃、3080埃或3100埃等，其中优选为3000 埃。金属层322的反射率最佳可达92%。
本实施例中，抗反射层324的具体厚度例如800埃、850埃、900埃、950 埃或1000埃等。
如图20所示，以光阻层325为掩膜，用干法蚀刻法蚀刻抗反射层324和 金属层322直至露出介电层314，形成沟槽；用等离子体氧气在温度为240°C 至280。C时对光阻层325和抗反射层324进行灰化处理；然后，再用;成性溶液 清洗灰化后残留的光阻层325和抗反射层324;用高密度等离子体化学气相沉 积法在金属层322上形成绝缘介质层330，且绝缘介质层330填充满沟槽，所 述绝缘介质层330的材料优选氧化硅；然后，对绝缘介质层330及金属氧化 层328进行干法蚀刻，直至露出金属层322，形成反射镜面332阵列。
本实施例中，用等离子体氧气对光阻层325和抗反射层324进行灰化的 具体温度例如240°C、 250°C、 260°C、 270。C或280。C等。但是用等离子体氧 气不能完全清除光阻层325和抗反射层324,因此需要用碱性溶液去除残留的 光阻层325和抗反射层324，实施例中用的碱性溶液为PH值等于10至11的 NEKC。如图21所示，用等离子体氧气处理金属层322表面，形成金属氧化层328, 金属氧化层328的作为在后续热处理过程中保护金属层322;然后，对带有各 膜层的硅基底301进行热处理，热处理作用是修复在前道蚀刻等工艺对金属层 322造成的损伤。
本实施例中，所述等离子体氧气处理金属层322表面，使金属层322中 的铝与等离子态的氧反应形成氧化铝层；氧气氛下灰化金属层322的温度为 240。C 280。C,具体温度例如240。C、 250°C、 260°C、 270。C或280。C等，本实 施例优选270°C;灰化金属层322的压力为1.3Torr 1.7Torr( lTorr=133.32Pa), 具体例如1.3Torr、 1.4Torr、 1.5Torr、 1.6Torr或1.7Torr等，本实施例优选1.5Torr; 氧气的流量为2200sccm 2800sccm,具体流量例如2200sccm、 2300 sccm、 2400sccm、 2500 sccm、 2600sccm、 2700 sccm或2800sccm等，本实施例优选 2500sccm。
所述金属氧化层328的厚度为30埃至70埃，具体例如30埃、40埃、50 埃、60埃或70埃等，本实施例优选50埃。
本实施例中，热处理的温度为400。C 420。C，具体例如400°C、 410。C或 42(TC等，优选410。C;热处理所需时间为25分钟 35分钟，具体例如25分 钟、26分钟、27分钟、28分钟、29分钟、30分钟、31分钟、32分钟、33 分钟、34分钟或35分钟等。
本实施例中，在金属层322形成一层金属氧化层328,使金属层322在热 处理过程中由于金属氧化层328的压制，使金属层322中的原子迁移减慢， 使后续形成的反射镜面不会产生凸起，进而提高反射镜面的质量和可靠性， 提高反射镜面的反射效果。
继续参考图14至图21,珪基液晶显示器，包括包含内部驱动电路的硅 基底201,所述内部驱动电路为内部驱动电路为MOS晶体管304和电容器305 相串联组成的动态随机存储器；像素开关电路层302,位于硅基底301上，像素开关电路层302包括层间绝缘层306和镶嵌在层间绝缘层306内的接地垫 层308、信号垫层309和连接垫层310以及连接上、下导电层的通孔，所述接 地垫层308接地信号，信号垫层309是为驱动电路的MOS晶体管304施加电 压，信号垫层309通过通孔和下层驱动电5^的MOS晶体管304的漏端电连冲妻， 则MOS晶体管304的源端和电容器305的一端通过连接垫层310和通孔相电 连接(即为上电极)，电容器305的另一端通过通孔和接地垫层308电连接(即 为下电极)；光屏蔽层312a和连接镜面垫层313,形成于层间绝缘层306上， 且光屏蔽层312a和连接镜面垫层313之间有间隙313a，所述连接镜面垫层313 通过连接垫层310和通孔与像素开关电路层的MOS晶体管304的源端相电连 接；介电层314,位于光屏蔽层312a和连接镜面垫层313上，且填充满间隙 313a，用于光屏蔽层312a和连接镜面垫层313相互绝缘隔离；鵠插塞，位于 介电层314中，与连接镜面垫层313连通；金属层322，位于介电层314上且 通过鴒插塞与连接镜面垫层313连通；沟槽，贯穿金属层322露出介电层314, 且沟槽内填充满绝缘介质层330;金属氧化层328，位于金属层322上。
本实施例中，金属层322的材料为铜铝合金(铜含量为0.5%),厚度为 2900埃至3100埃，反射率在90%以上。
所述金属氧化层328的材料为氧化铝，氧化铝层的厚度为30埃至70埃， 具体例如30埃、40埃、50埃、60埃或70埃等，本实施例优选50埃。
图22是本发明制作的硅基液晶显示器反射镜面的示意图。如图22所示， 本发明在制作的硅基液晶显示器的反射镜面过程中，在热处理工艺前，用等 离子体氧气处理金属层，形成金属氧化层用以保护金属层，使金属层在热处 理过程中由于金属氧化层的压制，使金属层中的原子迁移减慢，使反射镜面 不会产生凸起。用电子扫描显微镜(SEM)观察本发明制作的硅基液晶显示 器反射镜面，可以看到反射镜面上没有白色小亮点出现，也就是说反射镜面 没有任何凸起出现，从而提高了反射镜面的质量和可靠性，提高反射镜面的反射效果。
本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何 本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和 修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。
权利要求
1. 一种硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于，包括下列步骤首先提供带有金属层的硅基底，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽； 在金属层上形成绝缘介质层且绝缘介质层填充满沟槽； 蚀刻绝缘介质层至露出金属层，形成反射镜面阵列； 在金属层上形成金属氧化层； 对包含金属层和金属氧化层的硅基底进行热处理。
2. 根据权利要求1所述硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于 形成金属氧化层的方法为等离子体氧气处理金属层表面。
3. 根据权利要求2所述硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于 等离子体氧气处理金属层表面的温度为240°C~280°C ，压力为 1.3Torr 1.7Torr。
4. 根据权利要求3所述硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于 氧气流量为2200sccm 2800sccm。
5. 根据权利要求3所述硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于 所述金属层为铝铜合金，其中铝含量为99.5%，铜含量为0.5%。
6. 根据权利要求1所述硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于 所述金属氧化层为氧化铝层。
7. 根据权利要求6所述硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于 所述氧化铝层的厚度为30埃~70埃。
8. 才艮据权利要求l所述硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于 所述热处理的温度为400°C~420°C ，时间为25分钟 35分钟。
9. 一种硅基液晶显示器反射镜面，包括，带有金属层的硅基底，所述金属层 中包含贯穿金属层的沟槽，沟槽内填充满绝缘介质层，其特征在于，还包 括金属氧化层，位于金属层上。
10. 根据权利要求9所述硅基液晶显示器反射镜面，其特征在于所述金属氧 化层为氧化铝层。
11. 根据权利要求IO所述硅基液晶显示器反射镜面，其特征在于所述氧化 铝层的厚度为30埃 70埃。
12. —种硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于，包括下列步骤 首先提供包含晶体管和电容器的硅基底，在硅基底上依次形成有像素开关电路层、导电层、绝缘层及金属层，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽； 在金属层上形成绝缘介质层且绝缘介质层填充满沟槽； 蚀刻绝缘介质层至露出金属层，形成反射镜面阵列； 在金属层上形成金属氧化层； 对包含金属层和金属氧化层的硅基底进行热处理。
13. 根据权利要求12所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于形成金 属氧化层的方法为等离子体氧气处理金属层表面。
14. 根据权利要求13所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于等离子 体氧气处理金属层表面的温度为240。C 280。C,压力为1.3Torr 1.7Torr。
15. 根据权利要求14所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于氧气流 量为2200sccm 2800sccm。
16. 根据权利要求14所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于所述金 属层为铝铜合金，其中铝含量为99.5%,铜含量为0.5%。
17. 根据权利要求12所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于所述金 属氧化层为氧化铝层。
18. 根据权利要求17所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于所述氧 化铝层的厚度为30埃 70埃。
19. 根据权利要求12所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于所述热处理的温度为400。C 420。C,时间为25分钟~35分钟。
20. —种硅基液晶显示器，包括，包含晶体管和电容器的硅基底，位于硅基底 上的像素开关电路层，位于像素开关电路层上的导电层，位于导电层上的 绝缘层及位于绝缘层上的金属层，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽， 沟槽内填充满绝缘介质层，其特征在于，还包括金属氧化层，位于金属层上。
21. 根据权利要求20所述硅基液晶显示器，其特征在于所述金属氧化层为 氧化铝层。
22. 根据权利要求21所述硅基液晶显示器，其特征在于所述氧化铝层的厚 度为30埃~70埃。
全文摘要
一种硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，包括下列步骤首先提供带有金属层的硅基底，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽；在金属层上形成绝缘介质层且绝缘介质层填充满沟槽；蚀刻绝缘介质层至露出金属层，形成反射镜面阵列；在金属层上形成金属氧化层；对包含金属层和金属氧化层的硅基底进行热处理。本发明还提供一种硅基液晶显示器反射镜面、硅基液晶显示器及制作方法。在金属层上形成金属氧化层用以保护金属层，使金属层在热处理过程中由于金属氧化层的压制，使金属层中的原子迁移减慢，使反射镜面不会产生凸起，进而提高反射镜面的质量和可靠性，提高反射镜面的反射效果。
文档编号G02F1/1362GK101311802SQ200710041098
公开日2008年11月26日 申请日期2007年5月23日 优先权日2007年5月23日
发明者艳 刘, 向阳辉 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司